JP5785881B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。まず、本発明にかかる半導体装置は、DSP(Digital Signal Processor)等の演算器を用いて受信信号の復号処理を行うことで受信データを生成するものである。そこで、本発明にかかる半導体装置による復号処理が適用される受信機の復号処理のフローを示すブロック図を図1に示す。この図1に示すブロック図は、ARIBの規格において定義された処理を示すものであり、復号処理の一例を示すものである。
実施の形態2では、テーブルアドレス生成回路12、15とループアドレス生成回路14、17の構成の一例について説明する。なお、実施の形態2で説明する構成例は、アクセスアドレスの生成パターンを示す一例であり、テーブルアドレス生成回路12、15及びループアドレス生成回路14、17の構成としては、種々の構成が考えられる。なお、実施の形態2にかかる半導体装置2の説明において実施の形態1にかかる半導体装置1の構成要素と同じものについては説明を省略する。
実施の形態3にかかる半導体装置3のブロック図を図5に示す。図5に示すように、実施の形態3にかかる半導体装置3は、メモリコントローラ10の別の形態を示すメモリコントローラ60を有する。メモリコントローラ60は、実施の形態1にかかるメモリコントローラ10のFIFOメモリ18をデータ処理部63に置き換え、マイクロCPU11をマイクロCPU61に置き換えたものである。また、メモリコントローラ60では、データ処理部63に対応してFIFOメモリ61、62を追加した。
実施の形態4にかかる半導体装置4のブロック図を図6に示す。図6に示すように、実施の形態4にかかる半導体装置4は、メモリコントローラ60の別の形態を示すメモリコントローラ70を有する。メモリコントローラ70は、実施の形態3にかかるメモリコントローラ60のデータ処理部63をデータ処理部76に置き換え、マイクロCPU61をマイクロCPU71に置き換えたものである。
実施の形態5にかかる半導体装置5のブロック図を図7に示す。図7に示すように、実施の形態5にかかる半導体装置5は、メモリコントローラ10の別の形態を示すメモリコントローラ80を有する。メモリコントローラ80は、メモリコントローラ10に固定テーブル81、82を追加したものである。
実施の形態6にかかる半導体装置6のブロック図を図8に示す。図8に示すように、実施の形態6にかかる半導体装置6は、メモリコントローラ10の別の形態を示すメモリコントローラ90を有する。また、半導体装置6では、テーブルメモリとしてデータメモリと同様に外部のメモリ(例えば、SDRAM)を利用する。図8では、リードアドレスRAの生成に利用されるテーブルメモリTM1を示し、ライトアドレスWAの生成に利用されるテーブルメモリTM2を示した。
実施の形態7にかかる半導体装置7のブロック図を図9に示す。図9に示すように、実施の形態7にかかる半導体装置7は、実施の形態6にかかる半導体装置6のテーブルメモリTM1、TM2に代えてパラメータ情報演算回路94、95を有する。
10、10a、60、70、80、90 メモリコントローラ
11、61、71、91 マイクロCPU
12、12a、72 テーブルアドレス生成回路
13、16、73 テーブルメモリ
14、14a、74 ループアドレス生成回路
15、15a テーブルアドレス生成回路
17、17a ループアドレス生成回路
18、61、62、75、92、93 FIFOメモリ
21〜24、27〜30 レジスタ
25 加算器
26 剰余演算器
31、33 加算器
32 剰余演算器
41〜44、47〜50 レジスタ
45 加算器
46 剰余演算器
51、53 加算器
52 剰余演算器
63 データ処理部
76 データ処理部
81、82 固定テーブル
94、95 パラメータ情報演算回路
100 アンテナ
101 ミキサ
102 発振器
103 回路
104 ミキサ
105 発振器
106 アナログデジタル変換処理
107 直交復調処理
108 FFT処理
109 フレーム抽出処理
110 同期再生処理
111 TMCC復号処理
112 AC復号処理
113 キャリア復調処理
114 周波数デインターリーブ処理
115 時間デインターリーブ処理
116 デマッピング処理
117 階層分割処理
118〜120 ビットデインターリーブ処理
121〜123 デパンクチャ処理
124 階層合成処理
125 ビタビ復号処理
126 階層分割処理
127〜129 バイトインタリーブ処理
130〜132 エネルギー拡散処理
133 TS再生処理
134 RS復号処理
DM1〜DM3 データメモリ
TM1、TM2 テーブルメモリ
Claims (17)
- 第1のレジスタ群を備え、前記第1のレジスタ群に格納された値を用いて循環的に繰り返される第1のパターンでテーブルアドレスを生成する第1のアドレス生成部と、
第2のレジスタ群を備え、前記第2のレジスタ群に格納された値と前記テーブルアドレスにより決定されるパラメータ情報とを用いて循環的に繰り返される第2のパターンでアクセスアドレスを生成する第2のアドレス生成部と、
前記第1のレジスタ群及び前記第2のレジスタ群に与える設定情報を出力する制御部と、を有し、
前記アクセスアドレスを用いてデータメモリからのデータのリード処理とライト処理との少なくとも一方を行う半導体装置。 - 前記パラメータ情報と前記テーブルアドレスとを関係づけたテーブル情報を有するテーブルメモリを有し、
前記制御部は、前記テーブルメモリに前記テーブル情報を格納する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記テーブルメモリは、第1のテーブルメモリと、第2のテーブルメモリと、を有し、
前記第1のテーブルメモリは、前記制御部から与えられた第1のテーブル情報を格納し、
前記第2のテーブルメモリは、予め決められたテーブル情報を第2のテーブル情報として格納する請求項2に記載の半導体装置。 - 前記テーブルメモリは、前記半導体装置とは別の半導体装置上に設けられる請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 前記テーブルアドレスに基づき前記パラメータ情報を算出するパラメータ情報演算回路を有する請求項1に記載の半導体装置。
- 前記アクセスアドレスは、前記リード処理で用いられるリードアドレスと、前記ライト処理で用いられるライトアドレスと、を含み、
前記半導体装置は、前記リードアドレスを生成するリードアドレス生成部と、前記ライトアドレスを生成するライトアドレス生成部と、を有し、
前記リードアドレス生成部と前記ライトアドレス生成部は、それぞれ、前記第1のアドレス生成部及び前記第2のアドレス生成部を有し、
前記制御部は、前記リードアドレス生成部と前記ライトアドレス生成部とに独立した前記設定情報を与える請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記リード処理によって読み出された読み出しデータに対して所定の演算処理を加えて、前記ライト処理で処理対象となる書き込みデータを生成するデータ処理部を有する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記データ処理部は、1以上のチャネルから前記読み出しデータを読み出し、前記読み出しデータに対してマルチプレックス処理又はデマルチプレックス処理を施して、1以上の前記書き込みデータを生成する請求項7に記載の半導体装置。
- 前記制御部は、前記データを用いたデータ処理を行う演算器からの指示に基づき前記データのデータフォーマットに対応した前記設定情報を出力する請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- プログラムに沿った演算を行う演算器と、
前記演算器が出力する命令に応じて動作を開始し、自己が生成するアクセスアドレスによってデータメモリからデータの入出力を行うメモリコントローラと、を有し、
前記メモリコントローラは、
前記命令に応じて前記データメモリへのアクセスルールを決定し、決定した前記アクセスルールに応じた設定情報を出力する制御部と、
前記設定情報を用いて循環的に繰り返される第1のパターンでテーブルアドレスを生成する第1のアドレス生成部と、
前記設定情報と前記テーブルアドレスにより決定されるパラメータ情報とを用いて循環的に繰り返される第2のパターンで前記アクセスアドレスを生成する第2のアドレス生成部と、
を有する半導体装置。 - 前記パラメータ情報と前記テーブルアドレスとを関係づけたテーブル情報を有するテーブルメモリを有し、
前記制御部は、前記テーブルメモリに前記テーブル情報を格納する請求項10に記載の半導体装置。 - 前記テーブルメモリは、第1のテーブルメモリと、第2のテーブルメモリと、を有し、
前記第1のテーブルメモリは、前記制御部から与えられた第1のテーブル情報を格納し、
前記第2のテーブルメモリは、予め決められたテーブル情報を第2のテーブル情報として格納する請求項11に記載の半導体装置。 - 前記テーブルメモリは、前記半導体装置とは別の半導体装置上に設けられる請求項11又は12に記載の半導体装置。
- 前記テーブルアドレスに基づき前記パラメータ情報を算出するパラメータ情報演算回路を有する請求項10に記載の半導体装置。
- 前記アクセスアドレスは、リード処理で用いられるリードアドレスと、ライト処理で用いられるライトアドレスと、を含み、
前記メモリコントローラは、前記リードアドレスを生成するリードアドレス生成部と、前記ライトアドレスを生成するライトアドレス生成部と、を有し、
前記リードアドレス生成部と前記ライトアドレス生成部は、それぞれ、前記第1のアドレス生成部及び前記第2のアドレス生成部を有し、
前記制御部は、前記リードアドレス生成部と前記ライトアドレス生成部とに独立した前記設定情報を与える請求項10乃至14のいずれか1項に記載の半導体装置。 - リード処理によって読み出された読み出しデータに対して所定の演算処理を加えて、ライト処理で処理対象となる書き込みデータを生成するデータ処理部を有する請求項10乃至15のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記データ処理部は、1以上のチャネルから前記読み出しデータを読み出し、前記読み出しデータに対してマルチプレックス処理又はデマルチプレックス処理を施して、1以上の前記書き込みデータを生成する請求項16に記載の半導体装置。
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