JP5788901B2 - 導電性ポリマー組成物 - Google Patents
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Description
アノード/緩衝層/EL材料/カソード
電極の間に追加の層を有する。通常、アノードは、たとえば、インジウム/スズ酸化物(ITO)などの、EL材料中に正孔を注入する能力を有するあらゆる材料である。場合により、アノードは、ガラスまたはプラスチックの基体上に支持されている。EL材料としては、蛍光化合物、蛍光性およびリン光性の金属錯体、共役ポリマー、ならびにそれらの混合物が挙げられる。通常、カソードは、EL材料中に電子を注入する能力を有するあらゆる材料(たとえばCaまたはBaなど)である。ITOなどの導電性アノードと直接接触する緩衝層としては、10-3〜10-7S/cmの範囲内の低導電率を有する導電性ポリマーが一般に使用される。
(1)高フッ素化酸ポリマーでドープした重水素化導電性ポリマー;あるいは
(2)(a)非フッ素化ポリマー酸でドープした重水素化導電性ポリマー;および
(b)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマー。
(1)(a)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーでドープした少なくとも1種類の重水素化導電性ポリマー;および
(b)重水素化液体媒体;あるいは
(2)(a)非フッ素化ポリマー酸でドープした少なくとも1種類の重水素化導電性ポリマー;
(b)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマー;および
(c)重水素化液体媒体。
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義または説明を行う。
本発明の重水素化導電性ポリマーは、少なくとも1つのDを有する。「重水素化導電性ポリマー」は、関連するポリマー酸を含まずに、導電性ポリマー自体が重水素化されていることを意味する。ある実施形態においては、導電性ポリマーは少なくとも10%が重水素化されている。これは、Hの少なくとも10%がDで置換されていることを意味する。ある実施形態においては、ポリマーは、少なくとも20%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも30%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも40%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも50%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも60%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも70%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも80%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも90%が重水素化されている。ある実施形態においては、導電性のポリマー100%が重水素化されている。
Qは、S、Se、およびTeからなる群から選択され;
R1は、それぞれ同じかまたは異なるように独立して選択され、そして、水素、ジュウテリウム、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択されるか;あるいは両方のR1基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を完成させてもよく、その環は場合により、1つまたは複数の二価の窒素原子、セレン原子、テルル原子、硫黄原子、または酸素原子を含んでもよく、かつR2はHまたはDである。
「アルコール」 −R3−OH
「アミド」 −R3−C(O)N(R6)R6
「アミドスルホネート」 −R3−C(O)N(R6)R4−SO3Z
「ベンジル」 −CH2−C6H5
「カルボキシレート」 −R3−C(O)O−Zまたは−R3−O−C(O)−Z
「エーテル」 −R3−(O−R5)p−O−R5
「エーテルカルボキシレート」 −R3−O−R4−C(O)O−Zまたは−R3−O−R4−O−C(O)−Z
「エーテルスルホネート」 −R3−O−R4−SO3Z
「エステルスルホネート」 −R3−O−C(O)−R4−SO3Z
「スルホンイミド」 −R3−SO2−NH−SO2−R5
「ウレタン」 −R3−O−C(O)−N(R6)2
式中、すべての「R」基はそれぞれ同じかまたは異なるものであり
R3は単結合またはアルキレン基であり:
R4はアルキレン基であり
R5はアルキル基であり
R6は水素、ジュウテリウムまたはアルキル基であり
pは0または1〜20の整数であり
Zは、H、D、アルカリ金属、アルカリ土類金属、N(R5)4、またはR5である。
上記基のいずれにおいても、1つまたは複数のHがDで置換されていてもよい。上記基はいずれも、さらに非置換の場合も置換されている場合もあり、いずれの基も、過フッ素化基などのように、1つまたは複数の水素がFで置換されていてもよい。ある実施形態においては、アルキル基およびアルキレン基は1〜20個の炭素原子を有する。ある実施形態においては、アルキル基およびアルキレン基は重水素化されている。
Qは、S、Se、およびTeからなる群から選択され;
R2は、HまたはDであり、
R7それぞれ同じかまたは異なるものであり、水素、ジュウテリウム、アルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、ヘテロアルケニル、アルコール、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択され、但し、少なくとも1つのR7が水素ではなく、
mは2または3である。
R1は、出現ごとに同種または異種となるように独立して選択され、水素、ジュウテリウム、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ(alkythio)、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、アミドスルホネート、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、ウレタン、およびそれらの重水素化類似体から選択されるか;あるいは両方のR1基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を完成してもよく、その環は場合により、1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、または酸素原子を含んでもよく;
R2は、出現ごとに同種または異種となるように独立して選択され、水素およびジュウテリウムからなる群から選択され;
R8は、出現ごとに同種または異種となるように独立して選択され、水素、ジュウテリウム、アルキル、アルケニル、アリール、アルカノイル、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、ウレタン、およびそれらの重水素化類似体から選択される。
R1は、出現ごとに同種または異種となるように独立して選択され、水素、ジュウテリウム、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ(alkythio)、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、ウレタン、およびそれらの重水素化類似体辛なる群から選択されるか;あるいは両方のR1基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を完成してもよく、その環は場合により、1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、または酸素原子を含んでもよく;
R2は、出現ごとに同種または異種となるように独立して選択され、水素およびジュウテリウムからなる群から選択される。
Qは、S、Se、Te、またはNR6であり;
R6は、水素、ジュウテリウム、またはアルキルであり;
R9、R10、R11およびR12は、それぞれ同じかまたは異なるように独立して選択され、そして、水素、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、ニトリル、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択され;
R9とR10、R10とR11、およびR11とR12のうち少なくとも1つがアルケニレン鎖を形成して5または6員の芳香環を完成させ、その環は、場合により1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、または酸素原子を含むことができる。
Qは、S、Se、Te、NH、またはNDであり;
Tは、出現ごとに同種または異種であり、S、NR6、O、SiR6 2、Se、Te、およびPR6から選択され;
YはNであり;
R6は、H、D、またはアルキルであり;
少なくとも1つのジュウテリウムが存在する)
からなる群から選択される式で表される。
Qは、S、Se、Te、またはNR6であり;
Tは、S、NR6、O、SiR6 2、Se、Te、およびPR6から選択され;
Eは、アルケニレン、アリーレン、およびヘテロアリーレンから選択され;
R2は、水素またはジュウテリウムであり;
R6は、水素、ジュウテリウム、またはアルキルであり;
R13は、出現ごとに同種または異種であり、水素、ジュウテリウム、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ(alkythio)、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、ニトリル、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、ウレタン、およびそれらの重水素化類似体から選択されるか;あるいは両方のR13基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を形成することができ、この環は場合により、1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、または酸素原子を含んでもよい)
を含む。
高フッ素化酸ポリマー(「HFAP」)は、高フッ素化されており酸性基を有するあらゆるポリマーであってよい。酸性基は、イオン化可能なプロトンH+または重陽子D+を供給する。ある実施形態においては、酸性基は3未満のpKaを有する。ある実施形態においては、酸性基は0未満のpKaを有する。ある実施形態においては、酸性基は−5未満のpKaを有する。酸性基は、ポリマー主鎖に直接結合していてもよいし、ポリマー主鎖上の側鎖に結合していてもよい。酸性基の例としては、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。酸性基はすべてが同じものである場合もあるし、ポリマーが2種類以上の酸性基を有することもできる。ある実施形態においては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンアミド基、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。
−SO2−NH−SO2−R
(式中、Rはアルキル基である)
で表される。ジュウテロ−スルホンイミド基は式:
−SO2−ND−SO2−R
(式中、Rはアルキル基である)
で表される。
R2はHまたはDであり、
Rfは、高フッ素化アルキレン、高フッ素化ヘテロアルキレン、高フッ素化アリーレン、および高フッ素化ヘテロアリーレンから選択され、1つ以上のエーテル酸素で置換されていてもよく;
nは少なくとも4である。
R15は、高フッ素化アルキレン基または高フッ素化ヘテロアルキレン基であり;
R16は、高フッ素化アルキル基または高フッ素化アリール基であり;
aは0または1〜4の整数である。
R16は、高フッ素化アルキル基または高フッ素化アリール基であり;
cは独立して0または1〜3の整数であり;
nは少なくとも4である。
−(O−CF2CFRf 3)a−O−CF2CFRf 4SO3E5
(上式中、Rf 3およびRf 4は独立に、F、Cl、または1〜10個の炭素原子を有する高フッ素化アルキル基から選択され、a=0、1または2であり、E5)
によって表される側鎖とを含む。場合により、E5はLi、Na、またはKなどの陽イオンであってよく、酸の形態に変換することができる。
−O−CF2CF(CF3)−O−CF2CF2SO3E5
(式中、E5は前出の定義の通りである)
によって表される側鎖とを含む。この種類のHFAPは、米国特許第3,282,875号明細書に開示されており、テトラフルオロエチレン(TFE)と、過フッ素化ビニルエーテルのCF2=CF−O−CF2CF(CF3)−O−CF2CF2SO2F(パーフルオロ(3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホニルフルオリド)(PDMOF))との共重合の後、スルホニルフルオリド基の加水分解によってスルホネート基に変換し、必要に応じてイオン交換することによってそれらを所望のイオン形態に変換することによって製造することができる。米国特許第4,358,545号明細書および米国特許第4,940,525号明細書に開示されている種類のポリマーの一例は、側鎖−O−CF2CF2SO3E5を有し、式中のE5は前出の定義の通りである。このポリマーは、テトラフルオロエチレン(TFE)と、過フッ素化ビニルエーテルのCF2=CF−O−CF2CF2SO2F(パーフルオロ(3−オキサ−4−ペンテンスルホニルフルオリド)(POPF))との共重合の後、加水分解し、さらに必要に応じてイオン交換することによって製造することができる。
新規導電性組成物は:
(1)高フッ素化酸ポリマーでドープした重水素化導電性ポリマーを含む組成物;または
(2)(a)フッ素化ポリマー酸でドープした重水素化導電性ポリマーと;
(b)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーとを含む組成物
を含む。
(1)(a)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーでドープした少なくとも1種類の重水素化導電性ポリマーと;
(b)重水素化液体媒体と
を含む液体組成物;または
(2)(a)非フッ素化ポリマー酸でドープした少なくとも1種類の重水素化導電性ポリマーと;
(b)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーと;
(c)重水素化液体媒体とを含む液体組成物
を含む。
導電性ポリマーにドープすることができるあらゆる非フッ素化ポリマー酸を、新規複合分散体の製造に使用することができる。ある実施形態においては、非フッ素化ポリマー酸は10%未満がフッ素化されており;ある実施形態においては1%未満がフッ素化されている。ある実施形態においては、非フッ素化ポリマー酸はフッ素を全く有さない。ある実施形態においては、非フッ素化ポリマー酸は重水素酸である。ある実施形態においては、非フッ素化ポリマー重水素酸は、少なくとも10%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも20%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも30%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも40%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも50%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも60%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも70%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも80%が重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも90%が重水素化されている。ある実施形態においては、非フッ素化ポリマー酸は100%が重水素化されている。
ある実施形態においては、HFAPでドープした重水素化導電性ポリマーは、重水素化液体媒体中、HFAPの存在下での重水素化前駆体モノマーの酸化重合によって形成される。ある実施形態においては、重水素化液体媒体はD2Oである。非重水素化類似体材料の重合は、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、米国特許出願公開第2004/0127637号明細書、および米国特許出願公開第2005/0205860号明細書に記載されている。得られる生成物は、HFAPでドープした重水素化導電性ポリマーの液体分散体である。
本明細書に記載の重水素化材料を含む1つまたは複数の層を有することで恩恵を受けることができる有機電子デバイスとしては、(1)電気エネルギーを放射線に変換するデバイス(たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、発光照明器具、またはダイオードレーザー)、(2)エレクトロニクスの処理による信号を検出するデバイス(たとえば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、IR検出器)、(3)放射線を電気エネルギーに変換するデバイス(たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池)、および(4)1つ以上の有機半導体層を含む1つ以上の電子部品(たとえば、薄膜トランジスタまたはダイオード)を含むデバイスが挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の化合物は、酸素感受性指示薬およびバイオアッセイにおける発光指示薬などの用途において有用となる場合が多い。
特に有用なトランジスタの種類の1つである薄膜トランジスタ(「TFT」)は、一般に、ゲート電極、ゲート電極上のゲート誘電体、ゲート誘電体に隣接するソース電極およびドレイン電極、ならびにゲート誘電体に隣接しソース電極およびドレイン電極に隣接する半導体層を含む(たとえば、S.M.Sze,Physics of Semiconductor Devices,2nd edition,John Wiley and Sons,page 492を参照されたい)。これらの構成要素は、種々の構成で組み合わせることができる。有機薄膜トランジスタ(OTFT)は有機半導体層を有することが特徴である。アントラセンス(anthracence)、レジオ規則性(regioregular)ポリチオフェン類などの有機半導体層材料が、当技術分野において周知となっている。10S/cmを超える導電率を有する重水素化導電性ポリマー組成物が、有機薄膜トランジスタ(「OTFT」)の電極として特に有用である。
基体
絶縁層;
ゲート電極;
ソース電極;
ドレイン電極;
有機半導体層を含み;
少なくとも1つの電極が重水素化導電性ポリマーを含み、絶縁層、ゲート電極、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極は、ゲート電極および半導体層の両方が絶縁層と接触し、ソース電極およびドレイン電極の両方が半導体層と接触し、電極は互いに接触しないのであれば、あらゆる順序で配列することができる。
本発明は、2つの電気接触層の間に配置された少なくとも1つの電気活性層を含む電子デバイスであって、デバイスの少なくとも1つの電気活性層が重水素化導電性ポリマーを含む電子デバイスにも関する。ある実施形態においては、電気活性層は、高フッ素化酸ポリマーでドープした重水素化導電性ポリマーを含む。ある実施形態においては、電気活性層は、(a)非フッ素化ポリマー酸でドープした重水素化導電性ポリマーと、(b)高フッ素化酸ポリマーとを含む。ある実施形態においては、電極は、金属ナノ粒子およびカーボンナノチューブからなる群から選択される導電性粒子をさらに含む。
この実施例では、ジュウテロ−HFAPを形成するためのHFAPの重水素化を示す。酸化ジュウテリウム(D2O)中のジュウテロ−HFAPの分散体の調製をさらに示す。
この実施例では、ジュウテロ−HFAP、および酸化ジュウテリウム(D2O)中のジュウテロ−HFAPの分散体を形成するための直接法を示す。
この実施例では、重水素化HFAPでドープした重水素化導電性ポリマーの調製を示す。
この実施例では、ポリ(D5−Py)/D−ポリ(TFE−PSEPVE)を正孔注入層として使用したデバイスの製造および性能を示す。
アノード=インジウムスズ酸化物(ITO):50nm
正孔注入層=ポリ(D5−Py)/D−ポリ(TFE−PSEPVE)(45nm)
正孔輸送層=非架橋のアリールアミンポリマー(20nm)
電気活性層=13:1のホスト:ドーパント(40nm)。ホストは88%が重水素化されているジアリールアントラセン誘導体であった。ドーパントは、エレクトロルミネッセンスのビス(ジアリールアミノ)クリセン誘導体である。
電子輸送層=金属キノレート誘導体(10nm)
カソード=CsF/Al(1.0/100nm)
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
1.(1)高フッ素化酸ポリマーでドープした重水素化導電性ポリマー;あるいは
(2)(a)非フッ素化ポリマー酸でドープした重水素化導電性ポリマー;および
(b)少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマー、
の(1)または(2)のいずれかを含む組成物。
2.前記導電性ポリマーが、重水素化ポリチオフェン、重水素化ポリアニリン、重水素化ポリピロール、重水素化縮合多環式複素環式芳香族ポリマー、重水素化ポリ(アミノインドール)、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、1に記載の組成物。
3.前記導電性ポリマーが、ポリ(D6−3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(D5−ピロール)、ポリ(D7−アニリン)、ポリ(パージュウテロ−4−アミノインドール)、ポリ(パージュウテロ−7−アミノインドール)、ポリ(パージュウテロ−チエノ(2,3−b)チオフェン)、ポリ(パージュウテロ−チエノ(3,2−b)チオフェン)、およびポリ(パージュウテロ−チエノ(3,4−b)チオフェン)からなる群から選択される、2に記載の組成物。
4.前記高フッ素化酸ポリマーが少なくとも95%フッ素化されている、1に記載の組成物。
5.前記高フッ素化酸ポリマーが、スルホン酸およびスルホンイミドから選択される、1に記載の組成物。
6.前記高フッ素化酸ポリマーが、パーフルオロ−エーテル−スルホン酸側鎖を有するパーフルオロオレフィンである、1に記載の組成物。
7.前記高フッ素化酸ポリマーが過フッ素化されており、重水素酸である、1に記載の組成物。
8.前記重水素化導電性ポリマーが前記高フッ素化酸ポリマーでドープされている、1に記載の組成物。
9.過フッ素化重水素酸ポリマーでドープしたポリ(D6−EDOT)、過フッ素化重水素酸ポリマーでドープしたポリ(D5−Py)、および過フッ素化重水素酸ポリマーでドープしたD7−Paniからなる群から選択される、8に記載の組成物。
10.前記重水素化導電性ポリマーが、非フッ素化ポリマー酸でドープされている、1に記載の組成物。
11.前記重水素化導電性ポリマーが、D8−ポリスチレンスルホン酸でドープしたD6−ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、D8−ポリスチレンスルホン酸でドープしたD4−ポリピロール、およびD13−ポリ(2−アクリルアミド−2メチル−1−プロパンスルホン酸)でドープしたD7−ポリアニリンからなる群から選択される、10に記載の組成物。
12.(a)非フッ素化ポリマー酸でドープした重水素化導電性ポリマーと、(b)高フッ素化酸ポリマーとが分散している重水素化液体媒体を含む組成物。
13.高フッ素化酸ポリマーでドープした重水素化導電性ポリマーが分散している重水素化液体媒体を含む組成物。
14.1〜13のいずれか一項に記載の重水素化導電性ポリマーを含む少なくとも1つの層を含む、有機電子デバイス。
15.基体
絶縁層;
ゲート電極;
ソース電極;
ドレイン電極;および
有機半導体層を含み;
少なくとも1つの電極が重水素化導電性ポリマーを含み、ここで、前記ゲート電極および前記半導体層の両方が前記絶縁層と接触し、前記ソース電極および前記ドレイン電極の両方が前記半導体層と接触し、前記電極は互いに接触していないのであれば、前記絶縁層、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極をあらゆる順序で配置することができる、14に記載のデバイス。
Claims (5)
- 高フッ素化酸ポリマーでドープされた重水素化導電性ポリマーを含む組成物であって、
前記導電性ポリマーが、重水素化ポリチオフェン、重水素化ポリアニリン、重水素化ポリピロール、重水素化縮合多環式複素環式芳香族ポリマー、重水素化ポリ(アミノインドール)、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される組成物。 - 高フッ素化酸ポリマーでドープされた重水素化導電性ポリマーを含む組成物であって、
前記導電性ポリマーが、重水素化ポリアニリン、重水素化ポリピロール、重水素化ポリ(アミノインドール)、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される請求項1に記載の組成物。 - 前記導電性ポリマーが、ポリ(D6−3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(D5−ピロール)、ポリ(D7−アニリン)、ポリ(パージュウテロ−4−アミノインドール)、ポリ(パージュウテロ−7−アミノインドール)、ポリ(パージュウテロ−チエノ(2,3−b)チオフェン)、ポリ(パージュウテロ−チエノ(3,2−b)チオフェン)、およびポリ(パージュウテロ−チエノ(3,4−b)チオフェン)からなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 高フッ素化酸ポリマーでドープした重水素化導電性ポリマーが分散している重水素化液体媒体を含む組成物であって、
前記導電性ポリマーが、重水素化ポリチオフェン、重水素化ポリアニリン、重水素化ポリピロール、重水素化縮合多環式複素環式芳香族ポリマー、重水素化ポリ(アミノインドール)、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される組成物。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の重水素化導電性ポリマーを含む少なくとも1つの層を含む、有機電子デバイス。
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