JP5744912B2 - スピントルク・ベースのメモリ装置、その動作方法、及び、プログラム - Google Patents
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Description
101:磁気ストレージ・セル
105:磁気トンネル接合(MTJ)要素
106:固定層
107:トンネル障壁層
108:フリー磁性層
110:トランジスタ
115:ビットライン
120:ビット補数ライン
125:ワードライン
Claims (5)
- 各々が、それぞれフリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含む少なくとも1つの磁気トンネル接合(MTJ)要素と、電流が前記少なくとも1つのMTJ要素を通って流れるのを可能にするスイッチング装置とを含む、アレイ状の複数の磁気ストレージ・セルと、
前記複数の磁気ストレージ・セルに対応する少なくとも1つのビットライン及び少なくとも1つのビット相補ラインと、
を含み、
それぞれのMTJ要素は、書き込み電流を第1の方向又は前記第1の方向とは反対の第2の方向に駆動し、前記それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることによって書き込まれ、かつ、読み出し電流を、前記それぞれのMTJ要素を通して、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる前記第2の方向に駆動することによって読み出され、
前記複数の磁気ストレージ・セルの前記MTJ要素および前記スイッチング装置の両方が抵抗分布を有することにより、読み出し動作中、前記MTJ要素および前記スイッチング装置の直列の組み合わせの両端に電圧が印加された場合に、前記高抵抗状態の前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布が、ディスターブを生じさせる前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布に重なったとしても、ディスターブを生じさせる前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布に重ならないような前記低抵抗状態の前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布が与えられる、スピントルク・ベースのメモリ装置。 - 前記MTJ要素の前記高抵抗状態の抵抗は、前記低抵抗状態の抵抗の2倍ある、請求項1に記載のスピントルク・ベースのメモリ装置。
- 前記それぞれのMTJ要素の両端の読み出し電圧は、50ミリボルト(mV)から100mVまでの範囲に及ぶ、請求項1または2に記載のスピントルク・ベースのメモリ装置。
- 各々が少なくとも1つの磁気トンネル接合(MTJ)要素と、電流が前記少なくとも1つのMTJ要素を通って流れるのを可能にするスイッチング装置とを含んだ複数の磁気ストレージ・セルを含むスピントルク・ベースのメモリ装置を動作させるための方法であって、各々のMTJ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、
書き込み電流を第1の方向又は前記第1の方向とは反対の第2の方向に駆動することによって、前記それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることと、
読み出し電流を、前記それぞれのMTJ要素を通して、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる前記第2の方向に駆動することによって、前記それぞれのMTJ要素を読み出すことと、
を含み、
前記複数の磁気ストレージ・セルの前記MTJ要素および前記スイッチング装置の両方が抵抗分布を有することにより読み出し動作中、前記MTJ要素および前記スイッチング装置の直列の組み合わせの両端に電圧が印加された場合に、前記高抵抗状態の前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布が、ディスターブを生じさせる前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布に重なったとしても、ディスターブを生じさせる前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布に重ならないような前記低抵抗状態の前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布が与えられる、コンピュータ実施の方法。 - 各々が少なくとも1つの磁気トンネル接合(MTJ)要素と、電流が前記少なくとも1つのMTJ要素を通って流れるのを可能にするスイッチング装置とを含んだ複数の磁気ストレージ・セルを含むスピントルク・ベースのメモリ装置を動作させるためプログラムであって、各々のMTJ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、
書き込み電流を第1の方向又は前記第1の方向とは反対の第2の方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることと、
読み出し電流を、前記それぞれのMTJ要素を通して、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる前記第2の方向に駆動させることによって、それぞれのMTJ要素を読み出すことと、
をコンピュータに実行させ、
前記複数の磁気ストレージ・セルの前記MTJ要素および前記スイッチング装置の両方が抵抗分布を有することにより、読み出し動作中、前記MTJ要素および前記スイッチング装置の直列の組み合わせの両端に電圧が印加された場合に、前記高抵抗状態の前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布が、ディスターブを生じさせる前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布に重なったとしても、ディスターブを生じさせる前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布に重ならないような前記低抵抗状態の前記MTJ要素の両端の読み出し電圧の分布が与えられる、コンピュータ・プログラム。
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