JP5802473B2 - 超電導線材 - Google Patents
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Description
請求項1に記載の超電導線材は、基板上に中間層を介して希土類系酸化物超電導体による超電導層が形成され、該超電導層は希土類系酸化物超電導体の結晶の(001)面が超電導線材の基板面と平行で、(110)面の方位が超電導線材の長手方向と平行になるように成膜されて構成されている。上記のように、(001)面が超電導線材の基板面と平行な希土類系酸化物超電導体は、結晶の(110)面の方位が(100)面の方位や(010)面の方位に比べて、同じ負荷ひずみに対して結晶のa、b軸方向のひずみ成分が小さくなるため、超電導層の結晶構造を維持することができる。従って、超電導線材がその長手方向に引張応力を受けたときや曲げ応力を受けたときに結晶の変形を減少させ、特性の低下を抑えることができる。
図1に示すように、本実施形態における超電導線材11は、基板12上に第1中間層13及び第2中間層14よりなる中間層15を介して希土類系酸化物超電導体による超電導層16が形成されて構成されている。基板12は、ニッケル合金(ハステロイ)、銀、銀合金等の金属により形成される。前記超電導層16は、希土類系酸化物超電導体の結晶の(001)面20が超電導線材11の基板12面と平行で、(110)面17の方位が超電導線材11の長手方向xと平行になるように成膜されている。このため、超電導線材11に引張応力や曲げ応力が作用したとき、ひずみを抑えて変形を抑制することができ、超電導線材11の通電特性を維持することができる。
図4(a)に示すように、前記基板12と第1中間層13との間には、緩衝層として無定形状態又は微結晶状態のベッド層19を設けることができる。このベッド層19としては、ガドリニウム・ジルコニウム酸化物層、酸化イットリウム層(Y2O3層)、アルミナ層(Al2O3層)等が用いられる。このベッド層19は1層で形成されるが、2層以上の複数層であっても差し支えない。
さて、本実施形態の超電導線材11は、基板12上に中間層15を介して希土類系酸化物超電導体による超電導層16が形成され、中間層15の性質に基づいて該超電導層16は希土類系酸化物超電導体の結晶の(110)面17の方位が超電導線材11の長手方向xと平行になるように形成される。この場合、中間層15として第1中間層13と第2中間層14の2層構成とすることにより、超電導層16を形成する希土類系酸化物超電導体の結晶との反応を回避し、希土類系酸化物超電導体の結晶の方位を所定方向に制御することができる。
(1)本実施形態の超電導線材11は、基板12上に中間層15を介して希土類系酸化物超電導体による超電導層16が形成され、該超電導層16は希土類系酸化物超電導体の結晶の(001)面20が超電導線材11の基板12面と平行で、(110)面17の方位が超電導線材11の長手方向xと平行になるように構成されている。従って、希土類系酸化物超電導体の結晶の(110)面17の方位の特性に基づいて、超電導線材11がその長手方向xに引張応力を受けたときや曲げ応力(フープ応力)を受けたときに変形が抑制される。
(2)前記中間層15は、基板12上に形成される第1中間層13とその上に形成される第2中間層14とにより構成されている。そして、第1中間層13は結晶の(110)面17又は(220)面の方位が超電導線材11の長手方向xに平行に延びるように構成され、第2中間層14は結晶の(100)面18又は(200)面の方位が超電導線材11の長手方向xに平行に延びるように構成されている。このため、超電導層16を形成する希土類系酸化物超電導体の結晶の(110)面17の方位が超電導線材11の長手方向xに平行になるように的確に設定することができる。
(3)前記第1中間層13はガドリニウム・ジルコニウム酸化物により形成されるとともに、第2中間層14はバリウム・ジルコニウム酸化物により形成される。従って、ガドリニウム・ジルコニウム酸化物と希土類系酸化物超電導体との反応を防止しつつ、希土類系酸化物超電導体の結晶の方位を良好に制御することができる。
(4)前記基板12と中間層15との間には無定形状態又は微結晶状態のベッド層19が形成され、中間層15はベッド層19上に形成される第1中間層13とその上に形成される第2中間層14とにより構成される。そして、第1中間層13は結晶の(100)面18又は(200)面の方位が超電導線材11の長手方向xに平行に延びるように構成され、第2中間層14は結晶の(100)面18又は(200)面の方位が超電導線材11の長手方向xに平行に延びるように構成される。そのため、ベッド層19により基板12と中間層15との間の相互作用を抑制し、超電導層16を形成する希土類系酸化物超電導体の結晶の方位を一層容易に制御することができる。
(5)前記ベッド層19はガドリニウム・ジルコニウム酸化物により形成されるとともに、第1中間層13は酸化マグネシウムにより形成され、第2中間層14は酸化セリウムにより形成される。このため、ベッド層19により基板12と酸化マグネシウムとの相互作用を抑えるとともに、酸化セリウムの結晶により超電導層16の希土類系酸化物超電導体の結晶の方位制御を的確に行うことができる。
(6)前記第2中間層14は、バリウム・ジルコニウム酸化物により形成される第2中間下層14aと、酸化セリウムにより形成される第2中間上層14bとにより構成される。この場合には、第2中間下層14aのバリウム・ジルコニウム酸化物により第2中間上層14bの酸化セリウムの結晶の(100)面18の方位を超電導線材11の長手方向xに平行にすることができる。従って、第2中間上層14b上の希土類系酸化物超電導体の結晶の(110)面17の方位を超電導線材11の長手方向xに平行に設定することができる。
(実施例1及び比較例1)
まず、実施例1について説明する。
前記実施例1において、第1中間層13上に、第2中間層14としてGd・Zr酸化物層に代えて酸化セリウム層(CeO2層)とした以外は、実施例1と同様の構成とした。酸化セリウム層は、酸化セリウムをPLD法により、厚さ0.4μmに成膜して形成し、図2及び図3(b)に示すように、その結晶の(100)面18の方位が超電導線材11の長手方向xに平行であった。得られた超電導線材11における希土類系酸化物超電導体の結晶の(100)面18の方位は、X線回折に基づいて判断したところ、超電導線材11の長手方向xと平行であった。
(実施例2及び比較例2)
これらの実施例2及び比較例2の超電導線材11は、基板12上に無定形状態又は微結晶状態のベッド層19が形成され、そのベッド層19上に第1中間層13及び第2中間層14を介して超電導層16が形成されて構成されている。
前記実施例1の基板12上にベッド層19として厚さ50nmのGd・Zr酸化物層を形成し、そのベッド層19上に第1中間層13として酸化マグネシウム層(MgO層)を前記IBAD法で形成した。この酸化マグネシウム層の結晶の(100)面18の方位が超電導線材11の長手方向xに平行であった。該第1中間層13上に第2中間層14として酸化セリウム層をPLD法により形成した。この酸化セリウム層の結晶の(200)面の方位が超電導線材11の長手方向xに平行であった。
前記実施例2において、第1中間層13上に第2中間下層14aとしてLa・Mn酸化物層(LaMnO3層)を形成するとともに、第2中間上層14bとして酸化セリウム層を形成した以外は、実施例2と同様にして超電導線材11を調製した。La・Mn酸化物層は、その結晶の(200)面の方位が超電導線材11の長手方向xに平行であった。また、酸化セリウム層は、その結晶の(100)面18の方位が超電導線材11の長手方向xに平行であった。その結果、希土類系酸化物超電導体の結晶の(100)面18の方位は、X線回折に基づいて判断したところ、超電導線材11の長手方向xに平行であった。
(実施例3)
次に、実施例3について説明する。
なお、前記実施形態を次のように変更して具体化することも可能である。
・ 前記第2中間層14として、ランタン・マンガン酸化物層(La・Mn酸化物層)等を使用することも可能である。
・ 前記超電導層16として、ランタン・バリウム・銅酸化物層(La・Ba・Cu酸化物層)等を使用することもできる。
Claims (3)
- 基板上に中間層を介して希土類系酸化物超電導体による超電導層を形成した超電導線材であって、
前記超電導層は、希土類系酸化物超電導体の結晶の(001)面が超電導線材の基板面と平行で、(110)面の方位が超電導線材の長手方向と平行になるように成膜されていることを特徴とする超電導線材。 - 前記中間層は、基板上に形成される第1中間層とその上に形成される第2中間層とにより構成され、第1中間層は結晶の(001)面が超電導線材の基板面と平行で、(110)面又は(220)面の方位が超電導線材の長手方向に平行に延びるように構成され、第2中間層は結晶の(001)面が超電導線材の基板面と平行で、(100)面又は(200)面の方位が超電導線材の長手方向に平行に延びるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の超電導線材。
- 前記第1中間層はガドリニウム・ジルコニウム酸化物により形成されるとともに、第2中間層はバリウム・ジルコニウム酸化物により形成されていることを特徴とする請求項2に記載の超電導線材。
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