JP5749887B2 - 千鳥状の取り付けパターンを有する単一支持構造体のプローブ群 - Google Patents
千鳥状の取り付けパターンを有する単一支持構造体のプローブ群 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5749887B2 JP5749887B2 JP2009530585A JP2009530585A JP5749887B2 JP 5749887 B2 JP5749887 B2 JP 5749887B2 JP 2009530585 A JP2009530585 A JP 2009530585A JP 2009530585 A JP2009530585 A JP 2009530585A JP 5749887 B2 JP5749887 B2 JP 5749887B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probes
- support structure
- adjacent
- contact tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 306
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 20
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
- G01R1/06727—Cantilever beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31903—Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
- G01R31/31905—Interface with the device under test [DUT], e.g. arrangements between the test head and the DUT, mechanical aspects, fixture
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
- G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
本発明は、半導体デバイスの試験に関し、特に、複数のプローブ群が用いられる試験に関する。
マイクロプロセッサ、DRAM、およびフラッシュメモリ等の半導体デバイスは、公知の方法で半導体ウェハ上に加工される。ウェハおよびそこに形成される各デバイスのサイズにより、単一ウェハ上に数千ものデバイスが存在する場合がある。これらのデバイスは、典型的には互いに同一であり、それぞれは、電力、およびグランド、入力信号、出力信号、ならびに制御信号等のデバイスへのその他の接続のために、その表面上に複数の導電パッドを含む。
本明細書は、本発明の例示的な実施形態および用途を記載する。しかしながら、本発明は、これらの例示的な実施形態および用途、または例示的な実施形態および用途の機能の仕方、もしくはそれらの本明細書での記載のされ方に制限されない。
Claims (22)
- 電子デバイスを試験するための複数のプローブであって、
該電子デバイスを接触させるように配置された接触チップ構造体と、
支持構造体と、
該接触チップ構造体が取着される弾性部分であって、該弾性部分は、該プローブの制御された偏向を提供し、該支持構造体が取着される取り付け機構を備える、弾性部分と
を備え、
該取り付け機構は、千鳥状のパターンで配設され、
該千鳥状のパターンの第1の列に位置する弾性部分は、弾性部分の第2の列の該取り付け機構と略一直線に並ぶ狭小部を含む、
前記第1の列における弾性部分のそれぞれに対する前記狭小部は、前記弾性部分の取り付け機構と、前記狭小部に隣接する、前記接触チップ構造体が取着される部分とは異なる部分である前記弾性部分の隣接部と、の双方よりも狭小であり、前記取り付け機構と前記隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで基材上に配置される、複数のプローブ。 - 前記弾性部分は、前記取り付け機構のそれぞれから前記対応する接触チップ構造体までの距離によって長さが異なる、請求項1に記載の複数のプローブ。
- 前記弾性部分は、バネ定数を決定する形状が異なる、請求項2に記載の複数のプローブ。
- 前記バネ定数は、弾性部分の長さが異なる前記プローブの少なくとも一部に対して略同一である、請求項3に記載の複数のプローブ。
- 前記弾性部分の少なくとも一部は、対応する接触チップ構造体の縦軸からオフセットされる取り付け機構を含む、請求項1に記載の複数のプローブ。
- 前記オフセットは、前記弾性部分の湾曲の結果であり、該湾曲の程度は、プローブ群に配設されるプローブの数に依存する、請求項5に記載の複数のプローブ。
- 電子デバイス上の回路を試験するための複数のプローブであって、
第1の端と該第1の端とは反対の第2の端を有するビームと、
該ビームの第1の端に取着された支持構造体であって、該ビームは、該第1の端に隣接する狭小部を含み、該狭小部は、第2のプローブの別個の支持構造体に隣接して位置するように構成される、支持構造体と
を備え、
前記狭小部は、前記ビームの前記第1の端と、前記狭小部に隣接する、前記第2の端とは異なる部分である前記ビームの隣接部と、の双方よりも狭小であり、前記第1の端と前記隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで基材上に配置される、プローブ。 - 前記ビームは、前記支持構造体が取着される曲線部分を含む、請求項7に記載のプローブ。
- 前記曲線部分は、長円形である、請求項8に記載のプローブ。
- 前記ビームは、前記第2の端に向かって細くなる幅広部を含む、請求項7にプローブ。
- 前記ビームは、該ビームの湾曲に関係する量だけ前記支持構造体からオフセットされる第2の端をさらに含む、請求項7に記載のプローブ。
- 前記ビームの幅は、選択されたバネ定数を提供するように選択される、請求項7に記載のプローブ。
- それぞれが接触チップ構造体を有する複数のプローブを有するプローブカードアセンブリであって、該プローブは、隣接する接触チップの整列された列を作成するように配設され、該プローブカードアセンブリは、
基材と、
該基材上に取り付けられた複数の略剛性の支持構造体と、
それぞれが該支持構造体のうちの1つの第1の端に取り付けられた複数のビームであって、該ビームのそれぞれは、該ビームの第2の端に配置される該接触チップ構造体のうちの1つを備える、ビームと
を備え、
該ビームの第1のものは、該ビームの第2のものと異なる長さであり、
該ビームの該第1のものは、該ビームの該第2のものとは異なる幅の狭小部を有し、
該第1のビームおよび該第2のビームは、略同様のバネ係数を有し、
該第1のビームの該狭小部は、該第1のビームの該第1の端と、該狭小部に隣接する、該第2の端とは異なる部分である該第1のビームの隣接部と、双方よりも狭小であり、該第1の端と該隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで前記基材上に配置される、プローブカードアセンブリ。 - 前記支持構造体は、千鳥状のパターンで前記基材上に配設される、請求項13に記載のプローブカードアセンブリ。
- 前記支持構造体は、2列に配設される、請求項14に記載のプローブカードアセンブリ。
- 前記ビームのそれぞれは、前記支持構造体のうちの1つに取着される着地領域を備え、
前記狭小部は、前記ビームの第2のものの着地領域に隣接して配置される、請求項15に記載のプローブカードアセンブリ。 - 電子デバイス上の接触域との接続を行うための複数のプローブであって、該プローブは、
一端が基材に取り付けられた支持構造体と、
前記支持構造体の他端に取り付けられ、該支持構造体から横方向に延在するビームと、
前記ビーム上に位置する接触チップ構造体と
を備え、
前記ビームは、前記支持構造体へのその接続と隣接する曲線部分を備え、
隣接する前記ビームの一方は、他方のビームの該曲線部分と隣接する狭小部を備え、
前記狭小部は、前記ビームの前記曲線部分と、前記狭小部に隣接する、前記接触チップ構造体が位置する部分とは異なる部分である前記ビームの隣接部と、の双方よりも狭小であり、前記曲線部分と前記隣接部との間にあり、
前記支持構造体は、前記複数のプローブが互いに重ならないように該支持構造体の直径よりも小さいピッチで基材上に配置される、プローブ。 - 前記曲線部分は、前記支持構造体の片側から延在する略長円形の曲線部分を備える、請求項17に記載のプローブ。
- 前記略長円形の曲線部分および前記狭小部は、概して楕円形状を共に形成する、請求項18に記載のプローブ。
- 前記プローブは、前記ビームと前記支持構造体との間に形成されるはんだ接合をさらに含む、請求項19に記載のプローブ。
- 前記ビームは、接触チップ構造が延在する面内にある、請求項17に記載のプローブ。
- 前記曲線部分は前記面内にある、請求項21に記載のプローブ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/535,859 | 2006-09-27 | ||
US11/535,859 US7782072B2 (en) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | Single support structure probe group with staggered mounting pattern |
PCT/US2007/079611 WO2008039881A2 (en) | 2006-09-27 | 2007-09-27 | Single support structure probe group with staggered mounting pattern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010505130A JP2010505130A (ja) | 2010-02-18 |
JP5749887B2 true JP5749887B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=39224258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009530585A Active JP5749887B2 (ja) | 2006-09-27 | 2007-09-27 | 千鳥状の取り付けパターンを有する単一支持構造体のプローブ群 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7782072B2 (ja) |
EP (1) | EP2069808A4 (ja) |
JP (1) | JP5749887B2 (ja) |
KR (1) | KR20090074224A (ja) |
CN (1) | CN101517422A (ja) |
TW (1) | TWI429915B (ja) |
WO (1) | WO2008039881A2 (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8988091B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-03-24 | Microprobe, Inc. | Multiple contact probes |
US7759949B2 (en) * | 2004-05-21 | 2010-07-20 | Microprobe, Inc. | Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads |
USRE43503E1 (en) | 2006-06-29 | 2012-07-10 | Microprobe, Inc. | Probe skates for electrical testing of convex pad topologies |
US9476911B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-10-25 | Microprobe, Inc. | Probes with high current carrying capability and laser machining methods |
US7659739B2 (en) * | 2006-09-14 | 2010-02-09 | Micro Porbe, Inc. | Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion |
US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
US7649367B2 (en) * | 2005-12-07 | 2010-01-19 | Microprobe, Inc. | Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance |
US7312617B2 (en) | 2006-03-20 | 2007-12-25 | Microprobe, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
US7782072B2 (en) * | 2006-09-27 | 2010-08-24 | Formfactor, Inc. | Single support structure probe group with staggered mounting pattern |
US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
US7674112B2 (en) * | 2006-12-28 | 2010-03-09 | Formfactor, Inc. | Resilient contact element and methods of fabrication |
US7679383B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-03-16 | Sv Probe Pte. Ltd. | Cantilever probe card |
US7514948B2 (en) | 2007-04-10 | 2009-04-07 | Microprobe, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
US7589547B2 (en) * | 2007-09-13 | 2009-09-15 | Touchdown Technologies, Inc. | Forked probe for testing semiconductor devices |
US8723546B2 (en) * | 2007-10-19 | 2014-05-13 | Microprobe, Inc. | Vertical guided layered probe |
US8230593B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-07-31 | Microprobe, Inc. | Probe bonding method having improved control of bonding material |
CN101750708A (zh) * | 2008-12-12 | 2010-06-23 | 日本电产三协株式会社 | 透镜驱动装置 |
JP4886800B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2012-02-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | プローブカード、プローブカードの製造方法、プローバ装置 |
JP5606695B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-10-15 | 新光電気工業株式会社 | 接続端子付き基板 |
US8278748B2 (en) | 2010-02-17 | 2012-10-02 | Maxim Integrated Products, Inc. | Wafer-level packaged device having self-assembled resilient leads |
ITVI20110343A1 (it) * | 2011-12-30 | 2013-07-01 | St Microelectronics Srl | Sistema e adattatore per testare chips con circuiti integrati in un package |
US8373430B1 (en) * | 2012-05-06 | 2013-02-12 | Jerzy Roman Sochor | Low inductance contact probe with conductively coupled plungers |
JP5886694B2 (ja) * | 2012-06-14 | 2016-03-16 | 株式会社日本マイクロニクス | カンチレバー型プローブとそれを備えるプローブカード又はプローブユニット |
JP2014013184A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Micronics Japan Co Ltd | カンチレバー型プローブ集合体とそれを備えるプローブカード又はプローブユニット |
US9086433B2 (en) * | 2012-12-19 | 2015-07-21 | International Business Machines Corporation | Rigid probe with compliant characteristics |
US10514391B2 (en) * | 2016-08-22 | 2019-12-24 | Kla-Tencor Corporation | Resistivity probe having movable needle bodies |
WO2018118075A1 (en) | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Intel Corporation | Fine pitch probe card methods and systems |
DE102017209510A1 (de) * | 2017-06-06 | 2018-12-06 | Feinmetall Gmbh | Kontaktelementsystem |
US11268983B2 (en) | 2017-06-30 | 2022-03-08 | Intel Corporation | Chevron interconnect for very fine pitch probing |
US10775414B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-09-15 | Intel Corporation | Low-profile gimbal platform for high-resolution in situ co-planarity adjustment |
US11061068B2 (en) | 2017-12-05 | 2021-07-13 | Intel Corporation | Multi-member test probe structure |
US11204555B2 (en) | 2017-12-28 | 2021-12-21 | Intel Corporation | Method and apparatus to develop lithographically defined high aspect ratio interconnects |
US10488438B2 (en) | 2018-01-05 | 2019-11-26 | Intel Corporation | High density and fine pitch interconnect structures in an electric test apparatus |
KR101872817B1 (ko) * | 2018-04-20 | 2018-06-29 | (주)에이치엠티 | 핀블록용 일체형 프로브핀 어셈블리 |
KR102581387B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2023-09-21 | 삼성전자주식회사 | 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드 |
US11543454B2 (en) * | 2018-09-25 | 2023-01-03 | Intel Corporation | Double-beam test probe |
US10935573B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-03-02 | Intel Corporation | Slip-plane MEMS probe for high-density and fine pitch interconnects |
CN112730925B (zh) * | 2019-10-14 | 2024-03-19 | 台湾中华精测科技股份有限公司 | 交错式探针卡 |
TWI759937B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-04-01 | 中華精測科技股份有限公司 | 板狀連接器及晶圓測試組件 |
TWI755919B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-02-21 | 中華精測科技股份有限公司 | 板狀連接器與其雙環式串接件、及晶圓測試組件 |
TWI752709B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-01-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 板狀連接器與其雙臂式串接件、及晶圓測試組件 |
CN113408026B (zh) * | 2021-06-16 | 2023-06-20 | 中国铁路设计集团有限公司 | 一种铁路桥梁精准弯道布置计算方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4599559A (en) * | 1983-05-03 | 1986-07-08 | Wentworth Laboratories, Inc. | Test probe assembly for IC chips |
EP1659410A3 (en) | 1996-05-17 | 2006-11-08 | FormFactor, Inc. | Contact tip structures for microelectronic interconnection elements and methods of making same |
US6520778B1 (en) * | 1997-02-18 | 2003-02-18 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structures, and methods of making same |
EP1023469A1 (en) * | 1997-09-17 | 2000-08-02 | Formfactor, Inc. | Method of making a structure with improved material properties by moderate heat treatment of a metal deposit |
EP0922960A1 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-16 | Padar Tecnologie di Riccioni Roberto S.a.s. | Microcircuit testing device |
US6414501B2 (en) * | 1998-10-01 | 2002-07-02 | Amst Co., Ltd. | Micro cantilever style contact pin structure for wafer probing |
KR100841127B1 (ko) * | 1998-12-02 | 2008-06-24 | 폼팩터, 인크. | 리소그래피 접촉 소자 |
US6268015B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-07-31 | Formfactor | Method of making and using lithographic contact springs |
JP2003501819A (ja) * | 1999-05-27 | 2003-01-14 | ナノネクサス インコーポレイテッド | 電子回路のための大規模並列処理インターフェース |
JP2001124799A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Micronics Japan Co Ltd | プローブシート及びその製造方法並びにプローブカード |
CN1148581C (zh) * | 2000-06-12 | 2004-05-05 | 菲康姆株式会社 | 微电子装置的电连接器及其测试头装置 |
ATE311604T1 (de) * | 2000-06-20 | 2005-12-15 | Nanonexus Inc | Testsystem von integrierten schaltungen |
ITMI20010567A1 (it) * | 2001-03-19 | 2002-09-19 | Technoprobe S R L | Testa di misura a sonde verticali per dispositivi elettronici integrati su semiconduttore |
US6933738B2 (en) * | 2001-07-16 | 2005-08-23 | Formfactor, Inc. | Fiducial alignment marks on microelectronic spring contacts |
WO2003067650A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-14 | Phicom Corporation | Method for manufacturing electric contact element for testing electro device and electric contact element thereby |
TWI363407B (en) * | 2003-04-14 | 2012-05-01 | Sumitomo Electric Industries | Probe |
JP4592292B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2010-12-01 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置 |
US7091729B2 (en) * | 2004-07-09 | 2006-08-15 | Micro Probe | Cantilever probe with dual plane fixture and probe apparatus therewith |
US7782072B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-08-24 | Formfactor, Inc. | Single support structure probe group with staggered mounting pattern |
-
2006
- 2006-09-27 US US11/535,859 patent/US7782072B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-27 JP JP2009530585A patent/JP5749887B2/ja active Active
- 2007-09-27 EP EP07853642A patent/EP2069808A4/en not_active Withdrawn
- 2007-09-27 KR KR1020097008630A patent/KR20090074224A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-09-27 CN CNA2007800358715A patent/CN101517422A/zh active Pending
- 2007-09-27 WO PCT/US2007/079611 patent/WO2008039881A2/en active Application Filing
- 2007-09-27 TW TW096135938A patent/TWI429915B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-08-24 US US12/861,984 patent/US8203352B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008039881A3 (en) | 2009-04-16 |
WO2008039881A2 (en) | 2008-04-03 |
EP2069808A2 (en) | 2009-06-17 |
US8203352B2 (en) | 2012-06-19 |
CN101517422A (zh) | 2009-08-26 |
TW200825421A (en) | 2008-06-16 |
EP2069808A4 (en) | 2012-05-30 |
KR20090074224A (ko) | 2009-07-06 |
US7782072B2 (en) | 2010-08-24 |
US20100315111A1 (en) | 2010-12-16 |
US20080074132A1 (en) | 2008-03-27 |
JP2010505130A (ja) | 2010-02-18 |
TWI429915B (zh) | 2014-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5749887B2 (ja) | 千鳥状の取り付けパターンを有する単一支持構造体のプローブ群 | |
US5810609A (en) | Socket for engaging bump leads on a microelectronic device and methods therefor | |
US6771084B2 (en) | Single-sided compliant probe apparatus | |
EP0839323B1 (en) | Microelectronic spring contact elements | |
KR100443999B1 (ko) | 인쇄회로기판용 상호 접속체, 이의 제조방법 및 이를구비한 상호 접속 조립체 | |
US7384277B1 (en) | Reinforced contact elements | |
TWI749660B (zh) | 電性接觸件及電性連接裝置 | |
KR20050085387A (ko) | 집적 회로의 검사를 수행하기 위한 소켓을 제조하는 방법및 제조된 소켓 | |
US20060208752A1 (en) | Inspection probe | |
US8640324B2 (en) | Method of fabricating a compliant membrane probe | |
JP2008532042A (ja) | 積層型基板を有するプローブカード | |
JP2008510140A (ja) | プローブカードの相互接続機構 | |
US20080174328A1 (en) | Probing Structure With Fine Pitch Probes | |
KR20060133910A (ko) | 반도체집적회로장치의 제조 방법 | |
US8344748B2 (en) | Probe for testing semiconductor devices | |
US6977514B2 (en) | Probe structure | |
KR100825266B1 (ko) | 초소형 프로브 구조체 | |
KR100876077B1 (ko) | 초소형 프로브 구조체 | |
KR20030033206A (ko) | 초소형 프로브 구조체 | |
JP2005069711A (ja) | プローブカード及びそれに使用する接触子 | |
JP4185218B2 (ja) | コンタクトプローブとその製造方法、および前記コンタクトプローブを用いたプローブ装置とその製造方法 | |
JP3446636B2 (ja) | コンタクトプローブ及びプローブ装置 | |
KR100821674B1 (ko) | 프로브 어셈블리 | |
TW202328692A (zh) | 探針卡和使用其的半導體測試方法 | |
JP2005069712A (ja) | プローブカード及びそれに使用する接触子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100527 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100927 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120814 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140926 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141225 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150126 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5749887 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |