JP5772003B2 - サスペンション用基板、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブ - Google Patents

Description

本発明は、ビアの設置自由度の高いサスペンション用基板に関するものである。

例えば、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）に用いられる回路基板として、磁気ヘッドスライダ等の素子を実装するサスペンション用基板（フレキシャー）が知られている。サスペンション用基板は、通常、金属支持基板（例えばＳＵＳ）、ベース絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線（例えばＣｕ）等がこの順に積層された基本構造を有し、通常は、一方の先端に、素子を実装する素子実装領域を備え、他方の先端に、外部回路基板と接続を行う外部接続端子領域を備え、両者を上記配線が接続する。

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているＨＤＤも大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板にも高機能化が求められている。

その結果、ＨＤＤからの読み取り安定性のためにアーム部やリミッタ等種々の部材の追加（例えば、特許文献１）や、サスペンション用基板の小型化により、上記素子実装領域を含むジンバル部内の空き面積、すなわち、上記ベース絶縁層が露出し上記配線やビア等を設置可能な面積が縮小している。
特に、上記ビアは、上記ベース絶縁層に形成されたビア用貫通孔に形成され、上記ビア用貫通孔の周囲を囲むように形成されるビア用配線層と金属支持基板とを接続するものである。ここで、上記ビア用貫通孔の形成方法としては、例えば、上記ベース絶縁層を光硬化性材料を用いて形成する方法が用いられる。このような方法では露光光が上記ベース絶縁層の下部である金属支持基板側まで十分に到達しにくいといった問題や、ウェットエッチングでは微細化が困難であるといった問題があり、上記ビア用貫通孔の断面形状が上記導体層側ほど孔径が大きくなる逆テーパー形状となる。このため、上記ビアと金属支持基板とが十分に接続できるように上記ビア用貫通孔の金属支持基板側の孔径であるビア底部の孔径を所定のサイズとした場合、上記導体層側の孔径が上記ビア底部の孔径よりも大きくなる。
また、上記ビア用貫通孔の周囲を囲むように形成されるビア用配線層の外径も上記導体層側の孔径のサイズに伴い大きくなることから、上記ビアを形成するためには広い設置面積が必要となり、ビアの設置自由度が低くいものとなるといった問題があった。また、このようなことから、近年の空き面積の小さいジンバル部等でのビアの形成が困難となるといった問題があった。

特開２００９−２５９３６２号公報

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ビアの設置自由度の高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された導体層と、を有するサスペンション用基板であって、上記ベース絶縁層が、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有し、上記導体層が、平面視上、上記ビア用貫通孔の周囲を囲むように形成され、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および上記ビア用配線層に接続された接続配線層を有し、上記ビア用貫通孔内に充填されてなり、上記金属支持基板および上記ビア用配線層を接続する導電性材料からなるビアを有することを特徴とするサスペンション用基板を提供する。

本発明によれば、上記ビア用貫通孔のテーパー角度が上述の範囲内であり、上記ビア用配線層の外径が上述の範囲内であることにより、ビアを設置するための面積を小さいものとすることができる。その結果、上記ビアを上記ジンバル部のような空き領域の少ない場所にも容易に形成できる等、ビアの設置自由度の高いものとすることができる。

本発明においては、上記金属支持基板が、２つのビアと接続され、上記金属支持基板と絶縁されているジャンパー部を有することが好ましい。上記ジャンパー部を有し、２以上のビアが隣接するような場合であっても設置が容易であることから、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。

本発明においては、上記接続配線層が、リード配線またはライト配線として機能する第１配線層および第２配線層を有し、上記第１配線層および第２配線層が、２以上の分岐配線層を有し、上記第１配線層に属する配線層と、上記第二配線層に属する配線層とが交互に配置されたインターリーブ構造が形成され、上記第１配線層および第２配線層の一方に属する分岐配線層が、上記ビアおよびジャンパー部を介して分岐元の配線層と接続されていることが好ましい。差動インピーダンスを低減させ、消費電力の低いものとすることができるからである。

本発明においては、上記ビアが、上記サスペンション用基板のジンバル部に形成されていることが好ましい。空き面積の小さいジンバル部であっても容易に形成でき、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。例えば、上述のようにインターリーブ構造が形成されている場合には、交互配線領域を長く形成することができ、差動インピーダンスのさらなる低減を図ることができ、低消費電力化を図ることができるからである。

本発明においては、上記ベース絶縁層を構成する材料が、ポリイミド成分および感光剤としてクマル酸アミド系光塩基発生剤を含む感光性ポリイミド樹脂組成物を用いてなるベース絶縁層用ポリイミド樹脂であることが好ましい。上記ベース絶縁層が上述の材料からなるものとすることにより上記テーパー角度のビア用貫通孔を有するベース絶縁層を容易に形成できるからである。

本発明は、上述のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、設計の自由度の高いものとすることができ、例えば、消費電力の低いサスペンションとすることができる。

また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子（例えばスライダ）と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、設計の自由度の高いものとすることができ、例えば、消費電力の低い素子付サスペンションとすることができる。

また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたものとすることができ、例えば、消費電力の低いハードディスクドライブとすることができる。

本発明は、金属支持基板上に形成されたベース絶縁層形成用層をパターニングして、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有するベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程と、上記ベース絶縁層またはベース絶縁層形成用層上に形成された導体層形成用層をパターニングして、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および上記ビア用配線層に接続された接続配線層を有する導体層を形成する導体層形成工程と、導電性材料を上記金属支持基板および上記ビア用配線層を接続するように上記ビア用貫通孔に充填しビアを形成するビア形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。

本発明によれば、上記範囲内のテーパー角度のビア用貫通孔および外径のビア用配線層を形成することにより、ビアの設置自由度の高いサスペンション用基板を容易に得ることができる。

本発明においては、上記ベース絶縁層形成工程が、上記金属支持基板上にポリイミド成分および感光剤としてクマル酸アミド系光塩基発生剤を含む感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたベース絶縁層形成用層を露光・現像するものであることが好ましい。上記ベース絶縁層を上記材料を用いて形成することにより、上述のテーパー角度のビア用貫通孔を容易に形成することができるからである。また、その結果、上記外径のビア用配線層も容易に形成することができるからである。

本発明においては、上記ベース絶縁層形成工程が、上記金属支持基板上にポリイミド成分を含む非感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたベース絶縁層形成用層上に金属層を形成し、上記金属層をマスクとして上記ベース絶縁層形成用層をエッチングするものであることが好ましい。上述のテーパー角度のビア用貫通孔を容易に形成することができるからである。また、その結果、上記外径のビア用配線層も容易に形成することができるからである。

本発明は、ビアの設置自由度の高いサスペンション用基板を提供できるといった効果を奏する。

本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。 図１におけるジンバル部および外部端子領域近傍を示す概略平面図である。 図２の裏面側を示す概略平面図である。 図２のＡ−Ａ線断面図である。 図２のＢ−Ｂ線断面図である。 本発明におけるジャンパー部を説明する説明図である。 本発明のサスペンション用基板の他の例を示す概略平面図である。 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す工程図である。 本発明における金属層を説明する説明図である。 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す工程図である。 本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。 本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。 本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。

本発明は、サスペンション用基板、それを用いたサスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブ、ならびにその製造方法に関するものである。
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。

Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された導体層と、を有するサスペンション用基板であって、上記ベース絶縁層が、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有し、上記導体層が、平面視上、上記ビア用貫通孔の周囲を囲むように形成され、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および上記ビア用配線層に接続された接続配線層を有し、上記ビア用貫通孔内に充填されてなり、上記金属支持基板および上記ビア用配線層を接続する導電性材料からなるビアを有することを特徴とするものである。

このような本発明のサスペンション用基板について図を参照して説明する。図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。図１に示されるサスペンション用基板１０は、一方の先端部分に形成された素子実装領域２０を含むジンバル部２１と、上記素子実装領域２０の反対側の端部に配置された外部端子部と、上記外部端子部および素子実装領域２０を接続する導体層３（接続配線層１３）と、を有するものである。
また、図２は、図１のジンバル部２１および外部端子領域の近傍（図１中のＡおよびＢ）を示す概略平面図であり、図３は図２の裏面側を示す概略平面図であり、図４および図５は、それぞれ、図２のＡ−Ａ線断面図およびＢ−Ｂ線断面図である。図１〜図５に例示するように、本発明のサスペンション用基板１０は、金属支持基板１と、上記金属支持基板１上に形成されたベース絶縁層２と、上記ベース絶縁層２上に形成された導体層３と、を有するサスペンション用基板であって、上記ベース絶縁層２が、テーパー角度αが７４°〜８２°の範囲内のビア用貫通孔１１を有し、上記導体層３が、平面視上、上記ビア用貫通孔１１の周囲を囲むように形成され、外径ｗ１が４２μｍ〜１０６μｍの範囲内のビア用配線層１２および上記ビア用配線層１２に接続された接続配線層１３を有し、上記ビア用貫通孔内１１に充填されてなり、上記金属支持基板１および上記ビア用配線層１２を接続する導電性材料からなるビア４を有するものである。

また、上記導体層３は、接続配線層１３として、リード用配線層またはライト用配線層である第一配線層３ａおよび第２配線層３ｂを有し、上記第１配線層３ａおよび第２配線層３ｂは、それぞれ、分岐配線層（３ａ´および３ｂ´）を有する。これらの分岐配線層（３ａ´および３ｂ´）は、上記ジンバル部２１内の領域Ａおよび外部端子領域内の領域Ｂで、上記ビア４および上記金属支持基板１の一部であるジャンパー部１５により再度分岐元である上記第１配線層３ａまたは第２配線層３ｂに接続されている。すなわち、上記第１配線層３ａに属する分岐配線層３ａ´は、上記ビア４およびジャンパー部１５を介して第２配線層３ｂの分岐配線層３ｂ´の下方を通過し、分岐元の第１配線層３ａに接続され、上記第２配線層３ｂに属する分岐配線層３ｂ´は、上記ビア４およびジャンパー部１５を介して第１配線層３ａに属する分岐配線層３ａ´の下方を通過し、分岐元の第２配線層３ｂに接続されている。また、上記第１配線層３ａに属する配線層（３ａ、３ａ´）と、上記第２配線層に属する配線層（３ｂ、３ｂ´）とは、交互に配置され、インターリーブ構造が形成されている。
さらに、上記導体層３およびビア４を覆うようにカバー層５が形成されている。
なお、図１および図２においては、説明の容易のため、カバー層の記載を省略するものである。

本発明によれば、上記ビア用貫通孔のテーパー角度が上述の範囲内であり、上記ビア用配線層の外径が上述の範囲内であることにより、ビアを設置するための面積を小さいものとすることができる。その結果、上記ビアを上記ジンバル部のような空き領域の少ない場所にも容易に形成できる等、ビアの設置自由度の高いものとすることができる。

このため、例えば、上記導体層が、リード配線またはライト配線として機能する第１配線層および第２配線層を有し、これら２つの配線層をペアとして差動配線を構成し、さらに、差動配線を構成する２つの配線層に、それぞれ分岐配線層を形成し、その上で、差動配線を構成する一方の配線層（分岐元の配線層および分岐配線層）と、差動配線を構成する他方の配線層（分岐元の配線層および分岐配線層）とを交互に配置するインターリーブ構造を形成する場合において、上記配線層が交互に配置された交互配線領域の一方の終端をジンバル部に形成することができる。具体的には、上記ジンバル部内の素子実装領域近傍で交互配線領域を解消すること、すなわち、交互に配置されていた一方の分岐配線層を、ビアおよびジャンパー部により他方の配線層の下側を通過させ、短絡することなく分岐元の配線層に接続することで、交互配置を解消させることが可能となる。
このように、交互配線領域の解消箇所が、上記リード配線及びライト配線の一方の端である素子実装領域近傍等ジンバル部内とすることで、上記交互配線領域を長いものとすることができ、差動インピーダンスを低減させ、消費電力の低いものとすることができる。
また、複数のビアをスライダ等の素子に対して対称となるように配置したり、後述するようなアーム部内にグランド端子を形成することや、素子実装領域から先端部分側が鋭角形状とされ、空き領域の少ない場合であっても、そのような先端部分にビアを形成することが容易となる。

また、上記テーパー角度が小さい場合には、上記ビア用配線層の外径を所望のサイズとすると、上記ビア用貫通孔の底部の孔径が小さいものとなり、上記ビア用貫通孔の形成時に、上記底部に残渣が生じ、プラズマエッチング工程やレーザー加工工程等の処理工程が必要となる。これに対して、本発明のように、上記テーパー角度が上述の範囲内であるため、上記底部の孔径を大きいものとすることができ、上記処理工程を不要とすることができる。

本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、ベース絶縁層、導体層およびビアを少なくとも有するものである。
以下、本発明のサスペンション用基板の各構成について詳細に説明する。

１．ビア
本発明に用いられるビアは、上記ビア用貫通孔内に充填されてなり、上記金属支持基板および上記ビア用配線層を接続する導電性材料からなるものである。

このようなビアの形成個所としては、上記サスペンション用基板内であれば特に限定されるものではないが、ジンバル部であることが好ましい。上記ジンバル部には素子実装領域が形成され、さらにリミッター、アーム等の部材が取り付けられることがあるため、上記ベース絶縁層表面に自由に部材を配置できる空き面積が小さい。しかしながら、上記ビアが配置されるビア用配線層の外径が上述のように小さいものであるため、このような空き面積の小さいジンバル部であっても容易に形成でき、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。
ここで、ジンバル部とは、サスペンション用基板の一方の先端部分であり、素子実装領域を含む箇所であり、素子（例えば、スライダー）をプラッタに対して平行に保つように支持する領域をいうものである。より具体的には、図１に示す領域をいうものである。

本発明に用いられるビアの用途としては、上記ビア用配線層を介して接続配線層に接続するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、グランド端子や、２つの上記ビアにそれぞれ接続された接続配線層を上記ジャンパー部を介して接続する連絡配線等を挙げることができる。
本発明においては、なかでも、上記連絡配線として用いられることが好ましい。上記連絡配線として用いられる場合には、通常、２以上の上記ビアが近接して配置され、広い設置面積が必要になることからジンバル部等への配置が困難となる。しかしながら、本発明においては、上記ビア用配線層の外径が小さいことにより、２以上のビアが隣接するような場合であっても設置が容易であり、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。

本発明に用いられるビアは、上記金属支持基板およびビア用配線層を接続するように充填されるものであれば特に限定されるものではないが、通常、既に説明した図２および図４に示すように、平面視上、上記ビア用配線層の一部を覆うように形成される。また、上記ビア用配線層と一体として形成されているもの、すなわち、上記ビア用配線層と同時に形成されたものであっても良い。

本発明に用いられるビアの外径としては、上記ビア用配線層と安定的に接続できるものであれば特に限定されるものではないが、上記ビアが上記ビア用配線層と別体として形成されている場合には、上記ビア用配線層の外径と同じかそれよりも小さいことが好ましく、なかでも上記ビア用配線層の外径よりも小さく、上記ビアの外周が、平面視上、上記ビア用配線層内に配置されるものであることが好ましい。上記ビアの設置自由度の高いものとすることができるからである。

本発明におけるビアの上記ビア用配線層表面からの厚みとしては、上記ビア用配線層と安定的に接続することができるものであれば特に限定されるものではないが、上記ビアが上記ビア用配線層と別体として形成されている場合には、通常、３μｍ〜３０μｍの範囲内であり、なかでも、５μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。上記ビア用配線層と安定的に接続することができるからである。

本発明に用いられるビアを構成する導電性材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、半田等の金属材料による接続及びめっきによる金属析出が可能な金属（Ｎｉ，Ｃｕ等）を一般的に用いることができる。

本発明に用いられるビアの形成方法としては、上記導電性材料を、上記ベース絶縁層のビア用貫通孔に充填することができ、上記ビア用配線層と安定的に接続できる方法であれば良く、サスペンション用基板において一般的に用いられる方法が用いられる。例えば、電界めっき法を用いる方法を挙げることができる。

２．ベース絶縁層
本発明に用いられるベース絶縁層は、上記金属支持基板上に形成されるものであり、ビア用貫通孔を有するものである。

本発明におけるビア用貫通孔のテーパー角度としては、４５°〜８５°の範囲内であり、上記外径のビア用配線層を形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、なかでも４５°〜７０°の範囲内であることがより好ましく、特に４５°〜６０°の範囲内であることがより好ましく、なかでも特に４５°〜５５°の範囲内であることが好ましい。テーパー角度が大きい程、上記ビア用貫通孔の上記導体層側表面での孔径を小さいものとすることができるからである。また、上記ビア用配線層を所定の外径を有するものとした場合であっても上記ビア用貫通孔の底部の孔径を十分に大きいサイズとすることができ、上記ビアおよび金属支持基板との接続を安定なものとすることができるからである。また、上記角度が大きすぎると、ビア用貫通孔の導体層側表面の開口部の角度、すなわち、ベース絶縁層の導体層側表面とビア用貫通孔の内壁とがなす角度も大きくなり、ビアをめっき法により形成する場合等に、ビア用貫通孔の導体層側表面の開口部周辺におけるビアの厚さを十分に確保することが難しく、その部位での接続が不安定なものとなる可能性があるからである。
なお、上記テーパー角度とは、上記金属支持基板と、上記ビア用貫通孔とがなす角度をいうものである。具体的には、図４に例示する角度αをいうものである。

本発明に用いられるビア用貫通孔の底部の孔径、すなわち、上記金属支持基板側表面での孔径（直径）としては、上記ビアにより上記金属支持基板およびビアを安定的に接続できるものであれば特に限定されるものではないが、２０μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、２０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。上記孔径が上述の範囲内であることにより、上記金属支持基板およびビアを安定的に接続させることができるからである。また、ビアがめっき法で形成されるものである場合、めっき液に界面活性作用の強い分散剤等を添加することを不要とすることができるからである。

本発明に用いられるビア用貫通孔の平面視形状としては、上記ビアにより上記金属支持基板およびビア用配線層を安定的に接続できるものであれば特に限定されるものではなく、円形状、半円形状、多角形状等とすることができるが、通常、円形状である。

また、上記ベース絶縁層の厚さとしては、上記金属支持基板と上記導体層との短絡を防止することができるものであれば特に限定されるものではないが、具体的には、５μｍ〜１０μｍの範囲内とすることができる。

本発明に用いられるベース絶縁層を構成する材料としては、上記テーパー角度のビア用貫通孔を安定的に形成でき、絶縁性に優れるものであれば特に限定されるものではないが、主成分としてポリイミド樹脂を含むベース絶縁層用ポリイミド樹脂であることが好ましい。上記材料としてポリイミド樹脂を含むことにより、絶縁性に優れ、パターニングが容易なものとすることができるからである。
ここで、主成分として含むとは、上記ポリイミド樹脂の上記ベース絶縁層用ポリイミド中の含有量が、５０質量％以上であることをいうものであり、なかでも本発明においては、６５質量％以上であることが好ましく、特に、７０質量％以上であることが好ましく、なかでも特に８０質量％以上であることが好ましい。上記ポリイミド樹脂の含有量が上述の範囲内であることにより、絶縁性に優れたものとすることができるからである。
なお、上記ベース絶縁層用ポリイミド樹脂に含まれるポリイミド樹脂の含有量は高ければ高いほど良いため、上限については特に限定されるものではない。

本発明に用いられるベース絶縁層用ポリイミド樹脂は、主成分として上記ポリイミド樹脂を含み、上述のビア用貫通孔を形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、サスペンション用基板に一般的に用いられるものを使用することができる。具体的には、ポリイミド成分および感光剤を含む感光性ポリイミド樹脂からなるものや、上記ポリイミド成分を含み上記感光剤を実施的に含まない非感光性ポリイミド樹脂からなるものを用いることができる。
上記ベース絶縁層用ポリイミド樹脂が感光性ポリイミド樹脂からなるものであることにより、上記絶縁層の形成を容易なものとすることができるからである。また、上記非感光性ポリイミド樹脂からなるものであることにより、反り等の少ないものとすることができるからである。

本発明においては、上記ベース絶縁層用ポリイミド樹脂が、上記ポリイミド成分および感光剤を含む感光性ポリイミド樹脂からなるものである場合には、上記ベース絶縁層用ポリイミド樹脂に含まれる感光剤の残渣の含有量が、１０質量％以下であることが好ましく、なかでも５質量％以下であることが好ましく、特に、３質量％以下であることが好ましく、なかでも特に、実質的に感光剤の残渣を含まないことが好ましい。ＨＤＤに組み込まれたサスペンション用基板からアウトガスが生じると、磁気ディスクを汚染し、読み取り不良となる可能性がある。これに対して、上記感光剤の残渣の含有量が上述の範囲であることにより、ポリイミド層から発生するアウトガスが、低減され、実質的にアウトガスが発生しない状態が形成できるからである。
なお、上記感光剤の残渣の含有量の測定方法としては、上記感光剤の残渣の含有量を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、感光剤を含まない非感光性ポリイミド樹脂を用いて形成されたベース絶縁層用ポリイミド樹脂の熱重量減少温度を比較することで判断することができる。より具体的には、上記非感光性ポリイミド樹脂を上記感光性ポリイミド樹脂と同条件の熱処理でイミド化してなるものの熱重量減少温度を比較することで、判断することができる。
また、熱処理条件としては、上記中間絶縁層およびカバー層の形成時の条件と同様とすることができる。

（ａ）感光性ポリイミド樹脂
本発明に用いられる感光性ポリイミド樹脂は、上記ポリイミド成分および感光剤を含むものである。

（ｉ）ポリイミド成分
本発明に用いられるポリイミド成分としては、ポリイミドの状態で溶媒に可溶であるものを用いても良いし、加熱処理等のイミド化により上記ポリイミド樹脂となるポリイミド前駆体を用いたものでもよい。保存安定性の観点からは前者が好ましく、線膨張係数との諸特性との両立という観点からは、後者が好ましい。本発明においては、後者の前駆体を用いたものが、各種特性、特に線膨張係数の制御の観点から好ましく用いられる。また上記ポリイミド成分は、上記感光剤を含むことで感光性を付与できるものであれば特に限定されるものではない。具体的には、下記式（１）で表される構造を有するポリイミド、および下記式（２）、（３）で表される構造を有するポリイミド前駆体を用いることができる。

（式（１）から（３）中、Ｒ¹は４価の有機基、Ｒ^２は２価の有機基であり、Ｒ^３は水素原子もしくは１価の有機基繰り返されるＲ¹同士およびＲ^２同士、Ｒ^３同士はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。ｎは１以上の自然数である。）

本発明におけるポリイミド成分としては、上記式（１）、式（２）および式（３）のそれぞれの構造のみを有するポリマーのみ用いても、上記式（１）、式（２）および式（３）のそれぞれの構造のみを有するポリマーを混ぜて使っても、１つのポリマー分子鎖中に上記式（１）、式（２）および式（３）の構造が混ざったものを用いることもできる。
本発明においては、上記ポリイミド成分が上記式（２）または（３）の構造のポリイミド前駆体を少なくとも含むものであることが好ましい。溶媒への溶解性に優れるからである。
本発明においては、なかでも、酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル化物などの誘導体）が全体の５０％以上あることが望ましく、７５％以上であることがさらに好ましく、全て、下記式（２）で示されるポリアミック酸およびその誘導体であることが好ましい。
ポリアミック酸は、酸二無水物とジアミンを溶液中で混合するのみで得られるので、１段階の反応で合成することができ、合成が容易で低コストで入手できるからである。

また、副次的な効果として、用いるポリイミド成分が、上記式（２）で示されるようなポリアミック酸である場合、感光剤として用いられる塩基性物質の触媒効果によりイミド化に要する温度が低くても十分な為、最終キュア温度を３００℃未満、更に好ましくは２５０℃以下まで下げることが可能である。従来のポリアミック酸はイミド化するために最終キュア温度を３００℃以上とする必要があった為、用途が制限されていたが、最終キュア温度を下げることが可能になったことによって、より広範囲の用途に適用が可能である。

また、式（２）からなるポリアミック酸（および）その誘導体については、合成の容易さおよびアルカリ現像液に対する溶解性の高さから、Ｒ^３が全て水素原子であるポリアミック酸であることが特に好ましい。しかし、現像速度が速すぎて、パターン残存部の溶解性が高すぎる場合には、イミド化が進行したものを用いるもしくは、上記（２）および（３）におけるＲ^３に１価の有機基を導入して溶解速度を下げることができる。

なお、酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル）の含有率は、１００％−イミド化率（％）で求めることができる。したがって、酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル）が全体の５０％である場合には、イミド化率が５０％であることを示す。
また、イミド化率は、例えば、赤外線吸収スペクトルを用いて確認することができる。具体的には、上記ポリイミド樹脂に含まれるイミド結合由来のＣ＝Ｏ二重結合のピーク面積から定量することにより求めることができる。

また、式（３）については、左右非対称であるが、１つのポリマー分子鎖中に左右の向きが異なるものが含まれていてもよい。

なお、Ｒ¹の４価は酸と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。同様に、Ｒ^２の２価はアミンと結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。

上記式（１）から（３）において、一般に、Ｒ^１は酸二無水物由来の構造であり、Ｒ^２はジアミン由来の構造である。

本発明に用いられるポリイミド成分を製造する方法としては、従来公知の手法を適用することができる。例えば、上記（２）で表される構造を有するポリイミド前駆体の形成方法としては、（ｉ）酸二無水物とジアミンからポリアミック酸を合成する手法や、（ｉｉ）酸二無水物に１価のアルコールやアミノ化合物、エポキシ化合物等を反応させ合成したエステル酸やアミド酸モノマーのカルボン酸に、ジアミノ化合物やその誘導体を反応させて形成する手法などが挙げられるがこれに限定されない。
また、上記(３)で表される構造を有するポリイミド前駆体または上記(１)で表されるポリイミドの形成方法としては、上記（２）で表されるポリイミド前駆体を加熱によりイミド化する方法が挙げられる。

また、上記式（１）〜（３）で表される構造を有するポリイミド成分は、酸二無水物とジアミンの反応により得られるが、最終的に得られるポリイミド樹脂に優れた耐熱性及び寸法安定性を付与する点から、前記化学式（１）〜（３）において、Ｒ¹又はＲ^２が芳香族化合物であることが好ましく、Ｒ¹及びＲ^２が芳香族化合物であることがより好ましい。
本発明においては、最終的に得られるポリイミド樹脂に耐熱性及び寸法安定性を求める場合には、芳香族酸成分及び／又は芳香族アミン成分の共重合割合ができるだけ大きいことが好ましい。具体的には、イミド構造の繰り返し単位を構成する酸成分に占める芳香族酸成分の割合が５０モル％以上、特に７０モル％以上であることが好ましく、イミド構造の繰り返し単位を構成するアミン成分に占める芳香族アミン成分の割合が４０モル％以上、特に６０モル％以上であることが好ましく、全芳香族ポリイミドであることが特に好ましい。
またこのとき、前記化学式（１）〜（３）のＲ¹において、当該Ｒ¹に結合している４つの基（（−ＣＯ−）_４）は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。同様に、前記化学式（１）〜（３）のＲ^２において、当該Ｒ^２に結合している２つの基（（−ＮＨ−）_２）は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。

また、前記化学式（１）〜（３）で表されるポリイミド成分は、単一の繰り返し単位からなるものでも、２種以上の繰り返し単位から成るものでもよい。

本発明において、上記ポリイミド成分を得るための反応に適用可能な酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物；ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，３−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、１，４−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、

２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、４，４’−ビス〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、４，４’−ビス〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（２，３−又は３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ピリジンテトラカルボン酸二無水物、スルホニルジフタル酸無水物、ｍ−ターフェニル−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、ｐ−ターフェニル−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは単独あるいは２種以上混合して用いられる。そして、特に好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物が挙げられる。

併用する酸二無水物としてフッ素が導入された酸二無水物や、脂環骨格を有する酸二無水物を用いると、透明性をそれほど損なわずに溶解性や熱膨張率等の物性を調整することが可能である。また、ピロメリット酸無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの剛直な酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミド樹脂の線熱膨張係数が小さくなるが、透明性の向上を阻害する傾向があるので、共重合割合に注意しながら併用してもよい。

一方、ジアミン成分も、１種類のジアミン単独で、または２種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は限定されず、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，１−ジ（３−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ジ（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１−（３−アミノフェニル）−１−（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゾニトリル、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ピリジン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、

ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ］ジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、６，６’−ビス（３−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、６，６’−ビス（４−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン等の芳香族アミン；

１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（４−アミノブチル）テトラメチルジシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノブチル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アミノメチル）エーテル、ビス（２−アミノエチル）エーテル、ビス（３−アミノプロピル）エーテル、ビス（２−アミノメトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（２−アミノエトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（３−アミノプロトキシ）エチル］エーテル、１，２−ビス（アミノメトキシ）エタン、１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン、１，２−ビス［２−（アミノメトキシ）エトキシ］エタン、１，２−ビス［２−（２−アミノエトキシ）エトキシ］エタン、エチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、ジエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂肪族アミン；

１，２−ジアミノシクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，２−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，３−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，４−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロへキシル）メタン、２，６−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン等の脂環式ジアミンが挙げられる。グアナミン類としては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンなどを挙げることができ、また、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換したジアミンも使用することができる。

さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル基、ベンゾシクロブテン−４’−イル基、ビニル基、アリル基、シアノ基、イソシアネート基、及びイソプロペニル基のいずれか１種又は２種以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てに置換基として導入しても使用することができる。

ジアミンは、目的の物性によって選択することができ、ｐ−フェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを用いれば、最終的に得られるポリイミド樹脂は低膨張率となる。剛直なジアミンとしては、同一の芳香環に２つアミノ基が結合しているジアミンとして、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、１，４−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、２、６−ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノナフタレン、１，４―ジアミノアントラセンなどが挙げられる。

さらに、２つ以上の芳香族環が単結合により結合し、２つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接又は置換基の一部として結合しているジアミンが挙げられ、例えば、下記式（４）により表されるものがある。具体例としては、ベンジジン等が挙げられる。

（化学式（４）中、ａは１以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。）

さらに、上記式（４）において、他のベンゼン環との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミノ基が置換していない位置に置換基を有するジアミンも用いることができる。これら置換基は、１価の有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。
具体例としては、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジトリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル等が挙げられる。

一方、ジアミンとして、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンを用いると、最終的に得られるポリイミド樹脂の弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させることができる。
ここで、選択されるジアミンは耐熱性の観点より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の物性に応じてジアミンの全体の６０モル％、好ましくは４０モル％を超えない範囲で、脂肪族ジアミンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外のジアミンを用いても良い。

本発明に用いられる式（２）で表されるポリイミド成分を合成するには、例えば、アミン成分として４，４’−ジアミノジフェニルエーテルをＮ−メチルピロリドンなどの有機極性溶媒に溶解させた溶液を冷却しながら、そこへ等モルの３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を徐々に加え撹拌することにより得ることができる。

本発明に用いられるポリイミド成分は、感光性ポリイミド樹脂とした際の感度を高め、マスクパターンを正確に再現するパターン形状を得るために、１μｍの膜厚のときに、露光波長に対して少なくとも５％以上の透過率を示すことが好ましく、１５％以上の透過率を示すことが更に好ましい。
露光波長に対してポリイミド成分の透過率が高いということは、それだけ、電磁波のロスが少ないということであり、高感度の感光性ポリイミド樹脂を得ることができる。

また、一般的な露光光源である高圧水銀灯を用いて露光を行う場合には、少なくとも４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍの波長の電磁波のうち１つの波長の電磁波に対する透過率が、厚み１μｍのフィルムに成膜した時で好ましくは５％以上、更に好ましくは１５％、特に好ましくは５０％以上である。

本発明に用いられるポリイミド成分の重量平均分子量は、その用途にもよるが、３，０００〜１，０００，０００の範囲であることが好ましく、５，０００〜５００，０００の範囲であることがさらに好ましく、１０，０００〜５００，０００の範囲であることがさらに好ましい。重量平均分子量が３，０００未満であると、塗膜又はフィルムとした場合に十分な強度が得られにくい。また、加熱処理等を施しポリイミド樹脂などの高分子とした際の膜の強度も低くなる。一方、重量平均分子量が１，０００，０００を超えると粘度が上昇し、溶解性も落ちてくるため、表面が平滑で膜厚が均一な塗膜又はフィルムが得られにくい。
ここで用いている分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の値のことをいい、ポリイミド前駆体そのものの分子量でも良いし、無水酢酸等で化学的イミド化処理を行った後のものでも良い。

本発明に用いられるポリイミド成分の含有量としては、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の点から、上記感光性ポリイミド樹脂の固形分全体に対し、５０質量％以上であることが好ましく、なかでも、７０質量％以上であることが好ましい。
なお、感光性ポリイミド樹脂の固形分とは溶媒以外の全成分であり、液状のモノマー成分も固形分に含まれる。

（ｉｉ）感光剤
本発明に用いられる感光剤としては、上記ポリイミド成分に感光性を付与できるものであれば特に限定されるものではなく、感光性ポリイミド樹脂に一般的に用いられるものを使用することができ、例えば、電磁波の照射と加熱により、塩基を発生する塩基発生剤等を用いることができる。より具体的には、下記一般式（ａ）で表されるようなクマル酸アミド系塩基発生剤、カーバメート型塩基発生剤およびニフェジピン等の塩基発生剤、またはこれらの混合物を挙げることができる。

ここで、ベース絶縁層用ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層に形成されるビア用貫通孔のテーパー角を、大きくするためには、ポリイミド成分および感光剤それぞれの特性に最適化が必要である。特に、５μｍ以上の厚みのあるベース絶縁層のテーパー角を大きくする感光剤は、ベース絶縁層の底部まで十分に露光光を到達させるために、露光波長におけるモル吸光係数が小さく、具体的には、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍのいずれかの波長の光に対するモル吸光係数が１以上３０００以下であることが好ましく、５以上２０００以下であることがより好ましく、１０以上１５００以下であることがさらに好ましい。一方で、実用上十分な感度を有するためには、量子効率が十分高い感光剤を利用する必要がある。より底部まで、十分な光が届くことにより、露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度のコントラストを大きくすることができ、結果的に、現像後のビア用貫通孔のテーパー角を大きくすることが可能となる。
一般に、露光に対する感度は、「露光波長のモル吸光係数」と「その波長における量子効率」との積で表わされることから、モル吸光係数が低い場合、実用的な感度を示すには高い量子効率を示す感光剤が必要となる。
そのような感光剤としては、クマル酸アミド系塩基発生剤を好ましく用いることができる。
上記クマル酸アミド系光塩基発生剤は、一般に露光に用いられる高圧水銀灯の発光波長領域において、小さいモル吸光係数と非常に高い量子効率を示すことから、ビア用貫通孔のテーパー角度を大きくすることが容易だからである。
また、発生するアミン、及び、吸光団部位双方とも、３００℃以下の温度で揮発するため、ベース絶縁層中に残渣として残存しにくいという特徴を有するからである。
また、上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、環化することで、フェノール性水酸基を消失し、溶解性が変化し、塩基性水溶液等の場合には溶解性が低下する。これにより、上記ポリイミド成分の最終生成物への反応による溶解性の低下を更に補助し、かつ、未露光部の現像液への溶解促進効果も発揮するため、露光部と未露光部の溶解性コントラストを大きくすることが可能となる。その結果、ビア用貫通孔のテーパー角を大きくすることができるといった効果も発揮することができるからである。

（式（ａ）中、Ｒ^２１及びＲ^２２は、それぞれ独立に、水素又は１価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ^２１及びＲ^２２は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、Ｒ^２１及びＲ^２２の少なくとも１つは１価の有機基である。Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は１価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。）

上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、上記のような特定の構造を有するため、紫外線などの光線が照射されることにより、上記式（ａ）中の（−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）部分がシス体へと異性化し、さらに加熱によって環化し、塩基（ＮＨＲ^２１Ｒ^２２）を生成する。すなわち、上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、その構造に応じて、塩基として、第１級アミン、第２級アミン、アミジン系化合物を生成しうる。
また、アミンの触媒作用によって、上記ポリイミド成分が最終生成物となる際の反応が開始される温度を下げたり、上記ポリイミド成分が最終生成物となる硬化反応を開始することができる。
上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、電磁波が照射されるだけでも塩基を発生するが、適宜加熱をすることにより、塩基の発生が促進される。

上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、環化することで、フェノール性水酸基を消失し、溶解性が変化し、塩基性水溶液等の場合には溶解性が低下する。これにより、上記ポリイミド成分の最終生成物への反応による溶解性の低下を更に補助する機能を有し、露光部と未露光部の溶解性コントラストを大きくすることが可能となる。

Ｒ^２１及びＲ^２２は、それぞれ、独立に水素原子又は１価の有機基であるが、Ｒ^２１及びＲ^２２のうち少なくとも１つは１価の有機基である。また、ＮＨＲ^２１Ｒ^２２は、塩基（塩基性物質）であるが、Ｒ^２１及びＲ^２２は、それぞれ、アミノ基を含まない有機基であることが好ましい。Ｒ^２１及びＲ^２２に、アミノ基が含まれてしまうと、塩基発生剤自体が塩基性物質となり、上記ポリイミド成分の反応を促進してしまい、露光部と未露光部での溶解性コントラストの差が小さくなってしまう恐れがある。但し、例えば、Ｒ^２１及びＲ^２２の有機基中に存在する芳香環にアミノ基が結合している場合のように、電磁波の照射と加熱後に発生する塩基との塩基性と差が生じる場合には、Ｒ^２１及びＲ^２２の有機基にアミノ基を含まれていても用いることができる場合もある。
１価の有機基としては、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。

また、Ｒ^２１及びＲ^２２は、それらが結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる２種以上が組み合されてなる構造であっても良い。

上記Ｒ^２１及びＲ^２２の有機基中の炭化水素基以外の結合としては、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合（−Ｎ＝Ｃ（−Ｒ）−、−Ｃ（＝ＮＲ）−：ここでＲは水素原子又は１価の有機基）、カーボネート結合、スルホニル結合等が挙げられる。

前記Ｒ^２１及びＲ^２２の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH₂, −NHR, −NRR'：ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素基)等が挙げられる。これらの基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
上記Ｒ^２１及びＲ^２２の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。

生成する塩基性物質はＮＨＲ^２１Ｒ^２２であるため、１級アミン、２級アミン、又は複素環式化合物が挙げられる。またアミンには、それぞれ、脂肪族アミン及び芳香族アミンがある。なお、ここでの複素環式化合物は、ＮＨＲ^２１Ｒ^２２が環状構造を有し且つ芳香族性を有しているものをいう。芳香族複素環式化合物ではない、非芳香族複素環式化合物は、ここでは脂環式アミンとして脂肪族アミンに含まれる。

更に、生成するＮＨＲ^２１Ｒ^２２は、アミド結合を形成可能なＮＨ基を１つだけ有するモノアミン等の塩基性物質だけでなく、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有する塩基性物質であってもよい。生成するＮＨＲ^２１Ｒ^２２がＮＨ基を２つ以上有する塩基性物質の場合、上記式（ａ）のＲ^２１及び／又はＲ^２２の１つ以上の末端に、アミド結合を形成可能なＮＨ基を有する塩基を電磁波の照射と加熱により発生するような光潜在性部位が更に結合している構造が挙げられる。上記光潜在性部位としては、上記式（ａ）のＲ^２１及び／又はＲ^２２の１つ以上の末端に、式（ａ）のＲ^２１及び／又はＲ^２２を除いた残基が更に結合している構造が挙げられる。

生成するＮＨＲ^２１Ｒ^２２のうち、脂肪族１級アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、イソアミルアミン、ｔｅｒｔ−ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘプタンアミン、オクチルアミン、２−オクタンアミン、２，４，４−トリメチルペンタン−２−アミン、シクロオクチルアミン等が挙げられる。

芳香族１級アミンとしては、アニリン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、及び４−アミノフェノール等が挙げられる。

脂肪族２級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、エチルメチルアミン、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、アゼパン、アゾカン、メチルアジリジン、ジメチルアジリジン、メチルアゼチジン、ジメチルアゼチジン、トリメチルアゼチジン、メチルピロリジン、ジメチルピロリジン、トリメチルピロリジン、テトラメチルピロリジン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチルピペリジン、４−ピペリジンメタノール、４−ヒドロキシピペリジン等が挙げられ、なかでも脂環式アミンが好ましい。また、水酸基を有する脂環式アミンであると、未露光部の現像液への溶解促進の効果が強くなり、溶解性コントラストが高くなり、テーパー角を大きくすることが容易になるからである。

芳香族２級アミンとしては、メチルアニリン、ジフェニルアミン、及びＮ−フェニル−１−ナフチルアミンが挙げられる。また、アミド結合を形成可能なＮＨ基を有する芳香族複素環式化合物としては、塩基性の点から分子内にイミノ結合（−Ｎ＝Ｃ（−Ｒ）−、−Ｃ（＝ＮＲ）−：ここでＲは水素原子又は１価の有機基）を有することが好ましく、イミダゾール、プリン、トリアゾール、及びこれらの誘導体等が挙げられる。

アミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有する塩基としてはエチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、1，4−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、１，７−ヘプタンジアミン、１，８−オクタンジアミン、１，９−ノナンジアミン、１，１０−デカンジアミン等の直鎖状脂肪族アルキレンジアミン；１−ブチル−１，２−エタンジアミン、１，１−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１−エチル−１，４−ブタンジアミン、１，２−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，３−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，４−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、２，３−ジメチル−１，４−ブタンジアミン等の分岐状脂肪族アルキレンジアミン；シクロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジメチルアミン、トリシクロデカンジメチルアミン、メンセンジアミン等の脂環式ジアミン；ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン等の芳香族ジアミン；ベンゼントリアミン、メラミン、２，４，６−トリアミノピリミジン等のトリアミン；２，４，５，６−テトラアミノピリミジン等のテトラアミンを挙げることができる。

Ｒ^２１及びＲ^２２の位置に導入される置換基によって、生成する塩基性物質の熱物性や塩基性度が異なる。
上記ポリイミド成分から最終生成物への反応に対する反応開始温度を低下させる等の触媒作用は、塩基性の大きい塩基性物質の方が触媒としての効果が大きく、より少量の添加で、より低い温度での最終生成物への反応が可能となる。一般に１級アミンよりは２級アミンの方が塩基性は高く、その触媒効果が大きい。
また、芳香族アミンよりも脂肪族アミンの方が塩基性が強いため好ましい。

また、本発明で発生する塩基が、２級アミン及び／又は複素環式化合物である場合には、塩基発生剤としての感度が高くなる点から好ましい。これは、２級アミンや複素環式化合物を用いることで、アミド結合部位の活性水素がなくなり、このことにより、電子密度が変化し、異性化の感度が向上するからではないかと推定される。

また、脱離する塩基の熱物性、及び塩基性度の点から、Ｒ^２１及びＲ^２２の有機基は、それぞれ独立に炭素数１〜２０が好ましく、更に炭素数１〜１２が好ましく、特に炭素数１〜８であることが好ましい。

また、上記クマル酸アミド系塩基発生剤から生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なＮＨ基を１つ有するものであることが好ましい。発生する塩基がアミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有する場合には、塩基発生剤において、電磁波の照射と加熱により切断されるアミド結合を２つ以上有することになり、例えば桂皮酸誘導体残基のような吸光団が１分子に２つ以上存在することになる。このような場合には、通常分子量が大きくなるため、溶媒溶解性が悪くなるという問題がある。また、吸光団を１分子内に２つ以上有する場合、吸光団と塩基が結合しているアミド結合が１つ切断されれば塩基になるが、吸光団を未だ含むような塩基は分子量が大きいため、拡散性が悪くなり、塩基発生剤として用いる場合の感度が悪くなってしまう。更に、塩基発生剤を合成する際、吸光団が１つの場合には、相対的に安価な塩基を過剰量加えて合成するが、吸光団が２つ以上の場合には、相対的に高価な吸光団部分の原料を過剰量加える必要がある。また、アミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有するような塩基の場合、合成後の精製が困難であるという問題もある。なかでも特に、ポリイミド前駆体と組み合わせる場合には、アミド結合を形成可能なＮＨ基を１つ有するものであることが好ましい。

発生する２級アミン及び／又は複素環式化合物の構造としては、なかでも、下記式（ｂ）で表されることが好ましい。

（式（ｂ）中、Ｒ^２１及びＲ^２２は、それぞれ独立に、１価の有機基であり、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数４〜２２のシクロアルキル基である。Ｒ^２１及びＲ^２２は、同一であっても異なっていても良い。Ｒ^２１及びＲ^２２は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。）

式（ｂ）のＲ^２１及びＲ^２２において、アルキル基は直鎖でも分岐でも良い。アルキル基としては更に炭素数１〜８であることが好ましく、シクロアルキル基としては更に炭素数４〜１０であることが好ましい。また、Ｒ^２１及びＲ^２２が結合して置換基を有しても良い炭素数４〜１２の環状構造となっている脂環式アミンも好ましい。また、Ｒ^２１及びＲ^２２が結合して置換基を有しても良い炭素数２〜１２の環状構造となっている複素環式化合物も好ましい。

Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６、は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、ニトロ基、ニトロソ基、メルカプト基、シリル基、シラノール基又は１価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６、は、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。
ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。
１価の有機基としては、特に制限がなく、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基、シアノ基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。

上記Ｒ^２３〜Ｒ^２６の有機基中の炭化水素基以外の結合としては、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、スルホニル結合等が挙げられる。

上記Ｒ^２３〜Ｒ^２６の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH₂,−NHR,−NRR'：ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素基)等が挙げられる。これらの基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
なかでも、Ｒ^２３〜Ｒ^２６の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。

また、Ｒ^２３〜Ｒ^２６は、それらのうち２つ以上が結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる２種以上が組み合されてなる構造であっても良い。例えば、Ｒ^２３〜Ｒ^２６は、それらの２つ以上が結合して、Ｒ^２３〜Ｒ^２６が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成していても良い。

本発明においては本発明の置換基Ｒ^２３〜Ｒ^２６に、置換基を１つ以上導入することが好ましい。すなわち、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６の少なくとも１つが、ハロゲン、水酸基、ニトロ基、ニトロソ基、メルカプト基、シリル基、シラノール基又は１価の有機基であることが好ましい。置換基Ｒ^２３〜Ｒ^２６に、上記のような置換基を少なくとも１つ導入することにより、吸収する光の波長を調整することが可能であり、置換基を導入することで所望の波長を吸収させるようにすることもできる。芳香族環の共役鎖を伸ばすような置換基を導入することにより、吸収波長を長波長にシフトすることができる。また、溶解性や組み合わせる高分子前駆体との相溶性が向上するようにすることもできる。これにより、組み合わせる高分子前駆体の吸収波長も考慮しながら、感光性樹脂組成物の感度を向上させることが可能である。

所望の波長に対して吸収波長をシフトさせる為に、どのような置換基を導入したら良いかという指針として、Ｉｎｔｅｒｐｒｅｔａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ Ｎａｔｕｒａｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ（Ａ．Ｉ．Ｓｃｏｔｔ １９６４）や、有機化合物のスペクトルによる同定法第５版（Ｒ．Ｍ．Ｓｉｌｖｅｒｓｔｅｉｎ １９９３）に記載の表を参考にすることができる。

Ｒ^２３〜Ｒ^２６としては、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルケニル基、炭素数７〜１６のアリールオキシアルキル基（−ＲＯＡｒ基）、炭素数７〜２０のアラルキル基、シアノ基をもつ炭素数２〜１１のアルキル基、水酸基をもつ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１１のアミド基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基（−ＳＲ基）、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数２〜１１のエステル基、炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換した炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、及びメチルチオ基（−ＳＣＨ_３）等が好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。
また、Ｒ^２３〜Ｒ^２６としては、それらの２つ以上が結合して、Ｒ^２３〜Ｒ^２６が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成している場合も、吸収波長が長波長化する点から好ましい。

また、本発明において、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６の少なくとも１つが水酸基である場合、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２６に水酸基を含まない化合物と比べ、塩基性水溶液等に対する溶解性の向上、および吸収波長の長波長化が可能な点から好ましい。また、特にＲ^２６がフェノール性水酸基である場合、シス体に異性化した化合物が環化する際の反応サイトが増えるため、環化しやすくなる点から好ましい。

化学式（ａ）で表される構造は、トランス体及び／又はシス体であり、トランス体のみを用いても良いし、トランス体とシス体の混合物を用いても良いが、溶解性コントラストを高められる点から、トランス体の割合が９０〜１００％であることが好ましく、トランス体のみを用いることがより好ましい。

上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、加熱して初期の重量から５％重量が減少したときの温度（５％重量減少温度）が１００℃以上であることが好ましい。感光性ポリイミド樹脂の場合、塗膜を形成する際にＮ−メチル−２−ピロリドンなどの高沸点溶媒を用いる必要があるが、このように５％重量減少温度が高い場合には残留溶媒の影響が少なくなるような乾燥条件で塗膜を形成することができる。これにより、残留溶媒の影響による露光部と未露光部での溶解性コントラストの減少を抑制することができる。

また、本発明に用いられるベース絶縁層用ポリイミド樹脂中に上記感光剤に由来する不純物が残存しないことが好ましいため、本発明に用いられるクマル酸アミド系塩基発生剤は、現像後に行う加熱のプロセス（例えば、イミド化のプロセス）で分解、又は揮発してしまうことが好ましい。具体的には、初期の重量から５０％重量が減少したときの温度（５０％重量減少温度）が４００℃以下であることが好ましく、更に３５０℃以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。また、発生する塩基の沸点が２５℃以上であることが、室温での取り扱い性が良好になることから好ましい。発生する塩基の沸点が２５℃以上でない場合には、塗膜とした際に、特に乾燥時に生成したアミンが蒸発しやすくなってしまうため作業が困難となる恐れがある。

上記クマル酸アミド系塩基発生剤を用いる際の、塩基を発生させるための加熱温度としては、組み合わせるポリイミド前駆体や目的により適宜選択され、特に限定されない。塩基発生剤が置かれた環境の温度（例えば、室温）による加熱であっても良く、その場合、徐々に塩基が発生する。また、電磁波の照射時に副生される熱によっても塩基が発生するため、電磁波の照射時に副生される熱により実質的に加熱も同時に行われても良い。反応速度を高くし、効率よく塩基を発生させる点から、塩基を発生させるための加熱温度としては、３０℃以上であることが好ましく、更に好ましくは６０℃以上、より更に好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上である。しかしながら、組み合わせて用いられる高分子前駆体によっては、例えば６０℃以上の加熱で未露光部についても硬化するものもあるので、好適な加熱温度は、上記に限定されない。
また、上記クマル酸アミド系塩基発生剤の塩基発生以外の分解を防ぐために、３００℃以下で加熱することが好ましい。

上記クマル酸アミド系塩基発生剤は電磁波の照射のみでも塩基を発生するが、適宜加熱することにより塩基の発生が促進される。従って、効率的に塩基を発生させるために、上記クマル酸アミド系塩基発生剤を用いる際には、露光後又は露光と同時に加熱を行うことにより塩基を発生する。露光と加熱を交互に行ってもよい。最も効率が良い方法は、露光と同時に加熱する方法である。

本発明におけるクマル酸アミド系塩基発生剤の合成方法を、２−ヒドロキシ桂皮酸アミドを例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明における塩基発生剤は、複数の従来公知の合成ルートで合成することができる。

２−ヒドロキシ桂皮酸アミドは、例えば、２−ヒドロキシ桂皮酸とシクロヘキシルアミンを反応させることにより合成できる。１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩等の縮合剤存在下、２−ヒドロキシ桂皮酸とシクロヘキシルアミンをテトラヒドロフランに溶解し、撹拌することで目的物を得ることができる。
各置換基を導入した桂皮酸の合成は、対応する置換基を有するヒドロキシベンズアルデヒドにwittig反応または、Knoevenagel反応、又はPerkin反応を行うことで合成できる。なかでも、ｗｉｔｔｉｇ反応はトランス体が選択的に得られやすい点から好ましい。尚、例えば、上記対応する置換基を有するアルデヒドの合成は、対応する置換基を有するフェノール等にＤｕｆｆ反応やＶｉｌｓｍｅｉｅｒ−Ｈａａｃｋ反応を行うことで合成できる。

本発明における塩基発生剤は、ポリイミド成分が最終生成物となるための塩基発生の機能を十分に発揮させるために、露光波長の少なくとも一部に対して吸収を有する必要がある。一般的な露光光源である高圧水銀灯の波長としては、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍがある。このため、本発明におけるクマル酸アミド系塩基発生剤は、少なくとも３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍの波長の電磁波のうち少なくとも１つの波長の電磁波に対して吸収を有することが好ましい。このような場合、適用可能なポリイミド成分の種類がさらに増える点から好ましい。

上記感光剤は、そのモル吸光係数が、電磁波の波長３６５ｎｍにおいて１００以上、又は４０５ｎｍにおいて１以上であることが、適用可能なポリイミド成分の種類がさらに増える点から好ましい。

なお、本発明における感光剤が上記波長領域に吸収を有することは、当該波長領域に吸収をもたない溶媒（例えば、アセトニトリル）に、上記感光剤を１×１０^−４ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度（通常、１×１０^−４ｍｏｌ／Ｌ〜１×１０^−５ｍｏｌ／Ｌ程度。適度な吸収強度となるように、適宜、調節してもよい。）で溶解し、紫外可視分光光度計（例えば、ＵＶ−２５５０（株）島津製作所製））により吸光度を測定することにより明らかにすることができる。

本発明に用いられる感光剤の含有量としては、所望のパターンのベース絶縁層を形成できるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な含有量とすることができる。
一般的にポリイミド樹脂は高耐熱性の樹脂として知られており、高い耐熱性を有することから、ポリイミド成分よりも、感光剤の方が耐熱性が低い傾向にあるので、ポリイミド成分に対する感光剤の割合を減らした方が、低アウトガス性となる。
このようなことから上記感光剤の含有量は少ない方が好ましく、本発明においては、上記感光剤が、上記ポリイミド成分１００重量部に対して、０．１重量部以上３０重量部未満の範囲内であることが好ましく、なかでも、０．５重量部〜２０重量部の範囲内であることが好ましく、特に、０．５重量部〜１５重量部の範囲内であることが好ましい。
なお、本発明における感光剤が、上記クマル酸アミド系塩基発生剤である場合には、その含有量としては、上述の範囲より多いものとすることができる。上記クマル酸アミド系塩基発生剤は加熱等により分解または揮発により残存しにくいため、含有量が多い場合であっても、上記ベース絶縁層用ポリイミド樹脂中への残存量が少ないものとすることができるからである。具体的には、上記ポリイミド成分１００重量部に対して、０．５重量部〜３０重量部の範囲内であることが好ましく、なかでも、１重量部〜２５重量部の範囲内であることが好ましく、特に、３重量部〜２０重量部の範囲内であることが好ましい。十分な感光性を付与することができ、かつ、その場合であっても上記ベース絶縁層用ポリイミド樹脂への残存が少ないからである。したがって、露光・現像によるパターニングが容易なものとすることができるからである。

（ｉｉｉ）溶媒
本発明における感光性ポリイミド樹脂としては、必要に応じて溶媒を含むものであっても良い。
このような溶媒としては、上記ポリイミド成分を均一に分散または溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノエーテル類（いわゆるセロソルブ類）；メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、前記グリコールモノエーテル類の酢酸エステル（例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート）、メトキシプロピルアセテート、エトキシプロピルアセテート、蓚酸ジメチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル類；エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコール類；塩化メチレン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、１−クロロプロパン、１−クロロブタン、１−クロロペンタン、クロロベンゼン、ブロムベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチルピロリドンなどのピロリドン類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、その他の有機極性溶媒類等が挙げられ、更には、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及び、その他の有機非極性溶媒類等も挙げられる。これらの溶媒は単独若しくは組み合わせて用いられる。
なかでも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等の極性溶媒が好適なものとして挙げられる。

また、ポリイミド成分としてポリイミド前駆体であるポリアミック酸を用いる場合には、ポリアミック酸の合成反応により得られた溶液をそのまま溶媒として用い、そこに必要に応じて他の成分を混合しても良い。

（ｉｖ）増感剤
本発明においては、上記光塩基発生剤の吸収波長がポリイミド成分の吸収波長と重なる部分があり、十分な感度が得られない場合において、感度向上の手段として、増感剤の添加が効果を発揮する場合がある。また、ポリイミド成分を透過する電磁波の波長帯に上記光塩基発生剤が吸収波長を有する場合においても、感度向上の手段として、増感剤を添加することができる。ただし、増感剤の添加によるポリイミド成分の含有率の減少に伴う、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の低下に関して考慮に入れる必要がある。

増感剤と呼ばれる化合物の具体例としては、チオキサントン及び、ジエチルチオキサントンなどのその誘導体、シアニン及び、その誘導体、メロシアニン及び、その誘導体、クマリン系及び、その誘導体、ケトクマリン及び、その誘導体、ケトビスクマリン、及びその誘導体、シクロペンタノン及び、その誘導体、シクロヘキサノン及び、その誘導体、チオピリリウム塩及び、その誘導体、キノリン系及び、その誘導体、スチリルキノリン系及び、その誘導体、チオキサンテン系、キサンテン系及び、その誘導体、オキソノール系及び、その誘導体、ローダミン系及び、その誘導体、ピリリウム塩及び、その誘導体等が挙げられる。

シアニン、メロシアニン及び、その誘導体の具体例としては、３，３’−ジカルボキシエチル−２，２’チオシアニンブロミド、１−カルボキシメチル−１’−カルボキシエチル−２，２’−キノシアニンブロミド、１，３’−ジエチル−２，２’−キノチアシアニンヨ−ジド、３−エチル−５−［（３−エチル−２（３Ｈ）−ベンゾチアゾリデン）エチリデン］−２−チオキソ−４−オキサゾリジン等が挙げられる。
クマリン、ケトクマリン及び、その誘導体の具体例としては、３−（２’−ベンゾイミダゾール）−７−ジエチルアミノクマリン、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３，３’−カルボニルビスクマリン、３，３’−カルボニルビス（５，７−ジメトキシクマリン）、３，３’−カルボニルビス（７−アセトキシクマリン）等が挙げられる。
チオキサントン及び、その誘導体の具体例としては、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントンなどが挙げられる。

さらに他にはベンゾフェノン、アセトフェノン、アントロン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、フェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、２−エチルアントラキノン、２−ターシャリーブチルアントラキノン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピクラミド、１，２−ベンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９−ベンズアンスロン、ｐ，ｐ’−テトラエチルジアミノベンゾフェノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、ジベンザルアセトン、１，２−ナフトキノン、２，５−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−シクロペンタン、２，６−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−シクロヘキサノン、２，６−ビス−（４’−ジメチルアミノベンザル）−４−メチル−シクロヘキサノン、２，６−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−４−メチル−シクロヘキサノン、４，４’−ビス−（ジメチルアミノ）−カルコン、４，４’−ビス−（ジエチルアミノ）−カルコン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、１，３−ビス−（４’−ジメチルアミノベンザル）−アセトン、１，３−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−アセトン、Ｎ−フェニル−ジエタノールアミン、Ｎ−ｐ−トリル−ジエチルアミン、などが挙げられる。
本発明ではこれらの増感剤を１種または２種以上使用することができる。

（ｖ）その他
本発明における感光性ポリイミド樹脂は、少なくとも上記ポリイミド成分、感光剤、および溶媒を含むものであるが、必要に応じて他の成分を含むものであっても良い。
このような他の成分としては、熱硬化性成分、ポリイミド前駆体以外のバインダー樹脂、その他の添加剤を配合して、感光性ポリイミド樹脂を調製してもよい。

本発明においては、上記感光性ポリイミド樹脂に加工特性や各種機能性を付与するために、その他に様々な有機又は無機の低分子又は高分子化合物を配合してもよい。例えば、染料、界面活性剤、レベリング剤、可塑剤、微粒子等を用いることができる。微粒子には、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン等の有機微粒子、コロイダルシリカ、カーボン、層状珪酸塩等の無機微粒子等が含まれ、それらは多孔質や中空構造であってもよい。また、その機能又は形態としては顔料、フィラー、繊維等がある。

また、本発明における他の任意成分の配合割合は、上記感光性ポリイミド樹脂の固形分全体に対し、０．１質量％〜２０質量％の範囲が好ましい。０．１質量％未満だと、添加物を添加した効果が発揮されにくく、２０質量％を超えると、最終的に得られる樹脂硬化物の特性が最終生成物に反映されにくいからである。

（ｂ）非感光性ポリイミド樹脂
本発明に用いられる非感光性ポリイミド樹脂としては、実質的に感光性を有さないものであれば特に限定されるものではなく、例えば、上記ポリイミド成分を含み、上記感光剤を実質的に含まないものを挙げることができる。
なお、実質的に含まないとは、一般的な感光性ポリイミド樹脂での露光・現像条件でパターニングできない程度の含有量以下の含有量であることをいうものであり、通常、全く含まれないものである。

本発明に用いられる非感光性ポリイミド樹脂は、必要に応じて溶媒やその他の成分を含むことができる。このような溶媒およびその他の成分としては、上記「（ａ）感光性ポリイミド樹脂」の項に記載のものと同様のものを用いることができる。

（ｃ）ベース絶縁層の形成方法
本発明において用いられるベース絶縁層の形成方法としては、所望のパターンのベース絶縁層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、上記ベース絶縁層を形成可能な材料を含む液状の絶縁層形成用塗工液を塗布またはドライフィルム状の材料を貼り合わせてベース絶縁層形成用層を形成し、その後、上記ベース絶縁層形成用層を露光・現像またはレジストを用いてエッチングを行うフォトリソ法によりパターニングする方法を用いることができる。
なお、塗布方法としては、均一な厚みのベース絶縁層形成用層を形成可能な方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な塗布方法を用いることができる。
具体的には、グラビアコート法、リバースコート法、ナイフコート法、ディップコート法、スプレーコート法、エアーナイフコート法、スピンコート法、ロールコート法、プリント法、浸漬引き上げ法、カーテンコート法、ダイコート法、キャスティング法、バーコート法等を挙げることができる。また、必要に応じて、上記絶縁層形成用塗工液を塗布後に、乾燥処理を施しても良い。

本工程において、上記ベース絶縁層形成用層をパターニングする方法としては、

３．導体層
本発明に用いられる導体層は、上記ベース絶縁層上に形成されるものであり、上記ビア用配線層および接続配線層を有するものである。

本発明に用いられるビア用配線層は、平面視上、上記ビア用貫通孔の周囲を囲むように形成されるものである。
本発明においては、上記ビア用貫通孔の周囲の少なくとも一部に形成されていれば特に限定されるものではないが、なかでも本発明においては、上記ビア用貫通孔の全周囲を囲むように形成されることが好ましい。上記ビア用貫通孔およびビアをより安定的に接続することができるからである。

本発明に用いられるビア用配線層の外径としては、上記ビア用配線層が上記ビアと安定的に接続することができ、４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のものであれば特に限定されるものではないが、なかでも本発明においては、７８μｍ〜１２２μｍの範囲内であることが好ましく、特に、１０８μｍ〜１２２μｍの範囲内のものであることが好ましい。上記外径が上述の範囲内であることにより、上記ビア用配線層およびビアが安定的に接続したものとすることができるからである。
一方、上記外径が小さい場合には、ビアの設置自由度をより向上させたりインターリーブ構造を形成するために設置されるジャンパー部のサイズを小さくできる。このため、このような観点からは、上記外径が４５μｍ〜７０μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも４５μｍ〜６０μｍの範囲内であることが好ましい。
なお、上記ビア用配線層の外径とは、上記ビア用配線層の一方の端と、他方の端との最大幅であり、通常、上記接続配線と直行する方向の最大幅をいうものである。具体的には、図４に示す幅Ｗ１をいうものである。

本発明に用いられるビア用配線層の幅であるランド幅としては、上記ビアと安定的に接続できるものであれば特に限定されるものではないが、１０μｍ〜４０μｍの範囲内のものであることが好ましく、なかでも、１０μｍ〜２０μｍの範囲内のものであることが好ましい。上記幅が上述の範囲内であることにより、上記ビアと安定的に接続でき、また、上記外径とすることが容易だからである。
なお、上記幅は、上記ビア用配線の線幅をいうものであり、例えば、図４中のＷ２により示される幅である。

本発明に用いられる接続配線層の幅としては、所望の導電性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではないが、１０μｍ〜２５μｍの範囲内とすることができる。

本発明に用いられる接続配線層の種類としては、上記ビア用配線に接続されたものであれば特に限定されるものではなく、その機能によって異なるものであるが、例えば、ライト配線層、リード配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ用配線層、熱アシスト用配線層等を挙げることができる。

本発明においては、なかでも、上記接続配線層が、リード配線またはライト配線として機能する第１配線層および第２配線層を有し、上記第１配線層および第２配線層が、２以上の分岐配線層を有し、上記第１配線層に属する配線層と、上記第二配線層に属する配線層とが交互に配置されたインターリーブ構造が形成され、上記第１配線層および第２配線層の一方に属する分岐配線層が、上記ビアおよびジャンパー部を介して分岐元の配線層と接続されていることが好ましい。上記インターリーブ構造を有することにより差動インピーダンスを低減させ、消費電力の低いものとすることができるからである。また、上記ビアおよびジャンパー部を介して分岐配線層を分岐元の配線層と接続することにより、容易に上記他方に属する配線層の下方を通って分岐元の配線層に接続することができるからである。
なお、インターリーブ構造については、具体的には、既に説明した図２に示すものを挙げることができる。

本発明に用いられる導体層の材料としては、例えば金属を挙げることができ、なかでも銅（Ｃｕ）が好ましい。
本発明に用いられる導体層の厚みとしては、上記導体層を精度良く形成することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内とすることができ、なかでも９μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。

本発明に用いられる導体層の形成方法としては、上記導体層を精度良く形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、サスペンション用基板に一般的に用いられる方法を使用することができる。例えば、上記導体層の材料からなる導体層形成用層を電界めっき法等により形成した後、レジストを用いたエッチングによりパターニングするフォトリソ法により、上記導体層を形成する方法を挙げることができる。

本発明に用いられる導体層は、めっき層により被覆されるものであっても良い。特に、はんだパッドのように、表面が露出する箇所はめっき層により被覆されることが好ましい。めっき層の一例としては、金めっき層を挙げることができる。また、金めっき層の下地としてニッケルめっき層が形成されていても良い。めっき層の厚さは、例えば０．１μｍ〜４．０μｍの範囲内とすることができる。
本発明において、上記めっき層を形成する方法としては、例えば、電解めっき法を挙げることができる。

４．金属支持基板
本発明に用いられる金属支持基板は、上記ベース絶縁層、導体層およびビアを支持するものである。
このような金属支持基板の材料としては、特に限定されるものではないが、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的には、ＳＵＳ等を挙げることができる。
また、本発明に用いられる金属支持基板の厚さとしては、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内とすることができる。

本発明に用いられる金属支持基板は、上記金属支持基板と絶縁され、少なくとも２つのビアと接続されるジャンパー部を有するものであることが好ましい。上述のように、上記ビアを連絡配線として用いることを可能とし、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。

また、本発明におけるジャンパー部と、上記金属支持基板に含まれる他の部材との平面視上の距離、すなわち、ジャンパー部を囲む開口部の幅としては、両者を十分に絶縁することができるものであれば特に限定されるものではないが、1０μｍ〜４０μｍの範囲内のものであることが好ましく、なかでも１０μｍ〜２０μｍの範囲内のものであることが好ましい。上記距離が上述の範囲内であることにより、安定的に両者が分離され、絶縁されたものとすることができるからである。

また、本発明におけるジャンパー部の長さとしては、ビアおよびジャンパー部を介して接続される一方に属する配線層と、他方に属する配線層とが短絡することのないものであれば特に限定されるものではないが、３００μｍ以下であることが好ましく、なかでも、２００μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましく、特に２００μｍ〜２５０μｍの範囲内であることが好ましい。従来のビア用貫通孔のテーパー角度である２０°〜３５°では、ベース絶縁層の厚さが１０μｍ、ビア用貫通孔の底部の孔径を３０μｍとし、ランド幅を１５μｍ程度とすると、ビア外径を８８μｍ以下とすることが困難である。
このため、従来のビアおよびジャンパー部を用いて既に説明した図２および図３に示すように分岐配線層を元の配線層に接続する場合、ジャンパー部の長さとしては、接続配線層の幅、配線層およびビア用配線層間の幅、そしてビア用配線層からジャンパー部端までの幅を１５μｍとした場合２５１μｍ以上の長さのジャンパー部が必要となる。
これに対して、上記テーパー角度のビア用貫通孔および上記外径のビア用配線層を用いることにより、上述のような長さであっても、これらを容易に配置することができる。その結果、例えば、後述するようなアーム部が形成される場合であっても素子実装領域とアーム部の間に図２および図３に示されるインターリーブ構造を容易に形成できるからである。
具体的には、アーム部を形成するための開口部と、上記素子実装領域との間の幅が、３００μｍ〜３７０μｍである場合であっても、ジャンパー部と上記金属支持基板に含まれる他の部材とを隔てる開口部を形成可能な幅であるオフセット領域を５０μｍ以上確保することが容易となるからである。その結果、通常、金属支持基板のように厚みが厚いＳＵＳ等の微細加工の加工精度が低い部材に対して、上記ジャンパー部を囲む開口部を安定的に形成することができ、金属支持基板に含まれる他の部材とジャンパー部との絶縁性を十分に確保することができるからである。したがって、アーム部およびインターリーブ構造を有するサスペンション用基板を安定的に形成でき、例えば、アウトリガがフリーに動いた場合であっても、金属支持基板に含まれるジャンパー部と、他の部材との絶縁性を確実に確保することができるからである。
なお、ジャンパー部の長さは、２つのビア用貫通孔を結ぶ方向の長さをいうものである。具体的には、既に説明した図２および図３においてはＡ−Ａ線と平行な方向の長さをいうものである。

このようなジャンパー部の配置方向は、ビア用貫通孔の形成位置に応じて適宜設定されるものであり、図２および図３ではビア用貫通孔が接続配線層の長手方向と垂直な方向に配置、すなわち、ジャンパー部の長さ方向と、接続配線層の長手方向とが直交するように配置されている。したがって、図６に例示するように、２つの上記ビア用貫通孔がを結ぶ直線が、長手方向に対して傾斜している場合には、上記ジャンパー部の長さ方向も、上記接続配線層の長手方向に対して傾斜するように配置することができる。なお、このように傾斜するように配置するで、より幅の狭い部位にもジャンパー部を容易に配置することができる。
なお、図６中の符号については、図２〜図４のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

本発明に用いられる金属支持基板は、上記ジンバル部内に開口部により隔てられたアーム部を含むものであることが好ましい。ＨＤＤに用いられた際に耐衝撃性等に優れたものとすることができるからである。また、このようなアーム部を含み上記ジンバル部内の空き面積がより小さいものとなった場合であっても、上記ビアをジンバル部内に配置することができることから、上記ビアの設置の自由度が高く、かつ、耐衝撃性等にも優れたものとすることができるからである。
なお、このようなアーム部としては、上記ジンバル部内において、開口部により隔てられたものであれば良い。例えば、図７に示すように、上記アーム部１７は、上記ジンバル部２１に含まれる素子実装領域２０の周囲を囲むように形成される部位とすることができる。また、上記アーム部１７を上記金属支持基板１に含まれるアーム部以外の部位に固定するリミッタ１８を有するものとすることができる。

本発明に用いられる金属支持基板の形成方法としては、所望のパターンの金属支持基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではなく、サスペンション用基板に一般的に用いられる方法を使用することができる。具体的には、レジストを用いたエッチングによりパターニングするフォトリソ法を用いる方法等を使用することができる。

５．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、上記金属支持基板、ベース絶縁層、導体層およびビアを少なくとも有するものであるが、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
このようなその他の構成としては、上記導体層を覆うように形成されるカバー層や、上記金属支持基板に含まれるアーム部を固定するリミッタ等を有することが好ましい。上記カバー層を有することにより、上記導体層の劣化や短絡等を効果的に防ぐことができるからである。また、上記リミッタを有することにより、上記サスペンション用基板の機械的強度を向上させることができ、塑性変形し、所定のピボット運動をすることができなくなることを防止することができるからである。また、上記アーム部を含む金属支持基板に取り付けられることにより、上記ジンバル部内の空き面積がより小さいものとなった場合であっても、上記ビアをジンバル部内に配置することができることから、上記ビアの設置の自由度が高く、かつ、機械的強度等にも優れたものとすることができるからである。

（１）カバー層
本発明に用いられるカバー層を構成する材料としては、絶縁性を有するものであれば良く、具体的には、上記「２．ベース絶縁層」の項に記載の材料を用いることができる。

本発明に用いられるカバー層の形成箇所としては、上記導体層を覆うことができる箇所であれば特に限定されるものではなく、上記素子実装領域や外部端子部等、表面が露出する箇所以外に形成することができる。具体的には、上記接続配線層が形成された領域に形成することができる。

本発明に用いられるカバー層の厚みとしては、上記導体層の劣化や短絡等を防ぐことができるものであれば良く、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。

本発明におけるカバー層の形成方法としては、所望の領域に上記カバー層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、上記材料を含む液状のカバー層形成用塗工液を塗布した後、露光・現像またはフォトリソ法によりパターニングする方法を用いることが好ましい。上述の厚みのカバー層を安定的に形成することができるからである。

（２）リミッタ
本発明に用いられるリミッタとしては、上記アーム部に取り付けられ、上記サスペンション用基板の機械的強度を向上させることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、既に説明した図７に示すように、上記金属支持基板に含まれるアーム部と上記アーム部以外の金属支持基板とを結合するものを挙げることができる。

このようなリミッタを構成する材料としては、所望の強度で上記アーム部等を保持することができるものであれば良く、例えば、上記カバー層と同様とすることができる。

本発明におけるリミッタの形成方法としては、所望の領域に上記リミッタを形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、上記材料を含む液状のリミッタ形成用塗工液を塗布した後、露光・現像またはフォトリソ法によりパターニングする方法を用いることができる。
本発明においては、なかでも、上記材料が上記カバー層と同一材料からなるものである場合には、上記カバー層と同時に形成する方法を用いることが好ましい。

Ｂ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造法について説明する。
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板上に形成されたベース絶縁層形成用層をパターニングして、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有するベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程と、上記ベース絶縁層またはベース絶縁層形成用層上に形成された導体層形成用層をパターニングして、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および上記ビア用配線層に接続された接続配線層を有する導体層を形成する導体層形成工程と、導電性材料を上記金属支持基板および上記ビア用配線層を接続するように上記ビア用貫通孔に充填しビアを形成するビア形成工程と、を有することを特徴とするものである。

このような本発明のサスペンション用基板の製造方法について図を参照して説明する。図８は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略工程図である。図８に例示するように、金属支持基板を形成可能な金属支持基板形成用層１ｘを準備し、上記金属支持基板形成用層１ｘ上にポリイミド成分および感光剤としてクマル酸アミド系光塩基発生剤を含む感光性ポリイミド樹脂組成物を塗工しベース絶縁層形成用層２ｘを形成し、さらにレジスト１６を形成した後にパターン状に露光、現像することにより、(図８（ａ）)、所定のテーパー角度のビア用貫通孔１１を有するベース絶縁層２を形成する（図８（ｂ））。次いで、図８（ｃ）に例示するように、上記ベース絶縁層２上に、スパッタリング法を用いてシード層（図示せず）を形成し、その後、上記シード層上に、電解めっき法により導体層形成用層３ｘを形成し、次いで、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いてレジスト１６を形成し、ウェットエッチングを行い、上記導体層形成用層３ｘから、上記ビア用配線層１２および接続配線層１３を含む導体層３、ならびにビア４を、上記金属基板形成用層１ｘから上記ジャンパー部１５を含む金属支持基板１を同時に形成した後、レジストを剥離する(図８（ｄ）)。
次に、図８（ｅ）に例示するように、上記導体層３を覆うように液状のカバー層形成用塗工液を塗布し、乾燥することによりカバー層形成用層を形成し、次いで、ＤＦＲを用いてレジストを形成し、レジストから露出するカバー層形成用層をウェットエッチングし、上記導体層３の一部を覆うように形成されたカバー層５を形成する。
なお、図８（ａ）および（ｂ）がベース絶縁層形成工程であり、図８（ｃ）および（ｄ）が導体層形成工程およびビア形成工程である。
また、図８中の符号については、図２〜図４のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

本発明によれば、上記範囲内のテーパー角度のビア用貫通孔および外径のビア用配線層を形成することにより、ビアの設置自由度の高いサスペンション用基板を容易に得ることができる。

本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上記ベース絶縁層形成工程、導体層形成工程およびビア形成工程を少なくとも有するものである。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法の各工程について詳細に説明する。

１．ベース絶縁層形成工程
本発明におけるベース絶縁層形成工程は、金属支持基板上に形成されたベース絶縁層形成用層をパターニングして、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有するベース絶縁層を形成する工程である。

本工程に用いられるベース絶縁層形成用層および上記ベース絶縁層をパターニングする方法としては、所望のテーパー角度のビア用貫通孔を精度良く形成できるものおよび方法であれば特に限定されるものではなく、一般的なサスペンション用基板の製造に用いられるものおよび方法を使用することができる。具体的には、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載の内容とすることができる。
本工程においては、なかでも、上記金属支持基板上にポリイミド成分および感光剤としてクマル酸アミド系光塩基発生剤を含む感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたベース絶縁層形成用層を露光・現像する方法や、上記金属支持基板上にポリイミド成分を含む非感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたベース絶縁層形成用層上に金属層を形成し、上記金属層をマスクとして上記ベース絶縁層形成用層をエッチングするする方法であることが好ましい。上記テーパー角度のベース絶縁層を安定的に形成することができるからである。
ここで、上述の感光性ポリイミド樹脂組成物を用いることにより、上記テーパー角度のビア用貫通孔を形成できる理由については、上述のように、小さいモル吸光係数と非常に高い量子効率を示すこと、露光部と未露光部の溶解性コントラストを大きくすることが可能となるからである。

また、上記ベース絶縁層形成用ポリイミドが上記非感光性ポリイミド樹脂を用いてなるものである場合、エッチングの際に上記金属層をマスクとして用いることにより、テーパー角度の高いビア用貫通孔を形成できる理由については以下のように推察される。

すなわち、従来、上記ベース絶縁層のエッチングの際に、溶剤型フォトレジストまたはアルカリ現像剥離型フォトレジストをレジスト層として使用すると、特にポリイミド樹脂のエッチング液として一般的に用いられるアルカリ系エッチング液が、上記レジスト層を溶解させ、上記ベース絶縁層とレジスト層との密着性が低下する場合がある。そのため、上記ベース絶縁層とレジスト層との間にエッチング液が浸透し、浸透した部分の上記ベース絶縁層がエッチングされることにより、上記ベース絶縁層のテーパー角度が大きくすることが困難になる場合がある。具体的には、図９（ａ）に示すように、従来のレジスト層１６を用いた場合、得られる上記ベース絶縁層２のテーパー角度αが小さくなる。

これに対して、従来のレジスト層よりも上記ベース絶縁層に対する密着性が高い金属層をレジスト層として用いた場合は、上記ベース絶縁層と上記金属層との間にエッチング液が浸透しにくくなり、上記ベース絶縁層のテーパー角度を大きくすることができる。具体的には、図９（ｂ）に示すように、密着性が高い金属層をレジスト層１６として用いた場合、得られる上記ベース絶縁層のテーパー角度αを大きくすることができるからである。

本発明に用いられる金属層の材料としては、上記ベース絶縁層との密着性に優れ、上記テーパー角度を大きいものとすることができるものであれば特に限定されるものではなく、銅等を挙げることができる。本発明においては、なかでも、銅を好ましく用いることができる。ポリイミド樹脂および銅は、密着性に優れており、上記テーパー角度の大きいものとすることができるからである。また、上記金属層は、劣化を防止するために、金めっき層、Ｎｉめっき層、カバー層等で被覆されていても良い。また、この場合、上記ベース絶縁層と金属層の金属との間には、密着性向上の為の金属薄膜層が形成されていても良い。

本発明に用いられる金属層は、上記ビア用貫通孔の形成後に除去されるものであっても良いが、残存するものであっても良い。
本発明においては、上記金属層が残存するものである場合には、上記金属層として上記導体層の形成に用いられる導体層形成用層を用いること、具体的には、上記ベース絶縁層形成用層上に形成された導体層形成用層に上記ビア用貫通孔が形成される箇所に開口部を形成し、この開口部が形成された導体層形成用層を上記金属層として用いることが好ましい。上記金属層を形成する工程や上記金属層を除去する工程等を不要なものとすることができるからである。
具体的には、図１０に例示するように、上記金属支持基板形成用層１ｘ、ベース絶縁層形成用層２ｘおよび導体層形成用層３ｘがこの順で積層した積層体を準備し、上記導体層形成用層３ｘ上に、レジスト１６をパターン状に配置してエッチングし（図１０（ｂ））、開口部を有する導体層形成用層３ｘを形成し、次いで、上記開口部が形成された導体層形成用層３ｘを上記金属層、すなわち、マスクとして用いて上記ベース絶縁層形成用層２ｘをエッチングし（図１０（ｂ））、上記ビア用貫通孔１１を有するベース絶縁層２を形成する方法を用いることができる(図１０（ｃ）)。
なお、図１０（ａ）〜（ｃ）がベース絶縁層形成工程であり、図１０（ａ）、（ｃ）および（ｄ）が導体層形成工程であり、図１０（ｅ）がビア形成工程である。また、図１０中の符号については、図２〜図４のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

また、上記金属層の厚さとしては、上記ビア用貫通孔を安定に形成できるものであれば特に限定されるものではなく、上記金属層を構成する材料によって異なるものであるが、例えば２μｍ〜２０μｍの範囲内とすることができる。

本工程に用いられる金属支持基板、および、本工程により形成されるベース絶縁層等としては、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載の内容と同様であるので、ここでの説明を省略する。

２．導体層形成工程
本発明における導体層形成工程は、上記ベース絶縁層またはベース絶縁層形成用層上に、導体層形成用層を形成し、上記導体層形成用層をパターニングして、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および上記ビア用配線層に接続された接続配線層を有する導体層を形成する工程である。

本工程における導体層形成用層の形成方法および上記導体層形成用層のパターニング方法としては、サスペンション用基板の製造方法に一般的に用いられる方法を使用することができる。具体的には、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載する方法を用いることができる。

また、本工程において、上記導体層形成用層は、上記ベース絶縁層またはベース絶縁層形成用層上に形成されるものである。
すなわち、上記ビア用貫通孔を有するベース絶縁層を形成した後に、上記導体層形成用層を形成し、導体層を得るものであっても良く、上記金属支持基板、上記ベース絶縁層形成用層および導体層形成用層がこの順で積層した積層体を形成した後、上記ベース絶縁層形成工程（上記ベース絶縁層形成用層のパターニング）または導体層形成工程（上記導体層形成用層のパターニング）を行うものであっても良い。
なお、上記積層体を形成した後、上記ベース絶縁層形成工程および導体層形成工程を行う方法としては、具体的には、既に説明した図１０に示す方法を挙げることができる。

本工程により形成される導体層としては、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載の内容と同様であるので、ここでの説明を省略する。

３．ビア形成工程
本発明におけるビア形成工程は、導電性材料を上記金属支持基板および上記ビア用配線層を接続するように上記ビア用貫通孔に充填しビアを形成する工程である。
このようなビアの形成方法としては、サスペンション用基板の製造方法に一般的に用いられる方法を使用することができる。具体的には、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載の方法と同様とすることができる。

本工程は、上記導体層形成用層が、上記ベース絶縁層上に形成される場合には、上記導体層形成工程と同時に行われること、すなわち、上記導体層およびビアが同時に形成されることが好ましい。工程を簡便なものとすることができ、低コストなものとすることができるからである。

本工程により形成されるビアとしては、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載の内容と同様であるので、ここでの説明を省略する。

４．サスペンション用基板の製造方法
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上記ベース絶縁層形成工程、導体層形成工程およびビア形成工程を少なくとも有するものであるが、必要に応じてその他の工程を有するものとすることができる。具体的には、上記金属支持基板形成用層をパターニングし金属支持基板形成工程や、上記導体層を覆うように形成されるカバー層を形成するカバー層形成工程、上記金属支持基板に形成されるアーム部を固定するリミッタを形成するリミッタ形成工程等を挙げることができる。
このような金属支持基板形成工程、カバー層形成工程およびリミッタ形成工程により形成される各構成および各構成の形成方法については、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載の内容と同様とすることができる。

Ｃ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、設計の自由度の高いものとすることができ、例えば、消費電力の低いサスペンションとすることができる。

図１１は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるサスペンション３０は、上述したサスペンション用基板１０と、素子実装領域２０が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板１０の表面に備え付けられたロードビーム３１とを有するものである。

本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。

Ｄ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子（スライダ）と、を有することを特徴とするものである。

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、設計の自由度の高いものとすることができ、例えば、消費電力の低い素子付サスペンションとすることができる。

図１２は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１２に示される素子付サスペンション４０は、上述したサスペンション３０と、サスペンション３０の素子実装領域２０に実装された素子（例えば、スライダ）４１とを有するものである。

本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子（スライダ）を有するものである。上記サスペンションについては、上記「Ｄ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。

Ｅ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたものとすることができ、例えば、消費電力の低いハードディスクドライブとすることができる。

図１３は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１３に示されるハードディスクドライブ５０は、上述した素子付サスペンション４０と、素子付サスペンション４０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５１と、ディスク５１を回転させるスピンドルモータ５２と、素子付サスペンション４０の素子を移動させるアーム５３およびボイスコイルモータ５４と、上記の部材を密閉するケース５５とを有するものである。

本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｅ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下、本発明について実施例を用いて具体的に説明する。

[実施例１]
１．光塩基発生剤の調製
１００ｍｌフラスコ中、炭酸カリウム２．００ｇをメタノール１５ｍｌに加えた。５０ｍｌフラスコ中、エトキシカルボニルメチル（トリフェニル）ホスホニウムブロミド２．６７ｇ（６．２ｍｍｏｌ）、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンズアルデヒド９４５ｍｇ（６．２ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解し、よく攪拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下した。
３時間攪拌した後、ＴＬＣにより反応の終了を確認した上でろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液を５０ｍｌ加え、１時間攪拌した。
反応終了後、ろ過により、トリフェニルホスフィンオキシドを除いた後、濃塩酸を滴下し、反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで、２−ヒドロキシ−４−メトキシ桂皮酸を１．００ｇ得た。
続いて、１００ｍｌ三口フラスコ中、２−ヒドロキシ−４−メトキシ桂皮酸５００ｍｇ（３．０ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロキシフラン４０ｍｌに溶解し、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩０．５８６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を加えた。
３０分後、ピペリジン０．３ｍｌ（３．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応終了後、反応溶液を濃縮し、水に溶解した。ジエチルエーテルで抽出した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、１Ｎ塩酸、飽和食塩水で洗浄した。その後、シリカゲルカラムクマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノール１００／１〜１０／１）により精製することにより、クマル酸アミド系光塩基発生剤を６４ｍｇ得た。

２．ベース絶縁層形成
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４である金属支持基板形成用層の上に、ポリイミド成分として２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニルおよび１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンを有し、感光剤として上記クマル酸アミド系光塩基発生剤を含む感光性ポリイミド樹脂を塗布、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い５００〜２０００ｍＪ/ｃｍ^２の露光量で露光を行い、最高到達温度が１６０℃〜１９０℃の範囲に入るような温度条件下、最高到達温度の保持時間が０．１分〜６０分の範囲になるように露光後加熱を行った後、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、感光性ポリイミドからなるベース絶縁層を形成した。金属支持基板形成用層上に形成されたベース絶縁層の厚さは１０μｍであり、ビア用貫通孔のテーパー角４８°、底部径２０μｍであった。

３．導体層形成
上記ベース絶縁層上部およびビア用貫通孔に、スパッタリング法もしくは無電解メッキ法等により、Ｃｒ単層もしくはＣｕ−Ｃｒ合金層もしくはＮｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金層を有するシード層を厚みが３５ｎｍ〜４５ｎｍとなるように形成した後、通常のフォトファブリケーション手法による電解めっきにて導体層およびビアを形成した後、シード層除去および応力除去としてアニールを行った。これにより、ビアおよびビア用配線層が一体で形成された。また、ビア用配線層の外径は８０μｍであった。

４．カバー層の形成
カバー層形成前処理として、導体層表面に無電解めっきにて厚さ５０ｎｍ〜８０ｎｍのＮｉ単層を形成した後、ベース絶縁層と同様の形成方法でカバー層を形成した。
このようにして、サスペンション用基板を得た。

[比較例１]
クマル酸アミド系光塩基発生剤に代えてニフェジピン（東京化成製、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン）を用いた以外は実施例１と同様にしてサスペンション用基板を形成した。
形成されたビア用貫通孔の底部径は２０μｍであり、テーパー角度は２５°〜３５°であった。

[比較例２]
クマル酸アミド系光塩基発生剤に代えてカーバメート型光塩基発生剤としてＤＮＣＤＰ（｛[（４，５-ジメトキシ−２−ニトロベンジル）オキシ]カルボニル｝−２，６−ジメチルピペリジン）を用いた以外は実施例１と同様にしてサスペンション用基板を形成した。
形成されたビア用貫通孔の底部径は２０μｍであり、テーパー角度は２５°〜３５°であった。

１ … 金属支持基板
２ … ベース絶縁層
３ … 導体層
３ａ … 第１配線層
３ｂ … 第２配線層
３ａ´、３ｂ´ … 分岐配線層
４ … ビア
５ … カバー層
１０ … サスペンション用基板
１１ … ビア用貫通孔
１２ … ビア用配線層
１３ … 接続配線層
１５ … ジャンパー部
１６ … レジスト
１７ … アーム部
１８ … リミッタ
２０ … 素子実装領域
２１ … ジンバル部
３０ … サスペンション
３１ … ロードビーム
４０ … 素子付サスペンション
４１ … 素子（スライダ）
５０ … ハードディスクドライブ
５１ … ディスク
５２ … スピンドルモータ
５３ … アーム
５４ … ボイスコイルモータ
５５ … ケース

Claims (17)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層上に形成された導体層と、
   を有するサスペンション用基板であって、
   前記ベース絶縁層が、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有し、
   前記導体層が、平面視上、前記ビア用貫通孔の周囲を囲むように形成され、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および前記ビア用配線層に接続された接続配線層を有し、
   前記ビア用貫通孔内に充填されてなり、前記金属支持基板および前記ビア用配線層を接続する導電性材料からなるビアを有し、
   前記金属支持基板が、２つのビアと接続され、前記金属支持基板と絶縁されているジャンパー部を有し、
   前記ジャンパー部を囲む開口部の幅が、１０μｍ〜４０μｍの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板。
2. 前記接続配線層が、リード配線またはライト配線として機能する第１配線層および第２配線層を有し、
   前記第１配線層および第２配線層が、２以上の分岐配線層を有し、前記第１配線層に属する配線層と、前記第二配線層に属する配線層とが交互に配置されたインターリーブ構造が形成され、
   前記第１配線層および第２配線層の一方に属する分岐配線層が、前記ビアおよびジャンパー部を介して分岐元の配線層と接続されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
3. 前記ビアが、前記サスペンション用基板のジンバル部に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
4. 前記ベース絶縁層を構成する材料が、ポリイミド成分および感光剤としてクマル酸アミド系光塩基発生剤を含む感光性ポリイミド樹脂組成物を用いてなるベース絶縁層用ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
5. 前記クマル酸アミド系塩基発生剤が、前記クマル酸アミド系塩基発生剤から生ずる塩基がアミド結合を形成可能なＮＨ基を１つ有するものであるであることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
6. 前記ビアが、前記ビア用配線層と別体として形成され、前記ビアの前記ビア用配線層表面からの厚みが３μｍ〜３０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
7. 前記ビア用配線層の幅が、１０μｍ〜４０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
8. 前記ジャンパー部の長さが、３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
9. 前記ジャンパー部の配置方向が、前記接続配線層の長手方向に対して傾斜するように配置されているであることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
10. 請求項１から請求項９までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
11. 請求項１０に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
12. 請求項１１に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
13. 金属支持基板上に形成されたベース絶縁層形成用層をパターニングして、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有するベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程と、
    前記ベース絶縁層またはベース絶縁層形成用層上に形成された導体層形成用層をパターニングして、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および前記ビア用配線層に接続された接続配線層を有する導体層を形成する導体層形成工程と、
    導電性材料を前記金属支持基板および前記ビア用配線層を接続するように前記ビア用貫通孔に充填しビアを形成するビア形成工程と、
    を有し、
    前記金属支持基板が、２つのビアと接続され、前記金属支持基板と絶縁されているジャンパー部を有し、
    前記ジャンパー部を囲む開口部の幅が、１０μｍ〜４０μｍの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
14. 前記ベース絶縁層形成工程が、前記金属支持基板上にポリイミド成分および感光剤としてクマル酸アミド系光塩基発生剤を含む感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたベース絶縁層形成用層を露光・現像するものであることを特徴とする請求項１３に記載のサスペンション用基板の製造方法。
15. 前記ベース絶縁層形成工程が、前記金属支持基板上にポリイミド成分を含む非感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたベース絶縁層形成用層上に金属層を形成し、
    前記金属層をマスクとして前記ベース絶縁層形成用層をエッチングするものであることを特徴とする請求項１３に記載のサスペンション用基板の製造方法。
16. 金属支持基板上に形成されたベース絶縁層形成用層をパターニングして、テーパー角度が４５°〜８５°の範囲内のビア用貫通孔を有するベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程と、
    前記ベース絶縁層またはベース絶縁層形成用層上に形成された導体層形成用層をパターニングして、外径が４０μｍ〜１２２μｍの範囲内のビア用配線層および前記ビア用配線層に接続された接続配線層を有する導体層を形成する導体層形成工程と、
    導電性材料を前記金属支持基板および前記ビア用配線層を接続するように前記ビア用貫通孔に充填しビアを形成するビア形成工程と、
    を有し、
    前記ベース絶縁層形成工程が、前記金属支持基板上にポリイミド成分を含む非感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたベース絶縁層形成用層上に金属層を形成し、
    前記金属層をマスクとして前記ベース絶縁層形成用層をエッチングするものであることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
17. 前記金属層が銅であることを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載のサスペンション用基板の製造方法。

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