JP5762778B2 - 光学装置 - Google Patents

Description

本発明は、光学装置に関する。

図３８は、近接センサの一例を示す断面図である。同図に示す近接センサ９００は、ガラスエポキシ基板９１と、発光素子９２と、受光素子９３と、１次モールド樹脂部９４，９５と、２次モールド樹脂部９６と、を備える。発光素子９２および受光素子９３は、ガラスエポキシ基板９１に搭載されている。発光素子９２は赤外光を発する。受光素子９３は、受光した赤外光の量に応じた電気信号を送る。１次モールド樹脂部９４，９５は、透明であり、赤外光を透過する。１次モールド樹脂部９４は、ガラスエポキシ基板９１上において受光素子９３を覆っている。１次モールド樹脂部９４は、凸面状の光入射面９４０を有する。１次モールド樹脂部９５は、ガラスエポキシ基板９１上において発光素子９２を覆っている。１次モールド樹脂部９５は、凸面状の光出射面９５０を有する。２次モールド樹脂部９６は、黒色であり、赤外光を透過させない。２次モールド樹脂部９６は、ガラスエポキシ基板９１上において１次モールド樹脂部９４，９５を覆っている。２次モールド樹脂部９６には、第１開口部９６１と第２開口部９６２とが形成されている。第１開口部９６１からは、光入射面９４０が方向ｚ側に露出している。第２開口部９６２からは、光出射面９５０が方向ｚ側に露出している。光入射面９４０の最頂部は、方向ｚにおいて、第１開口部９６１の外縁と同じ位置に配置されている。同様に、光出射面９５０の最頂部は、方向ｚにおいて、第２開口部９６２の外縁と同じ位置に配置されている。このような近接センサについては、たとえば特許文献１に記載されている。

近接センサ９００は、たとえばタッチパネル方式の電子機器（携帯電話機など）に組み込まれる。近接センサ９００は、電子機器における液晶表示部９０２の近傍に配置される。近接センサ９００および液晶表示部９０２は、透光カバー９０３に対向している。発光素子９２から放たれた赤外光Ｌ９１は、光出射面９５０を通り透光カバー９０３の方へと進む。更に赤外光Ｌ９１は、透光カバー９０３を透過し、物体９０１にて反射する。物体９０１にて反射した赤外光Ｌ９１は、再び透光カバー９０３を透過する。そして赤外光Ｌ９１は、光入射面９４０を通り受光素子９３に受光される。受光素子９３は、受光した赤外光の量に応じた電気信号を制御部（図示略）に送る。当該制御部は、受光素子９３からの出力レベルが予め設定されたしきい値を超えると、液晶表示部９０２に物体９０１が近接していると判断する。すなわち、電子機器においては、たとえば通話を行うために液晶表示部９０２に頬を近づけると、近接センサ９００により頬の接近が検知される。これにより、通話時には、液晶表示部９０２を用いたタッチパネル操作が無効とされ、通話中の誤作動が防止される。通話時にはまた、液晶表示部９０２が消灯状態とされ、電子機器のバッテリの電力消費が抑えられる。

図３８に示すように、近接センサ９００は、透光カバー９０３との間にあるていど間隔を設けて配置される。そのため、光出射面９５０を出る赤外光には、透光カバー９０３に対し比較的入射角が大きい光も存在する。透光カバー９０３に対し入射角が大きい光は、透光カバー９０３にて反射し、ノイズ光Ｌ９２となる。光入射面９４０に入射したノイズ光Ｌ９２は、受光素子９３に受光されうる。ノイズ光Ｌ９２が受光素子９３に受光されると、物体９０１が透光カバー９０３に近接していないにもかかわらず物体９０１が近接していると上記制御部が判断する誤検知を招くおそれがある。

また、近接センサ９００が、受光素子９３に加え照度センサを含むことがある。照度センサおよび受光素子９３は、個別のチップからなり、いずれもがガラスエポキシ基板９１に配置される。近年、このような近接センサ９００についての小型化の要望が強い。

近接センサ９００においては、１次モールド樹脂部９４と１次モールド樹脂部９５との間において、２次モールド樹脂部９６とガラスエポキシ基板９１との隙間に１次モールド樹脂部９４，９５を構成する材料と同一の透明樹脂が形成される場合がある。この場合、近接センサ９００の使用時において、発光素子９２から放たれた光は、当該透明樹脂を通り受光素子９３に受光される可能性がある。発光素子９２からの光が当該透明樹脂を通り受光素子９３に受光されると、上記誤検知を招くおそれがある。

特開２０１０―３４１８８９号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、誤検知を招きにくい光学装置を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、基材と、上記基材に形成された配線パターンと、上記基材に各々配置され、且つ、上記基材の厚さ方向と直交する第１方向に互いに離間する受光素子および発光素子と、上記受光素子を覆う第１透光樹脂と、上記発光素子を覆う第２透光樹脂と、上記第１透光樹脂および上記第２透光樹脂を覆う遮光樹脂と、を備え、上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在し、且つ、上記厚さ方向視において上記受光素子と上記発光素子との間に位置する第１光遮断部を含み、上記第１光遮断部は、上記第１方向視において上記発光素子を横切る、光学装置が提供される。

上記第１光遮断部は、互いに離間する第１部位および第２部位を含み、上記遮光樹脂は、上記第１部位と上記第２部位とに挟まれ且つ上記基材に接する接合部を含む。

上記接合部は、上記基材の厚さ方向および上記第１方向に直交する第２方向において上記発光素子と重なる。

上記第１部位および上記第２部位は、それぞれ、上記基材の厚さ方向および上記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる帯状である。

上記第１光遮断部は、上記厚さ方向視において、上記接合部を挟んで互いに離間する２つの連結部を含み、上記各連結部は、上記第１部位および第２部位のいずれにもつながる。

上記配線パターンは、上記発光素子がボンディングされた発光素子用パッドを含む。

上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第２光遮断部を含み、上記第２光遮断部は、上記第１方向において上記発光素子用パッドに重なる。

上記第２光遮断部は、上記第２透光樹脂に覆われた部位を有する。

上記第２光遮断部は、上記第１光遮断部につながる。

上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第３光遮断部を含み、上記第３光遮断部は、上記第１方向において上記発光素子用パッドに重なり、上記発光素子用パッドは、上記第１方向視において、上記第２光遮断部および上記第３光遮断部の間に位置する。

上記第３光遮断部は、上記第２透光樹脂に覆われた部位を有する。

上記第３光遮断部は、上記第１光遮断部につながる。

上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドを含み、上記第３光遮断部は、上記ワイヤボンディングパッドに導通している。

上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドと、上記発光素子用パッドおよび上記第１光遮断部につながる連絡部と、を含む。

上記発光素子は、カソード電極とアノード電極とを含み、上記第１光遮断部は、上記カソード電極に導通している。

上記第１光遮断部は、グランド電極である。

上記配線パターンは、上記受光素子が配置された受光素子用パッドと、上記受光素子用パッドおよび上記第１光遮断部につながる接続部と、を含む。

上記第１光遮断部は、上記第２透光樹脂に覆われた部位を有する。

上記配線パターンは、上記第１光遮断部が形成された側とは反対側にて上記基材に形成された実装端子部を含む。

上記実装端子部に導通し且つ上記基材を貫通するスルーホール電極を更に備える。

本発明の第２の側面によると、基材と、上記基材に配置された受光素子と、上記受光素子を覆う第１透光樹脂と、上記第１透光樹脂を覆い且つ第１開口部が形成された遮光樹脂と、を備え、上記第１透光樹脂は、上記第１開口部から露出する光入射面を有し、上記遮光樹脂は、第１凹凸面を有し、上記第１凹凸面は、上記第１開口部の深さ方向のうち上記受光素子から上記光入射面に向かう方向を向き、且つ、上記第１開口部よりも上記第１開口部の深さ方向に対し直交する第１方向側に位置する、光学装置が提供される。

好ましくは、上記遮光樹脂には、上記第１凹凸面において、一方向に沿って各々が延びる複数の溝が形成されている。

好ましくは、上記第１凹凸面は、上記複数の溝のいずれか一つの溝を各々が規定し、且つ、当該一つの溝の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面および第２溝面を有し、上記第２溝面は、上記第１溝面よりも上記第１開口部から遠い側に位置する。

好ましくは、上記第１溝面は、上記第１方向に対し第１角度で傾斜し、上記第２溝面は上記第１方向に対し上記第１角度より小さい第２角度で傾斜する。

好ましくは、上記第１角度は、５０°〜７０°である。

好ましくは、上記各溝は、上記深さ方向と上記第１方向とに直交する第２方向に沿って延びる。

好ましくは、上記各溝は、上記第１開口部の開口中心を中心とする周方向に沿って延びる。

好ましくは、上記各溝は、上記第１方向に沿って延び、上記第１凹凸面は、上記複数の溝のいずれか一つの溝を各々が規定し、且つ、当該一つの溝の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面および第２溝面を有し、上記第１溝面は、上記深さ方向と上記第１方向とに直交する第２方向に対し第１角度で傾斜し、上記第２溝面は、上記第１開口部の開口中心を通って上記第１方向に沿って延びる仮想直線から、上記第１溝面よりも遠い側に位置し、且つ、上記第２方向に対し上記第１角度より小さい第２角度で傾斜する。

好ましくは、上記遮光樹脂は、上記第１開口部の深さ方向のうち上記受光素子から上記光入射面に向かう方向を向く第２凹凸面を含み、上記第１開口部は、上記第１凹凸面と、上記第２凹凸面との間に位置する。

好ましくは、上記第１溝面および上記第２溝面はいずれも、平坦である。

本発明の第３の側面によると、基材と、上記基材に配置された受光素子と、上記受光素子を覆う第１透光樹脂と、上記第１透光樹脂を覆い且つ第１開口部が形成された遮光樹脂と、を備え、上記第１透光樹脂は、上記第１開口部から露出する光入射面を有し、上記受光素子は、半導体基板と、上記半導体基板に設けられた赤外光検出部と、上記半導体基板に設けられた可視光検出部と、を含む、光学装置が提供される。

好ましくは、上記光入射面は、上記第１開口部の深さ方向視において、上記赤外光検出部に重なる部位を有する。

好ましくは、上記受光素子は、上記赤外光検出部を覆い且つ赤外光を透過させる積層光学膜を含む。

好ましくは、上記可視光検出部は、上記第１開口部の深さ方向視において上記赤外光検出部を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域内に位置する部位を有する。

好ましくは、上記可視光検出部は、全体にわたって、上記第１開口部の深さ方向視において上記赤外光検出部を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域の外部に位置する。

好ましくは、上記受光素子は、上記可視光検出部の出力と上記赤外光検出部の出力とに対して演算を行う機能素子部を含む。

好ましくは、上記受光素子は、上記赤外光検出部と上記機能素子部とを覆い且つ上記赤外光を透過させる積層光学膜を含む。

好ましくは、上記基材に配置された発光素子を更に備え、上記第１開口部の深さ方向視において、上記赤外光検出部は、上記可視光検出部よりも上記発光素子から遠い側に位置する。

本発明の第４の側面によると、基材と、上記基材に配置された受光素子と、上記受光素子を覆う第１透光樹脂と、上記第１透光樹脂を覆い且つ第１開口部が形成された遮光樹脂と、を備え、上記第１透光樹脂は、上記第１開口部から露出する光入射面を有し、上記遮光樹脂は、上記第１開口部を規定する第１内周壁を有し、上記第１内周壁は、上記第１開口部から露出する上記第１透光樹脂におけるいずれの部位よりも、上記第１開口部の深さ方向のうち上記受光素子から上記光入射面に向かう方向側に位置する第１端縁を有する、光学装置が提供される。

好ましくは、上記第１内周壁は、上記第１開口部の深さ方向奥側になるほど上記第１開口部の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。

好ましくは、上記第１内周壁は、上記第１開口部の深さ方向に直交する第１方向に互いに対向する第１部分および第２部分を含み、上記第１開口部の深さ方向に対する上記第１部分の傾斜角は、上記第１開口部の深さ方向に対する上記第２部分の傾斜角よりも大きい。

好ましくは、上記第１開口部の深さ方向に対する上記第１部分の傾斜角は、１５°以上である。

好ましくは、上記第１透光樹脂は、上記第１開口部に収容された第１凸部を含み、上記第１凸部は、上記光入射面を構成している。

好ましくは、上記第１凸部は、上記第１内周壁との間に隙間を設けて配置されている。

好ましくは、上記光入射面は平坦である。

好ましくは、上記基材に配置された発光素子と、上記発光素子を覆う第２透光樹脂と、を更に備え、上記遮光樹脂は、上記第１透光樹脂と上記第２透光樹脂との間に介在し、且つ、上記第２透光樹脂を覆い、上記遮光樹脂には、第２開口部が形成され、上記第２透光樹脂は、上記第２開口部から露出する光出射面を有する。

好ましくは、上記遮光樹脂は、上記第２開口部を規定する第２内周壁を有し、上記第２内周壁は、上記第２開口部から露出する上記第２透光樹脂におけるいずれの部位よりも、上記第２開口部の深さ方向のうち上記発光素子から上記光出射面に向かう方向に位置する第２端縁を有する。

好ましくは、上記第２内周壁は、上記第２開口部の深さ方向奥側になるほど上記第２開口部の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。

好ましくは、上記第２透光樹脂は、上記第２開口部に収容された第２凸部を含み、上記第２凸部は、上記光出射面を構成している。

好ましくは、上記第２透光樹脂は、上記第２凸部が構成する第１切り欠き面と、上記第２凸部が構成し、且つ、上記第１切り欠き面よりも上記受光素子より遠い側に位置する第２切り欠き面と、を有する。

好ましくは、上記第１切り欠き面は、上記第２内周壁に対向しており、上記第２切り欠き面は、上記遮光樹脂から上記受光素子の配置された側と反対側に露出している。

好ましくは、上記第１切り欠き面は、上記第２内周壁との間に隙間を設けて配置されている。

好ましくは、上記光出射面は、凸面状である。

本発明の第５の側面によると、本発明の第１ないし第４のいずれかの側面によって提供される光学装置と、上記光出射面に対向している透光カバーと、を備える、電子機器が提供される。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

第１実施形態にかかる光学装置の斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図１に示す光学装置の平面図である。 図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。 図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１に示す光学装置における受光素子の平面図である。 （ａ）は図８に示す受光素子の可視光検出部を模式的に示す等価回路図であり、（ｂ）は図８に示す受光素子の赤外光検出部を模式的に示す等価回路図である。 図５から２つの透光樹脂および遮光樹脂を省略して示す平面図である。 第１実施形態にかかる光学装置の底面図である。 図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 第１実施形態にかかる光学装置の製造方法における一工程を示す平面図である。 図１４に続く一工程を示す平面図である。 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１５に続く一工程を示す平面図である。 図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う部分拡大断面図である。 図１８のＸＸ−ＸＸ線に沿う部分拡大断面図である。 第１実施形態にかかる光学装置の一製造工程を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電子機器の断面図である。 第１実施形態にかかる電子機器の断面図である。 ノイズ光の低減効果を説明するためのグラフである。 ノイズ光の低減効果を説明するためのグラフである。 第１実施形態にかかる光学装置の変形例を示す平面図である。 第２実施形態にかかる光学装置の断面図である。 第３実施形態にかかる光学装置の断面図である。 第４実施形態にかかる光学装置の平面図である。 図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。 第５実施形態にかかる光学装置の平面図である。 図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 第６実施形態にかかる光学装置の斜視図である。 図３３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 第７実施形態にかかる光学装置における受光素子の平面図である。 第８実施形態にかかる光学装置の断面図である。 第９実施形態にかかる電子機器の断面図である。 従来の近接センサの一例を示す断面図である。

＜第１実施形態＞
図１〜図２５を用いて、第１実施形態について説明する。図２２に示す電子機器８０１は、光学装置１０１と、液晶表示部８０２と、透光カバー８０３と、を備える。電子機器８０１は、たとえばタッチパネル方式の携帯電話機である。

液晶表示部８０２は、電子機器８０１の諸機能を発揮させるためのアイコンを表示する。透光カバー８０３は、たとえばアクリル製である。透光カバー８０３は、赤外光および可視光を透過させる。透光カバー８０３は、液晶表示部８０２と光学装置１０１とに対向している。光学装置１０１は透光カバー８０３との間に間隔ｄを設けて配置される。間隔ｄは、たとえば０．２５〜１ｍｍ程度である。

図１は、図２２に示す光学装置１０１の斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図１に示す光学装置の平面図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。

これらの図に示す光学装置１０１は、近接センサであり、基材１と、発光素子２と、受光素子３と、透光樹脂４，５と、遮光樹脂６と、ワイヤ７８，７９（図２参照、図３、図４、図６、図７等では省略）と、配線パターン８（図２参照、図３、図４、図６、図７等では省略）と、を備える。

基材１はたとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。基材１は搭載面１０および背面１１を有する。搭載面１０および背面１１は互いに反対側を向く。搭載面１０および背面１１はいずれも、方向ｘを長辺の延びる方向とし、方向ｙを短辺の延びる方向とする面である。基材１の厚さ方向は、方向ｚに一致する。搭載面１０および背面１１には配線パターン８が形成されている。配線パターン８については後述する。

発光素子２はＬＥＤチップである。発光素子２は赤外光を発する。発光素子２は基材１の搭載面１０に配置されている。発光素子２は、ワイヤ７８を介して搭載面１０に形成された配線パターン８と導通している。発光素子２は、ｘｙ平面視（方向ｚ視）において０．３５ｍｍ×０．３５ｍｍの矩形状である。発光素子２は、カソード電極２１およびアノード電極２２を含む。本実施形態において、アノード電極２２が配線パターン８にボンディングされている。一方、カソード電極２１にはワイヤ７８がボンディングされている。

受光素子３は、受光した赤外光を、当該赤外光の量に応じた電気信号に変換する。受光素子３は、ワイヤ７９を介して搭載面１０に形成された配線パターン８と導通している。受光素子３は、ｘｙ平面視において１．６ｍｍ×１．８ｍｍの矩形状である。本実施形態において受光素子３は、更に、受光した可視光を、当該可視光の量に応じた電気信号に変換する。

図８は、図１に示す光学装置１０１における受光素子３の平面図である。同図に示すように、受光素子３は、半導体基板３０と、可視光検出部３１と、赤外光検出部３２と、機能素子部３３と、積層光学膜３４と、を含む。

半導体基板３０は、たとえばシリコン基板である。半導体基板３０には、可視光検出部３１と、赤外光検出部３２と、機能素子部３３と、が設けられている。可視光検出部３１および赤外光検出部３２は、半導体基板３０のｘｙ平面視における中央に位置する。図８に示すように、受光素子３において、可視光検出部３１は、ｘｙ平面視において赤外光検出部３２を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域Ｓ１１内に位置する部位を有する。すなわち、赤外光検出部３２はｘｙ平面視においてＬ字状を呈し、可視光検出部３１が赤外光検出部３２に食い込む（最小矩形領域Ｓ１１内であって赤外光検出部３２の外側領域に食い込む）ように配置されている。

機能素子部３３は、可視光検出部３１および赤外光検出部３２の周囲に位置する。半導体基板３０上には配線層（図示略）が多層形成されている。半導体基板３０の配線層のうち、赤外光検出部３２および機能素子３３に重なる部分は、積層光学膜３４により覆われている。積層光学膜３４の可視光検出部３１に重なる部分には開口が設けられており、半導体基板３０の配線層のうち可視光検出部３１に重なる部分は、積層光学膜３４に覆われることなく、積層光学膜３４から露出している。

可視光検出部３１および半導体基板３０は、複数のフォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＡ２，ＰＤＡ３，ＰＤＢ１，ＰＤＢ２，ＰＤＢ３を構成している。フォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＡ２，ＰＤＡ３は、それぞれ、半導体基板３０の厚さ方向における半導体基板３０の表面から所定の深さ位置に、ｐｎ接合面（受光面）を設けることにより形成されている。フォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＡ２，ＰＤＡ３は、それぞれ、受光した可視光および赤外光の量に相当する光電流を、光電変換により出力する。

一方、フォトダイオードＰＤＢ１，ＰＤＢ２，ＰＤＢ３は、それぞれ、半導体基板３０の厚さ方向において、半導体基板３０の表面から所定の深さ位置に、ｐｎ接合面（受光面）を設けることにより形成されている。フォトダイオードＰＤＢ１，ＰＤＢ２，ＰＤＢ３の形成される、半導体基板３０の表面からの深さ位置は、フォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＡ２，ＰＤＡ３の形成される、半導体基板３０の表面からの深さ位置よりも深い。一般に、フォトダイオードの分光感度特性は、ｐｎ接合面（受光面）の半導体基板表面からの深さに依存することが知られている。ｐｎ接合面（受光面）の位置が半導体基板表面から深いほど、分光感度特性のピークは長波長側にシフトする。そのため、フォトダイオードＰＤＢ１，ＰＤＢ２，ＰＤＢ３は、フォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＡ２，ＰＤＡ３よりも、分光感度特性が長波長側にシフトしている。よって、フォトダイオードＰＤＢ１，ＰＤＢ２，ＰＤＢ３は、受光した赤外光の量のみに相当する光電流を、光電変換により出力する。フォトダイオードＰＤＢ１，ＰＤＢ２，ＰＤＢ３のｘｙ平面視における面積はそれぞれ、フォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＡ２，ＰＤＡ３の各々のｘｙ平面視における面積よりも小さい。

図９（ａ）は図８に示す受光素子３の可視光検出部３１を模式的に示す等価回路図である。図９（ａ）に示すように、一対のフォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＢ１は、第１受光ユニット３１１を構成している。第１受光ユニット３１１のフォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＢ１は、電源電位Ｖｃｃと接地電位との間に直列に接続されている。第１受光ユニット３１１においては、フォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＢ１間から電流Ｉ１が出力される。電流Ｉ１は、フォトダイオードＰＤＡ１からの可視光成分および赤外光成分を含む光電流から、フォトダイオードＰＤＢ１からの赤外光成分を含む光電流を差し引いたものとなる。すなわち、第１受光ユニット３１１は、フォトダイオードＰＤＡ１，ＰＤＢ１の各々の受光量の差分に相当する電流Ｉ１を出力する。

同様に、一対のフォトダイオードＰＤＡ２，ＰＤＢ２は、第２受光ユニット３１２を構成している。第２受光ユニット３１２のフォトダイオードＰＤＡ２，ＰＤＢ２は、電源電位Ｖｃｃと接地電位との間に直列に接続されている。そして、第２受光ユニット３１２は、フォトダイオードＰＤＡ２，ＰＤＢ２の各々の受光量の差分に相当する電流Ｉ２を出力する。

同様に、一対のフォトダイオードＰＤＡ３，ＰＤＢ３は、第３受光ユニット３１３を構成している。第３受光ユニット３１３のフォトダイオードＰＤＡ３，ＰＤＢ３は、電源電位Ｖｃｃと接地電位との間に直列に接続されている。そして、第３受光ユニット３１３は、フォトダイオードＰＤＡ３，ＰＤＢ３の各々の受光量の差分に相当する電流Ｉ３を出力する。

図８に示すように、第１受光ユニット３１１におけるフォトダイオードＰＤＡ１に対するフォトダイオードＰＤＢ１の受光面の面積比と、第２受光ユニット３１２におけるフォトダイオードＰＤＡ２に対するフォトダイオードＰＤＢ２の受光面の面積比と、第３受光ユニット３１３におけるフォトダイオードＰＤＡ３に対するフォトダイオードＰＤＢ３の受光面の面積比と、は互いに異なる。詳述はしないが、受光面の面積比を異ならせているのは、可視光検出部３１に入射する光の光源の種類によらずに、一定の照度に対して、一定の出力を得るためである。すなわち、本実施形態では、光源が、赤外光成分を多く含む光を発生させるハロゲンランプであっても、更に多くの赤外光成分を含む光を発生させる白熱灯であっても、赤外光成分をあまり含まない光を照射する蛍光灯であっても、一定の照度に対して一定の出力を得ることができる。

半導体基板３０および赤外光検出部３２は、フォトダイオードＰＤＣを構成している。フォトダイオードＰＤＣは、それぞれ、半導体基板３０の厚さ方向において半導体基板３０の表面から所定の深さ位置に、ｐｎ接合面（受光面）を設けることにより形成されている。フォトダイオードＰＤＣの形成される、半導体基板３０の表面からの深さ位置は、フォトダイオードＰＤＢ１，ＰＤＢ２，ＰＤＢ３の形成される、半導体基板３０の表面からの深さ位置と同程度である。そのため、フォトダイオードＰＤＣは、受光した赤外光の量のみに相当する光電流を、光電変換により出力する。フォトダイオードＰＤＣのｘｙ平面視における面積は、可視光検出部３１のｘｙ平面視における全面積よりも、大きい。図９（ｂ）は、図８に示す受光素子３の赤外光検出部３２を模式的に示す等価回路図である。同図に示すように、フォトダイオードＰＤＣは、電源電位Ｖｃｃに接続されている。フォトダイオードＰＤＣは、受光した赤外光の量に相当する光電流Ｉｃを出力する。

機能素子部３３は、可視光検出部３１の出力と赤外光検出部３２の出力とに対して演算を行う。機能素子部３３には、アナログ回路およびデジタル回路が形成されている。機能素子部３３は、第１受光ユニット３１１からの電流Ｉ１と、第２受光ユニット３１２からの電流Ｉ２と、第３受光ユニット３１３からの電流Ｉ３と、フォトダイオードＰＤＣからの光電流Ｉｃとが入力される。機能素子部３３は、光電流Ｉｃに基づき、フォトダイオードＰＤＣが受光した赤外光の量を、デジタル値として算出する。フォトダイオードＰＤＣが受光した赤外光の量があらかじめ設定されたしきい値を超えると、近接する物体があることを示す近接信号を外部に出力する。機能素子部３３は、電流Ｉ１〜Ｉ３に基づき、可視光検出部３１が受光した可視光の量を、デジタル値として算出する。機能素子部３３は、可視光検出部３１が受光した可視光の量に相当する照度を示す照度信号を外部に出力する。

積層光学膜３４は、赤外光の波長領域の光のみを透過させる樹脂よりなる。上述のように積層光学膜３４は、赤外光検出部３２および機能素子部３３を覆っている。そのため、赤外光検出部３２および機能素子部３３は、可視光を受けることなく赤外光のみを受ける。一方、積層光学膜３４は可視光検出部３１を覆っていない。そのため、可視光検出部３１は可視光を確実に受ける。

図１〜図３、図５〜図７に示す透光樹脂４は、第１透光樹脂であり、受光素子３および搭載面１０を覆っている。透光樹脂４は、透明であり、可視光から赤外光までの波長域の光を透過させる。透光樹脂４は、たとえばエポキシ樹脂よりなる。透光樹脂４は、平坦面４３と凸部４０とを有する。

平坦面４３は、平坦であり、方向ｚに垂直な平面に沿う。平坦面４３はリング状である。平坦面４３は方向ｚ１側に臨む。凸部４０は、第１凸部であり、平坦面４３から方向ｚ１側に膨らむ形状である。凸部４０のｘｙ平面視における外郭形状は、たとえば直径が１ｍｍの円形状である。凸部４０は、ｘｙ平面視において平坦面４３に囲まれている。

凸部４０は光入射面４１を有する。光入射面４１は方向ｚ１側に臨む。本実施形態において光入射面４１は、平坦であり、方向ｚに垂直な平面に沿う。本実施形態と異なり、光入射面４１が方向ｚ１側に膨らむ凸面であってもよい。光入射面４１はｘｙ平面視において受光素子３に重なる。より具体的にはｘｙ平面視において、光入射面４１は、図８に示した、受光素子３における赤外光検出部３２と可視光受光部３１とに重なる。光入射面４１は、ｘｙ平面視において赤外光検出部３２と重なっていることは、方向ｚ２に進む光を赤外光検出部３２に確実に至らせる上で好ましい。一方、本実施形態と異なり、ｘｙ平面視において、光入射面４１が可視光検出部３１に重なっておらず、平坦面４３が可視光検出部３１に重なっていてもよい。

図１、図２、図４、図５に示す透光樹脂５は、第２透光樹脂であり、発光素子２および搭載面１０を覆っている。透光樹脂５は、透明であり、可視光から赤外光までの波長域の光を透過させる。透光樹脂５は、たとえばエポキシ樹脂よりなる。透光樹脂５は、平坦面５３と凸部５０とを有する。

平坦面５３は、平坦であり、方向ｚに垂直な平面に沿う。平坦面５３は方向ｚ１側に臨む。凸部５０は、第２凸部であり、平坦面５３から方向ｚ１側に膨らむ形状である。凸部５０は、ｘｙ平面視において平坦面５３に囲まれている。

凸部５０は、光出射面５１と一対の切り欠き面５２Ａ，５２Ｂとを有する。光出射面５１は方向ｚ１側に臨む。光出射面５１は、方向ｚ１側に膨らむ凸面である。光出射面５１が方向ｚ１側に膨らむ凸面であるのは、発光素子２からの光をより多く方向ｚ１側に進ませるためである。光出射面５１はｘｙ平面視において発光素子２に重なる。光出射面５１は、方向ｙの各端に、ｘｙ平面視において円弧状の外縁を有する。外縁どうしの距離である光出射面５１の最大径は、たとえば、０．４４ｍｍである。各切り欠き面５２Ａ，５２Ｂは、平坦であり、ｙｚ平面に沿う。切り欠き面５２Ａは方向ｘ２を向き、切り欠き面５２Ｂは方向ｘ１を向く。切り欠き面５２Ａ，５２Ｂはそれぞれ、方向ｘの一端において光出射面５１に繋がっている。図５に示すように、切り欠き面５２Ａと受光素子３との距離は、切り欠き面５２Ｂと受光素子３との距離よりも小さい。すなわち、切り欠き面５２Ｂは、切り欠き面５２Ａよりも受光素子３から遠い側に位置する。

図２に示すように、遮光樹脂６は、透光樹脂４，５および搭載面１０を覆っている。遮光樹脂６は、可視光および赤外光のいずれをも透過させない。遮光樹脂６は、たとえばエポキシ樹脂よりなる。遮光樹脂６は、透光樹脂４と透光樹脂５との間に介在している。遮光樹脂６は、透光樹脂４と透光樹脂５との間において、搭載面１０の方向ｙの全体にわたって、搭載面１０に直接接している。これにより、発光素子２から放たれた赤外光が、光学装置１０１内を通過し受光素子３に直接入射することが防止される。

図１および図５に示すように、遮光樹脂６は、第１面６Ａと、一対の第２面６Ｂ，６Ｃと、一対の第３面６Ｄ，６Ｅとを有する。

第１面６Ａは、方向ｚ１側を向く。第１面６Ａは、方向ｘに沿う長辺がたとえば５ｍｍ、方向ｙに沿う短辺がたとえば２．５ｍｍである。図１、図２に示すように、第１面６Ａは、面６０１（第２凹凸面）と、面６０２と、面６０３（第１凹凸面）と、面６０４とを有する。本実施形態においては、面６０１〜６０４の断面形状は互いに同一である。以下、詳述する。

図１、図２に示すように、面６０１は、第１面６Ａのうち、後述の第１開口部６１よりも方向ｘ２側に位置する部位である。面６０１において、遮光樹脂６には複数の溝６４１が形成されている（図５では図示略）。各溝６４１は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝６４１は、方向ｙに沿って延びている。面６０１は、複数の溝６４１のいずれか一つの溝６４１を各々が規定し、且つ、当該一つの溝６４１の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面６５１ａおよび第２溝面６５１ｂを有する。各溝６４１において、第１溝面６５１ａは方向ｘ２側に位置し、第２溝面６５１ｂは方向ｘ１側に位置する。すなわち、各溝６４１において、第１溝面６５１ａは、第２溝面６５１ｂよりも第１開口部６１から遠い側に位置する。第１溝面６５１ａおよび第２溝面６５１ｂはいずれも、方向ｙに沿って延び且つ平坦である。

第１溝面６５１ａは、方向ｘ１側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第１溝面６５１ａは、方向ｘに対し第１角度θ１１で傾斜している。一方、第２溝面６５１ｂは、方向ｘ２側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第２溝面６５１ｂは方向ｘに対し第２角度θ１２で傾斜している。好ましくは、第１角度θ１１，第２角度θ１２はそれぞれ、５０°〜７０°である。本実施形態においては、第１角度θ１１および第２角度θ１２は互いに同一である。

図１、図２に示すように、面６０２は、第１面６Ａのうち、方向ｘにおいて後述の第１開口部６１に重なる部位である。面６０２において、遮光樹脂６には複数の溝６４２が形成されている（図５では図示略）。各溝６４２は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝６４２は、方向ｙに沿って延びている。面６０２は、複数の溝６４２のいずれか一つの溝６４２を規定し、且つ、当該一つの溝６４２の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面６５２ａおよび第２溝面６５２ｂを有する。各溝６４２において、第１溝面６５２ａは方向ｘ２側に位置し、第２溝面６５２ｂは方向ｘ１側に位置する。第１溝面６５２ａおよび第２溝面６５２ｂはいずれも、方向ｙに沿って延び且つ平坦である。

第１溝面６５２ａは方向ｘ１側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第１溝面６５２ａは、方向ｘに対し第１角度θ２１で傾斜している。一方、第２溝面６５２ｂは、方向ｘ２側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第２溝面６５２ｂは方向ｘに対し第２角度θ２２で傾斜している。好ましくは、第１角度θ２１，第２角度θ２２はそれぞれ、５０°〜７０°である。本実施形態においては、第１角度θ２１および第２角度θ２２は互いに同一である。

図１、図２に示すように、面６０３は、第１面６Ａのうち、後述の第１開口部６１よりも方向ｘ１側に位置する部位である。更に、面６０３は、後述の第２開口部６２よりも方向ｘ２側に位置する部位である。すなわち、面６０３は、第１開口部６１と第２開口部６２との間に位置する。面６０３において、遮光樹脂６には複数の溝６４３が形成されている（図５では図示略）。各溝６４３は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝６４３は、方向ｙに沿って延びている。面６０３は、複数の溝６４３のいずれか一つの溝６４３を規定し、且つ、当該一つの溝６４３の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面６５３ａおよび第２溝面６５３ｂを有する。各溝６４３において、第１溝面６５３ａは方向ｘ２側に位置し、第２溝面６５３ｂは方向ｘ１側に位置する。すなわち、各溝６４３において、第２溝面６５３ｂは、第１溝面６５３ａよりも第１開口部６１から遠い側に位置する。第１溝面６５３ａおよび第２溝面６５３ｂはいずれも、方向ｙに沿って延び且つ平坦である。

第１溝面６５３ａは、方向ｘ１側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第１溝面６５３ａは、方向ｘに対し第１角度θ３１で傾斜している。一方、第２溝面６５３ｂは、方向ｘ２側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第２溝面６５３ｂは方向ｘに対し第２角度θ３２で傾斜している。好ましくは、第１角度θ３１，第２角度θ３２はそれぞれ、５０°〜７０°である。本実施形態においては、第１角度θ３１および第２角度θ３２は互いに同一である。

図１、図２に示すように、面６０４は、第１面６Ａのうち、方向ｘにおいて後述の第２開口部６２に重なる部位である。面６０４において、遮光樹脂６には複数の溝６４４が形成されている（図５では図示略）。各溝６４４は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝６４４は、方向ｙに沿って延びている。面６０４は、複数の溝６４４のいずれか一つの溝６４４を規定し、且つ、当該一つの溝６４４の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面６５４ａおよび第２溝面６５４ｂを有する。各溝６４４において、第１溝面６５４ａは方向ｘ２側に位置し、第２溝面６５４ｂは方向ｘ１側に位置する。第１溝面６５４ａおよび第２溝面６５４ｂはいずれも、方向ｙに沿って延び且つ平坦である。

第１溝面６５４ａは、方向ｘ１側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第１溝面６５４ａは、方向ｘに対し第１角度θ４１で傾斜している。一方、第２溝面６５４ｂは、方向ｘ２側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第２溝面６５４ｂは方向ｘに対し第２角度θ４２で傾斜している。好ましくは、第１角度θ４１，第２角度θ４２はそれぞれ、５０°〜７０°である。本実施形態においては、第１角度θ４１および第２角度θ４２は互いに同一である。

本実施形態とは異なり、面６０１〜６０４が上述のような凹凸形状でなく、面６０１〜６０４のいずれもが平坦な面であってもよい。また、第１面６Ａのうち、面６０３のみが上述のような凹凸形状であって、面６０３以外の面６０１，６０２，６０４が平坦な面であってもよい。

第２面６Ｂは方向ｘ１側を向き、第２面６Ｃは方向ｘ２側を向く。第２面６Ｂからは透光樹脂５が露出している。第２面６Ｂと面一の露出面５ｂが透光樹脂５に形成されている。第３面６Ｄは方向ｙ２側を向き、第３面６Ｅは方向ｙ１側を向く。第１面６Ａを除き、一対の第２面６Ｂ，６Ｃおよび一対の第３面６Ｄ，６Ｅはいずれも、平坦な面である。

図１および図２に示すように、遮光樹脂６には、第１開口部６１と第２開口部６２とが形成されている。第１開口部６１および第２開口部６２はいずれも、第１面６Ａから凹んでいる。第１開口部６１の深さ方向および第２開口部６２の深さ方向は、いずれも、方向ｚに一致する。第１開口部６１および第２開口部６２の深さ寸法は、たとえば、０．４２ｍｍである。第１開口部６１の最大内径は、たとえば１．３ｍｍである。第２開口部６２の方向ｙに沿う最大内径は、たとえば０．５９ｍｍである。

第１開口部６１からは透光樹脂４が露出している。より具体的には、第１開口部６１から、透光樹脂４における光入射面４１と平坦面４３とが露出している。第１開口部６１は透光樹脂４の凸部４０を収容している。

図５に示すように、第１開口部６１を規定する内周壁６１０を遮光樹脂６は有する。内周壁６１０は、ｘｙ平面視において略円形である。内周壁６１０との間に、凸部４０が隙間を設けて配置されている。内周壁６１０は、第１開口部６１の深さ方向奥側（方向ｚ２側）になるほど、第１開口部６１の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。内周壁６１０は、方向ｘにおいて発光素子２から遠くなるほど方向ｚに対する傾斜角が大きくなっている。

より具体的には、図６、図７に示すように、内周壁６１０は、部分６１０Ａ，６１０Ｂ，６１０Ｃを有する。部分６１０Ａは、部分６１０Ｂ，６１０Ｃよりも発光素子２に対して近い。一方、部分６１０Ｃは、部分６１０Ａ，６１０Ｂよりも発光素子２に対して遠い。部分６１０Ａ，６１０Ｃは方向ｘに互いに対向している。そして、部分６１０Ｂは、方向ｘにおいて、部分６１０Ａ，６１０Ｃ間に位置する。

部分６１０Ａは第２部分であり、方向ｚに対する部分６１０Ａの傾斜角φ１１は、ほぼ０°である。部分６１０Ａと部分６１０Ｂとの間の部分は、部分６１０Ａから部分６１０Ｂにいくにつれて方向ｚに対する傾斜角が徐々に大きくなる。部分６１０Ｂの方向ｚに対する傾斜角φ１２は、傾斜角φ１１より大きい。傾斜角φ１２は、たとえば、７．５°である。部分６１０Ｂと部分６１０Ｃとの間の部分は、部分６１０Ｂから部分６１０Ｃにいくにつれて方向ｚに対する傾斜角が徐々に大きくなる。部分６１０Ｃは第１部分であり、方向ｚに対する部分６１０Ｃの傾斜角φ１３は、傾斜角φ１１，φ１２のいずれよりも大きい。傾斜角φ１３は、たとえば１５°である。傾斜角φ１３は、第１開口部６１の深さ寸法や内径などに応じて１５°以上としてもよい。

図１〜図３に示すように、内周壁６１０は、第１端縁たる端縁６１１を有する。端縁６１１は円形状である。端縁６１１において内周壁６１０と第１面６Ａとがつながる。端縁６１１は、第１開口部６１から露出する透光樹脂４におけるいずれの部位よりも、第１開口部６１の深さ方向（方向ｚ）のうち受光素子３から光入射面４１に向かう方向（方向ｚ１）側に位置する。

第２開口部６２からは透光樹脂５が露出している。より具体的には、第２開口部６２から、透光樹脂５における光出射面５１と平坦面５３とが露出している。第２開口部６２は、透光樹脂５の凸部５０を収容している。

図５に示すように、第２開口部６２を規定する内周壁６２０を、遮光樹脂６は有する。内周壁６２０との間に、凸部５０が隙間を設けて配置されている。内周壁６２０は、第２開口部６２の深さ方向奥側（方向ｚ２側）になるほど第２開口部６２の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。内周壁６２０の深さ方向に対する傾斜角は、全周にわたり概ね一様な角度である。

内周壁６２０は、部分６２０Ａ，６２０Ｂを有する。部分６１０Ａは、ｘｙ平面視円弧状を呈し、光出射面５１の最外縁に沿っている。部分６２０Ｂは、平坦であり、切り欠き面５２Ａに対向している。内周壁６２０は、方向ｘにおいて受光素子３から遠い側に壁面を形成されずに開放されている。これにより、方向ｘ１に向けて切り欠き面５２Ｂが遮光樹脂６から露出している。

図１に示すように、内周壁６２０は、第２端縁たる端縁６２１を有する。端縁６２１の一部は円弧状である。端縁６２１において内周壁６２０と第１面６Ａとがつながる。端縁６２１は、第２開口部６２から露出する透光樹脂５におけるいずれの部位よりも、第２開口部６２の深さ方向（方向ｚ）のうち発光素子２から光出射面５１に向かう方向（方向ｚ１）側に位置する。

図１０は、図５から透光樹脂４，５および遮光樹脂６を省略して示す平面図である。同図では、遮光樹脂４，５を想像線で示している。図１１は、光学装置１０１の底面図である。

図２、図１０、図１１に示す配線パターン８は、受光素子用パッド８１１と、発光素子用パッド８１２と、複数のワイヤボンディングパッド８２１と、複数のスルーホール周辺部８２２と、第１光遮断部８３と、第２光遮断部８４１と、第３光遮断部８４２と、接続部８５１と、連絡配線８６１と、実装端子部８８と、を含む。

受光素子用パッド８１１と、発光素子用パッド８１２と、ワイヤボンディングパッド８２１と、スルーホール周辺部８２２と、第１光遮断部８３と、第２光遮断部８４１と、第３光遮断部８４２と、接続部８５１と、連絡配線８６１とは、基材１の搭載面１０に形成されている。一方、実装端子部８８は、基材１の背面１１に形成されている。すなわち、実装端子部８８は、第１光遮断部８３が形成された側とは反対側にて基材１に形成されている。配線パターン８は、たとえば電解メッキにより形成される。配線パターン８には、樹脂よりなるレジスト層（図示略）が形成されている場合もある。

図１０に示す受光素子用パッド８１１には発光素子３がボンディングされている。発光素子用パッド８１２には発光素子２がボンディングされている。発光素子用パッド８１２の面積は、平面視において受光素子用パッド８１１の面積よりも小さい。

各ワイヤボンディングパッド８２１には、ワイヤ７８もしくはワイヤ７９がボンディングされている。各ワイヤボンディングパッド８２１は平面視において略矩形状である。各スルーホール周辺部８２２は、ワイヤボンディングパッド８２１につながる。各スルーホール周辺部８２２は、平面視において略円形状の部分を有する。

図１２は、図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。

図１０、図１２に示す第１光遮断部８３は、遮光樹脂６と基材１との間に介在する。図１０に示すように、第１光遮断部８３は、ｘｙ平面視において受光素子２と発光素子３との間に位置する。第１光遮断部８３は方向ｘ視において発光素子２を横切る。すなわち、第１光遮断部８３の方向ｙ１側の端部は、発光素子２よりも方向ｙ１側に位置し、且つ、第１光遮断部８３の方向ｙ２側の端部は、発光素子２よりも方向ｙ２側に位置する。本実施形態では第１光遮断部８３は方向ｙに沿って延びる形状であるが、第１光遮断部８３はｘｙ平面視において発光素子用パッド８１２側に開口する湾曲形状であってもよい。第１光遮断部８３には、開口部８３９が形成されている。本実施形態において開口部８３９は方向ｙに延びる形状である。開口部８３９には、遮光樹脂６の一部が形成されている。遮光樹脂６のうち開口部８３９に形成された部位は、基材１に接している。遮光樹脂６のうち開口部８３９に形成された部位は接合部６０９である。すなわち、遮光樹脂６は、基材１に接合された接合部６０９を含むといえる。図１０では、接合部６０９にハッチングを付している。

第１光遮断部８３は、第１部位８３１と、第２部位８３２と、連結部８３３，８３４と、を有する。第１部位８３１および第２部位８３２は互いに離間している。本実施形態においては、第１部位８３１および第２部位８３２は、ｘｙ平面視において方向ｘに互いに離間している。第１部位８３１および第２部位８３２はいずれも、方向ｙに沿って帯状に延びる。第１部位８３１および第２部位８３２は接合部６０９を挟んでいる。図１２に示すように、第１部位８３１（すなわち第１光遮断部８３）は、透光樹脂５に覆われた部位を有していてもよい。本実施形態と異なり、第１光遮断部８３が透光樹脂５に覆われていなくてもよい。連結部８３３，８３４は、接合部６０９を挟んで互いに離間している。各連結部８３３，８３４は、第１部位８３１と第２部位８３２とにつながる。第１部位８３１と、第２部位８３２と、連結部８３３，８３４とが、開口部８３９を構成している。

図１３は、図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。

図１０、図１３に示す第２光遮断部８４１は、遮光樹脂６と基材１との間に介在する。本実施形態においては、第２光遮断部８４１は方向ｘに沿って延びる帯状である。第２光遮断部８４１は、方向ｘにおいて発光素子用パッド８１２に重なる。第２光遮断部８４１は、発光素子用パッド８１２の方向ｙ２側に位置する。図１３に示すように、第２光遮断部８４１は透光樹脂５に覆われた部位を有していてもよい。本実施形態と異なり、第２光遮断部８４１が透光樹脂５に覆われていなくてもよい。好ましくは、第２光遮断部８４１は第１光遮断部８３につながる。

図１０、図１３に示す第３光遮断部８４２は、遮光樹脂６と基材１との間に介在する。本実施形態においては、第３光遮断部８４２は方向ｘに沿って延びる帯状である。第３光遮断部８４２は、方向ｘにおいて発光素子用パッド８１２に重なる。第３光遮断部８４２は、発光素子用パッド８１２の方向ｙ２側に位置する。そのため、第３光遮断部８４２と第２光遮断部８４１との間に、発光素子用パッド８１２が位置する。図１３に示すように、第３光遮断部８４２は透光樹脂５に覆われた部位を有していてもよい。本実施形態と異なり、第３光遮断部８４２が透光樹脂５に覆われていなくてもよい。好ましくは、第３光遮断部８４２は第１光遮断部８３につながる。

本実施形態においては、第３光遮断部８４２は、ワイヤ７８がボンディングされたワイヤボンディングパッド８２１に導通している。そのため、第３光遮断部８４２につながる第１光遮断部８３は、ワイヤ７８がボンディングされたワイヤボンディングパッド８２１に導通している。上述のように、ワイヤ７８は発光素子２のカソード電極２１にボンディングされている。そのため、第３光遮断部８４２および第１光遮断部８３はいずれも、発光素子２のカソード電極２１に導通している。第１光遮断部８３は、発光素子２を含む回路におけるグランド電極であってもよい。

図１０に示すように、接続部８５１は、受光素子用パッド８１１と第１光遮断部８３とにつながる。連絡配線８６１は、受光素子３にボンディングされたワイヤ７９がボンディングされたワイヤボンディングパッド８２１と、スルーホール周辺部８２２とにつながる。連絡配線８６１は、第１光遮断部８３から絶縁されており、且つ、方向ｘにおいて第１光遮断部８３を横切る。

図１１に示すように、各実装端子部８８は、ｘｙ平面視において矩形状である。各実装端子部８８は、基材１を貫通するスルーホール電極８９（図２にて一つ示す、その他の図では省略）を経由して、スルーホール周辺部８２２、受光素子用パッド８１１、もしくは、発光素子用パッド８１２等に導通している。

次に、光学装置１０１の製造方法について簡単に説明する。

図１４は、光学装置１０１の製造方法における一工程を示す平面図である。まず、図１４に示すように、基材１を用意する。基材１には配線パターン８が形成されている。次に、同図に示すように、発光素子２および受光素子３を基材１に配置する。次に、ワイヤ７８を発光素子２と配線パターン８とに、ワイヤ７９を受光素子３と配線パターン８とに、それぞれボンディングする。

図１５は、図１４に続く一工程を示す平面図である。図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。図１７は、図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。次に、透光樹脂４，５を形成するためのモールド工程を行う。当該モールド工程を一次モールド樹脂成型工程と称する。一次モールド樹脂成型工程では、まず、図１６、図１７に示すように、金型７０１を基材１に押し付ける。金型７０１は、基材１の搭載面１０に対向する平坦面７０２を有する。図１５では、基材１のうち平坦面７０２と重なる領域にハッチングを付している。金型７０１を基材１に押し付ける際、平坦面７０２を、第１光遮断部８３に当接させる。このとき図１６に示すように、第１光遮断部８３に形成された開口部８３９は平坦面７０２に塞がれる。同様に、図１７に示すように、金型７０１を基材１に押し付ける際、平坦面７０２を第２光遮断部８４１と第３光遮断部８４２とに当接させる。

図１８は、図１５に続く一工程を示す平面図である。図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う部分拡大断面図である。図２０は、図１８のＸＸ−ＸＸ線に沿う部分拡大断面図である。次に、図１９、図２０に示すように、基材１と金型７０１とに囲まれた空間に樹脂材を注入した後に硬化させる。これにより、受光素子３を覆う透光樹脂４と、発光素子２を覆う透光樹脂５とが形成される。図１９に示すように、基材１と金型７０１とに囲まれた空間に樹脂材を注入する際、開口部８３９は平坦面７０２に塞がれているため、当該樹脂材は開口部８３９に充填されない。そのため、開口部８３９内には透光樹脂が形成されない。なお、図１８にて、基材１のうち透光樹脂４，５が形成されている領域にハッチングを付して示している。

次に、透光樹脂４，５と基材１とを覆う遮光樹脂６を、モールド工程を経ることにより形成する。当該モールド工程を二次モールド樹脂成型工程と称する。二次モールド樹脂成型工程を終えると、図１２，図１３にて示したように、第１光遮断部８３と第２光遮断部８４１と第３光遮断部８４２とを覆う遮光樹脂６が形成される。また、図１９に示したように開口部８３９内には透光樹脂５が形成されていないため、図１２に示すように遮光樹脂６は開口部８３９内にも形成される。これにより、遮光樹脂６に、基材１と接合する接合部６０９が形成される。

また、図２１に示すように、二次モールド樹脂成型工程においては金型７が用いられる。金型７は、第１開口部６１の形状に応じた筒状部分７０および第２開口部６２の形状に応じた筒状部分７０を有する。図２１には、第１開口部６１に対応する筒状部分７０のみを示している。筒状部分７０は、凸部４０の周囲もしくは凸部５０の周囲に配置され、樹脂硬化後に遮光樹脂６から取り外される。その結果、凸部４０に筒状部分７０が接することなく開口部６１の内周壁６１０が形成される。これにより、光入射面４１には遮光樹脂６を構成する樹脂が付着することが防止される。同様に、凸部５０に筒状部分７０が接することなく第２開口部６２の内周壁６２０が形成される。これにより、光出射面５１には、遮光樹脂６を構成する樹脂が付着することが防止される。なお、筒状部分７０を遮光樹脂６から取り外しやすくするため、上述のように、内周壁６１０が、第１開口部６１の深さ方向奥側（方向ｚ２側）になるほど第１開口部６１の開口中心側へと近づく傾斜状の面となっている。内周壁６２０に関しても同様である。

次に、電子機器８０１の使用方法について説明する。

図２２、図２３に示すように、発光素子２から放たれた赤外光Ｌ１１は、光出射面５１を通って透光カバー８０３の方へと進む。更に赤外光Ｌ１１は、透光カバー８０３を透過する。同図に示すように透光カバー８０３に近接している物体８９１がある場合、透光カバー８０３を透過した赤外光Ｌ１１は、物体８９１にて反射し、再び透光カバー８０３に向かって進む。そして、物体８９１にて反射した赤外光Ｌ１１は、透光カバー８０３および光入射面４１を通り、受光素子３の赤外光検出部３２に受光される。このとき、受光素子３の機能素子部３３が、透光カバー８０３に近接する物体８９１が存在することを示す上述の近接信号を外部に出力する。発光素子２が赤外光Ｌ１１を放っているときに機能素子部３３が近接信号を外部に出力することは、光学装置１０１が、透光カバー８０３に近接する物体８９１を検知したことを意味する。一方、透光カバー８０３に近接している物体が無い場合、発光素子２から放たれ透光カバー８０３を透過した赤外光Ｌ１１は、方向ｚ１にそのまま進む。そのため、発光素子２から放たれた赤外光Ｌ１１は、受光素子３の赤外光検出部３２に受光されない。このとき、受光素子３の機能素子部３３は、上述の近接信号を外部に出力しない。発光素子２が赤外光Ｌ１１を放っているときに機能素子部３３が近接信号を出力しないことは、光学装置１０１が、透光カバー８０３に近接する物体８９１を検知していないことを意味する。以上のように、光学装置１０１は、透光カバー８０３に近接している物体８９１の有無を検知する。図２２では赤外光Ｌ１１の進む方向が方向ｚに沿っているように記載されていないが、実際には、光出射面５１を通り物体８９１にて反射し受光素子３に受光される赤外光Ｌ１１の進む方向は、ほぼ方向ｚに沿う。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

図１０、図１２に示したように、光学装置１０１においては、配線パターン８は、第１光遮断部８３を含む。第１遮断部８３は、遮光樹脂６と基材１との間に介在し、且つ、ｘｙ平面視において発光素子２と受光素子３との間に位置する。第１光遮断部８３は、方向ｙにおいて発光素子２を横切る。このような構成によると、発光素子２および受光素子３の間において、遮光樹脂６と基材１とに挟まれた隙間を通って透光樹脂５から透光樹脂４に至る光の経路が、第１光遮断部８３に遮られる。そのため、発光素子２および受光素子３の間において、遮光樹脂６と基材１と挟まれた隙間を通って発光素子２からの光が透光樹脂５から透光樹脂４に至ることを防止できる。これにより、発光素子２からの光が、遮光樹脂６と基板１とに挟まれた隙間を通って受光素子３に受光されることを防止できる。したがって、物体８９１が透光カバー８０３に近接していないにもかかわらず物体８９１が近接していると判断される誤検知を、招きにくくすることができる。

図１０、図１２に示したように、光学装置１０１においては、第１光遮断部８３は、互いに離間する第１部位８３１および第２部位８３２を含む。遮光樹脂６は、第１部位８３１と第２部位８３２とに挟まれ且つ基材１に接する接合部６０９を含む。このような構成において、遮光樹脂６の一部である接合部６０９を構成する材料と、基材１を構成する材料との接合力は、遮光樹脂６を構成する材料と配線パターン８を構成する材料との接合力より大きい場合が多い。また、配線パターン８にレジスト層（図示略）が積層されている場合であっても、接合部６０９を構成する材料と基材１を構成する材料との接合力は、接合部６０９を構成する材料と当該レジスト層を構成する材料との接合力より大きい場合が多い。そのため、遮光樹脂６が基材１に接する接合部６０９を含む構成は、遮光樹脂６を基材１に対しより確実に接合するのに適する。したがって、光学装置１０１は、遮光樹脂６が基材１から脱離することを防止するのに適する。

図１０、図１３に示したように、光学装置１０１においては、配線パターン８は、遮光樹脂６と基材１との間に介在する第２光遮断部８４１を含む。第２光遮断部８４１は、方向ｘにおいて発光素子用パッド８１２に重なる。このような構成によると、透光樹脂５内にて発光素子用パッド８１２の方向ｙ２側に発光素子２からの光が向かったとしても、遮光樹脂６と基材１とに挟まれた隙間における当該光の通過は、第２光遮断部８４１に遮られる。そのため、透光樹脂５内にて発光素子用パッド８１２の方向ｙ２側に発光素子２からの光が向かったとしても、遮光樹脂６と基材１とに挟まれた隙間を通って発光素子２からの光が透光樹脂５から透光樹脂４に至ることを防止できる。そのため、発光素子２からの光が、遮光樹脂６と基材１とに挟まれた隙間を通って受光素子３に受光されることを防止できる。そのため、物体８９１が透光カバー８０３に近接していないにもかかわらず物体８９１が近接していると判断される誤検知を、更に招きにくくすることができる。

光学装置１０１においては、第２光遮断部８４１は、第１光遮断部８３につながる。このような構成によると、第２光遮断部８４１と第１光遮断部８３との隙間を無くすことができる。そうすると、第２光遮断部８４１と第１光遮断部８３との間にて、遮光樹脂６と基材１とに挟まれた隙間を通って、発光素子２からの光が透光樹脂５から透光樹脂４に至ることを防止できる。これにより、発光素子２からの光が、遮光樹脂６と基材１とに挟まれた隙間を通って受光素子３に受光されることを防止できる。そのため、上述の誤検知を、更に招きにくくすることができる。

図１０、図１３に示したように、光学装置１０１においては、配線パターン８は、遮光樹脂６と基材１との間に介在する第３光遮断部８４２を含む。第３光遮断部８４２は、方向ｘにおいて発光素子用パッド８１２に重なる。発光素子用パッド８１２は、方向ｙにおいて、第２光遮断部８４１および第３光遮断部８４２の間に位置する。このような構成によると、第２光遮断部８４１に関して述べたのと同様の理由により、誤検知を更に招きにくくすることができる。

光学装置１０１においては、第３光遮断部８４２は、第１光遮断部８３につながる。このような構成によると、第２光遮断部８４１に関して述べたのと同様の理由により、誤検知を更に招きにくくすることができる。

光学装置１０１においては、比較的ｘｙ平面視における面積が大きくなりがちな第１光遮断部８３は、アンテナとして機能し得る。第１光遮断部８３がアンテナとして機能すると、たとえば発光素子２を含む回路に不具合が生じる可能性がある。そのため、第１光遮断部８３はグランド電極であることが好ましい。第１光遮断部８３がグランド電極であると、第１光遮断部８３がアンテナとして機能したとしても、第１光遮断部８３の電位は一定であるため、発光素子２を含む回路に不具合が生じにくい。

光学装置１０１において、光出射面５１を出た赤外光Ｌ１１には、透光カバー８０３に対する入射角が大きくなる光も存在する。図２２、図２３に示すように、赤外光Ｌ１１のうち、透光カバー８０３に対する入射角が大きい光は、透光カバー８０３を透過せずに透光カバー８０３の内面で反射し、ノイズ光Ｌ１２となる。ノイズ光Ｌ１２の一部は、方向ｚに対し比較的大きな角をなして、第１面６Ａや第１開口部６１に向かう。光学装置１０１において、内周壁６１０の端縁６１１は、第１開口部６１から露出する透光樹脂４におけるいずれの部位よりも、第１開口部６１の深さ方向（方向ｚ）のうち受光素子３から光入射面４１に向かう方向（方向ｚ１）側に位置する。そのため、遮光樹脂６は、方向ｚに対し比較的大きな角をなして進むノイズ光Ｌ１２の一部を、光入射面４１に至る前に遮ることができる。これにより、光入射面４１を通って受光素子３に達するノイズ光Ｌ１２の量を低減することができる。受光素子３に達するノイズ光Ｌ１２の量を低減できると、物体８９１が透光カバー１０３に近接していないにもかかわらず物体８９１が近接していると判断される誤検知を、招きにくくすることができる。

光学装置１０１においては、内周壁６１０は、第１開口部６１の深さ方向（方向ｚ）に直交する方向（方向ｘ）に互いに対向する部分６１０Ａ，６１０Ｃを含む。第１開口部６１の深さ方向（方向ｚ）に対する部分６１０Ｃの傾斜角φ１３は、第１開口部６１の深さ方向（方向ｚ）に対する部分６１０Ａの傾斜角φ１１よりも大きい。図２３に示すように、第１開口部６１の内部にノイズ光Ｌ１２の一部が進入する。第１開口部６１内に進入したノイズ光Ｌ１２の一部は、部分６１０Ｃにて反射する。傾斜角φ１３は傾斜角φ１１よりも大きいため、部分６１０Ｃにて反射するノイズ光Ｌ１２は、光出射面４１から逸れて部分６１０Ａの方へと進む。これにより、部分６１０Ｃにて反射したのちに光出射面４１に入射するノイズ光Ｌ１２の量を低減することができる。したがって、受光素子３に達するノイズ光Ｌ１２の量を低減でき、誤検知を更に招きにくくすることができる。

図２５は、シミュレーションにより、内周壁６１０の部分６１０Ｃの傾斜角φ１３に対し、受光素子３により受光されるノイズ光Ｌ１２の量を表したグラフである。同図では、傾斜角φ１３を０°とした場合の受光素子３の出力レベルを基準値として「１００％」としている。同図によれば、傾斜角φ１３が１５°以上であれば、ノイズ光Ｌ１２の量が下限レベルまで低減されることが理解される。

光学装置１０１においては、光入射面４１は、平坦である。このような構成によると、光入射面４１が凸状である場合に比べ、部分６１０Ｃにて反射したのちに光出射面４１に入射するノイズ光Ｌ１２の量を低減することができる。

光学装置１０１においては、内周壁６２０の端縁６２１は、第２開口部６２から露出する透光樹脂５におけるいずれの部位よりも、第２開口部６２の深さ方向（方向ｚ）のうち発光素子３から光出射面５１に向かう方向（方向ｚ１）側に位置する。このような構成によると、光出射面５１から透光カバー８０３に対して大きい入射角となる方向に進む光は、内周壁６２０により遮られやすい。そのため、受光素子３に受光されるノイズ光Ｌ１２の量を低減することができ、誤検知を更に招きにくくすることができる。

光学装置１０１においては、切り欠き面５２Ｂは、方向ｘ１に向けて遮光樹脂６から露出している。このような構成では、切り欠き面５２Ｂからも赤外光Ｌ１１が出射する。そして、切り欠き面５２Ｂから出射した赤外光Ｌ１１は、内周壁６２０に当たることなく方向ｘ１に向かってそのまま進む。これによっても、受光素子３に受光されるノイズ光Ｌ１２の量を低減することができ、誤検知を更に招きにくくすることができる。

光学装置１０１においては、遮光樹脂６は面６０３を有する。面６０３は、凹凸面であり、方向ｚ１を向き、且つ、第１開口部６１よりも方向ｘ１側に位置する。凹凸面である面６０３は、ノイズ光Ｌ１２を、面６０３にて反射したのちに第１開口部６１に向かわせない構成とするのに適する。そのため、第１開口部６１に向けて進むノイズ光Ｌ１２を低減することができる。特に、光学装置１０１においては、面６０３において一方向に沿って各々が延びる複数の溝６４３が遮光樹脂６に形成されている。そして、面６０３は、複数の溝６４３のいずれか一つの溝６４３を規定し、且つ、当該一つの溝６４３の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面６５３ａおよび第２溝面６５３ｂを有する。各溝６４３において、第２溝面６５３ｂは、第１溝面６５３ａよりも第１開口部６１から遠い側に位置する。このような構成によると、ノイズ光Ｌ１２の一部を第１溝面６５３ａにて反射させ、第１開口部６１の位置する側とは反対側に向かわせることができる。したがって、第１開口部６１に向けて進むノイズ光Ｌ１２を低減することができる。本実施形態と異なり、面６０３に微細凹凸形状を形成することにより、面６０３を凹凸面としてもよい。

図２４は、シミュレーションにより、光学装置１０１と透光カバー８０３との間隔ｄに対し、傾斜角θ３１に応じて受光素子３により受光されるノイズ光Ｌ１２の量を表したグラフである。同図においては、傾斜角θ３１を０とした場合における受光素子３の出力レベルを光ノイズの基準値として「１」としている。同図によれば、傾斜角θ３１を５０°，６０°，７０°とした場合、間隔ｄが０．２５〜１ｍｍの範囲内で変化しても、受光素子３により受光されるノイズ光Ｌ１２の量が効果的に低減されるのが理解される。

光学装置１０１においては、受光素子３は、半導体基板３０と、可視光検出部３１と、赤外光検出部３２とを含む。可視光検出部３１および赤外光検出部３２はいずれも一つの半導体基板３０に設けられている。このような構成によると、可視光検出機能および赤外光検出機能を有する１チップの受光素子３を提供できる。よって、可視光検出機能および赤外光検出機能をそれぞれ個別のチップで実現する場合に比して、受光素子３の小型化を図ることができる。受光素子３の小型化は、光学装置１０１の小型化を図るのに適する。可視光検出機能および赤外光検出機能を有する１チップの受光素子３を備える構成においては、可視光検出部３１に至る光および赤外光検出部３２に至る光のいずれもが、光入射面４１を通過することになる。そのため、可視光検出部３１に至る光が通るための光入射面とは別に、赤外光検出部３２に至る光が通るための光入射面を設ける必要がない。このことも、光学装置１０１の小型化を図るのに適する。

光学装置１０１においては、受光素子３は、赤外光検出部３２を覆い且つ赤外光を透過させる積層光学膜３４を含む。このような構成によると、受光素子３を透光樹脂４でモールドするときに、可視光検出部３１と赤外光検出部３２とで個別の樹脂モールド工程を必要としない。しかも、積層光学膜３４は、半導体基板３０上に薄膜を形成する半導体プロセスによって形成できる。したがって、積層光学膜３４を形成するプロセスの追加は容易であり、半導体製造設備を利用できるので、生産コストを圧縮できる。

次に、図２６を用いて、第１実施形態の変形例について説明する。下記の変形例では光学装置１０１に関して説明した構成と同一または類似の構成については、上記の符号と同一の符号を付し、その説明を省略する。

同図は、第１実施形態にかかる光学装置の変形例を示す平面図である。本変形例にかかる光学装置は、配線パターン８が第３光遮断部８４２を含まずに第３光遮断部８４３を含む点、連絡部８５２を含む点、および、カソード電極２１は発光素子用パッド８１２にボンディングされアノード電極２２にはワイヤ７８がボンディングされている点、において上述の光学装置１０１と異なるが、その他の点は同様である。

本変形例では、光学装置１０１における第３光遮断部８４２と異なり、第３光遮断部８４３は、ワイヤ７８がボンディングされたワイヤボンディングパッド８２１に導通していない。具体的には以下のとおりである。第３光遮断部８４３は、遮光樹脂６と基材１との間に介在する。本変形例においては、第３光遮断部８４３は方向ｘに沿って延びる帯状である。第３光遮断部８４３は、方向ｘにおいて発光素子用パッド８１２に重なる。第３光遮断部８４３は、発光素子用パッド８１２の方向ｙ２側に位置する。そのため、第３光遮断部８４３と第２光遮断部８４１との間に、発光素子用パッド８１２が位置する。第３光遮断部８４２と同様に、第３光遮断部８４３は透光樹脂５に覆われた部位を有していてもよいし、第３光遮断部８４３が透光樹脂５に覆われていなくてもよい。好ましくは、第３光遮断部８４３は第１光遮断部８３につながる。

連絡部８５２は、発光素子用パッド８１２および第１光遮断部８３につながる。本変形例では、連絡部８５２は方向ｘに沿って延びる帯状であるが、連絡部８５２の形状はこの限りでない。連絡部８５２は、発光素子用パッド８１２および第１光遮断部８３の間に位置し、且つ、透光樹脂５に覆われている。

上述のように、カソード電極２１は発光素子用パッド８１２にボンディングされている。そのため、連絡部８５２および第１光遮断部８３はいずれも、発光素子２のカソード電極２１に導通している。本変形例においても、第１光遮断部８３は、発光素子２を含む回路におけるグランド電極であってもよい。

このような構成によっても、光学装置１０１の利点と同様の利点を得ることができる。

なお、上述の配線パターン８にかかる構成を、下記の第２実施形態〜第６実施形態にかかる光学装置において採用しても良い。

次に、第２実施形態〜第９実施形態について説明する。下記の実施形態では、第１実施形態にて説明した構成と同一または類似の構成については、第１実施形態で付した符号と同一の符号を付し、その説明を省略する。

＜第２実施形態＞
図２７は、第２実施形態にかかる光学装置の断面図である。

同図に示す光学装置１０２においては、溝６４１〜６４４の断面形状が矩形状である点において、上記の光学装置１０１と異なる。溝６４１〜６４４の断面形状が異なる点を除き、光学装置１０２の各構成は、光学装置１０１の各構成と同様であるから、説明を省略する。このような構成によっても、第１実施形態と同様に、ノイズ光Ｌ１２の一部を第１溝面６５３ａにて反射させ、第１開口部６１の位置する側とは反対側に向かわせることができる。したがって、第１開口部６１に向けて進むノイズ光Ｌ１２を低減することができる。

＜第３実施形態＞
図２８は、第３実施形態にかかる光学装置の断面図である。

同図に示す光学装置１０３は、上記の光学装置１０１と比べ、溝６４１〜６４４の断面形状が異なる。光学装置１０３の面６０１において、溝面６５１ａの方向ｘに対する傾斜角である第１角度θ１１は、溝面６５１ｂの方向ｘに対する傾斜角である第２角度θ１２より小さい。光学装置１０３の面６０３において、溝面６５３ａの方向ｘに対する傾斜角である第１角度θ３１は、溝面６５３ｂの方向ｘに対する傾斜角である第２角度θ３２より大きい。傾斜角θ２１と傾斜角θ２２は互いに同一である。同様に、傾斜角θ４１と傾斜角４２は互いに同一である。

このような構成によると、面６０３においては、第１角度θ３１は第２角度θ３２より大きい。そのため、第１溝面６５３ａにて反射し第２溝面６５３ｂに当たるノイズ光Ｌ１２の量を低減させ、第１溝面６５３ａにて反射した光を、第１開口部６１の位置する側と反対側に確実に向かわせることができる。当該構成は、第１開口部６１に向けて進むノイズ光Ｌ１２を低減するのに適する。

また、面６０１において、第１角度θ１１は第２角度θ１２より小さい。このような構成によると、面６０３と透光カバー８０３との間から、面６０１と透光カバー８０３との間に進んできたノイズ光Ｌ１２を、第１溝面６５１ａにて反射させることにより、方向ｘ２側に向かわせることができる。当該構成は、第１開口部６１に進むノイズ光Ｌ１２を低減するのに適する。

＜第４実施形態＞
図２９は、第４実施形態にかかる光学装置の平面図である。図３０は、図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。

同図に示す光学装置１０４では、第１面６Ａのうち面６０１〜６０３において、遮光樹脂６に複数の溝６４６が形成されている。各溝６４６は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝６４６は、第１開口部６１の開口中心を中心とする周方向に沿って延びている。面６０１〜６０３は、複数の溝６４６のいずれか一つの溝６４６を各々が規定し、且つ、当該一つの溝６４６の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面６５６ａおよび第２溝面６５６ｂを有する。面６０３のうち方向ｙの中央に形成された各溝６４６において、第１溝面６５６ａは方向ｘ２側に位置し、第２溝面６５６ｂは方向ｘ１側に位置する。すなわち、面６０３のうち方向ｙの中央に形成された各溝６４６において、第２溝面６５６ｂは、第１溝面６５６ａよりも第１開口部６１から遠い側に位置する。以下、面６０３のうち方向ｙの中央に形成された第１溝面６５６ａ、第２溝面６５６ｂについて言及する。

第１溝面６５６ａは、方向ｘ１側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第１溝面６５６ａは、方向ｘに対し第１角度θ６１で傾斜している。一方、第２溝面６５６ｂは、方向ｘ２側になるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第２溝面６５６ｂは方向ｘに対し第２角度θ６２で傾斜している。好ましくは、第１角度θ６１，第２角度θ６２はそれぞれ、５０°〜７０°である。本実施形態においては、第１角度θ６１および第２角度θ６２は互いに同一である。第３実施形態のように、第１角度θ６１が第２角度θ６２より大きくてもよい。

このような構成によっても、ノイズ光Ｌ１２の一部を第１溝面６５６ａにて反射させ、第１開口部６１の位置する側とは反対側に向かわせることができる。したがって、第１開口部６１に向けて進むノイズ光Ｌ１２を低減することができる。

＜第５実施形態＞
図３１は、第５実施形態にかかる光学装置の平面図である。図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。

同図に示す光学装置１０５では、第１面６Ａのうち面６０３において、遮光樹脂６に複数の溝６４７が形成されている。各溝６４７は、一方向に沿って延びている。なお、図３１において、溝６４７が形成されている領域については、便宜上ハッチングにより示している。本実施形態において各溝６４７は、方向ｘに沿って延びている。面６０３は、複数の溝６４７のいずれか一つの溝６４７を各々が規定し、且つ、当該一つの溝６４７の底を挟んで互いに反対側に位置する第１溝面６５７ａおよび第２溝面６５７ｂを有する。各溝６４７において、第２溝面６５７ｂは、第１開口部６１０の開口中心を通って方向ｘに沿って延びる仮想直線Ｌ１５から、第１溝面６５７ａよりも遠い側に位置する。

第１溝面６５７ａは、方向ｙにおいて仮想直線Ｌ１５から遠ざかるほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第１溝面６５７ａは、方向ｙに対し第１角度θ７１で傾斜している。一方、第２溝面６５７ｂは、方向ｙにおいて仮想直線Ｌ１５に近づくほど方向ｚ２側に向かうような斜面になっている。第２溝面６５７ｂは方向ｙに対し第２角度θ７２で傾斜している。好ましくは、第１角度θ７１，第２角度θ７２はそれぞれ、５０°〜７０°である。本実施形態においては、第１角度θ７１は、第２角度θ７２よりも大きい。

このような構成によると、第１溝面６５７ａにて反射したノイズ光Ｌ１２は、ｘｙ平面視において、仮想直線Ｌ１５から離間するように進む。これにより、第１開口部６１に進むノイズ光Ｌ１２の量を低減することができる。

＜第６実施形態＞
図３３は、第６実施形態にかかる光学装置の斜視図である。図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。

同図に示す光学装置１０６では、透光樹脂５が遮光樹脂６から方向ｘ１に露出していない点において、上記の光学装置１０１と異なる。そして、遮光樹脂６の第１面６Ａは、第２開口部６２よりも方向ｘ１側に位置する面６０５を有する。本実施形態では、面６０５には、複数の溝６４５が形成されている。本実施形態と異なり、面６０５は、溝が形成されておらず、平坦な面であってもよい。このような構成であっても、光学装置１０１とほぼ同様の利点を享受することができる。

＜第７実施形態＞
図３５は、第７実施形態にかかる光学装置における受光素子の平面図である。

同図では、受光素子３において、可視光検出部３１は、全体にわたって、ｘｙ平面視において赤外光検出部３２を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域Ｓ１１の外部に位置する。また、ｘｙ平面視において、赤外光検出部３２は、可視光検出部３１よりも発光素子２から遠い側に位置する。このような構成によっても、上述の光学装置１０１と同様の利点を得ることができる。

＜第８実施形態＞
図３６は、第８実施形態にかかる光学装置の断面図である。

同図に示す光学装置１０８では、受光素子３が可視光検出部を有さないフォトダイオードである点において、上記の光学装置１０１と異なる。光学装置１０８は、基材１と、発光素子２と、受光素子３と、照度センサ素子３’と、透光樹脂４，５，９９９と、遮光樹脂６と、を備える。基材１，発光素子２，透光樹脂４，５、および遮光樹脂６の各構成は、光学装置１０１における構成とほぼ同様であるから、説明を省略する。照度センサ素子３’は、光学装置１０１における受光素子３の可視光検出部３１と同様の機能を有する。透光樹脂９９９は、照度センサ素子３’を覆い、遮光樹脂６から露出している。透光樹脂９９９における遮光樹脂６から露出している部位から、可視光が照度センサ素子３’に入射する。このような構成であっても、第１開口部６１に向かって進むノイズ光Ｌ１２の低減を図ることができる。

＜第９実施形態＞
図３７は、第９実施形態にかかる電子機器の断面図である。

同図に示す電子機器８０８は、光学装置１０９が発光素子２と透光樹脂５とを備えていない点において、上記の電子機器８０１と異なる。その他の点においては上記の光学装置１０１と同様であるから、説明を省略する。光学装置１０９は、たとえば、光学装置１０９とは別体の、発光素子２を備える発光装置３０１とともに用いられることにより、近接センサとして機能する。このような構成であっても、第１開口部６１に向かって進むノイズ光Ｌ１２の低減を図ることができる。

本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

８０１，８０８ 電子機器
８０２ 液晶表示部
８０３ 透光カバー
１０１〜１０６，１０８，１０９ 光学装置
３０１ 発光装置
１ 基材
１０ 搭載面
１１ 背面
２ 発光素子
２１ カソード電極
２２ アノード電極
３ 受光素子
３０ 半導体基板
３１ 可視光検出部
３２ 赤外光検出部
３３ 機能素子部
３４ 積層光学膜
４ 透光樹脂
４０ 凸部
４１ 光入射面
４３ 平坦面
５ 透光樹脂
５０ 凸部
５１ 光出射面
５２Ａ，５２Ｂ 切り欠き面
５３ 平坦面
６ 遮光樹脂
６０９ 接合部
６Ａ 第１面
６Ｂ，６Ｃ 第２面
６Ｄ，６Ｅ 第３面
６１ 第１開口部
６１０ 内周壁
６１１ 端縁
６１０Ａ，６１０Ｂ，６１０Ｃ 部分
６２ 第２開口部
６２０ 内周壁
６２１ 端縁
６０１〜６０５ 面
６４１〜６４７ 溝
６５１ａ，６５２ａ，６５３ａ，６５４ａ，６５６ａ，６５７ａ， 第１溝面
６５１ｂ，６５２ｂ，６５３ｂ，６５４ｂ，６５６ｂ，６５７ｂ， 第２溝面
７ 金型
７０ 筒状部分
７０１ 金型
７０２ 平坦面
７８，７９ ワイヤ
８ 配線パターン
８１１ 受光素子用パッド
８１２ 発光素子用パッド
８２１ ワイヤボンディングパッド
８２２ スルーホール周辺部
８３ 第１光遮断部
８３１ 第１部位
８３２ 第２部位
８３３，８３４ 連結部
８３９ 開口部
８４１ 第２光遮断部
８４２ 第３光遮断部
８４３ 第３光遮断部
８５１ 接続部
８５２ 連絡部
８６１ 連絡配線
８８ 実装端子部
８９ スルーホール電極
θ１１，θ２１，θ３１，θ４１，θ６１，θ７１ 第１角度
θ１２，θ２２，θ３２，θ４２，θ６２，θ７２ 第２角度
φ１１，φ１２，φ１３ 傾斜角
Ｌ１１ 赤外光
Ｌ１２ ノイズ光
Ｌ１５ 仮想直線
Ｓ１１ 最小矩形領域

Claims (18)

1. 基材と、
   上記基材に形成された配線パターンと、
   上記基材に各々配置され、且つ、上記基材の厚さ方向と直交する第１方向に互いに離間する受光素子および発光素子と、
   上記受光素子を覆う第１透光樹脂と、
   上記発光素子を覆う第２透光樹脂と、
   上記第１透光樹脂および上記第２透光樹脂を覆う遮光樹脂と、を備え、
   上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在し、且つ、上記厚さ方向視において上記受光素子と上記発光素子との間に位置する第１光遮断部を含み、
   上記第１光遮断部は、上記第１方向視において上記発光素子を横切っており
   上記第１光遮断部は、互いに離間する第１部位および第２部位を含み、
   上記遮光樹脂は、上記第１部位と上記第２部位とに挟まれ且つ上記基材に接する接合部を含み、
   上記第１光遮断部は、上記厚さ方向視において、上記接合部を挟んで互いに離間する２つの連結部を含み、
   上記各連結部が、上記第１部位および第２部位のいずれにもつながることにより、上記第１光遮断部には、上記第１部位、上記第２部位および上記２つの連結部によって構成された厚さ方向に貫通する開口部が形成されており、
   上記開口部の厚さ方向における上記基材側の開口端は、そのすべてが上記基材によって塞がれており、
   上記封止樹脂が上記開口部を埋めている、光学装置。
2. 上記接合部は、上記基材の厚さ方向および上記第１方向に直交する第２方向において上記発光素子と重なる、請求項１に記載の光学装置。
3. 上記第１部位および上記第２部位は、それぞれ、上記基材の厚さ方向および上記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる帯状である、請求項１または２に記載の光学装置。
4. 上記配線パターンは、上記発光素子がボンディングされた発光素子用パッドを含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の光学装置。
5. 上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第２光遮断部を含み、
   上記第２光遮断部は、上記第１方向において上記発光素子用パッドに重なる、請求項４に記載の光学装置。
6. 上記第２光遮断部は、上記第２透光樹脂に覆われた部位を有する、請求項５に記載の光学装置。
7. 上記第２光遮断部は、上記第１光遮断部につながる、請求項５に記載の光学装置。
8. 上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第３光遮断部を含み、
   上記第３光遮断部は、上記第１方向において上記発光素子用パッドに重なり、
   上記発光素子用パッドは、上記第１方向視において、上記第２光遮断部および上記第３光遮断部の間に位置する、請求項５ないし７のいずれかに記載の光学装置。
9. 上記第３光遮断部は、上記第２透光樹脂に覆われた部位を有する、請求項８に記載の光学装置。
10. 上記第３光遮断部は、上記第１光遮断部につながる、請求項８に記載の光学装置。
11. 上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、
    上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドを含み、
    上記第３光遮断部は、上記ワイヤボンディングパッドに導通している、請求項８ないし１０のいずれかに記載の光学装置。
12. 上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、
    上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドと、上記発光素子用パッドおよび上記第１光遮断部につながる連絡部と、を含む、請求項８ないし１０のいずれかに記載の光学装置。
13. 上記発光素子は、カソード電極とアノード電極とを含み、
    上記第１光遮断部は、上記カソード電極に導通している、請求項１ないし１２のいずれかに記載の光学装置。
14. 上記第１光遮断部は、グランド電極である、請求項１１ないし１３のいずれかに記載の光学装置。
15. 上記配線パターンは、上記受光素子が配置された受光素子用パッドと、上記受光素子用パッドおよび上記第１光遮断部につながる接続部と、を含む、請求項１ないし１４のいずれかに記載の光学装置。
16. 上記第１光遮断部は、上記第２透光樹脂に覆われた部位を有する、請求項１ないし１５のいずれかに記載の光学装置。
17. 上記配線パターンは、上記第１光遮断部が形成された側とは反対側にて上記基材に形成された実装端子部を含む、請求項１ないし１６のいずれかに記載の光学装置。
18. 上記実装端子部に導通し且つ上記基材を貫通するスルーホール電極を更に備える、請求項１７に記載の光学装置。

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