JP5779834B2 - 有機多層基板上で埋め込み実装する方法 - Google Patents

Description

表面実装方法を用いて基板上に個別部材を実装することにより、一般的にＺ高さと呼ばれるパッケージ高さが所望されない高さである電子回路パッケージが構成されることになる。

表面実装技術を用いると、コンデンサ、抵抗器、インダクタ、および他の部材などの個別部材は典型的には、当該部材が基板上の半田ボールに載置された状態でリフローが行われることにより、ダイ側の基板表面に取り付けられる。このことにより、基板への部材の電気接続であり、かつ、保持するための接続が直接的、および確実に実現される。

結果的に得られるパッケージおよび部材のＺ高さは、パッケージが用いられることになる製品の所望される高さより高いことが多い。

装置は有機多層基板を含み、有機多層基板は、窪み層上にパターン化形成された複数の導体を有する。表面実装プロセスにより、有機多層基板の最上層に埋め込まれるように個別部材が窪み層に結合されている。

方法は、有機多層基板の選択された層上に複数の導体をパターン化形成する工程と、選択された層上で、パターン化形成された複数の導体間に離型層を形成する工程と、選択された層および離型層上に追加層を形成する工程と、追加層を貫通する開口を形成し、有機多層基板に窪みを形成する工程と、離型層を除去する工程と、窪み内で有機多層基板に部材を取り付ける工程とを含む。

他の方法は、有機多層基板の選択された層上に複数の導体をパターン化形成する工程と、選択された層上で、パターン化形成された複数の導体間に離型層を形成する工程と、選択された層および離型層上に追加層を形成する工程と、追加層を貫通する開口を形成し、有機多層基板に窪みを形成する工程と、離型層を除去する工程と、個別部材を、有機多層基板に埋め込むように選択された層へ取り付ける工程とを含む。

例示的な一実施形態に係る、複数の層を有する有機基板の断面概略図である。 例示的な一実施形態に係る、積層および部材実装の間の、有機基板の断面概略図である。 例示的な一実施形態に係る、積層および部材実装の間の、有機基板の断面概略図である。 例示的な一実施形態に係る、積層および部材実装の間の、有機基板の断面概略図である。 例示的な一実施形態に係る、積層および部材実装の間の、有機基板の断面概略図である。 例示的な一実施形態に係る、積層および部材実装の間の、有機基板の断面概略図である。 例示的な一実施形態に係る、複数の高さに部材が埋め込まれた有機基板の断面概略図である。

以下の説明および図面において、当業者が実施出来るように特定の実施形態を十分に説明する。他の実施形態には、構造的、論理的、電気的、プロセス的、および他の面の変更が包含され得る。いくつかの実施形態の部分および特徴が、他の実施形態に含まれ得る、または他の実施形態の部分および特徴と入れ替えられ得る。請求項に明記される実施形態は、それら請求項の利用可能な同等物の全てを網羅する。

図１は、複数の層を有する有機基板１００の一部の断面概略図である。この断面概略図は基板全体を示さないかもしれないが、この説明との関連性がある特定のセグメントまたはセクションを示す。完全な基板は、めっきスルーホール（ＰＴＨ）、ダイなどを用いて、図１に示されるよりさらに多くの特徴を有し得る。一実施形態において、基板１００には、最下層１１０、第２層１１５、第３層１２０、および第４層１２５が形成される。第４層１２５は、有機基板１００の成長の際に形成される最終層である。最下層１１０は、中央処理装置または他の処理要素の実装に用いられ得る。一実施形態において、最終層より下方の第３層１２０上に個別部材１３０が実装される。他の実施形態において、当該部材は、最下層に近く、または最下層自体などさらに下方の層に直接的に実装されてもよい。個別部材１３０の取り付けに続き、保護的な層または保護層１３５が追加され得る。

個別部材１３０と基板の層上の金属ランドとの間に確立される各電気接続に対応する標準的な表面実装プロセスにより、個別部材１３０が当該層上に実装され得る。一実施形態において、表面実装プロセスにはランド上に供給される半田ペースト（半田とフラックスとの混合物）が用いられる。個別部材１３０は当該ペースト上に載置され、リフロー（溶解）により適切な位置に位置付けされる。様々な実施形態において、個別部材は、コンデンサ、抵抗器、インダクタ、または他の部材であってもよい。そのような個別部材の高さは容易に低く出来ない。個別部材を基板１００に埋め込むことにより、結果として得られる、基板１００を含むパッケージのＺ高さプロファイルは、部材自体の高さを低くしようとして資源を費やすことなく、より低くなり得る。また部材を埋め込むことにより、寄生容量および寄生抵抗を含む寄生効果も低減し得る。

埋め込まれた個別部材を有する基板２００を形成する処理工程は、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄ、および図２Ｅの概略断面図に示されている。図２Ａはコア層２１０を示す。一実施形態において、コア層２１０が基板のコアを形成し、コア層２１０はガラス繊維強化樹脂により形成されている。一実施形態において、基板全体が対称的に形成され得、セミアディティブ処理において、複数の層がコア層２１０の両側に追加され得る。一実施形態において、コア層２１０には、示されるように導体２１５、２２０が両側にパターン化形成される。また導体は、示されるように層間にも形成され得る。一実施形態において、導体として銅が用いられる。導体２１５は基板２００の取付側に形成され、部材が追加された場合に当該部材との間で確立される接続、並びに他のパターン化形成に対応する。

図２Ｂにおいて、基板２００の部材取付側に離型フィルム２２５が追加されている。一実施形態において、離型フィルム２２５はスクイズ加工により適用され得、これにより導体２１５とおよそ同じ厚さの層が形成されることになる。複数の異なる実施形態において、様々な離型フィルムが用いられ得る。それら様々な離形フィルムには、一般的なフォトレジスト、または乾燥塗膜などが含まれ、これらは適切なタイミングで剥がされ得る。離型フィルム２２５は、部材が実装されることになる層上に形成される。

図２Ｃは、示されるようにＳＲ層および表面仕上げが対称的に適用されるまでの、追加の対称な層２４０、２４５の積層を示す。一実施形態において、プラスチックおよびポリマーなどの有機材料、並びに、何らかの導電性パスのためのメタライズ層により基板の積層が行われる。

図２Ｄは、部材が埋め込まれることになる、基板２００の部材取付側の積み重ねられた層の除去を示す。導体２１５の高さまで開口２６０が形成され、また離型フィルム２２５も除去される。一実施形態において、積み重ねられた層は、レーザースクライビング加工または他の利用可能な方法により除去される。離型フィルム２２５はレジストであり得、一般的なエッチング処理により除去され得る。一実施形態において、離型フィルム２２５の残余物を一掃すべく、デスミア処理が実行され得る。一実施形態において、部材が実装されることになる層上に離型フィルムが形成される。一実施形態において、この層はコア層２１０より上方の一層として示されているが、部材が実装される場合に、基板２００の最上層からの当該部材のある程度の埋め込みが可能となるような、外方の層より下方のいずれの層であってもよい。

図２Ｅは、開口２６０に位置付けられた部材２６５を示す。部材２６５の位置付けを行う前に、部材のパッドのための有機被覆塗布（ＯＳＰ）による表面仕上げが実行され得、選択された取付箇所においてノズルまたは他の手段を用いて半田ペーストが供給され得る。その後部材２６５が取り付けられ、半田ペーストのリフローにより基板２００の層２４０へ部材２６５が固定される。

一実施形態において、部材は、基板２００の頂面に、または頂面より下方に埋め込まれる。他の複数の実施形態において、部材は、その頂部が基板の頂面より上方にありながらも、基板の頂面に取り付けられた場合に位置するであろう高さよりも低くなるように埋め込まれ得る。

図３は、例示的な一実施形態に係る、複数の高さに部材が埋め込まれた有機基板３００の断面概略図である。図３においては図面を単純化すべく、複数の高さにおける、また複数の高さ間における導体のパターン化形成は最小とされている。有機コア３０３は、複数の、自身を挟んで対称的な有機層３０５、３１０、３１５、３２０、３２５、３３０を有する。コア３０３の１以上の面の複数の異なる高さにおいて、複数の個別部材が接合されている。基板３００の上面において、導体３４０を介して層３１５に実装された部材３３５が示されている。導体３５０を介して層３０５に実装された部材３４５が示されている。単純化すべく２つの導体のみが示されている。基板３００の下面において、導体３６０を介して層３２０に実装された部材３５５が示されている。また、基板３００の下面において、層３３０に実装されたプロセッサ３７０も示されている。単純化すべく接点は省略されているが、プロセッサは、ボールグリッドアレー、表面実装プロセス、または何らかのタイプの半田付け接続により複数の導体に実装され得る。

［項目］
１．有機多層基板の選択された層上に複数の導体をパターン化形成する工程と、
上記選択された層上で、パターン化形成された上記複数の導体間に離型層を形成する工程と、
上記選択された層および上記離型層上に追加層を形成する工程と、
上記追加層を貫通する開口を形成し、上記有機多層基板に窪みを形成する工程と、
上記離型層を除去する工程と、
上記窪み内で上記有機多層基板に部材を取り付ける工程と
を備える方法。

２．上記有機多層基板はポリマーコアを有し、
複数の対称な層が、上記ポリマーコアの頂部および底部に形成される、項目１に記載の方法。

３．上記追加層を形成する工程は、複数の追加層を形成する工程を有し、
上記開口を形成する工程は、複数の層を貫通し上記選択された層に至る窪みを形成する工程を有する、項目２に記載の方法。

４．上記部材はコンデンサである、項目１から３のいずれか１項に記載の方法。

５．上記部材は抵抗器である、項目１から４のいずれか１項に記載の方法。

６．上記部材はインダクタである、項目１から５のいずれか１項に記載の方法。

７．上記開口はレーザースクライビング加工により形成される、項目１から６のいずれか１項に記載の方法。

８．上記離型層はスクイズ加工により形成される、項目１から７のいずれか１項に記載の方法。

９．上記窪み内で上記有機多層基板に部材を取り付ける工程は、
上記選択された層上の上記パターン化形成された複数の導体上に半田ペーストをノズルを介して供給すること、
上記半田ペースト上に上記部材を載置すること、および、
上記半田ペーストをリフローし、上記パターン化形成された複数の導体へ上記部材を半田付けすること
により実行される、項目１から８のいずれか１項に記載の方法。

１０．有機多層基板の選択された層上に複数の導体をパターン化形成する工程と、
上記選択された層上で、パターン化形成された上記複数の導体間に離型層を形成する工程と、
上記選択された層および上記離型層上に追加層を形成する工程と、
上記追加層を貫通する開口を形成し、上記有機多層基板に窪みを形成する工程と、
上記離型層を除去する工程と、
個別部材を、上記有機多層基板に埋め込むように上記選択された層へ表面実装する工程と
を備える方法。

１１．上記有機多層基板はガラス繊維強化樹脂コアを有し、
複数の対称な層が、上記ガラス繊維強化樹脂コアの頂部および底部に形成される、項目１０に記載の方法。

１２．上記追加層を形成する工程は、複数の追加有機層を形成する工程を有し、
上記開口を形成する工程は、複数の層を貫通し上記選択された層に至る窪みを形成する工程を有する、項目１１に記載の方法。

１３．上記個別部材は個別のコンデンサである、項目１０から１２のいずれか１項に記載の方法。

１４．上記個別部材は個別の抵抗器である、項目１０から１３のいずれか１項に記載の方法。

１５．上記個別部材は個別のインダクタである、項目１０から１４のいずれか１項に記載の方法。

１６．上記離型層はスクイズ加工により形成される、項目１０から１５のいずれか１項に記載の方法。

１７．有機多層基板と、
上記有機多層基板の窪み層上にパターン化形成された複数の導体と、
上記有機多層基板の最上層に埋め込まれるように上記窪み層に結合された個別部材と
を備える装置。

１８．上記有機多層基板の複数の層は、有機コアを挟んで対称に設けられている、項目１７に記載の装置。

１９．上記有機多層基板はポリマーコアを有し、
複数の対称な層が、上記ポリマーコアの頂部および底部に形成されている、項目１７または１８に記載の装置。

２０．上記部材は複数の層に亘り埋め込まれている、項目１９に記載の装置。

２１．上記部材はコンデンサである、項目１９または２０に記載の装置。

２２．上記部材は抵抗器である、項目１９から２１のいずれか１項に記載の装置。

２３．上記部材はインダクタである、項目１９から２２のいずれか１項に記載の装置。

少数の実施形態を詳細に説明していたが、他の修正を加えることが可能である。例えば、所望される結果を得るには図面に示したロジックフローは、示された特定の順番、または順序で必ずしも実施される必要はない。説明されたフローにおいて他の工程が設けられてもよく、若しくは、工程が省略されてもよい。また説明したシステムにおいて他の部材が追加されてもよく、若しくは省略されてもよい。ワイヤボンドにより基板に接続されたピングリッドアレイ、ランドグリッドアレイ、ダイなどのパッケージなど他の実施形態が以下の請求項の範囲に含まれ得る。

連邦規則法典第３７巻１．７２（ｂ）に従い、技術的開示の本質および主旨を読者が確認出来るようにするべく要約を提供する。請求項の範囲または意味を限定する、または解釈するのに用いられることがないものと理解した上で要約を提出する。以下の請求項は詳細な説明に組み込まれ、各請求項はそれ自体が独立した実施形態を表す。

Claims (16)

1. 有機多層基板の選択された層上に複数の導体をパターン化形成する工程と、
   前記選択された層上で、パターン化形成された前記複数の導体間に、前記複数の導体と同じ厚さの離型層を形成する工程と、
   前記選択された層および前記離型層上に追加層を形成する工程と、
   前記有機多層基板に窪みを形成するために、前記追加層を貫通する開口を形成する工程と、
   前記離型層を除去する工程と、
   前記窪み内で前記有機多層基板に部材を取り付ける工程と
   を備える方法。
2. 前記有機多層基板はポリマーコアを有し、
   複数の対称な層が、前記ポリマーコアの頂部および底部に形成される、請求項１に記載の方法。
3. 前記追加層を形成する工程は、複数の追加層を形成する工程を有し、
   前記開口を形成する工程は、複数の層を貫通し前記選択された層に至る窪みを形成する工程を有する、請求項２に記載の方法。
4. 前記部材はコンデンサである、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
5. 前記部材は抵抗器である、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
6. 前記部材はインダクタである、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記開口はレーザースクライビング加工により形成される、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記離型層はスクイズ加工により形成される、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
9. 前記窪み内で前記有機多層基板に部材を取り付ける工程は、
   前記選択された層上の前記パターン化形成された複数の導体上に半田ペーストをノズルを介して供給すること、
   前記半田ペースト上に前記部材を載置すること、および、
   前記半田ペーストをリフローし、前記パターン化形成された複数の導体へ前記部材を半田付けすること
   により実行される、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
10. 有機多層基板の選択された層上に複数の導体をパターン化形成する工程と、
    前記選択された層上で、パターン化形成された前記複数の導体間に、前記複数の導体と同じ厚さの離型層を形成する工程と、
    前記選択された層および前記離型層上に追加層を形成する工程と、
    前記有機多層基板に窪みを形成するために、前記追加層を貫通する開口を形成する工程と、
    前記離型層を除去する工程と、
    個別部材を、前記有機多層基板に埋め込むように前記選択された層へ表面実装する工程と
    を備える方法。
11. 前記有機多層基板はガラス繊維強化樹脂コアを有し、
    複数の対称な層が、前記ガラス繊維強化樹脂コアの頂部および底部に形成される、請求項１０に記載の方法。
12. 前記追加層を形成する工程は、複数の追加有機層を形成する工程を有し、
    前記開口を形成する工程は、複数の層を貫通し前記選択された層に至る窪みを形成する工程を有する、請求項１１に記載の方法。
13. 前記個別部材は個別のコンデンサである、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 前記個別部材は個別の抵抗器である、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の方法。
15. 前記個別部材は個別のインダクタである、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の方法。
16. 前記離型層はスクイズ加工により形成される、請求項１０から１５のいずれか１項に記載の方法。

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