JP5785760B2

JP5785760B2 - 部品実装基板

Info

Publication number: JP5785760B2
Application number: JP2011087761A
Authority: JP
Inventors: 鈴木　哲夫; 哲夫鈴木; 優樹椎葉; 一斉木; 平野　訓; 訓平野
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2011-04-11
Filing date: 2011-04-11
Publication date: 2015-09-30
Anticipated expiration: 2031-04-11
Also published as: JP2012222210A

Description

本発明は、部品実装基板に関する。

近年、導体層と絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板、いわゆる樹脂製配線基板やセラミック基板を用い、この上にＩＣチップを搭載し、樹脂封止することによって半導体パッケージを製造することが盛んに行われている。

ＩＣチップは、基板表面をなす端子パッドと、ＩＣチップ搭載部の複数の端子パッドそれぞれの上に形成された複数のバンプを介して電気的に接続する。一方、配線基板の裏面側にはベース基板と電気的に接続したり、ソケットに挿入して電気的に接続したりするための外部端子が形成されている。

上述のような半導体パッケージにおいては、ＩＣチップに対して電力供給を行うためのコンデンサや抵抗などの電子部品が、ＩＣチップと同じ基板表面に複数のバンプを介し、上記配線基板の端子パッドと電気的に接続するようにして形成されている場合が多い。

このような半導体パッケージを使用すると、基板上に搭載されたＩＣチップや電子部品が発熱するようになるので、半導体パッケージの繰り返し使用によって、ＩＣチップや電子部品は加熱及び冷却を繰り返すようになる。その結果、ＩＣチップや電子部品を基板表面の端子パッドに接続しているバンプが膨張あるいは部分的に溶解し、特にＩＣチップに比較して小さい電子部品のバンプにおいては、隣接するバンプ同士が結合し、短絡してしまう場合がある。

したがって、基板表面にＩＣチップや電子部品が搭載されてなる構造体を樹脂封止し、半導体パッケージとして構成するに際しては、ＩＣチップ及び電子部品の上面及び側面を樹脂で被覆して埋設することに加えて、特に電子部品の下面側にも樹脂を注入し、この注入した樹脂によって電子部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのを防止することが要求される。

しかしながら、ディスペンサーなどを用いて樹脂を供給し、これによって樹脂封止を行うような場合においては、電子部品の下面側に対して充分に樹脂を注入することができず、電子部品の下面側に充填された樹脂中にボイドが発生してしまう場合がある。このボイドがある程度の大きさになると、隣接するバンプ間に樹脂が全く存在しない領域が形成されてしまい、この領域を介して上述のようにバンプ同士が部分的に結合し、短絡してしまう場合がある。したがって、樹脂封止して半導体パッケージを製造するに際しては、電子部品の下面側に、ボイドが発生しないように充分に樹脂を注入及び充填する必要がある。

このような問題に鑑みて、特許文献１においては、基板表面の、電子部品と対向する位置において、電子部品の長さ方向に均一な幅の溝を形成し、電子部品の下面側に充分な両の樹脂を充填する技術が開示されている。また、特許文献２及び３においても、目的は異なるものの、基板表面の、電子部品と対向する位置において、電子部品の長さ方向において均一な幅の溝を形成することが開示されている。

しかしながら、これらの技術によっても、電子部品の下面側に十分な量の樹脂を充填することはできず、ボイドの発生を十分に抑制することはできなかった。

特開２００６−５１１２号特開２００３−４６２１６号特開２００８−２４４０４４号

本発明は、基板表面に露出した端子パッドを介して部品が実装されてなる部品実装基板において、基板表面と部品との間に、ボイドを生じることなく十分な量の封止樹脂を注入及び充填させ、部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのを防止することを目的とする。

上記目的を達成すべく、本発明は、
基板表面に露出してなる複数の端子パッドを有する配線基板と、
前記端子パッドに実装される複数の部品とを備え、
前記基板表面と前記部品との間に樹脂が充填される部品実装基板であって、
前記部品が実装される一対の前記端子パッドを複数有し、
前記基板表面には、前記一対の端子パッド間であって、前記一対の端子パッドを構成する端子パッドが配列する第１配列方向と交差する交差方向に延びるとともに、一端部から他端部に向けて前記第１配列方向の幅が狭小化された溝部が形成され、前記一対の端子パッド及び前記溝部が前記交差方向にそれぞれ複数配列されて、前記交差方向において、隣り合う２つの前記溝部の一端部が互いに近接していることを特徴とする、部品実装基板に関する。

本発明によれば、配線基板の表面において、一対の端子パッドによって画定される方向（一対の端子パッドを構成する各端子パッドが配列する第１配列方向）と交差する方向（交差方向）に延びるようにして溝部が形成され、溝部の第１配列方向の幅が、一端部から他端部に向けて（交差方向に沿って）狭小化されているので、溝部の一端に導入された樹脂は、他端部に向かうにつれてその流動速度が増加し、樹脂が流れやすくなるので、樹脂を溝部内に迅速かつスムースに導入することができるようになる。また、溝部の拡大化された一端部に導入された樹脂は、当該端部から他端部に向かうにつれて樹脂中の空気が抜けるようになる。

したがって、上記樹脂は、上記溝部を介することにより、基板表面と部品との間において、ボイドを生じることなく十分な量の樹脂を注入及び充填させることができる。

なお、本発明の一例において、上記溝部の側面を連続した面として構成することができる。この場合、樹脂の流れ抵抗がより減少するようになる。この結果、樹脂を溝部内に迅速かつスムースに導入することができるようになる。

また、本発明の一例において、溝部の少なくとも一端部を、部品の投影領域より外方に形成することができる。この場合、溝部の一端部が部品の外方に露出するようになるので、当該一端部を介して溝部への樹脂の導入を容易に行うことができるようになり、その結果、上述した作用効果をより顕著に奏することができるようになる。

さらに、本発明の一例においては、溝部の側面と底面とのなす角度が鈍角であるようにすることができる。この場合、溝部の底面と側面の境界部分において上記樹脂を十分に導入することができるので、当該境界部分でのボイドの発生を抑制することができる。

また、本発明の一例においては、前記溝部の側面を粗化面とすることができる。この場合、溝部の側面と、この溝部に注入された樹脂との密着性が向上するため、溝部に熱履歴がかかった際にも、溝部と樹脂との間にはんだが流れ込むことによる、部品を保持するバンプ同士の短絡を防止することができる。

さらに、本発明の一例においては、一対の端子パッド及び溝部が上記交差方向にそれぞれ複数配列され、交差方向において、隣り合う２つの前記溝部の一端部が互いに近接するようにすることができる。この場合、隣り合う２つの溝部を近接させているので、樹脂注入時の作業性が向上する。

以上説明したように、本発明によれば、基板表面に露出した端子パッドを介して部品が実装されてなる部品実装基板において、基板表面と部品との間に、ボイドを生じることなく十分な量の封止樹脂を注入及び充填させ、部品を保持するバンプ同士が結合し、短絡するのを防止することができる。

実施形態における部品実装基板の平面図である。図１に示す部品実装基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面図である。図１に示す部品実装基板の領域Ａで示す部分を拡大して示す図である。図１に示す部品実装基板に形成した溝部の断面の状態を示す図である。図１に示す部品実装基板の領域Ｂで示す部分を拡大して示す図である。実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における部品実装基板の製造方法における一工程図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。

（部品実装基板）
図１は、本実施形態における部品実装基板の上平面図であり、図２は、図１に示す部品実装基板のＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面図であり、図３は、図１に示す部品実装基板の領域Ａで示す部分を拡大して示す図である。また、図４は、図１に示す部品実装基板に形成した溝部の断面の状態を示す図であり、図５は、図１に示す部品実装基板の領域Ｂで示す部分を拡大して示す図である。

図２に示すように、本実施形態の部品実装基板１を構成する配線基板１０は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア１０１を有している。

また、板状コア１０１には、ドリル等により穿設されたスルーホール１１１が形成され、その内壁面にはスルーホール導体１１２が形成されている。また、スルーホール１１１は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材１１４により充填されている。

板状コア１０１の表面１０１Ａ上にはコア導体層Ｍ１が形成され、板状コア１０１の裏面１０１Ｂ上にはコア導体層Ｍ１１が形成されている。コア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂの大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるとともに、第１のビアパッド１２１及び第２のビアパッド１２２を構成する。

なお、本実施形態においては、図２に示すように、第１のビアパッド１２１及び第２のビアパッド１２２の一部は、スルーホール導体１１２と連結するようにして形成されている。

板状コア１０１の表面１０１Ａ上には、コア導体層Ｍ１を覆うようにして第１の絶縁層１３１が形成され、板状コア１０１の裏面１０１Ｂ上には、コア導体層Ｍ１１を覆うようにして第２の絶縁層１３２が形成されている。

第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２上には、それぞれ第１の導体層Ｍ２及びＭ１２が形成されている。第１の導体層Ｍ２及びＭ１２は、それぞれ図示しない配線層（配線パターン）を構成するとともに、第３のビアパッド１２３及び第４のビアパッド１２４を構成する。

また、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２上には、それぞれ第１の導体層Ｍ２及びＭ１２を覆うようにして第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４が形成されている。

さらに、第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４上には、それぞれ第２の導体層Ｍ３及びＭ１３が形成されている。第２の導体層Ｍ３及びＭ１３は、それぞれ図示しない配線層（配線パターン）を構成するとともに、第３のビアパッド１２３、受けパッド１２５及び第４のビアパッド１２４を構成する。なお、受けパッド１２５は、以下に説明する溝部１７をレーザ照射によって形成する場合において、照射されたレーザビームが下方に位置する第１の絶縁層１３１に達するのを防止するためのものである。

また、第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４上には、それぞれ第１の金属パッド１４１及び第２の金属パッド１４２を覆うようにして第１のレジスト層１６１及び第２のレジスト層１６２が形成されている。なお、第１のレジスト層１６１及び第２のレジスト層１６２には、それぞれ開口部１６１Ａ及び１６２Ａが形成され、これら開口部１６１Ａ及び１６２Ａを介して、第１の金属パッド１４１及び第２の金属パッド１４２が露出している。

第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２には、それぞれビアホール１３１Ａ及び１３２Ａが形成され、これらビアホール内には、第１のビア導体１５１及び第２のビア導体１５２が形成されており、第１のビアパッド１２１及び第３のビアパッド１２３間、並びに第２のビアパッド１２２及び第４のビアパッド１２４間を電気的に接続している。

第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４には、それぞれビアホール１３３Ａ及び１３４Ａが形成され、これらビアホール内には、第３のビア導体１５３及び第４のビア導体１５４が形成されており、第３のビアパッド１２３及び第１の金属パッド１４１間、並びに第４のビアパッド１２４及び第２の金属パッド１４２間を電気的に接続している。

また、第１の金属パッド１４１上には、はんだ層１９を介して部品１２及び１３（図２では、合計２個）が搭載されている。

図１及び図２に示すように、配線基板１０のレジスト層１６１の表面とレジスト層１６１の開口部１６１Ａから露出する第１の金属パッド１４１の表面とで構成される基板表面１０Ａには、上述のように、第１の金属パッド１４１を介して部品１２が複数搭載されているとともに、部品１３が搭載され、その略中心部においては、半導体チップ１１が搭載されている。なお、半導体チップ１１及び部品１２、１３は、第１の金属パッド１４１で構成される配線パターン１５によって電気的に接続されている。

なお、配線基板１０の裏面側において、第２のレジスト層１６２の開口部１６２Ａから露出するようにして形成された第２の金属パッド１４２は、配線基板１０をマザーボードに接続するための裏面ランド（ＬＧＡパッド）として利用されるものである。

スルーホール導体１１２、コア導体Ｍ１，Ｍ１１，第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２, 及び第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３は、それぞれ金、銀、銅などの電気的良導体から構成することができる。また、第１のビア導体１５１〜第４のビア導体１５４も、それぞれ金、銀、銅などの電気的良導体から構成することができる。しかしながら、一般的には、メッキ法によって簡易に形成することができ、また安価であることから銅から構成する。

第１の絶縁層１３１〜第４の絶縁層１３４は、例えば熱硬化性樹脂によって構成することができる。

さらに、部品１２、１３は、例えばコンデンサ、抵抗などの受動部品とすることができる。

図２及び図３に示すように、本実施形態の配線基板１０においては、部品１２の下部、すなわち部品１２と対向する配線基板１０の表面１０Ａを構成する第３の絶縁層１３３に対して溝部１７を第１のレジスト層１６１を貫通する深さで形成している。

溝部１７は、一端１７Ａ側から他端１７Ｂ側に向けて幅が狭小化されているので、この場合、溝部１７の一端１７Ａに導入された樹脂は、他端１７Ｂ側に向かうにつれて流動速度が増加し、樹脂が流れやすくなるので、樹脂を溝部１７内に迅速かつスムースに導入することができるようになる。また、溝部１７の拡大化された端部１７Ａに導入された樹脂は、当該端部から他端１７Ｂに向かうにつれて樹脂中の空気が抜けるようになる。

したがって、基板表面１０Ａと部品１２との間に、上記樹脂をボイドを生じることなく迅速かつスムースに導入することができ、部品１２を保持するはんだ層（バンプ）１９同士が結合し、短絡するのを防止することができる。

溝部１７は、その側面１７Ｃを連続した面として構成することができる。この場合、樹脂の流れ抵抗がより減少するようになるので、溝部１７を介して、基板表面１０Ａと部品１２との間に、上記樹脂をボイドを生じることなくより迅速かつスムースに導入することができる。

また、本実施形態では、溝部１７の端部１７Ａ、１７Ｂを、部品１２の基板表面１０Ａに対する投影領域よりも外方に位置するようにしているので、端部１７Ａ、１７Ｂは部品１２の外方に位置するようになる。したがって、端部１７Ａ，１７Ｂを介して溝部１７への樹脂の導入を容易に行うことができるようになり、その結果、上述した作用効果をより顕著に奏することができるようになる。

本実施形態においては、図４に示すように、溝部１７の側面１７Ｃと底面１７Ｄとのなす角度が鈍角であるようにすることができる。この場合、溝部１７の底面１７Ｄと側面１７Ｃの境界部分において上記樹脂を十分に導入することができるので、当該境界部分でのボイドの発生を抑制することができる。

また、本実施形態においては、溝部１７の側面１７Ｃを粗化面とすることができる。この場合、溝部１７の側面１７Ｃと、この溝部に注入された樹脂との密着性が向上するため、溝部１７に熱履歴がかかった際にも、溝部１７と樹脂との間にはんだが流れ込むことによる、部品１２を保持するはんだ層（バンプ）１９同士の短絡を防止することができる。

なお、溝部１７の側面１７Ｃを粗化面とするには、溝部１７をレーザ加工によって形成した後にデスミア処理を行う。

溝部１７の、一端１７Ａにおける幅と他端１７Ｂにおける幅との比は、上述した作用効果を奏する限りにおいて特に限定するものではないが、例えば最も幅が広い一端１７Ａにおける幅を“１”とした場合において、最も幅が狭い端部１７Ｂの幅は、０．２〜０．８の範囲とすることができる。具体的な幅の大きさについては、配線基板１０の大きさ及び部品１２の大きさ等を考慮して決定する。なお、溝部１７の深さは、レーザ照射により溝部１７を形成する場合の、レーザの照射出力や照射回数、受けパッド１２５の形成位置に依存して決定される。

また、本実施形態では、図５に示すように、一対の端子パッド１４１に部品１２が実装され、基板表面１０Ａにおいて、一対の端子パッド１４１によって画定される方向（一対の端子パッドを構成する各端子パッド１４１が配列する第１配列方向）と交差する方向（交差方向）において、同じく一対の端子パッド１４１に実装される部品１３が配列され、部品１２と対向するようにして形成された溝部１７の端部１７Ａと、部品１３と対向して溝部１７が形成された溝部１７の端部１７Ａとが近接するようにしている。この場合、溝部１７の端部１７Ａ同士を近接させているので、樹脂注入時の作業性が向上する。

（部品実装基板の製造方法）
次に、図１〜３に示す部品実装基板の製造方法について説明する。図６〜１５は、本例における製造方法おける工程図である。なお、以下に示す工程図は、図２に相当する、配線基板のＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面で見た場合の順次の工程を示すものである。

最初に、図６に示すように、板形状の耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）を、コア基板１０１として用意し、ドリリング等の方法でスルーホール１１１を穿孔する。次いで、図７に示すように、コア基板１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂ上に、パターンメッキによりコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を形成し、スルーホール１１１内にスルーホール導体１１２を形成し、スルーホール１１１に樹脂製穴埋め材１１４を充填する。

次に、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１に粗化処理を施したのち、図８に示すように、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１を被覆するように、コア基板１０１の主面１０１Ａ及び１０１Ｂ上に樹脂フィルムをラミネート及び硬化させて、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２を得る。樹脂フィルムは、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。

次いで、図９に示すように、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２に対して、その表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール１３１Ａ及び１３２Ａを形成し、ビアホール１３１Ａ及び１３２Ａを含む第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２に対して粗化処理を実施する。なお、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２がフィラーを含む場合は、上述のようにして第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２上に残存するようになるので、適宜水洗浄を実施して、遊離したフィラーを除去する。

次いで、デスミア処理及びアウトラインエッチングを実施してビアホール１３１Ａ及び１３２Ａ内を洗浄する。なお、本例では、水洗浄を実施しているので、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーの凝集を抑制することができる。

また、本例では、上述した高水圧による水洗浄と上記デスミア処理の間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。

次いで、図１０に示すように、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２上に、パターンメッキにより第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２及びビア導体１５１，１５２を形成する。第１の導体層Ｍ２等は、セミアディティブ法等により、以下のようにして形成する。最初に、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２上に、例えば無電解銅めっき膜を形成した後、この無電解銅メッキ膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜にフォトリソグラフィによりレジストの非形成部を形成し、このレジストの非形成部分に電解銅めっきを行うことによって形成する。なお、前記レジストはＫＯＨ等で剥離除去し、パターニングされた第１の導体層Ｍ２等を形成することができる。

次いで、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２に粗化処理を施したのち、図１１に示すように、第１の絶縁層１３１及び第２の絶縁層１３２上において、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２を被覆するように樹脂フィルムをラミネート及び硬化させて、第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４を形成する。この樹脂フィルムも、上述したように、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。

次いで、図１２に示すように、第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４に対してその表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール１３３Ａ及び１３４Ａを形成し、ビアホール１３３Ａ及び１３４Ａを含む第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４に対して粗化処理を実施する。第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４がフィラーを含む場合は、上述のようにして第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４上に残存するようになるので、上記同様に適宜水洗浄、エアーブローを行う。次いで、ビアホール１３３Ａ及び１３４Ａに対して、デスミア処理及び外形エッチング（アウトラインエッチング）を実施してビアホール１３３Ａ及び１３４Ａ内を洗浄する。

次いで、図１３に示すように、パターンメッキにより、第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４上に第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３を形成し、ビアホール１３３Ａ及び１３４Ａ内にビア導体１５３及び１５４を形成する。

その後、図１４に示すように、第３の絶縁層１３３及び第４の絶縁層１３４上に、第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３における第１の金属パッド１４１及び第２の金属パッド１４２が露出するような開口部１６１Ａ及び１６２Ａを有する第１のレジスト層１６１及び１６２を形成する。

次いで、図１５に示すように、第３の絶縁層１３３の表面に対して部分的にＣＯ_２レーザを照射し、第１のレジスト層１６１を貫通するようにして、第３の絶縁層１３３に対して溝部１７を形成する。なお、溝部１７を形成するに際しては、ＣＯ_２レーザのスポットの照射位置を適宜調整して、図３に示すような、溝部１７に関しては、一端１７Ａ側から他端１７Ｂ側に向けて幅が狭小化するようにして形成する。

なお、上述したように、溝部１７の側面を粗化面とするには、上述のようにしてレーザ照射により溝部１７を形成した後、デスミア処理を行う。

その後、溝部１７を跨ぐようにして部品１２及び１３をはんだ層１９によって支持するとともに、はんだ層１９を介して第１の金属パッド１４１と電気的に接続する。これによって、下方に溝部１７が存在するようにして部品１２及び１３を実装することができ、図１〜３に示すような部品実装基板１を得ることができる。

以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。

例えば、上記具体例では、配線基板１０を、コア基板１０１の両面において、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１，第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２，第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３を有し、第１の絶縁層１３１〜第４の絶縁層１３４を有するようにし、コア基板１０１の一方の側において、導体層を３層とし、絶縁層を２層としているが、導体層及び絶縁層の数も必要に応じて任意の数とすることができる。

１部品実装基板
１０配線基板、
１１半導体チップ
１２，１３部品
１５配線パターン
１７溝部

Claims

基板表面に露出してなる複数の端子パッドを有する配線基板と、
前記端子パッドに実装される複数の部品とを備え、
前記基板表面と前記部品との間に樹脂が充填される部品実装基板であって、
前記部品が実装される一対の前記端子パッドを複数有し、
前記基板表面には、前記一対の端子パッド間であって、前記一対の端子パッドを構成する端子パッドが配列する第１配列方向と交差する交差方向に延びるとともに、一端部から他端部に向けて前記第１配列方向の幅が狭小化された溝部が形成され、前記一対の端子パッド及び前記溝部が前記交差方向にそれぞれ複数配列されて、前記交差方向において、隣り合う２つの前記溝部の一端部が互いに近接していることを特徴とする、部品実装基板。
前記溝部の側面が連続した面として構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の部品実装基板。
前記溝部の少なくとも前記一端側が、前記部品の投影領域より外方に形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の部品実装基板。
前記溝部の側面と底面のなす角度が鈍角であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の部品実装基板。
前記溝部の側面は粗化面であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の部品実装基板。