JP5794598B2 - 六ホウ化金属冷電界エミッター、その製造方法及び電子銃 - Google Patents

Description

本発明は電子顕微鏡の電子源などに使用される冷電界エミッター（cold field emitter、ＣＦＥ）に関し、特に、安定度を改善した、六ホウ化金属ＣＦＥ、その製造方法、及びそれを用いた電子銃に関する。

材料科学から生物学までの広範な研究のための基本的なツールとして、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）及び走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を含む電子顕微鏡はますます高い空間的、時間的、エネルギー的な分解能を獲得してきた。このような分解能の向上には電子顕微鏡の点状電子源が一層高輝度であり、時間的なコヒーレンスが高く、安定な照射用電子ビームを発生することが求められる。ＣＦＥは、ショットキーエミッターや熱電子エミッター（thermionic emitter）等の他の電子源と比較したとき、輝度及び時間的コヒーレンスが最も高い。

ＣＦＥでは電子源の輝度は放射電流密度に関連している。これは以下の形態をとる簡略化されたFowler-Nordheim方程式
Ｊ＝ｃ_１Ｆ^２／φ ｅｘｐ（−ｃ_２φ^３／２／Ｆ） （１）
によって表すことができる。ここで、変数Ｆ及びφはそれぞれ局所的な電界強度及びエミッター材料の仕事関数であり、ｃ_１及びｃ_２は実際の動作条件下では定数であるとして取り扱うことができる。ＣＦＥの時間的コヒーレンスはエミッターのエネルギーの広がりとして特徴付けることができるが、これは以下のように表すことができる。
ΔＥ＝ｃ_３ Ｆ／φ^１／２ （２）
ここで、ｃ_３は定数である。従って、放射電流密度Ｊは、式（１）と式（２）を組み合わせて下式（３）を得ることにより、二つの独立変数φ及びΔＥの関数であると見なすことができる。
Ｊ＝ｃ_４ΔＥ^２ｅｘｐ（−ｃ_５ｆ／ΔＥ） （３）
ここで、ｃ_４及びｃ_５は式の誘導過程で現れた定数部分をまとめた複合定数である。式（３）より、仕事関数が低いほど、高い放射電流密度及びそれと同時に小さなエネルギーの広がりがもたらされることが導かれる。

従来のＣＦＥ材料はタングステン（Ｗ）であったが、その仕事関数は、結晶面により異なるが４，５ｅＶを超える値を取る。より望ましいエミッター材料は、（１００）面で仕事関数が２．６ｅＶであるＬａＢ_６である。ＬａＢ_６は非常に高い輝度が得られるため、Ｗ熱電子エミッターの代替材料として使用されている。これは、ＬａＢ_６の方が仕事関数が小さいことに加えて、導電率が高く、機械強度が大きく、また融点が高いことなどのその他の利点によるものである。熱電子エミッターは１５００℃を越える温度で動作するが、この場合には真空中の残留ガスは皆エミッター表面から脱着したものであるので、これによってＬａＢ_６表面が清浄に維持される。高温加熱の他の利点として、ＬａＢ_６の端面がＬａ終端面となることが挙げられる。これは重要なことである。というのも、Ｌａ終端ＬａＢ_６表面の場合だけ仕事関数が小さくなるからである。その反対に、Ｂ終端のＬａＢ_６表面の仕事関数は大きい。しかしながら、ＬａＢ_６を９００℃未満、あるいは室温よりも更に低い温度の冷電界放射モードで動作させた場合、Ｌａ終端されたＬａＢ_６の清浄な表面は急速に汚染される。かくして、放射電流は５分以内に９０％も減少するが、電子顕微鏡用の実用的な電子源は少なくとも数時間を越える動作時間を必要とする。

低温で動作するＬａＢ_６エミッターの別の問題は、そのようなエミッターがＢ終端表面を持つことである。これにより、従来技術に基くＬａＢ_６エミッターを冷電界放射モードで使用した場合には、ＬａＢ_６の特徴であるＬａ終端表面の仕事関数が小さいことを生かせなかった。

より具体的に説明すれば、以下の通りである。ＬａＢ_６の仕事関数は表面の終端原子、つまり結晶の表面に現れている原子、によって決まる。Ｂ終端表面は仕事関数が大きくなり、Ｌａ終端表面の仕事関数は小さくなる。従来技術で作成されたＬａＢ_６ナノワイヤーの（１００）結晶面は例えば非特許文献２に記載されているようにＢ原子で終端されていたので、そのようなＬａＢ_６ナノワイヤーの（１００）面は大きな仕事関数を有していた。その結果、ＬａＢ_６ナノワイヤーをエミッターとして使用すると、電子は相対的に仕事関数が小さな（１１０）／（２１０）面から放射されていた。ＬａＢ_６ナノワイヤーは＜１００＞方向に伸びているので、仕事関数が大きなＢ終端（１００）面からは電子が放出されず、その周囲の（１１０）／（２１０）面から放射される。結局、このような場合の放射パターンの中心部は暗く、周辺部に明るい点が分布することになる（図５（ｂ）参照）。（２１０）方向に伸びるナノワイヤーを使用した場合には、その放射パターンの中心部は確かに明るくなるが、その周囲の（１１０）領域、及び他の（２１０）領域も皆明るくなる。理想的な点状電子源では、照射パターンの中心部にある一箇所だけから放射が行われなければならない。従って、ＬａＢ_６ナノワイヤーの先端にＬａ終端の（１００）面を作成できれば、それは冷電子源の最良の形態となる。以上説明した事柄は、例えば、特許文献１、特許文献２、非特許文献１および非特許文献２に記載されているので、適宜参照されたい。

本発明の課題は、ＬａＢ_６等の希土類、Ｃａ等のアルカリ土類等の金属の六ホウ化物である六ホウ化金属ナノワイヤーの先端に形成したＬａ等の金属原子終端の（１００）エミッター表面を長時間にわたって安定化させる低温プロセスを提供することにある。また、本発明の課題は、低温で使用しても長期間安定動作する六ホウ化金属ナノワイヤーを使用したＣＦＥを提供することにある。更に、そのようなＣＦＥを使用した電子銃を提供することにある。

本発明の一側面によれば、先端に水素による安定化処理を施した金属終端（１００）表面を有する六ホウ化金属のナノロッドを設けた、六ホウ化金属冷電界エミッターが与えられる。
ここで、前記ナノロッドは＜１００＞方向に伸びた単結晶であってよい。
また、前記先端は半球状に成形されていてよい。
また、前記ナノロッドの直径は１０〜３００ｎｍの範囲であってよい。
また、前記六ホウ化金属はＬａＢ_６であってよい。
本発明の他の側面によれば、六ホウ化金属のナノロッドの先端に形成された金属終端（１００）面を水素に曝露することによって安定化する、六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法が与えられる。
ここで、前記水素への曝露は１５０Ｋ以下で行ってよい。
また、前記金属終端（１００）面は、前記ナノロッドの先端に形成されたＢ終端（１００）面に正電圧を印加することによって形成してよい。
また、前記金属終端（１００）面は、前記ナノロッドの先端に形成されたＢ終端（１００）面にＮｅの存在下で電界蒸発処理を施すことによって形成してよい。
また、前記ナノロッドは＜１００＞方向に伸びた六ホウ化金属単結晶であってよい。
また、前記ナノロッドの先端を半球状に成形することにより、前記先端の中心部にＢ終端（１００）面を形成してよい。
また、前記半球状の成形は前記ナノロッドの先端に電界蒸発処理を施すことによって行ってよい。
また、前記半球状の成形のための前記電界蒸発処理は水素の存在下で行ってよい。
本発明の更に他の側面によれば、前記何れかの六ホウ化金属冷電界エミッターを設けた電子銃が与えられる。
ここで、前記電子銃は、電気絶縁性を有する熱伝導体を介して前記六ホウ化金属冷電界エミッターに接続された冷却装置と、水素を導入する水素ノズルとを設けてよい。

本発明の金属終端表面が水素処理によって安定化処理された六ホウ化金属エミッターは、低温でも大きな放射電流を長時間にわたって安定して与えることができる。更に、本発明のエミッターはその先端部の中心にある（１００）面から電子を放出するが、その周囲からの放射はほとんどないため、本発明によれば理想的な点状の電子源が提供される。

ＬａＢ_６エミッターを準備するための装置の構造を概念的に示す図。 ＬａＢ_６エミッターを使用する電子銃の構造を概念的に示す図。 ＬａＢ_６エミッターを準備し、電子銃中で使用する手順を示すフローチャート。 ＬａＢ_６エミッターのＳＥＭ像。 （ａ）Ｈ_２アシスト電界蒸発後のＢ終端ＬａＢ_６（１００）表面の電界イオン顕微鏡（field ion microscope、ＦＩＭ）像。（ｂ）このＬａＢ_６（１００）表面の仕事関数が大きいことを周囲の結晶面との比較により示す電界放射電子顕微鏡（field emission microscope、ＦＥＭ）像。 （ａ）Ｎｅ中での電界蒸発後のＬａ終端ＬａＢ_６（１００）表面を示すＦＩＭ像（結像ガスとしてＮｅを使用）。（ｂ）ＬａＢ_６（１００）表面の仕事関数が小さいことを周囲の結晶面との比較により示すＦＥＭ像。 水素安定化処理を行っていない場合のＬａＢ_６エミッターのＦＥＭ像の時間変化を示しており、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ電界放射開始後０分、４分、及び２０分経過後のＦＥＭ像である。 水素安定化処理を行った場合のＬａＢ_６エミッターのＦＥＭ像の時間変化を示しており、（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ電界放射開始後０分、１５分、３０分、４５分、６０分、７５分、９０分、１０５分、及び１２０分経過後のＦＥＭ像である。 水素安定化処理を行った場合のＬａＢ_６エミッターからの電界放射による全電流を放射開始時点から２５分間に渡って測定した結果の時間変化のグラフ。

以下で本発明をその実施例を用いて説明する。しかしながら、この実施例は本発明の理解を助けるためのものであり、如何なる意味でも本発明を限定するものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲のみにより定められるべきものであることに注意されたい。例えば、本願明細書ではもっぱらＬａＢ_６エミッターについて論じているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＣｅＢ_６、ＧｄＢ_６、ＹＢ_６、ＣａＢ_６、ＢａＢ_６、ＳｒＢ_６等の他の六ホウ化金属にも同様に適用することができる。また、以下では、新たにエミッターを作成するだけでなく、使用中の汚染などによって本願発明のエミッターとしての機能を失った、あるいは大きく劣化したエミッターの再生方法も説明するが、このような劣化したエミッターからその機能を復活させる再生方法もエミッターの製造方法であると理解する必要がある。その他、本願特許請求の範囲はその最も広い意味で解釈しなければならない。

図１は本発明の一実施例のＬａＢ_６エミッターを準備するための装置（以下ではエミッターテストシステムとも言う）の構成を概念的に示す図である。この装置により準備されたＬａＢ_６エミッターを、やはりその構成を図２に概念的に示す電子銃に取り付けることにより、電子顕微鏡などに使用することができるＬａＢ_６電子銃が提供される。また、図１の装置によってＬａＢ_６エミッターを準備して図２に示すＬａＢ_６電子銃を製造し、使用する手順を図３のフローチャートに示す。

図１に示すエミッターテストシステムは、チャンバー１１１内にＬａＢ_６エミッター１０１を設置してこれを電子銃で使用できるように処理する。ＬａＢ_６エミッター１０１はＬａＢ_６単結晶ナノワイヤーを使用するが、ナノワイヤーは直径が数１０ｎｍ程度、長さが数１０μｍ程度の極めて微小なものであるため、取扱いが困難である。そのため、実際には金属製の針等の基台の先端にＬａＢ_６ナノワイヤーを取り付けたものをＬａＢ_６エミッターとして使用してよい。そのような構造のＬａＢ_６エミッターの実例のＳＥＭ像を図４（ａ）に示す。図４（ａ）ではタングステン（Ｗ）の針の先端側部にＬａＢ_６ナノワイヤーを炭素（Ｃ）ボンディングにより貼り付けたものが示されている。ここに示された特定のＬａＢ_６エミッターでは、Ｗ針の先端からＬａＢ_６ナノワイヤーが５μｍ突出し、またナノワイヤーの直径は６６ｎｍである。しかし、ナノワイヤーの突出長と直径はこれに限定されるものではなく、例えば突出長は０．２〜２０μｍ、直径は１０〜３００ｎｍの範囲としてよい。なお、ＬａＢ_６ナノワイヤーの製造方法やその各種の特性、また当該ナノワイヤーを金属針などの基台先端部に取り付けること自体は当業者によく知られている事項であるのでこれ以上詳細な説明は行わないが、必要であれば例えば特許文献３、非特許文献３、あるいはそこで引用されている先行文献等を参照されたい。

図１に戻って、ＬａＢ_６エミッター１０１は、電気絶縁性を有するが熱伝導率は高い特性を有する部材である電気絶縁体／熱伝導体１０５により、コールドヘッド１０７に取り付けられている。電気絶縁体／熱伝導体１０５は、これに限定するものではないが、例えばバリウム酸化物ベースのセラミック製の円盤状部材とすることができる。後述するように、ＬａＢ_６エミッター１０１から電子を効率よく放出できるための処理に当たっては、室温よりもはるかに低温まで冷却すると同時に高い電圧を印加して浄化等の処理を行う必要があるため、良好な電気絶縁性と熱伝導性の両方が必要となる。この高い電圧を与えるため、バイポーラ電源１１５が設けられ、ＬａＢ_６エミッター１０１に接続される。

ここで図３のステップ３０１（以下、ステップは全て図３中に示されているため、単にステップ番号のみを示す）に示すように、ＬａＢ_６ナノワイヤーとして＜００１＞方向を向いているものを使用するが、その先端は、図４（ｂ）のＳＥＭ像から明らかなように必ずしもこの方向に垂直な平面にはならないので、そこに常に（１００）面が現れているわけではない。また、また同図に示すようにワイヤーには汚染物質が付着している。このため、作成されたままのＬａＢ_６ナノワイヤーではエミッターとして使用するには不十分である。そこで先ずこのようなナノワイヤーに電界蒸発処理を施す。具体的には電気絶縁体／熱伝導体１０５を介してコールドヘッド１０７によりＬａＢ_６エミッター１０１を８０Ｋ以下に冷却する（ステップ３０３）。その後、水素ノズル１０９から水素ガスを導入し、ＬａＢ_６エミッター１０１に高電圧を印加して、Ｈ_２電界蒸発処理を行う。なお、電界蒸発は通常は高真空中で行われるが、ここではＨ_２電界蒸発処理、つまり微量のＨ_２（本実施例では１×１０^−６ｔｏｒｒ程度）を添加した雰囲気中での電界蒸発を行った。Ｈ_２の存在下で電界蒸発を行うことにより、Ｈ_２を添加しない場合に必要とされる電界強度よりも小さな（通常６０％程度）電界強度で電界蒸発を行うことができる。図４（ｂ）に示す処理前のＬａＢ_６ナノワイヤーをＨ_２電界蒸発処理が完了した後の同じ箇所のＳＥＭ像を図４（ｃ）に示す。これら２つのＳＥＭ像を比較すると明らかなように、Ｈ_２電界蒸発処理を行うことにより、電界が集中するＬａＢ_６ナノワイヤー先端部から特に多数の原子が蒸発することで先端部が半球状形状となるとともに、付着していた汚染物質も除去される。

図５（ａ）に、十分なＨ_２電界蒸発処理を行った後のＬａＢ_６エミッター１０１（図４（ｃ）の状態）先端のＨ_２ＦＩＭ像を示す。中心にはＬａＢ_６の（１００）面が見えているが、この面はＢ終端された面である。また、同じ部分の電ＦＥＭ像を図５（ｂ）に示す。既に説明したように、Ｂ終端（１００）面の仕事関数は大きくなる。図５（ｂ）に示すように、観測対象のＬａＢ_６エミッター１０１の中心のＢ終端（１００）面からの電界放射がその周囲の他の方位の面からの電界放射よりも弱いことからも、当該（１００）面がＢ終端となっていることが確認できる。

なお、周知のように、ＦＩＭ像を得るには、微量の結像ガス雰囲気中で針状の試料に高い正電圧を印加し、試料先端表面からのイオン流を電子／イオンイメージング装置１０３で可視像に変換する。ＦＥＭ像を得るには、高真空状態で針状の試料に高い負の電圧を印加して、先端から放射される電子ビームを電子／イオンイメージング装置１０３で可視像に変換する。これらを使用して電界蒸発の進行を観測し、適切な電界蒸発用印加電圧（成形電圧）及び印加時間を定める。 より具体的に説明すれば、電界蒸発プロセスの進行はＦＩＭにより直接観察できるので、ＦＩＭ像を観察しながら先端の半球状への成形が終了したことを確認し、そこでＨ_２電界蒸発プロセスを終了する。電界蒸発が完了したら、そのとき使用した成形電圧Ｖ_ｓを記録する（ステップ３０５）。

その後、ステップ３０７に示すように、Ｈ_２ではなくＮｅ雰囲気中で、成型電圧よりも高い電圧を所定時間印加してＮｅ電界蒸発処理を行うことにより、ＬａＢ_６エミッター先端にＬａ終端（１００）面を形成する。なお、ここでもステップ３０５と同様にＦＩＭ像を観察しながら電界蒸発処理を行い、ＦＩＭ像によりこの電界蒸発処理の終了時点を判断する。その後、今度はＬａＢ_６エミッター先端のＦＥＭ像を観察することで、強い電子放射がその中心にある（１００）面のみから出ていることを確認する（詳細は後述）。また、当該面を形成するために使用した電圧を極性形成電圧Ｖ_ｐとして記録する。

図６（ａ）及び図６（ｂ）には、それぞれステップ３０７においてＨ_２の代わりにＮｅを使用して電界蒸発を行ったＬａＢ_６エミッター先端から得られたＦＩＭ像及びＦＥＭ像を示す。図６（ａ）のＦＩＭ像は、結像ガスとしてＮｅを使用して得られたものである。この電界蒸発処理を行った場合にはＬａＢ_６エミッターの先端にはＬａ終端（１００）表面が得られる。図６（ｂ）に示すＦＥＭ像では、中心部に明るい像が一つだけ観測されていることで、中心にある（１００）表面が、周囲の他の方位の表面に比べて仕事関数の小さなＬａ終端（１００）表面になっていることがわかる。従って、ＦＩＭ像が図６（ａ）に示すようになったことを確認してＮｅ電界処理を終了し、次に、ＦＥＭ像を観察することによってエミッター先端の中心部の狭い領域だけに明るい像が見られることを確認することで、先端部の（１００）表面が仕事関数の小さいＬａ終端になったことを確認することができる。

Ｈ_２を使用して電界蒸発を行った場合には、上述のように（１００）表面はＢ終端となる。しかし、Ｈ_２電界蒸発の方がＮｅ電界蒸発よりも小さな電界で電界蒸発が進行するため、ＬａＢ_６エミッター１０１（ナノワイヤー）の先端を半球状に成形するに当たってはＨ_２電界蒸発を使用するのが好ましい。また、先端の成形からＬａ終端面の形成まで一貫してＮｅ電界蒸発で行おうとすると、処理過程でナノワイヤーの破損が発生しやすい。本実施例ではナノワイヤー先端の成形はＨ_２電界蒸発を使用し、このようにして成形されたナノワイヤー先端の（１００）面をＬａ終端とする工程をＮｅ電界蒸発で行うことによって、全工程の所要時間を短縮するとともにナノワイヤーの破損による歩留まり低下を防止した。なお、Ｌａ終端（１００）面をＬａＢ_６エミッター先端に形成するため、本実施例ではＮｅ電界蒸発を利用したが、ここでＮｅを使用することは必須ではない。この処理の本質はエミッター先端に大きな電界を印加することにあるので、Ｌａ終端面を生成するために必要な電界を印加できるのであれば、他の任意の方法を使用してよい。

この段階で、ＬａＢ_６エミッター１０１を図１に示すテストシステムから取り外して、図２の電子銃へ取り付ける（ステップ３０９）。電子銃でも図１に示したのと同様に、ＬａＢ_６エミッター１０１は、電気絶縁体／熱伝導体２０５を介してコールドヘッド２０７に取り付けられる。この構成により、ＬａＢ_６エミッター１０１をここでも８０Ｋ以下に冷却する（ステップ３１１）。

ＬａＢ_６エミッター１０１をこのように所定温度に冷却した状態で、先ず、記録されている成形電圧Ｖ_ｓを印加してその先端を成形し、その後、やはり記録されている極性形成電圧Ｖｐを印加して、先端にＬａ終端（１００）面を形成する（ステップ３１３）。この状態ではＬａＢ_６エミッター１０１の先端の（１００）面はＬａ終端になっているため、その仕事関数は小さくなっている。従って、引出電極２１７に電界を印加することで、ＬａＢ_６エミッター１０１の先端からの電界放射により、大きな電流の電子ビーム２１３を得ることができる。しかしながら、この状態では電界放射の輝度は図７に示すように、急激に低下する。電界放射開始時点では図７（ａ）に示すようにＬａＢ_６エミッター１０１の先端から高い輝度の電界放射が観測されたが、４分後には図７（ｂ）のように大きく輝度が低下し、２０分後には図７（ｃ）に示す通り、電界放射はほとんど観測されなくなってしまった。 なお、図７に示す電界放射の際の印加電圧は−４００Ｖ、温度は１００Ｋであった。

このようなＬａＢ_６エミッター１０１の急激な劣化を防止して、電界放射の輝度を長時間安定して大きい値に維持するため、ＬａＢ_６エミッター１０１に対して水素を用いた安定化処理を施す（ステップ３１５）。具体的には、本実施例では水素バルブ２０９から水素ガスを導入することにより、ＬａＢ_６エミッター１０１を１０秒間水素ガスに暴露した。その後、図７に示した実験と同じ電圧及び温度条件で電界放射の経時変化を観測した。放射開始後、それぞれ０分、１５分、３０分、４５分、６０分、７５分、９０分、１０５分、及び１２０分経過時点の安定化処理済みＬａＢ_６エミッターからの電界放射輝度を、図８の（ａ）〜（ｉ）に示す。放射開始時点の輝度(図８（ａ））と１２０分経過時点の輝度（図８（ｉ））を比較するとほとんど変化が見られないことから、本発明の処理により、ＬａＢ_６エミッターの本質的な利点を維持したままで、電子顕微鏡などにおける通常の使用状況で必要とされる時間、安定して動作させることができる。本発明によるＬａＢ_６エミッターの長時間に渡る安定動作は、このエミッターからの電界放射による全電流を放射開始時点から２５分間にわたって測定した結果のグラフである図９からも確認できる。従って、安定化処理ステップ３１５の後、ＬａＢ_６エミッター１０１を、ステップ３１７に示すように実際の用途に供することができる。

ＬａＢ_６ナノワイヤーの先端直径が３０、４５、６０、８０ｎｍの場合の、適切な成形電圧Ｖｓ、当該成形電圧Ｖｓを印加する成形時間、その後に印加する極性形成電圧とその印加時間である極性形成時間、その後の安定化処理のための水素曝露量とその際の温度である曝露温度を表にまとめたものを表１として示す。表１には更に、「ナノワイヤー先端直径」のカラムの各升目内の下段に丸括弧内に示す先端直径の範囲に対して、その右側の「成形電圧」、「成形時間」、「極性形成電圧」、「極性形成時間」、「水素曝露量」、「曝露温度」の各々についての好適な範囲も示す。この範囲の表記方法として、電圧については中心電圧に対する変化範囲を升目内の下段に％で表し、それ以外については数値範囲を同じく下段の丸括弧内に示す。

なお、一旦実際の使用に供し始めたエミッターは使用中のあるいは保存中の汚染等により次第に劣化する。その際には、再度ステップ３１３、３１５に示す処理を施すことによりエミッターを再生することができる。また、図３に示す手順においては、ＬａＢ_６エミッター１０１を電子銃に取り付けた後、その直前に行った成形電圧印加及び極性形成電圧印加を再度行っているが、このエミッターを電子銃へ移送して取り付ける間に汚染などのエミッター表面への悪影響が実質的に起こらないことが確実である場合には、電子銃の最初の使用の前にはこれらの電圧の印加を繰り返す必要はない。また、ＬａＢ_６エミッターを電子銃に設置した状態でステップ３０７までの処理を行うことができる場合には、図１に示す装置を別途用意してエミッターの準備作業をその装置内で行う必要はない。

以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ホウ化金属のエミッターを冷電界放射モードにおいて高輝度で長時間連続して使用できるようになるため、電子顕微鏡の一層の高分解能化に大いに貢献することが期待される。

１０１：ＬａＢ_６エミッター
１０３：電子／イオンイメージング装置
１０５、２０５：電気絶縁体／熱伝導体
１０７，２０７：コールドヘッド
１０９，２０９：水素ノズル
１１１，２１１：チャンバー
１１３，２１３：電子ビーム
１１５，２１５：バイポーラ電源
２１７：引出電極

米国特許４，４８６，６８４ 米国特許４，４８２，８３８ 国際公開２０１０／１２３００７

Surface Science, vol. 146, p. 583-599, 1984, A determination of the low work function planes of LaB6, Gesley, M. et al. Surface Science Letters, vol., 124, p. L25-L30, 1983, An atom-probe analysis of LaB6(001) plane, Murakami, K. et al. http://jstshingi.jp/abst/p/10/1036/jst2.pdf

Claims (15)

1. 先端に水素による安定化処理を施した金属終端（１００）表面を有する六ホウ化金属のナノロッドを設けた、六ホウ化金属冷電界エミッター。
2. 前記ナノロッドは＜１００＞方向に伸びた単結晶である、請求項１に記載の六ホウ化金属冷電界エミッター。
3. 前記先端は半球状に成形されている、請求項１または２に記載の六ホウ化金属冷電界エミッター。
4. 前記ナノロッドの直径は１０〜３００ｎｍの範囲である、請求項１から３の何れかに記載の六ホウ化金属冷電界エミッター。
5. 前記六ホウ化金属はＬａＢ_６である、請求項１から４の何れかに記載の六ホウ化金属冷電界エミッター。
6. 六ホウ化金属のナノロッドの先端に形成された金属終端（１００）面を水素に曝露することによって安定化する、六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
7. 前記水素への曝露は１５０Ｋ以下で行う、請求項６に記載の六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
8. 前記金属終端（１００）面は、前記ナノロッドの先端に形成されたＢ終端（１００）面に正電圧を印加することによって形成される、請求項６または７に記載の六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
9. 前記金属終端（１００）面は、前記ナノロッドの先端に形成されたＢ終端（１００）面にＮｅの存在下で電界蒸発処理を施すことによって形成される、請求項８に記載の六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
10. 前記ナノロッドは＜１００＞方向に伸びた六ホウ化金属単結晶である、請求項８または９に記載の六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
11. 前記ナノロッドの先端を半球状に成形することにより、前記先端の中心部にＢ終端（１００）面を形成する、請求項８から１０の何れかに記載の六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
12. 前記半球状の成形は前記ナノロッドの先端に電界蒸発処理を施すことによって行われる、請求項１１に記載の六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
13. 前記半球状の成形のための前記電界蒸発処理は水素の存在下で行われる、請求項１２に記載の六ホウ化金属冷電界エミッターの製造方法。
14. 請求項１から５の何れかに記載の六ホウ化金属冷電界エミッターを設けた電子銃。
15. 電気絶縁性を有する熱伝導体を介して前記六ホウ化金属冷電界エミッターに接続された冷却装置と、
    水素を導入する水素ノズルと
    を設けた、請求項１４に記載の電子銃。