JP2010123734A - 反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで高感度の反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】赤外線を発する発光チップと当該発光チップを覆い赤外線を透過する第１赤外線透過樹脂部５とからなる発光部と、赤外線を受光する第１受光チップと当該第１受光チップを覆い赤外線を透過する第２赤外線透過樹脂部６とからなる第１受光部と、可視光線を受光する第２受光チップと当該第２受光チップを覆い可視光線を透過する可視光線透過樹脂部７とからなる第２受光部と、前記発光部と第１受光部とを隔てる遮光ブロック８とからなり、遮光ブロック８が可視光線透過樹脂部７と同じ樹脂を用いて形成されてなるものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、非検出物を光により無接点で検出する表面実装タイプの反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器に関する。特に、装置周辺の光の照度を測定し反射型光結合装置を制御する照度センサを組み込んだものに関する。

従来の反射型光結合装置の一例として携帯機器に組み込まれたものがある。

図１２は、従来の携帯機器の外観の一例を示す説明図である。

図１２には、携帯機器の一例として折り畳み型の携帯電話機１００が開いた状態で図示されている。

携帯電話機１００は、ヒンジ部１０１を介して連結された第１筐体１１０と第２筐体１２０とから構成されている。即ち、ヒンジ部１０１によって、第１筐体１１０に対する第２筐体１２０の角度をユーザの操作に応じて自在に変位させることが可能な構成となっている。

第１筐体１１０には、図示は省略しているが、通信や動作に係る制御を行う制御部、制御に用いられるプログラムやデータが格納されている第１メモリ部及びデータを一時的に記憶する第２メモリ部を含んでなるデータ記憶部、入力操作に用いられるキー操作部、及びマイク等が収容されている。また、第１筐体１１０の折り畳まれたときに内側となる面には、キー操作部を構成する複数の操作ボタン１１１が配置されているとともに、マイク穴１１２が設けられている。

第２筐体１２０には、図示は省略しているが、液晶表示パネル部及びバックライト等からなる液晶ディスプレイ、及びスピーカが収容されている。また、第２筐体１２０の折り畳まれたときに内側となる面には、液晶表示パネル部１２１が配置されているとともに、スピーカ穴１２２が設けられている。

さらに、第１筐体１１０には、照度測定部が収容されており、第１筐体１１０の前記内側となる面には、照度を測定するための窓部１１３が設けられている。

図１３は、反射型光結合装置及び照度測定部の一例を示す説明図である。

照度測定部は照度センサ１４０を備えており、窓部１１３は、反射型光結合装置１３０及び照度測定部１４０と対向する位置に設けられている。さらに、反射型光結合装置１３０と照度センサ１４０との間には、反射型光結合装置１３０と照度センサ１４０とを隔てる遮光板１５０が配置されている。

照度センサ１４０は、携帯電話機周辺の照度を測定するものであり、前記制御部は、この測定により得られた照度に基づいて液晶表示ディスプレイのバックライトの輝度調整を行う。

反射型光結合装置１３０は、発光チップ（不図示）からの赤外線Ａ１０１を送出する発光部１３１と、当該赤外線Ａ１０１の反射光Ａ１０２を受光して受光チップ（不図示）に導く受光部１３２とを備えており、前記携帯電話機の窓部１１３（図１３では二点鎖線を用いて概略的に示す。）に対象物１６０が接近したときにこの対象物１６０を検出する。なお、遮光板１５０は、対象物１６０からの反射光Ａ１０２が照度センサ１４０の受光部１４１に入射することを防止するために配置されている。

具体的に説明すると、携帯電話機の窓部１１３に対象物１６０が接近したとき、赤外線Ａ１０１は、窓部１１３を透過後、対象物１６０で反射する。そして、反射光Ａ１０２は、窓部１１３を再び透過した後、受光部１３２に入射する。この反射光Ａ１０２の入射によって、反射型光結合装置１３０から制御部へ対象物１６０を検出したことを示す信号が送信される。

窓部１１３に接近する対象物１６０の一例としては、携帯電話機を用いて通話を行っているユーザの顔がある。即ち、通話中に、ユーザの顔の皮膚が操作ボタン１１１（図１２参照）に接触し、操作ボタン１１１が押圧されて誤動作が生じてしまう場合がある。そのため、反射型光結合装置１３０で対象物１６０である顔を検出したときに、操作ボタン１１１をロック状態に切り替えて、操作無効とすることにより誤動作を防止することができる。

また、照度センサ１４０によって検出された照度に基づいて反射型光結合装置１３０のオンオフ状態を切り替えることにより、反射型光結合装置１３０の低消費電力化を実施することもできる。

具体的には、ユーザが通話や操作ボタン１１１の操作をしていないとき等、照度センサ１４０の周囲の照度が予め設定された基準値よりも高い間は、反射型光結合装置１３０の発光部１３１から赤外線Ａ１０１を出射することを停止する（反射型光結合装置１３０をオン状態からオフ状態に切り替える）といった動作を実施する。

また、従来の反射型光結合装置の他の例としては、特許文献１である特開２００１−２１７４５３号公報に開示されている光結合装置がある。

特開２００１−２１７４５３号公報に開示されている光結合装置は、基板表面に形成された発光部配線及び受光部配線上にそれぞれ配置された発光チップ及び受光チップと、これら発光チップ及び受光チップを個々に覆う発光部透光性樹脂及び受光部透光性樹脂と、これら発光部透光性樹脂及び受光部透光性樹脂間を遮光する遮光性樹脂とを備えている。

前記遮光性樹脂は、基板に設けられた貫通孔を介して基板裏面側から遮光性樹脂を充填することにより形成されており、発光チップからの赤外線が発光部透光性樹脂及び受光部透光性樹脂を介して受光チップに直接到達することを防止するために設けられている。
特開２００１−２１７４５３号公報

ところで、図１３に示す照度測定部は、反射型光結合装置、遮光板及び照度センサの組み合わせで構成されていることから、部品点数が多くなるとともに大型化してしまうため、コストを低減することができないといった問題があった。

また、図１３に示す照度測定部は、反射型光結合装置と照度センサとが遮光板によって離間された状態で配置されていることによって、反射型光結合装置付近の照度を測定することができず、照度センサで検出した照度（即ち、照度センサに入射している光の照度）と反射型光結合装置に実際に入射している光の照度との間にずれが生じてしまうため、反射型光結合装置のオンオフ状態を効果的に切り替えることができないといった問題もあった。

このような問題は、照度センサが組み込まれた反射型光結合装置、即ち、ハイブリッド構造の反射型光結合装置となることで解決することができる。

しかしながら、照度センサは主に可視光線を検出し、一方、反射型光結合装置は人の目に見えない赤外線でセンシングを実施する。このため、照度センサを構成する受光部は可視光線を透過する樹脂（第１樹脂）を用いて形成され、反射型光結合装置を構成する発光部及び受光部は赤外線を透過し、かつ、可視光線を遮光する樹脂（第２樹脂）を用いて形成される。さらに、発光チップから受光チップへ直接光が到達することを防ぐために、反射型光結合装置を構成する発光チップと受光チップとの間には赤外線を遮光する遮光性樹脂（第３樹脂）が埋め込まれる。即ち、反射型光結合装置と照度センサとは前記第１樹脂〜第３樹脂といった３種類の樹脂を使用して形成されるため、ハイブリッド構造の反射型光結合装置を形成する場合にはモールド工程を３回実施する必要がある。

その結果、ハイブリッド構造の反射型光結合装置には、製造時に製造工程が増加するのみならず、モールド工程において使用する金型が増えることによりコストダウンを実現することができないといった問題があった。

本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、コストを低減することができ、かつ、高感度の反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明の反射型光結合装置は、第１の光を発する発光チップと当該発光チップを覆い第１の光を透過する発光チップ樹脂部とからなる発光部と、前記第１の光を受光する第１受光チップと当該第１受光チップを覆い第１の光を透過する第１受光チップ樹脂部とからなる第１受光部と、第２の光を受光する第２受光チップと当該第２受光チップを覆い第２の光を透過する第２受光チップ樹脂部とからなる第２受光部と、前記第１の光を遮光する遮光手段とからなる。さらに、前記遮光手段が、前記発光部と第１受光部とを隔てる第１遮光部材を備えており、前記第１遮光部材が、前記第２受光チップの樹脂部形成時に用いられる樹脂を用いて形成されたものである。なお、前記遮光手段の第１の光に対する透過率は１×１０^-3以下であることが好ましい。

例えば、実施形態１の具体例２では、図４に示すように、第１の光（赤外線）を発する発光チップ（不図示）と当該発光チップを覆い第１の光を透過する発光チップ樹脂部（第１赤外線透過樹脂部５）とからなる発光部と、前記第１の光を受光する第１受光チップ（不図示）と当該第１受光チップを覆い第１の光を透過する第１受光チップ樹脂部（第２赤外線透過樹脂部６）とからなる第１受光部と、第２の光（可視光線）を受光する第２受光チップ（不図示）と当該第２受光チップを覆い第２の光を透過する第２受光チップ樹脂部（可視光線透過樹脂部７）とからなる第２受光部と、前記発光部と第１受光部とを隔てる第１遮光部材（遮光ブロック８０）とからなる。また、この遮光ブロック８０は、前記可視光線透過樹脂部７と同じ可視光線透過樹脂を用いて形成される。

これにより、遮光ブロックが可視光線透過樹脂部を形成する際に用いられる樹脂を用いて形成されているため、製造手順及び構成を簡単化できる。その結果、製造時のコストを低減できる。さらに、遮光ブロックによって発光チップから第１受光チップへの赤外線の直達を防止できるため、高感度の反射型光結合装置を提供できる。

また、前記遮光手段が、前記発光部と第２受光部との間を遮光し、前記第２受光チップの樹脂部形成時に用いられる樹脂を用いて形成された第２遮光部材をさらに備えていてもよい。

この場合には、第２遮光部材によって発光チップから第２受光チップへの直達光を遮光することができる。なお、本明細書において、「直達光」とは、発光部から送出された光が被検出対象物等の表面で反射することなく受光部（即ち、第１受光部または第２受光部）へ直接到達した光を言う。

また、前記遮光手段が、前記発光チップの樹脂部形成時に用いられる樹脂を用いて形成された層をさらに備えていてもよい。

この場合には、遮光手段を赤外線透過層と可視光線透過層との２層構造とすることによって、発光チップから出射される赤外線のうち、長波長側の成分を可視光線透過層で吸収すると同時に、短波長側の成分を赤外線透過層で補完的に吸収することができる。

また、前記発光部、第１受光部及び第２受光部が同一基板上に実装されており、前記遮光手段が、前記基板のチップ実装面の少なくとも８０％を覆う金属配線をさらに備えていてもよい。

この場合には、基板への赤外線の入射を防止できるため、信号対雑音比をさらに改善できる。

また、前記発光部、第１受光部及び第２受光部が同一基板上に実装されており、前記遮光手段が、前記基板に含まれる光散乱物質または光吸収物質をさらに備えていてもよい。

この場合には、基板内部で赤外線が散乱または吸収されるため、信号対雑音比をさらに改善できる。

また、前記光散乱物質及び光吸収物質が、ガラス粒子、アクリル粒子及びＴｉＯ₂粒子のうちの少なくとも１つの粒子であってもよい。なお、これら粒子の粒径は０．５μｍ〜３．０μｍであることがより好ましい。

この場合には、基板内部での赤外線の伝達距離を短くすることができるので、信号対雑音比をさらに改善できる。

また、前記発光部、第１受光部及び第２受光部が同一基板上に実装されており、前記発光部と前記第１受光部との基板上の境界部位、および前記発光部と前記第２受光部との基板上の境界部位のうちの少なくとも一方の境界部位に、基板を貫通するスルーホールが形成されており、前記スルーホールの内面が金属層で覆われていてもよい。なお、前記スルーホールは、貫通孔及び貫通スリットのうちの少なくとも一方であることが好ましい。

この場合には、発光チップから出射された赤外線が基板内部を伝達して第１受光チップ及び第２受光チップのうちの少なくとも一方に入射することを防止できる。

また、前記境界部位における前記スルーホールのない基板残存部位の幅が、前記発光チップの幅の１／２以下であってもよい。

この場合には、基板の境界部位内部を伝達する赤外線を完全に遮光できる。

また、前記発光部、第１受光部及び第２受光部が、一方向に沿って同一基板上に実装されており、前記遮光手段が、基板に含まれるガラス繊維をさらに備えており、前記ガラス繊維の長さ方向が前記一方向に対して垂直な方向であってもよい。

この場合には、ガラス繊維が高屈折率の導光管の役目を果たすことを防止できるため、信号対雑音比をさらに改善できる。

本発明の電子機器は、前述した反射型光結合装置のいずれか１つの反射型光結合装置を搭載したものである。

これにより、反射型光結合装置が誤動作してしまうことを防止できるので、電子機器の動作精度を高めることができる。

本発明は上記のように構成したので、反射型光結合装置の製造手順及び構成を簡単化できるため製造時のコストを低減できるとともに、発光チップから第１受光チップへの赤外線の直達を防止できるため感度を高めることができる。さらに、このような反射型光結合装置を搭載したため、低コストで高精度の電子機器を得ることができる。

以下、本発明の反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器の実施形態について説明する。

［実施形態１］
まず初めに、本発明の実施形態１に係る反射型光結合装置の概要について説明する。

なお、本明細書においては、照度センサが組み込まれたハイブリッド構造の反射型光結合装置を例に挙げて説明を行う。また、本明細書では、当該ハイブリッド構造の反射型光結合装置のうち、反射型光結合装置として機能する部位を反射型光結合装置部位といい、照度センサとして機能する部位を照度センサ部位という。

本実施形態の反射型光結合装置は、金属配線（不図示）が形成された薄板形状の基板と、当該基板の表面に実装されており、第１の光の一例である赤外線を発光する発光チップ及び当該赤外線を受光する第１受光チップ、ならびに第２の光の一例である可視光線を受光する第２受光チップと、発光チップ表面を覆う発光チップ樹脂部（後述の第１赤外線透過樹脂部５）と、第１受光チップ表面を覆う第１受光チップ樹脂部（後述の第２赤外線透過樹脂部６）と、第２受光チップ表面を覆う第２受光チップ樹脂部（後述の可視光線透過樹脂部７）と、第１赤外線透過樹脂部と第２赤外線透過樹脂部とを隔てる第１遮光部材（後述の第１遮光部材８ａ）を少なくとも備えた遮光ブロックとから構成されている。さらに、この反射型光結合装置は、前記遮光ブロックが第２受光チップ樹脂部を形成する際に用いられる樹脂を用いて形成されていることを特徴としている。

なお、このような構成において、発光チップ、第１受光チップ、発光チップ樹脂部及び第１受光チップ樹脂部は反射型光結合装置部位を構成し、第２受光チップ及び第２受光チップ樹脂部は照度センサ部位を構成している。

本実施形態によれば、遮光ブロックが第２受光チップ樹脂部を形成する際に用いられる樹脂を用いて形成されているため、製造手順及び構成を簡単化できる。その結果、製造時のコストを低減できる。さらに、遮光ブロックによって発光チップから第１受光チップへの赤外線の直達を防止できるため、高感度の反射型光結合装置を提供できる。

＜実施形態１の具体例１＞
次に、本実施形態における反射型光結合装置の具体例１について図面を参照しつつ説明する。

図１は、本発明の実施形態１における反射型光結合装置の具体例１を示す説明図であり、図２は、図１に示す反射型光結合装置の製造過程の一例を示す説明図である。

本具体例の反射型光結合装置は、金属配線（不図示）が形成された薄板形状の基板１の表面１ａに、赤外線を発光する発光チップ２と、当該赤外線を受光する第１受光チップ３と、可視光線を受光する第２受光チップ４とがそれぞれ所定の位置に実装され、かつ、発光チップ２の表面には第１赤外線透過樹脂部５が被覆され、第１受光チップ４の表面には第２赤外線透過樹脂部６が被覆され、第２受光チップ４の表面には可視光線透過樹脂部７で被覆されている。さらに、これら第１赤外線透過樹脂部５、第２赤外線透過樹脂部６、及び可視光線透過樹脂部７をそれぞれ隔てるようにして、横向き略略Ｔ字形状に形成された遮光ブロック８が配置されている。

すなわち、遮光ブロック８は、一体形成された第１遮光部材８ａと第２遮光部材８ｂとから構成されている。第１遮光部材８ａは、第１赤外線透過樹脂部５と第２赤外線透過樹脂部６との境界部分に形成されており、当該第１赤外線透過樹脂部５と第２赤外線透過樹脂部６とを隔てる部材である。また、第２遮光部材８ｂは、第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６と可視光線透過樹脂部７との境界部分に形成されており、当該第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６と可視光線透過樹脂部７とを隔てる部材である。

このような構成において、発光チップ２及び第１赤外線透過樹脂部５によって発光部が構成されており、第１受光チップ３及び第２赤外線透過樹脂部６によって第１受光部が構成されており、第２受光チップ４及び可視光線透過樹脂部７によって第２受光部が構成されている。これら発光部及び第１受光部は、反射型光結合装置として機能する部位であり、第２受光部は、照度センサとして機能する部位である。

さらに、上記赤外線透過樹脂部５、第２赤外線透過樹脂部６、可視光線透過樹脂部７、及び遮光ブロック８が形成されている部分を除く基板１の表面１ａ上の露出部分には、金属配線を保持するための保護樹脂部９が設けられている。この保護樹脂部９は、絶縁性を有する材料で形成されており、例えば可視光線透過樹脂部７と同様の可視光線透過樹脂を用いて形成されたものであってもよい。また、基板１の側面には、反射型光結合装置に電気信号を供給するまたは反射型光結合装置から電気信号を取り出すための外部接続用端子１０が複数設けられている。これら外部接続用端子１０は、前記金属配線を介して、発光チップ２、第１受光チップ３及び第２受光チップ４の各電極部に電気的に接続されている。

＜反射型光結合装置の製造手順例＞
次いで、本具体例の反射型光結合装置を製造する手順の一例について説明する。

本具体例の反射型光結合装置を製造する際には、まず初めに、図２（ａ）に示すように、基板１の表面１ａ上に発光チップ２、第１受光チップ３及び第３受光チップ４を実装する。この実装は、例えば、外部接続用端子１０及び金属配線が予め形成されている基板１の表面１ａ上に、発光チップ２、第１受光チップ３及び第２受光チップ４をダイボンドした後、前記金属配線と、発光チップ２、第１受光チップ３及び第３受光チップ４の各電極部（不図示）との間を導電性のワイヤ部（不図示）を用いてワイヤボンドすることによって実施される。

続いて、図２（ｂ）に示すように、赤外線を透過する樹脂である赤外線透過樹脂を用いて発光チップ２及び第１受光チップ３をモールドし、発光チップ２の発光部に対向する位置に第１レンズ部５ａを備えた第１赤外線透過樹脂部５を、第１受光チップ３の受光部に対向する位置に第２レンズ部６ａを備えた第２赤外線透過樹脂部６をそれぞれ形成する。

最後に、図１に示すように、可視光線を透過する樹脂である可視光線透過樹脂を用いて第２受光チップ４をモールドして、第２受光チップ４の受光部に対向する位置に第３レンズ部７を備えた可視光線透過樹脂部７を形成すると同時に、基板１の表面１ａ上に遮光ブロック８を形成することにより、ハイブリッド構造の反射型光結合装置を得る。なお、このとき、保護樹脂部９を同時に形成してもよい。

このような製造手順により第１赤外線透過樹脂部５、第２赤外線透過樹脂部６、可視光線透過樹脂部７及び遮光ブロック８を形成する際には、例えば基板１の表面１ａ側に配置される第１型と基板１の裏面（不図示）側に配置される第２型とからなる金型が用いられる。

ここで、前記金型の一例について説明する。

第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６は、金型を用いて同時に形成される。この金型は、硬化後に第１赤外線透過樹脂部５を形成する赤外線透過樹脂が充填される第１凹部、及び硬化後に第２赤外線透過樹脂部６を形成する赤外線透過樹脂が充填される第２凹部を備えた第１型と、薄板形状の（または基板１が嵌合する凹部を備えた）第２型とからなる。

そして、モールド時には、第１型と第２型とで基板１を挟み込むことによって、基板１の表面１ａ側に第１型が基板１の裏面側に第２型が押し付けられ、第１凹部内に発光チップ２が第２凹部内に第１受光チップ３が配置される。このような配置状態で、第１凹部及び第２凹部に赤外線透過樹脂が充填され、さらに、充填された赤外線透過樹脂が硬化することによって、第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６が形成される。

一方、可視光線透過樹脂部７及び遮光ブロック８は、金型を用いて同時に形成される。この金型は、硬化後に可視光線透過樹脂部７を形成する可視光線透過樹脂が充填される第１凹部、及び硬化後に遮光ブロック８を形成する可視光線透過樹脂が充填される第２凹部を備えた第１型と、薄板形状の（または基板１が嵌合する凹部を備えた）第２金型とからなる。なお、前記保護樹脂部９を可視光線透過樹脂部７と同じ材料（可視光線透過樹脂）を用いて形成する場合、前記第１型は、硬化後に保護樹脂部９を形成する可視光線透過樹脂が充填される凹部も備えている。

そして、モールド時には、第１型と第２型とで基板１を挟み込むことによって、基板１の表面１ａ側に第１型が基板１の裏面側に第２型が押し付けられ、第１凹部内に第２受光チップ４が配置される。このような配置状態で、第１凹部及び第２凹部に可視光線透過樹脂が充填され、さらに、充填された可視光線透過樹脂が硬化することによって、可視光線透過樹脂部７及び遮光ブロック８が同時に形成される。

＜遮光ブロックの一例＞
次いで、遮光ブロック８の一例について説明する。

図１では、基板１の表面上のうち、紙面右上側の領域に第１赤外線透過樹脂部５が、紙面右下側の領域に第２赤外線透過樹脂部６が、紙面左下側の領域に可視光線透過樹脂部７がそれぞれ配置されているため、反射型光結合装置は基板１の表面に対向する方向から見て横向きＴ字形状となっている遮光ブロック８を備えている。

さらに詳細に説明すると、基板１の表面の紙面左側の領域が照度センサ領域であり、紙面右側の領域が反射型光結合装置領域であるため、遮光ブロック８の第２壁部材８ｂは、前記表面の紙面左側の領域と紙面右側の領域とを隔てるように、前記表面の中央部に紙面上下方向に沿って設けられている。一方、第１壁部材８ａは、第２壁部材８ｂと一体形成されており、基板１の表面の紙面右上側の領域（第１赤外線透過樹脂部５が設けられている領域）と紙面右下側の領域（第２赤外線透過樹脂部６が設けられている領域）とを隔てるように、第２壁部材８ｂの紙面右側中央部から基板１の表面の紙面右端辺まで紙面左右方向に沿って設けられている。

一般に、発光部から出射された赤外線の物体での反射率は約１０％未満であり、さらに、赤外線は物体表面で乱反射することから、物体が存在している場合においても第１レンズ部５ａから出射された全ての赤外線のうちの０．１〜１．０％しか反射光として第２レンズ部６ａに入射しない。

さらに、発光チップが発光ダイオードであった場合、発光チップの発光エネルギーを１とすると、発光チップから出射された全ての赤外線のうち第１赤外線透過樹脂部５を透過し第１レンズ部５ａ外部へ取り出せる赤外線のエネルギーは０．９である。

従って、当該赤外線のエネルギーのうちの、５％である４．５×１０^-2が直達光のエネルギーとなりうるとともに、０．１％である９×１０^-4が被検出対象（物体）からの反射光のエネルギーの最小値となりうる。

なお、本明細書において、「直達光」とは、発光部から送出された光が被検出対象物等の表面で反射することなく受光部（即ち、第１受光部または第２受光部）へ直接到達した光を言う。

また、被検出対象の検出を正確に行うためには、一般に、信号対雑音比（反射光のエネルギー／直達光のエネルギー）を２０以上に調整する必要がある。即ち、第２レンズ部６ａに到達する直達光のエネルギーを４．５×１０^-5以下にする必要がある。従って、遮光ブロック８の赤外線透過率を１×１０^-3以下に設定する必要がある。

ここで、第１赤外線透過樹脂部５、第２赤外線透過樹脂部６及び可視光線透過樹脂部７を形成する際に用いられる各樹脂の波長別透過率特性の一例を示す。

図３は、図１に示す反射型光結合装置を構成する第１赤外線透過樹脂部、第２赤外線透過樹脂部及び可視光線透過樹脂部の波長別透過率特性の一例を、発光チップから出射される赤外線のスペクトルとともに示すグラフである。

図中、実線Ｂ１は発光チップ２から出射された赤外線のスペクトルを示しており、横軸は波長、縦軸は相対強度を示している。また、破線Ｂ２は第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６の波長別透過率特性を、一点鎖線Ｂ３は可視光線透過樹脂部７の波長別透過率特性をそれぞれ示しており、横軸は波長、縦軸は透過率を示している。

図３中に破線Ｂ２で示すように、第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６は、発光チップ２から出射された赤外線をほぼ透過し、可視光線を遮光する材料（赤外線透過樹脂）を用いて形成されている。

実施形態１の反射型光結合装置の特徴は、第１赤外線透過樹脂部５と第２赤外線透過樹脂部６とを隔てる第１壁部材８ａが、可視光線透過樹脂部７と同一の可視光線透過樹脂を用いて形成されていることにある。即ち、本具体例では、遮光ブロック８は、波長別透過率特性が、図３中に一点鎖線Ｂ３で示す可視光線透過樹脂部７の波長別透過率特性と同一の部材である。

反射型光結合装置部位を構成する第１受光チップ３及び照度センサ部位を構成する第２受光チップ４は例えばＳｉ系フォトダイオードからなり、このＳｉ系フォトダイオードの受感波長帯はおよそ４００ｎｍ〜１１００ｎｍである。従って、Ｓｉ系フォトダイオードを用いた場合、第１受光チップ３及び第２受光チップ４自体は可視光線から赤外線までを検出するが、目的に応じて表面を覆う樹脂である第２赤外線透過樹脂部６及び可視光線透過樹脂部７を変更しており、この変更によって特定の波長の光のみを検出する。

例えば、第１受光チップ３は、本来、赤外線を検出することを目的としているため、第２赤外線透過樹脂部６は、図３に破線Ｂ２で示すような波長透過率特性を有することが望ましい。

一方、第２受光チップ４は、可視光線のほぼ全域を検出することを目的としているため、可視光線透過樹脂部７は、可視光線のうち波長７８０ｎｍ以下の光に対してフラットな透過特性を有することが望ましい。しかしながら、本実施形態では、赤外線に関する感度を若干落とす（図３では、波長７２０ｎｍの光に対する透過率を約１／２に落としている。）ことで、赤外線を遮光する機能を実現し、発光チップ２から出射された赤外線のうち第１受光チップ３へ直接到達する光（直達光）の光量（エネルギー）を４．５×１０^-5未満に抑えている。

本具体例では、可視光線透過樹脂部７を形成する際に使用する樹脂の赤外線透過率を１×１０^-3以下にするとともに、当該樹脂を用いて可視光線透過樹脂部７と同時に遮光ブロック８も形成している。その結果、本具体例の反射型光結合装置によれば、製造過程で実施されるモールド（トランスファーモールド）を２回に減らすことができ、反射型光結合装置の製造手順及び構成を簡単化することができる。

さらに、基板１の表面１ａ上の反射型光結合装置領域と照度センサ領域との境界部分に、当該反射型光結合装置領域と照度センサ領域とを隔てる第２壁部材８ｂが形成されているため、発光チップから第２受光チップへの直達光を遮光することができる。

＜実施形態１の具体例２＞
次いで、実施形態１における反射型光結合装置の具体例２について図面を参照しつつ説明する。

図４は、本発明の実施形態１における反射型光結合装置の具体例２を示す説明図である。なお、図４では、図１に示す反射型光結合装置と同一の部位に関しては同じ符号を用いて示している。

図１に示す反射型光結合装置において、照度センサ部位を構成する第２受光チップ４は、赤外線透過率の低い樹脂である可視光線透過樹脂を用いて形成された可視光線透過樹脂部７で覆われている。そのため、発光チップ２が図３中に実線Ｂ１で示すようなスペクトルの赤外線を出射する場合、発光チップ２から第２受光チップ４へ入射する（回り込む）赤外光は非常に少なく、かつ、この回り込む赤外線の強度に対して本来検出すべき可視光線の強度は充分に大きい状態となっている。

従って、遮光ブロック８のうち、反射型光結合装置領域と照度センサ領域とを隔てる第２壁部材８ｂ（図１参照）は省略してもよい。

図４に示す反射型光結合装置は、図１に示す第２壁部材８ｂを省略し、遮光ブロック８０を第１赤外線透過樹脂部５と第２赤外線透過樹脂部６とを隔てる部材（図１に示す反射型光結合装置においては第１壁部材８ａに相当する部材）のみで構成した点が、図１に示す反射型光結合装置と異なっている。

本具体例によれば、図１に示す反射型光結合装置領域と同様の効果が得られるとともに、反射型光結合装置の構成をさらに簡単化することができる。

さらに、本具体例によれば、第１壁部材を省略しているため、反射型光結合装置部位の直近に照度センサ部位を配置することができる。その結果、照度センサ部位によって検出された照度に基づいて反射型光結合装置部位のオンオフ状態を切り替えて低消費電力化を実施する際には、反射型光結合装置部位を効果的にオン／オフすることができる。

＜実施形態１の具体例３＞
次いで、実施形態１における反射型光結合装置の具体例３について図面を参照しつつ説明する。

図５は、本発明の実施形態１における反射型光結合装置の具体例３を示す断面図である。なお、図５では、図１に示す反射型光結合装置と同一の部位に関しては同じ符号を用いて示している。

本具体例の反射型光結合装置は、反射型光結合装置部位を構成する発光部（発光チップ２及び第１赤外線透過樹脂部５）と第１受光部（第１受光チップ３及び第２赤外線透過樹脂部６）との間に照度センサ部位を構成する第２受光チップ４を配置し、さらに、第２受光チップ４と前記発光チップ２との間に第１遮光ブロック１８を、第２受光チップ４と前記第１受光チップ３との間に第２遮光ブロック２８を配置した点が、具体例１の反射型光結合装置と異なっている。

これら第１遮光ブロック１８及び第２遮光ブロック２８は、可視光線透過樹脂部７と同時に同じ樹脂（可視光線透過樹脂）を用いて形成される部材であり、図５では、可視光線透過樹脂部７と一体形成されている。

本具体例によれば、図１に示す反射型光結合装置領域と同様の効果が得られるとともに、発光チップから第１受光チップへの直達光を低減できる。また、反射型光結合装置部位を構成する発光チップから照度センサ部位を構成する第２受光チップへの赤外線の回り込みをさらに抑えることもできる。

［電子機器の一実施形態］
次に、本発明の電子機器の一実施形態について説明する。

本実施形態の電子機器は、前述の実施形態１の具体例１〜３に係る反射型光結合装置のうちのいずれか１つの反射型光結合装置を搭載したものであり、ここでは、図１に示す反射型光結合装置を搭載した電子機器を例に挙げて説明を行う。

図６は、本発明の電子機器の一実施形態を示す説明図であり、図７は、図６に示す電子機器に搭載された反射型結合装置の動作例を示す説明図である。

電子機器としては、人体を検知しセキュリティを強化したパーソナルコンピュータ、人体を検知し安全性を高めた電子レンジまたはタッチパネル式携帯電話等があげられるが、ここでは、タッチパネル式携帯電話を用いて本発明の電子機器の一実施形態について説明する。

図６に示すように、タッチパネル式携帯電話は、筐体２２の表面２２ａにタッチパネルを備えたディスプレイ１１を備えており、さらに、筐体２２の表面２２ａのうちディスプレイ１１周辺部（図６ではディスプレイ１１の紙面下方）に窓部１２が設けられている。

また、筐体２２内部には、図７に示すように、第１赤外線透過樹脂部５、第２赤外線透過樹脂部６及び可視光線透過樹脂部７の各レンズ部（第１レンズ部５ａ、第２レンズ部６ａ及び第３レンズ部７ａ）を窓部１２に対向させた状態で、図１に示す反射型光結合装置が配置されている。即ち、反射型光結合装置は、第１レンズ部５ａ、第２レンズ部６ａ及び第３レンズ部７ａが窓部１２の外側を向くように配置されている。なお、図７では二点鎖線を用いて窓部１２を概略的に示している。

このような配置状態において、発光チップの発光部から出射した赤外線Ａ１は、第１レンズ部５ａ及び窓部１２を介して、筐体２２外部へ出射する。

このとき、窓部１２の近傍に物体１３が存在している場合には、赤外線Ａ１が物体１３の表面で反射し、反射光Ａ２となって窓部１２及び第２レンズ部６ａを介して受光チップの受光部で受光される。一方、図示していないが、窓部１２の近傍に物体１３が存在していない場合には反射光Ａ２は生じないので、受光部で反射光Ａ２が受光されることはない。

即ち、反射型光結合装置は、受光部で反射光Ａ２が受光されるかまたは受光されないかによって、物体１３の存在の有無を検出している。

また、反射型光結合装置の検出距離（検出可能な位置に在る物体１３から窓部１２までの間の距離）は、窓部１２に対する反射型光結合装置の配置、及び発光チップ及び受光チップの配置等によって変更可能であるが、例えば０．０ｃｍ（物体１３が窓部１２に接触している状態）〜３．０ｃｍに設定してもよい。

なお、図示していないが、第１レンズ部５ａから出射された全ての赤外線のうちの約５％程度の赤外線は、窓部１２を介して筐体外部へ出射せず、筐体内部で例えば基板１の表面に対して平行な方向に沿って伝搬する。従って、遮光ブロック８が設けられていない場合には、前記した約５％程度の赤外線が直達光として第２レンズ部６ａに直接入射してしまい、その結果、反射型光結合装置が誤動作してしまうといった問題が生じる。

しかしながら、本実施形態においては、遮光ブロック８が設けられているため、直達光は、遮光ブロック８の第１壁部材８ａにより遮光され、第２レンズ部６ａに入射されない。その結果、反射型光結合装置が誤動作してしまうことを防止できるので、電子機器の動作精度を高めることができる。

［実施形態２］
次に、本発明の実施形態２に係る反射型光結合装置の概要について説明する。

本実施形態の反射型光結合装置は、遮光ブロックが、第１赤外線透過樹脂部及び第２赤外線透過樹脂部を形成する際に用いられる赤外線透過樹脂と、可視光線透過樹脂部を形成する際に用いられる可視光線透過樹脂とを用いて形成された２層構造の部材である点が、実施形態１に示す反射型光結合装置と異なっている。

本実施形態によれば、発光チップから第２受光チップへの赤外線の入射をより確実に防止できるので、さらに高感度の反射型光結合装置を提供できる。

＜実施形態２の具体例１＞
次に、本実施形態における反射型光結合装置の具体例１について図面を参照しつつ説明する。

図８は、本発明の実施形態２における反射型光結合装置の具体例１を示す説明図であり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。なお、図８では、図１に示す反射型光結合装置と同一の部位に関しては同じ符号を用いて示している。

本具体例の反射型光結合装置は、図８（ａ）に示すように、遮光ブロック３８が、第１赤外線透過樹脂部５と第２赤外線透過樹脂部６との境界部分に形成された第１壁部材３８ａと、第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６と可視光線透過樹脂部７との境界部分に形成された第２壁部材３８ｂとからなり、第１壁部材３８ａと第２壁部材３８ｂとが一体形成されている点において、図１に示す反射型光結合装置と同じ構成となっている。

しかし、本具体例では、遮光ブロック３８の第１壁部材３８ａ及び第２壁部材３８ｂが、図８（ｂ）に示すように、赤外線透過層８１と可視光線透過層８２との２層構造となっている点で、図１に示す遮光ブロックの構成と異なっている。赤外線透過層８１は、第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６と同時に赤外線透過樹脂を用いて形成され、可視光線透過層８２は、、可視光線透過樹脂部と同時に可視光線透過樹脂を用いて形成されている。

ただし、本具体例では、図８（ｂ）に示すように、赤外線透過層８１の表面を可視光線透過層８２で覆う構造としているが、各層を入れ換えて、可視光線透過層８２の表面を赤外線透過層８１で覆う構造としてもよい。

ここで、２層構造の遮光ブロック３８の波長別透過率特性について説明する。

図９は、図８に示す反射型光結合装置を構成する第１赤外線透過樹脂部、第２赤外線透過樹脂部及び可視光線透過樹脂部の波長別透過率特性の一例を、発光チップから出射される赤外線のスペクトルとともに示すグラフである。

図中、実線Ｄ１１は発光チップ２から出射された赤外線のスペクトルを示しており、横軸は波長、縦軸は相対強度を示している。また、破線Ｄ１２は第１赤外線透過樹脂部５及び第２赤外線透過樹脂部６の波長別透過率特性を、一点鎖線Ｄ１３は可視光線透過樹脂部７の波長別透過率特性をそれぞれ示しており、横軸は波長、縦軸は透過率を示している。

一般的に、可視光線透過樹脂及び赤外線透過樹脂の波長別透過率特性は、材料の調合を変更することによって調整される。この調整によって、例えば、透過帯域が図３に一点鎖線Ｄ３で示す波長別透過率特性よりも２０ｎｍ程度長波長側にシフトした波長別透過率特性（図９の一点鎖線Ｄ１３参照）を示す可視光線透過樹脂を用いて可視光透過樹脂部７を形成した場合、赤色光に対する照度センサの感度を向上できる。

しかしながら、この調合の変更は微妙であるため、予め設定された波長別透過率特性を正確に示すように調合を変更することは大変困難である。例えば、図９に一点鎖線Ｄ１３で示すような波長別透過率特性を示す可視光線透過樹脂部７が得られるように材料の調合を変更しても、図３に一点鎖線Ｄ３で示すような波長別透過率特性を示す可視光線透過樹脂部７が形成されてしまう場合がある。

本具体例においては、遮光ブロック３８を赤外線透過層８１と可視光線透過層８２との２層構造とすることによって、発光チップから出射される赤外線のうち、長波長側の成分を可視光線透過層８２で吸収すると同時に、短波長側の成分を赤外線透過層８１で補完的に吸収している。

その結果、本具体例によれば、遮光ブロックの赤外線に対する透過率を、実施形態１に示す遮光ブロックの透過率の１／４程度まで下げることが可能である。

なお、赤外線透過層８１及び可視光線透過層８２の厚さは、赤外線を吸収するのに充分な厚さであり、予め設定された波長別透過率特性を得るために厚さを適宜調整すればよい。具体例を示すと、赤外線透過層８１及び可視光線透過層８２の厚さは０．７ｍｍ以上、より好ましくは０．７ｍｍ〜１．５ｍｍである。

次いで、照度センサについて説明する。

本具体例において、照度センサの受光部である第２受光チップ４は赤外線透過率の低い可視光線透過樹脂部７で覆われているが、反射型光結合装置領域と照度センサ領域との間（即ち、発光チップ２と第２受光チップ３との間）に２層構造の遮光ブロック３８の第２壁部材３８ｂがさらに配置されているため、発光チップ２から出射された赤外線が第２受光チップ３へ直接入射することを完全に防止することが可能である。その結果、照度センサは、反射型光結合装置領域の動作状態に係らず、照度を正確に測定することが可能となる。また、照度の高低に従って反射型光結合装置を制御することが可能である。また、低照度となる夜間等であっても、安定して照度検出を実施することが可能である。

［実施形態３］
次に、本発明の実施形態３に係る反射型光結合装置の概要について説明する。

前述の実施形態１，２の反射型光結合装置は、発光チップから第１受光チップ及び第２受光チップへ赤外線が直接入射する（回りこむ）ことを抑えるための遮光手段（遮光ブロック）を備えている。これに対して、本実施形態の反射型光結合装置は、前述の遮光ブロックによって赤外線の回り込みを抑える構成となっているとともに、基板１内部を伝達する赤外線を低減する遮光手段をさらに備えている。

本実施形態によれば、基板１内部を伝達する赤外線を低減することができるので信号対雑音比の低減が可能である。

＜実施形態３の具体例１＞
次に、本実施形態における反射型光結合装置の具体例１について図面を参照しつつ説明する。

図１０は、本発明の反射型光結合装置の実施形態３の具体例１を示す説明図である。

なお、図１０では、遮光手段をより明確に示すために、第１赤外線透過樹脂部５、第２赤外線透過樹脂部６、可視光線透過樹脂部７及び遮光ブロック８等といった樹脂で形成された部位の図示を省略している。また、図２に示す反射型光結合装置と同一の部位に関しては同じ符号を用いて示している。

本具体例の反射型光結合装置は、遮光手段として、基板１にスルーホールとして形成された貫通孔４１ａ及び貫通スリット４１ｂのうちの少なくとも一方を備えている点が、前述の実施形態１，２に示す反射型光結合装置と異なっている。

さらに詳細に説明すると、貫通孔４１ａは、基板１の表面側から裏面側まで貫通しており、発光チップ２が配置された領域と第１受光チップ３が配置された領域との境界部位Ｅ１に設けられている。また、貫通孔４１ａの内面には金メッキが施されている。そのため、基板１を伝搬する赤外線は、この金メッキ部分で反射し完全に遮光される。その結果、発光チップ２から出射された赤外線が基板１内部を伝達して第１受光チップ３に入射することを防止できる。

一方、貫通スリット４１ｂは、基板１の表面側から裏面側まで貫通しており、発光チップ２及び第１受光チップ３が配置された領域と第２受光チップ４が配置された領域との境界部位Ｅ２に設けられている。また、貫通スリット４１ｂの内面には金メッキが施されている。そのため、基板１を伝搬する赤外線は、この金メッキ部分で反射し完全に遮光される。その結果、発光チップ２から出射された赤外線が基板１内部を伝達して第２受光チップ４に入射することを防止できる。

なお、貫通孔４１ａの断面積、断面形状及び個数は、図１０に示す形態に限定されず、適宜変更可能である。但し、発光チップ２が配置された領域と第１受光チップ３が配置された領域との境界部位Ｅ１において、前記貫通孔４１ａ形成部分を除く基板１が残存している部分（基板残存部位）の幅（残存している部分が複数ある場合は当該部分の幅の和）が、発光チップ２の幅（第１受光チップ３側から見たときの幅）Ｌの１／２以下となるように貫通孔４１ａを形成することが、赤外線を完全に遮光することができるため好ましい。

同様に、貫通スリット４１ｂの断面積、断面形状及び個数は、図１０に示す形態に限定されず、適宜変更可能である。但し、発光チップ２が配置された領域と第２受光チップ４が配置された領域との境界部位Ｅ２において、前記貫通スリット４１ｂ形成部分を除く基板残存部位の幅（残存している部分が複数ある場合は当該部分の幅の和）が、発光チップ２の幅（第２受光チップ４側から見たときの幅）の１／２以下となるように貫通スリット４１ｂを形成することが、赤外線を完全に遮光できるため好ましい。

＜実施形態３の具体例２＞
次に、本実施形態における反射型光結合装置の具体例２について説明する。

本具体例の反射型光結合装置は、各チップを実装する基板が遮光手段としての光散乱物質または光吸収物質を含有している点が、前述の実施形態１，２に示す反射型光結合装置と異なっている。

前記光吸収物質の一例としては、第１赤外線透過樹脂部及び第２赤外線透過樹脂部を形成する際に用いられる赤外線透過樹脂に含まれる添加剤がある。

本具体例によれば、実施形態１，２のものと比較して信号対雑音比をさらに５ｄＢ改善できる。

＜実施形態３の具体例３＞
次に、本実施形態における反射型光結合装置の具体例３について説明する。

本具体例の反射型光結合装置は、基板のチップ実装面に形成された金属配線を遮光手段として備えており、基板のチップ実装面の少なくとも８０％が金属配線によって覆われている点が、実施形態１，２に示す反射型光結合装置と異なっている。

通常、基板のチップ実装面のうち、金属配線（メタル配線）が形成されている部分（配線部）と形成されていない部分（スペース部）との割合は１：１である。即ち、チップ実装面でのメタル被覆比率は５０％である。

本具体例においては、グラウンドベタパターン（グラウンド電極部）を形成する部分を多くすることによってメタル比率を８０％以上に高めている。

その結果、本具体例によれば、実施形態１，２のものと比較して信号対雑音比をさらに５ｄＢ改善できる。

＜実施形態３の具体例４＞
次に、本実施形態における反射型光結合装置の具体例４について説明する。

本具体例の反射型光結合装置は、各チップを実装する基板が遮光手段として光散乱物質を含有しており、この光散乱物質がガラス粒子、アクリル粒子及びＴｉＯ₂粒子のうちの少なくとも１つの粒子である点が、前述の実施形態３の具体例２に示す反射型光結合装置と異なっている。

通常、各チップを実装する基板としては、ガラスエポキシ基板が用いられる。このガラスエポキシ基板は、エポキシ樹脂に強度及び耐熱性を確保するためのガラス繊維を織り込み、硬化させることによって形成される。このガラス繊維は、一旦内部に光が入ると高屈折率の導光管の役目を果たす。

本具体例においては、前記ガラス繊維の代わりにガラス粒子、アクリル粒子及びＴｉＯ₂粒子のうちの少なくとも１つの粒子を用いて基板を形成している。これにより、赤外線が基板内部で無作為な散乱を繰り返すため、基板内部での赤外線の伝達距離が短くなる。

なお、これらガラス粒子、アクリル粒子及びＴｉＯ₂粒子の粒径は０．５μｍ〜３．０μｍであることが好ましい。

その結果、本具体例によれば、実施形態１，２のものと比較して信号対雑音比をさらに８ｄＢ改善できる。

＜実施形態３の具体例５＞
次に、本実施形態における反射型光結合装置の具体例５について図面を参照しつつ説明する。

図１１は、本発明の反射型光結合装置の実施形態３の具体例５を示す説明図である。なお、図１１では、図５に示す反射型光結合装置と同一の部位に関しては同じ符号を用いて示している。

本具体例の反射型光結合装置は、各チップを実装する基板２１が遮光手段としてのガラス繊維３１を含有しており、当該ガラス繊維３１の向き（長さ方向）が、発光チップ２から第１受光チップ３及び第２受光チップ４へ向けて基板２１内部を伝達する赤外線の伝達方向Ｆに対して垂直な方向になるように配されている点が、前述の実施形態１の具体例３に示す反射型光結合装置（図５参照）と異なっている。

なお、この反射型光結合装置では、発光チップ２、第１受光チップ３及び第２受光チップ４は基板２１上に一方向に沿って実装されている。即ち、前記赤外線の伝達方向Ｆとこの一方向とは同じ方向となっている。

この基板２１は、例えばエポキシ樹脂にガラス繊維３１を織り込み、硬化させることによって形成される。

本具体例においては、ガラス繊維３１の向きが、赤外線の伝達方向Ｆに対して垂直な方向になるように配されているため、ガラス繊維３１が高屈折率の導光管の役目を果たすことを防止できる。

その結果、本具体例によれば、実施形態１の具体例３のものと比較して信号対雑音比をさらに２ｄＢ改善できる。

なお、前述した実施形態１の具体例２，３、実施形態２及び実施形態３に示す反射型光結合装置は、実施形態１の具体例１に示す反射型光結合装置と略同様の製造手順によって製造されるものである。

［電子機器の他の実施形態］
本実施形態の電子機器は、前述した実施形態２及び実施形態３に係る反射型光結合装置のいずれか１つの反射型光結合装置を搭載したものである。この電子機器によれば、実施形態１の具体例１に示す反射型光結合装置を搭載した電子機器と同様に、電子機器の動作精度を高めることができる。

本発明の反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器は小型化する際に活用できる。

本発明の実施形態１における反射型光結合装置の具体例１を示す説明図である。 図１に示す反射型光結合装置の製造過程の一例を示す説明図である。 図１に示す反射型光結合装置を構成する第１赤外線透過樹脂部、第２赤外線透過樹脂部及び可視光線透過樹脂部の波長別透過率特性の一例を、発光チップから出射される赤外線のスペクトルとともに示すグラフである。 本発明の実施形態１における反射型光結合装置の具体例２を示す説明図である。 本発明の実施形態１における反射型光結合装置の具体例３を示す断面図である。 本発明の電子機器の一実施形態を示す説明図である。 図６に示す電子機器に搭載された反射型結合装置の動作例を示す説明図である。 本発明の実施形態２における反射型光結合装置の具体例１を示す説明図であり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。 図８に示す反射型光結合装置を構成する第１赤外線透過樹脂部、第２赤外線透過樹脂部及び可視光線透過樹脂部の波長別透過率特性の一例を、発光チップから出射される赤外線のスペクトルとともに示すグラフである。 本発明の反射型光結合装置の実施形態３の具体例１を示す説明図である。 本発明の反射型光結合装置の実施形態３の具体例５を示す説明図である。 従来の携帯機器の外観の一例を示す説明図である。 図１２に示す携帯機器を構成する照度測定部の一例を示す説明図である。

符号の説明

１，２１ 基板
２ 発光チップ
３ 第１受光チップ
４ 第２受光チップ
５ 第１赤外線透過樹脂部
６ 第２赤外線透過樹脂部
７ 可視光線透過樹脂部
８，３８，８０ 遮光ブロック
１８ 第１遮光ブロック
２８ 第２遮光ブロック
９ 保護樹脂部
１０ 外部接続用端子
１１ ディスプレイ
１２ 窓部
２２ 筐体
３１ ガラス繊維
４１ａ 貫通孔
４１ｂ 貫通スリット

Claims (12)

1. 第１の光を発する発光チップと当該発光チップを覆い第１の光を透過する発光チップ樹脂部とからなる発光部と、前記第１の光を受光する第１受光チップと当該第１受光チップを覆い第１の光を透過する第１受光チップ樹脂部とからなる第１受光部と、第２の光を受光する第２受光チップと当該第２受光チップを覆い第２の光を透過する第２受光チップ樹脂部とからなる第２受光部と、前記第１の光を遮光する遮光手段とからなり、
   前記遮光手段が、前記発光部と第１受光部とを隔てる第１遮光部材を備えており、
   前記第１遮光部材が、前記第２受光チップの樹脂部形成時に用いられる樹脂を用いて形成されたものである反射型光結合装置。
2. 請求項１記載の反射型光結合装置において、
   前記遮光手段が、前記発光部と第２受光部とを隔てる第２遮光部材をさらに備えており、
   前記第２遮光部材が、前記第２受光チップの樹脂部形成時に用いられる樹脂を用いて形成されたものである反射型光結合装置。
3. 請求項１または２記載の反射型光結合装置において、
   前記遮光手段が、前記発光チップの樹脂部形成時に用いられる樹脂を用いて形成された層をさらに備えている反射型光結合装置。
4. 請求項１，２または３記載の反射型光結合装置において、
   前記遮光手段は、第１の光に対する透過率が１×１０^-3以下である反射型光結合装置。
5. 請求項１，２，３または４記載の反射型光結合装置において、
   前記発光部、第１受光部及び第２受光部が同一基板上に実装されており、
   前記遮光手段が、基板のチップ実装面の少なくとも８０％を覆う金属配線を備えている反射型光結合装置。
6. 請求項１，２，３，４または５記載の反射型光結合装置において、
   前記発光部、第１受光部及び第２受光部が同一基板上に実装されており、
   前記遮光手段が、基板に含まれる光散乱物質または光吸収物質を備えている反射型光結合装置。
7. 請求項６記載の反射型光結合装置において、
   前記光散乱物質及び光吸収物質が、ガラス粒子、アクリル粒子及びＴｉＯ₂粒子のうちの少なくとも１つの粒子である反射型光結合装置。
8. 請求項７記載の反射型光結合装置において、
   前記粒子の粒径が０．５μｍ〜３．０μｍである反射型光結合装置。
9. 請求項１〜８のいずれか１つの請求項に記載の反射型光結合装置において、
   前記発光部、第１受光部及び第２受光部が同一基板上に実装されており、
   前記発光部と前記第１受光部との基板上の境界部位、および前記発光部と前記第２受光部との基板上の境界部位のうちの少なくとも一方の境界部位に、基板を貫通するスルーホールが形成されており、前記スルーホールの内面が金属層で覆われている反射型光結合装置。
10. 請求項９記載の反射型光結合装置において、
    前記境界部位における前記スルーホールのない基板残存部位の幅が、前記発光チップの幅の１／２以下である反射型光結合装置。
11. 請求項１記載の反射型光結合装置において、
    前記発光部、第１受光部及び第２受光部が一方向に沿って同一基板上に実装されており、
    前記遮光手段が、基板に含まれるガラス繊維を備えており、前記ガラス繊維の長さ方向が前記一方向に対して垂直な方向である反射型光結合装置。
12. 請求項１〜１１のいずれか１つの請求項に記載の反射型光結合装置を搭載したことを特徴とする電子機器。

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