JP5765204B2 - 半導体集積回路,および,半導体集積回路の試験方法 - Google Patents
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Description
前記電源供給線に接続され,前記電源供給線からの電源電圧を前記複数のワード線に供給するドライバ部と,
前記試験制御回路の試験制御実行時に,前記電源電圧を前記複数のワード線に供給して前記複数のメモリセルに当該電源電圧を供給するチャージ回路とを有するものである。
図2〜図4を参照して,半導体集積回路の構成について説明する。
図5は,RAM20の概略ブロック図である。RAM20は,メモリアレイ21と,アドレスデコーダ/ドライバ22と,センスアンプ/ライトバッファ23とを有する。
図6は,図5に示したRAM20のメモリアレイ21,アドレスデコーダ/ドライバ22を説明する回路図である。図6においては,メモリアレイ21,アドレスデコーダ/ドライバ22については,本実施の形態を説明する上で必要な部分構成のみを図示して説明している。
図8は,半導体集積回路1の試験実行時の動作について説明するフロー図である。
Claims (4)
- 複数のワード線と,前記複数のワード線と交差する複数のビット線対と,前記複数のワード線と前記複数のビット線対との交差部に設けられた複数のメモリセルとを有するメモリと,電源供給線からの電源電圧を電源として所定の論理演算を行う論理回路と,前記論理回論の試験制御を行う試験制御回路とを有する半導体集積回路において,
前記電源供給線に接続され,前記電源供給線からの電源電圧を前記複数のワード線に供給するドライバ部と,
前記試験制御回路の試験制御実行時に,前記電源電圧を前記複数のワード線に供給して前記複数のメモリセルに当該電源電圧を供給するチャージ回路とを有する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1において,
前記ドライバ部は,出力が前記ワード線に接続され,前記電源供給線からの電源電圧を前記ワード線に供給するインバータを前記複数のワード線毎に有し,
前記チャージ回路は,前記試験制御回路の試験制御実行時に,前記インバータの入力を反転させて,前記インバータから前記ワード線に前記電源電圧を供給する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2において,
前記メモリセルは,前記電源供給線からの電源電圧を電源として駆動する第1のインバータと,
入力が前記第1のインバータの出力に接続されるとともに出力が前記第1のインバータの入力に接続され,前記電源供給線からの電源電圧を電源として駆動する第2のインバータと,
ゲートが前記ワード線に接続され,前記第1のインバータの出力及び前記第2のインバータの入力と前記第1のビット線との間を接続する第1のアクセストランジスタと,
ゲートが前記ワード線に接続され,前記第1のインバータの入力及び前記第2のインバータの出力と前記第1のビット線の対ビット線との間を接続する第2のアクセストランジスタとを有し,
前記チャージ回路は,前記インバータの入力の反転により,前記インバータから前記ワード線に前記電源電圧を供給して前記メモリセルの前記第1,第2のアクセストランジスタのゲートに前記電源電圧を供給する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 半導体集積回路の試験方法において,
前記半導体集積回路は,
複数のワード線と,前記複数のワード線と交差する複数のビット線対と,前記複数のワード線と前記複数のビット線対との交差部に設けられた複数のメモリセルとを有するメモリと,
電源供給線からの電源電圧を電源として所定の論理演算を行う論理回路と,前記論理回論の試験制御を行う試験制御回路と
前記電源供給線に接続され,前記電源供給線からの電源電圧を前記複数のワード線に供給するドライバ部とを有し,
前記試験制御回路の試験制御実行時に,前記電源電圧を前記複数のワード線に供給して前記複数のメモリセルに当該電源電圧を供給する工程と,
テストパターンを前記論理回路に入力し,前記テストパターンに対して論理回路が実際に出力した出力論理を出力する工程とを有する
ことを特徴とする半導体集積回路の試験方法。
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