JP5793704B2 - 多層のグラフェン層の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]薄片状のグラファイトまたはグラフェンと、溶媒と、を含むペーストを用意するステップと;前記ペーストを基板に塗布して、前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを前記基板表面にしきつめるステップと;前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを、不活性ガス雰囲気下、100気圧以上の加圧条件下で加熱するステップとを含む、多層のグラフェン層の製造方法。
[2]前記薄片状のグラファイトは、不活性ガス中で芳香族高分子フィルムを2200℃以上で熱処理して得たフィルム状グラファイトの粉砕処理物である、[1]に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
[3]前記薄片状のグラフェンは、グラフェンフラワーの粉砕処理物である、[1]または[2]に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
[4]前記不活性ガス雰囲気は、酸素濃度1000ppm以下の希ガス雰囲気である、[1]〜[3]のいずれかに記載の多層のグラフェン層の製造方法。
[5]前記加熱は、レーザー照射で行われる、[1]〜[4]のいずれかに記載の多層のグラフェン層の製造方法。
[6]前記加熱は、プラズマトーチ照射で行われる、[1]〜[4]のいずれかに記載の多層のグラフェン層の製造方法。
[7]前記加熱するステップにおいて、前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンの端部を選択的に加熱する、[1]〜[6]のいずれかに記載の多層のグラフェン層の製造方法。
2 ミラー
3 基板
4 薄片状のグラファイトまたはグラフェン
5 加圧室
6 レーザー光
7 窓
Claims (7)
- 薄片状のグラファイトまたはグラフェンと、溶媒と、を含むペーストを用意するステップと、
前記ペーストを基板に塗布して、前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを前記基板表面にしきつめるステップと、
前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンを、不活性ガス雰囲気下、100気圧以上の加圧条件下で加熱するステップと、
を含む、多層のグラフェン層の製造方法。 - 前記薄片状のグラファイトは、不活性ガス中で芳香族高分子フィルムを2200℃以上で熱処理して得たフィルム状グラファイトの粉砕処理物である、請求項1に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
- 前記薄片状のグラフェンは、グラフェンフラワーの粉砕処理物である、請求項1に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
- 前記不活性ガス雰囲気は、酸素濃度1000ppm以下の希ガス雰囲気である、請求項1に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
- 前記加熱は、レーザー照射で行われる、請求項1に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
- 前記加熱は、プラズマトーチ照射で行われる、請求項1に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
- 前記加熱するステップにおいて、前記基板表面にしきつめられた前記薄片状のグラファイトまたはグラフェンの端部を選択的に加熱する、請求項1に記載の多層のグラフェン層の製造方法。
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US20030186059A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-10-02 | Masukazu Hirata | Structure matter of thin film particles having carbon skeleton, processes for the production of the structure matter and the thin-film particles and uses thereof |
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