JP5740878B2 - 記憶素子、メモリ装置 - Google Patents

Description

本発明は、強磁性層の磁化状態を情報として記憶する記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有し、電流を流すことにより記憶層の磁化の向きを変化させる記憶素子及びこの記憶素子を備えたメモリ装置に関する。

特開２００３−１７７８２号公報 米国特許第６２５６２２３号明細書 米国特許第７２４２０４５号明細書 特開２００８−２２７３８８号公報

PHYs. Rev. B,54.9353(1996) J. Magn. Mat.,159,L1(1996) F. J. Albert et al.,Appl. Phy. Lett.,77,3809(2000)

コンピュータ等の情報機器では、ランダム・アクセス・メモリとして、動作が高速で、高密度なＤＲＡＭが広く使われている。
しかし、ＤＲＡＭは電源を切ると情報が消えてしまう揮発性メモリであるため、情報が消えない不揮発のメモリが望まれている。

そして、不揮発メモリの候補として、磁性体の磁化で情報を記録する磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）が注目され、開発が進められている。

ＭＲＡＭは、ほぼ直交する２種類のアドレス配線（ワード線、ビット線）にそれぞれ電流を流して、各アドレス配線から発生する電流磁場によって、アドレス配線の交点にある磁気記憶素子の磁性層の磁化を反転して情報の記録を行うものである。

一般的なＭＲＡＭの模式図（斜視図）を図７に示す。
シリコン基板等の半導体基体１１０の素子分離層１０２により分離された部分に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域１０８、ソース領域１０７、並びにゲート電極１０１が、それぞれ形成されている。
また、ゲート電極１０１の上方には、図中前後方向に延びるワード線１０５が設けられている。
ドレイン領域１０８は、図中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域１０８には、配線１０９が接続されている。
そして、ワード線１０５と、上方に配置された、図中左右方向に延びるビット線１０６との間に、磁化の向きが反転する記憶層を有する磁気記憶素子１０３が配置されている。この磁気記憶素子１０３は、例えば磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）により構成される。
さらに、磁気記憶素子１０３は、水平方向のバイパス線１１１及び上下方向のコンタクト層１０４を介して、ソース領域１０７に電気的に接続されている。
ワード線１０５及びビット線１０６にそれぞれ電流を流すことにより、電流磁界を磁気記憶素子１０３に印加して、これにより磁気記憶素子１０３の記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うことができる。

そして、ＭＲＡＭ等の磁気メモリにおいて、記録した情報を安定に保持するためには、情報を記録する磁性層（記憶層）が、一定の保磁力を有していることが必要である。
一方、記録された情報を書き換えるためには、アドレス配線にある程度の電流を流さなければならない。
ところが、ＭＲＡＭを構成する素子の微細化に従い、アドレス配線も細くなるため、充分な電流が流せなくなってくる。

そこで、より少ない電流で磁化反転が可能な構成として、スピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリが注目されている（例えば、特許文献１、２、４、非特許文献１、２参照）。
スピン注入による磁化反転とは、磁性体の中を通過してスピン偏極した電子を、他の磁性体に注入することにより、他の磁性体において磁化反転を起こさせるものである。

例えば、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）や磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）に対して、その膜面に垂直な方向に電流を流すことにより、これらの素子の少なくとも一部の磁性層の磁化の向きを反転させることができる。

そして、スピン注入による磁化反転は、素子が微細化されても、電流を増やさずに磁化反転を実現することができる利点を有している。

上述したスピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリ装置の模式図を、図８及び図９に示す。図８は斜視図、図９は断面図である。
シリコン基板等の半導体基体６０の素子分離層５２により分離された部分に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域５８、ソース領域５７、並びにゲート電極５１が、それぞれ形成されている。このうち、ゲート電極５１は、図８中前後方向に延びるワード線を兼ねている。
ドレイン領域５８は、図８中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域５８には、配線５９が接続されている。
そして、ソース領域５７と、上方に配置された、図８中左右方向に延びるビット線５６との間に、スピン注入により磁化の向きが反転する記憶層を有する記憶素子５３が配置されている。
この記憶素子５３は、例えば磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）により構成される。記憶素子５３は２つの磁性層６１、６２を有する。この２層の磁性層６１，６２のうち、一方の磁性層を磁化の向きが固定された磁化固定層として、他方の磁性層を磁化の向きが変化する磁化自由層即ち記憶層とする。
また、記憶素子５３は、ビット線５６と、ソース領域５７とに、それぞれ上下のコンタクト層５４を介して接続されている。これにより、記憶素子５３に電流を流して、スピン注入により記憶層の磁化の向きを反転させることができる。

このようなスピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリ装置の場合、図７に示した一般的なＭＲＡＭと比較して、デバイス構造を単純化することができ、そのために高密度化が可能になるという特徴も有している。
また、スピン注入による磁化反転を利用することにより、外部磁界により磁化反転を行う一般的なＭＲＡＭと比較して、素子の微細化が進んでも、書き込みの電流が増大しないという利点がある。

ところで、ＭＲＡＭの場合は、記憶素子とは別に書き込み配線（ワード線やビット線）を設けて、書き込み配線に電流を流して発生する電流磁界により、情報の書き込み（記録）を行っている。そのため、書き込み配線に、書き込みに必要となる電流量を充分に流すことができる。
一方、スピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリ装置においては、記憶素子に流す電流によりスピン注入を行って、記憶層の磁化の向きを反転させる必要がある。
そして、このように記憶素子に直接電流を流して情報の書き込み（記録）を行うことから、書き込みを行うメモリセルを選択するために、記憶素子を選択トランジスタと接続してメモリセルを構成する。この場合、記憶素子に流れる電流は、選択トランジスタに流すことが可能な電流（選択トランジスタの飽和電流）の大きさに制限される。
このため、選択トランジスタの飽和電流以下の電流で書き込みを行う必要があり、スピン注入の効率を改善して、記憶素子に流す電流を低減する必要がある。

また、読み出し信号を大きくするためには、大きな磁気抵抗変化率を確保する必要があり、そのためには記憶層の両側に接している中間層をトンネル絶縁層（トンネルバリア層）とした記憶素子の構成にすることが効果的である。
このように中間層としてトンネル絶縁層を用いた場合には、トンネル絶縁層が絶縁破壊することを防ぐために、記憶素子に流す電流量に制限が生じる。この観点からも、スピン注入時の電流を抑制する必要がある。

この電流値を下げるためには、この電流値が記憶層の膜厚に比例し、記憶層の飽和磁化の２乗に比例するので、これら（膜厚や飽和磁化）を調節すれば良いことがわかる（例えば、非特許文献３参照)。
そして、例えば特許文献３には、記録材料の磁化量(Ｍｓ)を低減すれば、電流値を低減できることが示されている。

しかしながら、一方で、電流によって書き込まれた情報を記憶しなければ不揮発性メモリとはなり得ない。つまり、記憶層の熱揺らぎに対する安定性（熱安定性）の確保が必要である。
スピン注入による磁化反転を利用する記憶素子の場合、従来のＭＲＡＭと比較して、記憶層の体積が小さくなるので、単純に考えると熱安定性は低下する方向にある。
記憶層の熱安定性が確保されていないと、反転した磁化の向きが、熱により再反転してしまい、書き込みエラーとなってしまう。
そして、スピン注入による磁化反転を利用する記憶素子の大容量化を進めた場合、記憶素子の体積は一層小さくなるので、熱安定性の確保は重要な課題となる。
そのため、スピン注入による磁化反転を利用する記憶素子において、熱安定性は非常に重要な特性である。

従って、スピン注入により記憶層の磁化の向きを反転させる構成の記憶素子がメモリとして存在し得るためには、スピン注入による磁化反転に必要な電流をトランジスタの飽和電流以下に減らし、また、書き込まれた情報をしっかり保持する熱安定性を確保する必要がある。

以上のように、スピン注入による磁化反転に必要な電流を低減するには、記憶層の飽和磁化量Ｍｓを低減することや、記憶層を薄くすることが考えられる。例えば、上述の特許文献３のように、記憶層の材料に、飽和磁化量Ｍｓの低い材料を使用することが有効である。しかしながら、このように、単純に飽和磁化量Ｍｓの低い材料を用いた場合、情報をしっかりと保持する熱安定性を確保することができない。
そこで本発明においては、書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子、並びにこの記憶素子を有するメモリ装置を提供することを目的とする。

本発明の記憶素子は、界面磁気異方性エネルギーを起源とする膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する層構造を備え、上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされる。そして上記記憶層に接する上記絶縁層と、該絶縁層とは反対側で上記記憶層が接する他方の層は、少なくとも上記記憶層と接する界面が酸化膜で形成されており、さらに上記記憶層は、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれている。
また上記絶縁層及び上記他方の層は、少なくとも上記記憶層と接する界面の層がＭｇＯ膜で構成される。
また上記記憶層に含まれる非磁性金属はＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙのいずれかである。
また上記記憶層に含まれる酸化物はＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ−Ｏのいずれかである。
また上記記憶層に接する上記他方の層としてのキャップ層が設けられている層構造である。いわゆるシングル構造の場合である
或いは上記記憶層に接する上記他方の層としての第２の絶縁層が設けられ、該第２の絶縁層を介して第２の磁化固定層が設けられている層構造、いわゆるデュアル構造である。

また本発明の記憶素子は、界面磁気異方性エネルギーを起源とする膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する層構造を備え、上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされる。そして上記記憶層は、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれている。

本発明のメモリ装置は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、互いに交差する２種類の配線とを備え、記憶素子は上記本発明の記憶素子の構成であり、２種類の配線の間に記憶素子が配置され、これら２種類の配線を通じて、記憶素子に積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入されるものである。

上述の本発明の記憶素子の構成によれば、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、この記憶層に対して中間層を介して磁化固定層が設けられ、中間層が絶縁体から成り、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われるので、積層方向に電流を流してスピン偏極した電子を注入することによって情報の記録を行うことができる。
そして、記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいことにより、記憶層が受ける反磁界が低くなっており、記憶層の磁化の向きを反転させるために必要となる、書き込み電流量を低減することができる。
一方、記憶層の飽和磁化量を低減しなくても書き込み電流量を低減することができるため、記憶層の飽和磁化量を充分な量として、記憶層の熱安定性を充分に確保することが可能になる。
さらに、上記絶縁層及び上記他方の層は、少なくとも上記記憶層と接する界面の層がＭｇＯ膜等の酸化膜とされることは、強磁性体層である記憶層の上下界面が酸化膜と接する構成となるものである。この構成で、記憶層には、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれている。非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層の上下に酸化物が存在すると、保磁力および熱安定性が向上する。これは非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加されたことにより上下２つの酸化物層に接することで界面垂直磁気異方性の起源と考えられるＣｏ−ＯもしくはＦｅ−Ｏ結合が強化されたことに起因する。

また上述の本発明のメモリ装置の構成によれば、２種類の配線の間に記憶素子が配置され、これら２種類の配線を通じて記憶素子に積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入されるものであることにより、２種類の配線を通じて記憶素子の積層方向に電流を流してスピン注入による情報の記録を行うことができる。
また、記憶層の飽和磁化量を低減しなくても、記憶素子の書き込み電流量を低減することが可能になるため、記憶素子に記録された情報を安定して保持すると共に、メモリ装置の消費電力を低減することが可能になる。

本発明によれば、記憶層の飽和磁化量を低減しなくても、記憶素子の書き込み電流量を低減することが可能になるため、情報保持能力である熱安定性を充分に確保して、特性バランスに優れた記憶素子を構成することができる。
特に記憶層が両面で酸化膜に接し、また記憶層が、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれていることで、垂直磁気異方性が強化され、保磁力および熱安定性が向上する。
従って、安定して動作する、信頼性の高いメモリ装置を実現することができる。
また、書き込み電流を低減して、記憶素子に書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。従って、メモリ装置全体の消費電力を低減することが可能になる。

本発明の実施の形態のメモリ装置の概略構成の説明図である。 実施の形態の記憶素子の断面図である。 ０．０９×０．１８μｍサイズの記憶層のＣｏの量と、反転電流密度との関係を示した図である。 ０．０９×０．１８μｍサイズの記憶層のＣｏの量と、熱安定性の指標との関係を示した図である。 ５０ｎｍφサイズの記憶層のＣｏの量と、熱安定性の指標との関係を示した図である。 実施の形態の実験５の試料の層構造の説明図である。 従来のＭＲＡＭの構成を模式的に示した斜視図である。 スピン注入による磁化反転を利用したメモリ装置の概略構成の説明図である。 図８のメモリ装置の断面図である。

以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．実施の形態の記憶素子の概要＞
＜２．実施の形態の構成＞
＜３．実験＞

＜１．実施の形態の記憶素子の概要＞

まず、発明の実施の形態となる記憶素子の概要について説明する。
本発明の実施の形態は、前述したスピン注入により、記憶素子の記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うものである。
記憶層は、強磁性層等の磁性体により構成され、情報を磁性体の磁化状態（磁化の向き）により保持するものである。

詳しくは後述するが、記憶素子は、例えば図２（ａ）（ｂ）に一例を示す層構造とされ、少なくとも２つの磁性層としての記憶層１７、磁化固定層１５を備え、またその２つの磁性層の間の中間層としての絶縁層１６（トンネル絶縁層）を備える。

記憶層１７は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される。
磁化固定層１５は、記憶層１７に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する。
絶縁層１６は、非磁性体であって、記憶層１７と磁化固定層１５の間に設けられる。本実施の形態の場合、絶縁層１６は酸化膜、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜として形成される。
そして記憶層１７、絶縁層１６、磁化固定層１５を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる。

記憶層１７の上方、即ち記憶層１７において絶縁層１６とは反対側で上記記憶層が接する他方の層は、キャップ層１８（図２（ａ）の場合）や、上部絶縁層１６Ｕ（図２（ｂ）の場合）とされる。本実施の形態では、上記他方の層（例えばキャップ層１８）の少なくとも記憶層１７に接する面は酸化膜、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜として形成される。このため記憶層１７は、その上下界面の両方が酸化膜と接していることになる

スピン注入により磁性層（記憶層１７）の磁化の向きを反転させる基本的な動作は、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）もしくはトンネル磁気抵抗効果素子（ＭＴＪ素子）から成る記憶素子に対して、その膜面に垂直な方向に、ある閾値以上の電流を流すものである。このとき、電流の極性（向き）は、反転させる磁化の向きに依存する。
この閾値よりも絶対値が小さい電流を流した場合には、磁化反転を生じない。

スピン注入によって、磁性層の磁化の向きを反転させるときに、必要となる電流の閾値Ｉｃは、下記式（１）により表される。

ここで、Ａ：定数、α：スピン制動定数、η：スピン注入効率、Ｍｓ：飽和磁化量、Ｖ：記憶層の体積、Ｈｄ：実効的な反磁界である。

式（１）で表されるように、電流の閾値は、磁性層の体積Ｖ、磁性層の飽和磁化Ｍｓ、スピン注入効率η、スピン制動定数αを制御することにより、任意に設定することが可能である。

本実施の形態では、磁化状態により情報を保持することができる磁性層（記憶層１７）と、磁化の向きが固定された磁化固定層１５とを有する記憶素子を構成する。
メモリとして存在し得るためには、書き込まれた情報を保持することができなければならない。情報を保持する能力の指標として、熱安定性の指標Δ（＝ＫｕＶ／ｋ_BＴ）の値で判断される。このΔは、下記式（２）により表される。

ここで、Ｈｋ：実効的な異方性磁界、ｋ_B：ボルツマン定数、Ｔ：温度、Ｍｓ：飽和磁化量、Ｖ：記憶層の体積、Ｋｕは異方性エネルギーである。

実効的な異方性磁界Ｈｋには、形状磁気異方性、誘導磁気異方性、結晶磁気異方性等の影響が取り込まれており、単磁区のコヒーレントローテンションモデルを仮定した場合、保磁力と同等である。

熱安定性の指標Δと電流の閾値Ｉｃとは、トレードオフの関係になることが多い。そのため、メモリ特性を維持するには、これらの両立が課題となることが多い。

記憶層１７の磁化状態を変化させる電流の閾値は、実際には、例えば記憶層１７の厚さが２ｎｍであり、平面パターンが１００ｎｍ×１５０ｎｍの略楕円形のＴＭＲ素子において、＋側の閾値＋Ｉｃ＝＋０．５ｍＡであり、−側の閾値−Ｉｃ＝−０．３ｍＡであり、その際の電流密度は約３．５×１０⁶Ａ／ｃｍ²である。これらは、上記の式（１）にほぼ一致する。

これに対して、電流磁場により磁化反転を行う通常のＭＲＡＭでは、書き込み電流が数ｍＡ以上必要となる。
従って、スピン注入によって磁化反転を行う場合には、上述のように書き込み電流の閾値が充分に小さくなるため、集積回路の消費電力を低減させるために有効であることが分かる。
また、通常のＭＲＡＭで必要とされる、電流磁界発生用の配線（図１０の配線１０５）が不要となるため、集積度においても通常のＭＲＡＭに比較して有利である。

そして、スピン注入により磁化反転を行う場合には、記憶素子に直接電流を流して情報の書き込み（記録）を行うことから、書き込みを行うメモリセルを選択するために、記憶素子を選択トランジスタと接続してメモリセルを構成する。
この場合、記憶素子に流れる電流は、選択トランジスタで流すことが可能な電流（選択トランジスタの飽和電流）の大きさによって制限される。

選択トランジスタの飽和電流よりも、スピン注入による磁化反転の電流の閾値Ｉｃを小さくするためには、式（１）より、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓを減らせば良いことがわかる。
しかし、単純に飽和磁化量Ｍｓを減らした場合（例えば、特許文献３）には、記憶層１７の熱安定性が著しく損なわれ、メモリとしての機能を果せなくなる。
メモリを構成するためには、熱安定性の指標Δがある程度以上の大きさである必要がある。

そこで、本願の発明者等が種々の検討を行った結果、記憶層１７を構成する強磁性層として、例えばＣｏ−Ｆｅ−Ｂの組成を選定することにより、記憶層１７が受ける実効的な反磁界（Ｍeffective）の大きさが、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなることを見出した。
上述の強磁性材料を用いることにより、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さい構成となる。
これにより、記憶層１７が受ける反磁界を小さくすることができるので、式（２）により表される熱安定性Δを損ねることなく、式（１）中により表される電流の閾値Ｉｃを低減する効果が得られる。
さらに、発明者らは、上記の選定されたＣｏ−Ｆｅ−Ｂ組成の内、限られた組成範囲において、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂが膜面垂直方向に磁化し、それにより、Ｇｂｉｔクラスの容量を実現可能な極微小記憶素子においても十分な熱安定性が確保可能であることを見出した。
従って、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入型メモリにおいて熱安定性を保った状態で、低電流で情報の書き込みができる、という安定したメモリの形成を可能にする。

本実施の形態では、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さい構成、即ち、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓに対する実効的な反磁界の大きさの比の値を１より小さくする。

さらに、選択トランジスタの飽和電流値を考慮して、記憶層１７と磁化固定層１５との間の非磁性の中間層として、絶縁体から成るトンネル絶縁層（絶縁層１６）を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成する。
トンネル絶縁層を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成することにより、非磁性導電層を用いて巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を構成した場合と比較して、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができ、読み出し信号強度を大きくすることができるためである。

そして、特に、このトンネル絶縁層１６の材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いることにより、これまで一般的に用いられてきた酸化アルミニウムを用いた場合よりも、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができる。
また、一般に、スピン注入効率はＭＲ比に依存し、ＭＲ比が大きいほど、スピン注入効率が向上し、磁化反転電流密度を低減することができる。
従って、中間層であるトンネル絶縁層１６の材料として酸化マグネシウムを用い、同時に上記の記憶層１７を用いることにより、スピン注入による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。
これにより、ＭＲ比（ＴＭＲ比）を確保して、スピン注入による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。

このようにトンネル絶縁層１６を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜により形成する場合には、ＭｇＯ膜が結晶化していて、００１方向に結晶配向性を維持していることがより望ましい。

なお、本実施の形態において、記憶層１７と磁化固定層１５との間の絶縁層１６は、酸化マグネシウムとするが、中間層としては、他にも、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ₂、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＭｇＦ₂、ＣａＦ、ＳｒＴｉＯ₂、ＡｌＬａＯ₃、Ａｌ−Ｎ−Ｏ等の各種の絶縁体、誘電体、半導体を用いて構成することもできる。
但し本実施の形態の場合、少なくとも記憶層１７と接する界面は酸化膜とする。

トンネル絶縁層１６の面積抵抗値は、スピン注入により記憶層１７の磁化の向きを反転させるために必要な電流密度を得る観点から、数十Ωμｍ²程度以下に制御する必要がある。
そして、ＭｇＯ膜から成るトンネル絶縁層１６では、面積抵抗値を上述の範囲とするために、ＭｇＯ膜の膜厚を１．５ｎｍ以下に設定する必要がある。

また、記憶層１７の磁化の向きを、小さい電流で容易に反転できるように、記憶素子を小さくすることが望ましい。
従って、好ましくは、記憶素子の面積を０．０１μｍ²以下とする。

磁化固定層１５及び記憶層１７は、一方向の異方性を有していることが望ましい。
また、磁化固定層１５及び記憶層１７のそれぞれの膜厚は、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。

ここで本実施の形態の記憶層１７はＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層が主体であるが、これに非磁性金属：Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、酸化物：ＭｇＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ−Ｏの両方もしくは、一方が添加されている。
上下に酸化物層が配され、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層単層の場合と比較して、垂直磁気異方性が強化され、保磁力および熱安定性ＫｕＶ／ｋ_BＴが向上する。
これは非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加されたことにより上下２つの酸化物層に接することで界面垂直磁気異方性の起源と考えられるＣｏ−ＯもしくはＦｅ−Ｏ結合が強化されたことに起因する。

記憶素子のその他の構成は、スピン注入により情報を記録する記憶素子の従来公知の構成と同様とすることができる。

磁化固定層１５は、強磁性層のみにより、或いは反強磁性層と強磁性層の反強磁性結合を利用することにより、その磁化の向きが固定された構成とすることが出来る。
また、磁化固定層１５は、単層の強磁性層から成る構成、或いは複数層の強磁性層を非磁性層を介して積層した積層フェリピン構造とすることが出来る。
積層フェリピン構造の磁化固定層１５を構成する強磁性層の材料としては、Ｃｏ，ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＢ等を用いることができる。また、非磁性層の材料としては、Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ等を用いることができる。

反強磁性層の材料としては、ＦｅＭｎ合金、ＰｔＭｎ合金、ＰｔＣｒＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金、ＩｒＭｎ合金、ＮｉＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃等の磁性体を挙げることができる。
また、これらの磁性体に、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等の非磁性元素を添加して、磁気特性を調整したり、その他の結晶構造や結晶性や物質の安定性等の各種物性を調整したりすることができる。

また、記憶素子の膜構成は、記憶層１７が磁化固定層１５の下側に配置される構成でも、上側に配置される構成でも全く問題はない。さらには、磁化固定層１５が記憶層１７の上下に存在する、いわゆるデュアル構造でも全く問題ない。

なお、記憶素子の記憶層１７に記録された情報を読み出す方法としては、記憶素子の記憶層１７に薄い絶縁膜を介して、情報の基準となる磁性層を設けて、絶縁層１６を介して流れる強磁性トンネル電流によって読み出してもよいし、磁気抵抗効果により読み出してもよい。

＜２．実施の形態の構成＞

続いて、本発明の実施の形態の具体的構成について説明する。
本発明の一実施の形態としてのメモリ装置の概略構成図（斜視図）を図１に示す。
このメモリ装置は、互いに直交する２種類のアドレス配線（例えばワード線とビット線）の交点付近に、磁化状態で情報を保持することができる記憶素子３が配置されて成る。
即ち、シリコン基板等の半導体基体１０の素子分離層２により分離された部分に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域８、ソース領域７、並びにゲート電極１が、それぞれ形成されている。このうち、ゲート電極１は、図中前後方向に延びる一方のアドレス配線（例えばワード線）を兼ねている。
ドレイン領域８は、図中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域８には、配線９が接続されている。

そして、ソース領域７と、上方に配置された、図中左右方向に延びる他方のアドレス配線（例えばビット線）６との間に、記憶素子３が配置されている。この記憶素子３は、スピン注入により磁化の向きが反転する強磁性層から成る記憶層を有する。
また、この記憶素子３は、２種類のアドレス配線１，６の交点付近に配置されている。
この記憶素子３は、ビット線６と、ソース領域７とに、それぞれ上下のコンタクト層４を介して接続されている。
これにより、２種類のアドレス配線１，６を通じて、記憶素子３に上下方向の電流を流して、スピン注入により記憶層の磁化の向きを反転させることができる。

また、本実施の形態のメモリ装置の記憶素子３の断面図を図２（ａ）（ｂ）に示す。
まず図２（ａ）はいわゆるシングル構造の例であり、記憶素子３は、下層側から順に、下地層１４、磁化固定層１５、絶縁層１６、記憶層１７、キャップ層１８が積層されている。

この場合、スピン注入により磁化Ｍ１７の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層１５を設けている。
スピン注入型メモリにおいては、記憶層１７の磁化Ｍ１７と磁化固定層１５の磁化Ｍ１５の相対的な角度によって情報の「０」「１」を規定している。
記憶層１７と磁化固定層１５との間には、トンネルバリア層（トンネル絶縁層）となる絶縁層１６が設けられ、記憶層１７と磁化固定層１５とにより、ＭＴＪ素子が構成されている。また、磁化固定層１５の下には反強磁性層１９が設けられる。

記憶層１７は、磁化Ｍ１７の方向が膜面垂直方向に自由に変化する磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。磁化固定層１５は、磁化Ｍ１５が膜面垂直方向に固定された磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。
情報の記憶は一軸異方性を有する記憶層１７の磁化の向きにより行う。書込みは、膜面垂直方向に電流を印加し、スピントルク磁化反転を起こすことにより行う。このように、スピン注入により磁化の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層１５が設けられ、記憶層１７の記憶情報（磁化方向）の基準とされる。
本実施の形態では、記憶層１７、磁化固定層１５としてはＣｏ−Ｆｅ−Ｂを用いる。特に記憶層１７については、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂに非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された構造とされる。

磁化固定層１５は情報の基準であるので、記録や読み出しによって磁化の方向が変化してはいけないが、必ずしも特定の方向に固定されている必要はなく、記憶層１７よりも保磁力を大きくするか、膜厚を厚くするか、あるいは磁気ダンピング定数を大きくして記憶層１７よりも動きにくくすればよい。
磁化を固定する場合にはＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性体を磁化固定層１５に接触させるか、あるいはそれらの反強磁性体に接触した磁性体をＲｕ等の非磁性体を介して磁気的に結合させ、磁化固定層１５を間接的に固定しても良い。

次に図２（ｂ）は、実施の形態としてデュアル構造の層構造の例である。
記憶素子３は、下層側から順に、下地層１４、下部磁化固定層１５Ｌ、下部絶縁層１６Ｌ、記憶層１７、上部絶縁層１６Ｕ、上部磁化固定層１５Ｕ、キャップ層１８が積層されている。
即ち記憶層１７に対し、上下に絶縁層１６Ｕ、１６Ｌを介して磁化固定層１５Ｕ、１５Ｌが設けられる。
この場合も、記憶層１７、下部磁化固定層１５Ｌ、上部磁化固定層１５ＵとしてはＣｏ−Ｆｅ−Ｂを用いる。特に記憶層１７については、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂに非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された構造とされる。
下部絶縁層１６Ｌ、上部絶縁層１６ＵはＭｇＯ等の酸化膜で構成される。

なお、このようなデュアル構造においては磁化固定層１５Ｕ、１５Ｌの磁化方向が変化しない（上部磁化固定層１５Ｕの磁化Ｍ１５Ｕと下部磁化固定層１５Ｌの磁化Ｍ１５Ｌが逆向きになっている）ことが必須である。

以上の図２（ａ）（ｂ）の実施の形態においては、特に、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるように、記憶素子３の記憶層１７の組成が調整されている。
即ち、記憶層１７の強磁性材料Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ組成を選定し、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさを低くして、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるようにする。

さらに、本実施の形態において、中間層である絶縁層１６を、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層としている。この場合には、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を高くすることができる。
このようにＭＲ比を高くすることによって、スピン注入の効率を向上して、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要な電流密度を低減することができる。

本実施の形態において、図２（ａ）のシングル構造の場合、キャップ層１８は、少なくとも記憶層１７と接する界面はＭｇＯ膜等の酸化物で構成されている。また上記のように絶縁層１６もＭｇＯとされる。従ってＣｏ−Ｆｅ−Ｂを主とする記憶層１７は、その両面で酸化膜に接する構成となる。
図２（ｂ）のデュアル構造の場合、上部絶縁層１６Ｕと下部絶縁層１６Ｌは、少なくとも記憶層１７と接する界面はＭｇＯ膜等の酸化物で構成されている。従ってこの場合もＣｏ−Ｆｅ−Ｂを主とする記憶層１７は、その両面で酸化膜に接する構成となる。

本実施の形態の記憶素子３は、下地層１４からキャップ層１８までを真空装置内で連続的に形成して、その後エッチング等の加工により記憶素子３のパターンを形成することにより、製造することができる。

以上の本実施の形態によれば、記憶素子３の記憶層１７が、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるように構成されているので、記憶層１７が受ける反磁界が低くなっており、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要となる、書き込み電流量を低減することができる。
一方、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓを低減しなくても書き込み電流量を低減することができるため、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓを充分な量として、記憶層１７の熱安定性を充分に確保することが可能になる。

このように、情報保持能力である熱安定性を充分に確保することができるため、特性バランスに優れた記憶素子３を構成することができる。
特に記憶層１７が両面で酸化膜に接すること、及び記憶層１７がＣｏ−Ｆｅ−Ｂに非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された構造であることで垂直磁気異方性が増大し、保磁力の増大と熱安定性の点で一層有利となる。
これにより、動作エラーをなくして、記憶素子３の動作マージンを充分に得ることができ、記憶素子３を安定して動作させることができる。
従って、安定して動作する、信頼性の高いメモリ装置を実現することができる。

また、書き込み電流を低減して、記憶素子３に書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。
従って、本実施の形態の記憶素子３によりメモリセルを構成した、メモリ装置全体の消費電力を低減することが可能になる。
また従って、情報保持特性が優れた、安定して動作する信頼性の高いメモリ装置を実現することができ、記憶素子３を備えたメモリ装置において、消費電力を低減することができる。

また、図２（ａ）又は図３（ａ）に示した記憶素子３を備え、図１に示した構成のメモリ装置は、メモリ装置を製造する際に、一般の半導体ＭＯＳ形成プロセスを適用できるという利点を有している。
従って、本実施の形態のメモリ装置を、汎用メモリとして適用することが可能になる。

＜３．実験＞

ここで、本実施の形態の記憶素子の構成において、具体的に記憶層１７を構成する強磁性層の材料を選定することにより、記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさを調整して、記憶素子の試料を作製し、その特性を調べた。

実際のメモリ装置には、図１に示したように、記憶素子３以外にもスイッチング用の半導体回路等が存在するが、ここでは、記憶層１７の磁化反転特性を調べる目的で、記憶素子のみを形成したウェハにより検討を行った。
なお、以下の［実験１］〜［実験４］では、記憶層１７の強磁性材料Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ組成を選定し、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさを低くして、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるようにすることについて検討した。
そして［実験５］〜［実験６］では、記憶層１７の上下界面が酸化物に接すること、及び記憶層１７をＣｏ−Ｆｅ−Ｂ単層ではなく、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方を添加した構造の優位性について検討した。

［実験１］
厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に図２（ｂ）に示した構成の記憶素子３を形成した。
具体的には、図２（ｂ）に示した構成の記憶素子３において、各層の材料及び膜厚を次のように選定した。
・下地層１４：膜厚１０ｎｍのＴａ膜と膜厚２５ｎｍのＲｕ膜の積層膜
・磁化固定層１５：膜厚２．５ｎｍのＣｏＦｅＢ膜
・トンネル絶縁層１６：膜厚０．９ｎｍの酸化マグネシウム膜
・記憶層１７：磁化固定層と同じ組成のＣｏＦｅＢ膜
・キャップ層１８：膜厚３ｎｍのＴａ膜、膜厚３ｎｍのＲｕ膜、膜厚３ｎｍのＴａ膜の積層膜
このように各層を選定し、また下地層１４とシリコン基板との間に図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜（後述するワード線となるもの）を設けた。
上記膜構成で、記憶層１７の強磁性層は、材質をＣｏ−Ｆｅ−Ｂの３元系合金とし、強磁性層の膜厚を２．０ｎｍに固定した。

酸化マグネシウム膜から成る絶縁層１６以外の各層は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜から成る絶縁層１６は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
さらに、記憶素子３の各層を成膜した後に、磁場中熱処理炉で加熱処理を行った。

次に、ワード線部分をフォトリソグラフィによってマスクした後に、ワード線以外の部分の積層膜に対してＡｒプラズマにより選択エッチングを行うことにより、ワード線（下部電極）を形成した。
この際に、ワード線部分以外は、基板の深さ５ｎｍまでエッチングされた。

その後、電子ビーム描画装置により記憶素子３のパターンのマスクを形成し、積層膜に対して選択エッチングを行い、記憶素子３を形成した。記憶素子３部分以外は、ワード線のＣｕ層直上までエッチングした。
なお、特性評価用の記憶素子には、磁化反転に必要なスピントルクを発生させるために、記憶素子に充分な電流を流す必要があるため、トンネル絶縁層の抵抗値を抑える必要がある。そこで、記憶素子３のパターンを、短軸０．０９μｍ×長軸０．１８μｍの楕円形状として、記憶素子３の面積抵抗値（Ωμｍ²）が２０Ωμｍ²となるようにした。

次に、記憶素子３部分以外を、厚さ１００ｎｍ程度のＡｌ₂Ｏ₃のスパッタリングによって絶縁した。
その後、フォトリソグラフィを用いて、上部電極となるビット線及び測定用のパッドを形成した。
このようにして、記憶素子３の試料を作製した。

そして、上述の製造方法により、それぞれ記憶層１７の強磁性層のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成を変えた、記憶素子３の各試料を作製した。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、ＣｏＦｅとＢとの組成比（原子％）を８０：２０に固定して、ＣｏＦｅ中のＣｏの組成比ｘ（原子％）を、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、０％と変化させた。

以上、作製した記憶素子３の各試料に対して、それぞれ以下のようにして、特性の評価を行った。
測定に先立ち、反転電流のプラス方向とマイナス方向の値を対称になるように制御することを可能にするため、記憶素子３に対して、外部から磁界を与えることができるように構成した。
また、記憶素子３に印加される電圧が、絶縁層１６が破壊しない範囲内の１Ｖまでとなるように設定した。

（飽和磁化量の測定）
飽和磁化量Ｍｓを、試料振動型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer）を使用した、ＶＳＭ測定によって、測定した。

（実効的な反磁界の測定）
実効的な反磁界の測定用の試料として、上述した記憶素子３の試料とは別に、記憶素子３を構成する各層を形成し、これを２０ｍｍ×２０ｍｍ角の平面パターンに形成した試料を作製した。
そして、ＦＭＲ（Ferromagnetic Resonance）測定によって、実効的な反磁界の大きさＭeffectiveを求めた。
このＦＭＲ測定によって求められる、任意の外部磁場Ｈｅｘに対する共鳴周波数ｆＦＭＲは、下記の式（３）で与えられる。

ここで、式（３）中のＭeffectiveは、４πＭeffective＝４πＭｓ−Ｈ⊥（Ｈ⊥：膜面に垂直な方向の異方性磁界）で表すことができる。

（反転電流値及び熱安定性の測定）
本実施の形態による記憶素子３の書き込み特性を評価する目的で、反転電流値の測定を行った。
記憶素子３に１０μｓから１００ｍｓのパルス幅の電流を流して、その後の記憶素子３の抵抗値を測定した。
さらに、記憶素子３に流す電流量を変化させて、この記憶素子３の記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きが反転する電流値を求めた。この電流値のパルス幅依存性をパルス幅１ｎｓに外挿した値を、反転電流値とした。
また、反転電流値のパルス幅依存性の傾きは、記憶素子３の前述した熱安定性の指標（Δ）に対応する。反転電流値がパルス幅によって変化しない（傾きが小さい）ほど、熱の擾乱に強いことを意味する。
そして、記憶素子３間のばらつきを考慮するために、同一構成の記憶素子３を２０個程度作製して、上述の測定を行い、反転電流値及び熱安定性の指標Δの平均値を求めた。
さらに、測定により得られた反転電流値の平均値と、記憶素子３の平面パターンの面積とから、反転電流密度Ｊｃ０を算出した。

記憶素子３の各試料について、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成と、飽和磁化量Ｍｓ及び実効的な反磁界の大きさＭeffectiveの測定結果、さらに飽和磁化量と実効的な反磁界の大きさとの比Ｍeffective／Ｍｓを表１に示す。ここで、表１に記載の記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量ｘは原子％で示している。

表１から、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀のＣｏ量ｘが７０％以下の場合においては、実効的な反磁界の大きさ（Ｍeffective）は飽和磁化量Ｍｓよりも小さく、つまり、Ｃｏ量ｘが７０％以下のときの比Ｍeffective／はＭｓ、１．０より小さな値になっている。
さらに、Ｃｏ量ｘが小さくなるほど、ＭeffectiveとＭｓの差が大きくなっていることが確認できる。

反転電流値の測定結果を図４に示し、熱安定性の指標の測定結果を図５に示す。
図４は、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量ｘ（ＣｏＦｅ中の含有量；原子％）と、反転電流値から求めた反転電流密度Ｊｃ０との関係を示している。
図５は、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量（ＣｏＦｅ中の含有量；原子％）と、熱安定性の指標Δ（ＫｕＶ／ｋ_BＴ）との関係を示している。

図４より、Ｃｏ量ｘが小さくになるにつれて、反転電流密度Ｊｃ０が小さくなっていくことがわかる。
これは、Ｃｏ量ｘが小さくなった場合、飽和磁化量Ｍｓは増加するが実効的な反磁界Ｍeffectiveが小さくなるために、両者の積（Ｍｓ×Ｍeffective）としては小さくなることに起因する。

図５より、Ｃｏ量ｘが小さくなるにつれて、熱安定性の指標Δ（＝ＫｕＶ／ｋ_BＴ）が大きくなっていき、Ｃｏ量ｘがある程度以上小さくなると熱安定性の指標Δが大きい値で安定することが分かる。
これは、表１に示した飽和磁化量Ｍｓの測定結果と、式（２）より熱安定性の指標Δが飽和磁化量Ｍｓに比例することとから予想される変化とよく一致している。

表１、図４、図５の結果より、実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなる、Ｃｏ量ｘが７０％以下の組成において、Ｍｓを下げるといった熱安定性を犠牲にする手法を用いずに、高い熱安定性を有したまま、反転電流値Ｊｃ０を低減できることが明らかになった。

［実験２］
上記の［実験１］により、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀の場合、Ｃｏ量ｘが７０％以下の組成で高い熱安定性を有したまま、反転電流値Ｊｃ０を低減できることがわかった。
そこで、［実験２］において（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）₈₀Ｂ_z、および（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）₈₀Ｂ_z組成の記憶層１７を用いて、Ｂ量ｚがＣｏとＦｅの比とＭeffective／Ｍｓにどのような影響を与えるかを調べた。試料の詳細は［実験１]と同様である。

表２に（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）_100-zＢ_zで、Ｂ量ｚ（原子％）を５〜４０％としたＣｏＦｅＢ合金の組成と、飽和磁化量Ｍｓ及び実効的な反磁界の大きさＭeffectiveの測定結果、さらに飽和磁化量と実効的な反磁界の大きさとの比Ｍeffective／Ｍｓを示す。
また表３には、（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）_100-zＢ_zの場合で、同様に、Ｂ量ｚ（原子％）を５〜４０％としたＣｏＦｅＢ合金の組成と、飽和磁化量Ｍｓ、実効的な反磁界の大きさＭeffective、比Ｍeffective／Ｍｓを示している。

表２の結果より、（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）_100-zＢ_zのようにＣｏとＦｅの比を７０／３０で固定した場合、Ｂ量ｚ＝４０原子％以外の組成では実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなっていることが確認できる。

表３の結果より、（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）_100-zＢ_zのようにＣｏとＦｅの比を８０／２０で固定した場合、いずれの組成においても実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより大きくなっていることが確認できる。

上述の表１〜３の結果より、Ｂ量ｚが３０原子％以下の範囲であれば、飽和磁化量Ｍｓと実効的な反磁界Ｍeffectiveの大小関係はＣｏとＦｅの比で決定されることが明らかになった。
従って、記憶層１７の実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、
０≦Ｃｏ_x≦７０、
３０≦Ｆｅ_y≦１００、
０＜Ｂ_z≦３０において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである。

［実験３］
Ｇｂｉｔクラスのスピン注入型メモリでは、記憶素子のサイズが１００ｎｍφ以下になることが想定される。そこで、［実験３］において、５０ｎｍφのサイズの記憶素子を用いて、熱安定性を評価した。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、ＣｏＦｅとＢとの組成比（原子％）を８０：２０に固定して、ＣｏＦｅ中のＣｏの組成比ｘ（原子％）を、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、０％と変化させた。
素子サイズ以外の試料の詳細は［実験１］と同様である。

記憶素子３のサイズが５０ｎｍφの場合のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量（ＣｏＦｅ中の含有量；原子％）と熱安定性の指標Δ（ＫｕＶ／ｋ_BＴ）の関係を図６に示す。

図６より、素子サイズが５０ｎｍφになったことにより、熱安定性指数ΔのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成依存性が、図５に示した短軸０．０９μｍ×長軸０．１８μｍの楕円形状記憶素子で得られたΔのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成依存性から大きく変化したことが分かる。

図６によると、Ｆｅが６０原子％以上存在するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成の場合にのみ、高い熱安定性が保持されている。
種々の検討を行った結果、Ｆｅが６０原子％以上存在するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金が極微小な記憶素子において高い熱安定性Δを示す理由は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の磁化が膜面面直方向を向いていることに起因していることが明らかになった。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の磁化が膜面面直方向になっている理由は、実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより著しく小さい組成であることに起因していると思われる。
また、垂直磁化膜になると極微小素子においても熱安定性が保たれる理由は、式（２）中のＨｋ[実効的な異方性磁界]に関係しており、垂直磁化膜のＨｋは一般的に面内磁化膜よりも遥かに大きな値になる。つまり、垂直磁化膜では、大きなＨｋの効果により、面内磁化膜では十分な熱安定性Δを確保できない極微小な素子においても高い熱安定性Δを保つことが出来る。
上記の実験結果から、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀という組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金では、Ｆｅ_100-xが６０以上になる場合、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入を利用したメモリ装置に好適となるといえる。

［実験４］
上記［実験３］において、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀という組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金では、Ｆｅ量が６０以上になる場合、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入を利用したメモリ装置に好適となることを示した。［実験４］では、さらに、Ｂ量を５〜３０原子％の範囲のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金で５０ｎｍφのサイズの記憶素子を作製し、熱安定性を評価した。
素子サイズ以外の試料の詳細は［実験１］と同様である。

Ｃｏ量ｘ＝５０、４０、３０、２０、１０、０およびＢ量ｚ＝５、１０、２０、３０という範囲における（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）_100-zＢ_zという組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金と熱安定性の指標Δ（ＫｕＶ／ｋ_BＴ）の関係を表４に示す。

表４より、Ｃｏ量ｘ＝５０かつＢ量ｚ＝５〜３０の場合を除いたすべての組成において熱安定性Δが大きく保たれていることが分かる。
つまり、［実験４］の結果と同様に、Ｃｏ量ｘ＝５０と６０がＧｂｉｔクラスのスピン注入型メモリに対応した極微小素子で高い熱安定性を確保する際の境界線になることが明らかになった。

従って、上記の結果より、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成が、
０≦Ｃｏ_x≦４０、
６０≦Ｆｅ_y≦１００、
０＜Ｂ_z≦３０において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである場合、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入型メモリを作製するのに好適であることが判明した。

なおＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金は、ＣｏとＦｅ比のＦｅが大きい組成において、MeffectiveとMsの乖離が大きくなり、垂直磁化し易くなるため、熱安定性が確保し易くなる。
そのため、磁気メモリの容量が増加し、記憶素子３のサイズが小さくなったときはＦｅを多く含むＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の方が熱安定性を確保し易くなる。
そこで、例えば、Ｆｅ_yが６０、７０ｎｍφの記憶層１７でＧｂｉｔクラスのスピン注入型磁気メモリが実現できている状況を考えると、記憶素子３の直径が５ｎｍφ小さくなる毎にＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＦｅ量ｙは５ずつ増えた状態になっていることが望ましい。
例えばＦｅ量ｙは、上記の(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zの場合において、ＣｏＦｅ中の含有量としての原子％が６５％、７０％、７５％、８０％・・・という組成とする（Ｃｏ量ｘでいえば、３５％，３０％，２５％，２０％・・・とする）ことが、記憶素子サイズの縮小に応じてより好適な例となる。

［実験５］
続いて、以下の［実験５］〜［実験６］で、記憶層１７の上下界面が酸化物に接すること、及び記憶層１７をＣｏ−Ｆｅ−Ｂ単層ではなく、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方を添加した構造について検討した。

まず［実験５］では、試料（１）〜試料（２４）を用いた。試料（１）〜試料（２４）は、図２（ａ）の層構造の記憶素子３に相当する試料とした。
なお、試料（１）〜試料（２３）が本実施の形態の記憶素子３に相当し、試料（２４）は比較例とした。

試料（１）〜試料（２４）の具体的な層構造を図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）に示す。
各試料は上記実験１〜４と同様に、厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に図６（ａ）に示した構成の記憶素子３を形成した。

図６（ａ）のように、試料（１）〜試料（２４）の層構造は、次のとおりである。
・下地層１４：膜厚１０ｎｍのＴａ膜と膜厚２５ｎｍのＲｕ膜の積層膜
・磁化固定層１５：膜厚２ｎｍのＣｏＰｔ膜、膜厚０．８ｎｍのＲｕ膜、膜厚２．０ｎｍのＣｏＦｅＢ膜の積層膜
・絶縁層１６：膜厚０．９ｎｍの酸化マグネシウム膜
・記憶層１７：ＣｏＦｅＢ膜と各種の膜厚の非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方の積層膜でトータル膜厚２．０ｎｍ
・キャップ層１８：膜厚０．８ｎｍの酸化物、膜厚３ｎｍのＴａ膜、３ｎｍのＲｕ膜、膜厚３ｎｍのＴａ膜の積層膜

試料（１）〜試料（２３）において、ＣｏＦｅＢを主とする記憶層１７には、非磁性金属としてのＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、酸化物としてのＭｇＯ，ＳｉＯ₂，Ａｌ−Ｏの一方又は両方を添加した。

試料（１）〜（４），（１６）〜（２１）については、図６（ｂ）のように、記憶層１７を、ＣｏＦｅＢ膜とＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ膜とＣｏＦｅＢ膜の積層構造とした。後述する表５に示すが、試料（１）〜（４）のそれぞれは、記憶層１７としてのトータル膜厚２．０ｎｍのうちで、Ｔａ膜の膜厚を、０．１ｎｍ、０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．４ｎｍとした。また、試料（１６）〜（２１）のそれぞれは、記憶層１７としてのトータル膜厚２．０ｎｍのうちで、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ膜の膜厚を、０．１ｎｍとした。

試料（５）〜（１１）については、図６（ｃ）のように、記憶層１７を、ＣｏＦｅＢ膜とＴａ膜とＭｇＯ膜とＣｏＦｅＢ膜の積層構造とした。試料（５）〜（１１）のそれぞれは、記憶層１７としてのトータル膜厚２．０ｎｍのうちで、Ｔａ膜、ＭｇＯ膜の膜厚を変化させた。
試料（５）はＭｇＯ膜：０．１ｎｍ、Ｔａ膜：０．１ｎｍである。
試料（６）はＭｇＯ膜：０．１５ｎｍ、Ｔａ膜：０．１５ｎｍである。
試料（７）はＭｇＯ膜：０．１ｎｍ、Ｔａ膜：０．２ｎｍである。
試料（８）はＭｇＯ膜：０．２ｎｍ、Ｔａ膜：０．１ｎｍである。
試料（９）はＭｇＯ膜：０．２ｎｍ、Ｔａ膜：０．２ｎｍである。
試料（１０）はＭｇＯ膜：０．２５ｎｍ、Ｔａ膜：０．１５ｎｍである。
試料（１１）はＭｇＯ膜：０．１５ｎｍ、Ｔａ膜：０．２５ｎｍである。

試料（１２）〜（１５），（２２）〜（２３）については、図６（ｄ）のように、記憶層１７を、ＣｏＦｅＢ膜とＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ−Ｏ膜とＣｏＦｅＢ膜の積層構造とした。後述する表５に示すが、試料（１２）〜（１５）のそれぞれは、記憶層１７としてのトータル膜厚２．０ｎｍのうちで、ＭｇＯ膜の膜厚を、０．１ｎｍ、０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．４ｎｍとした。また、試料（２２）〜（２３）のそれぞれは、記憶層１７としてのトータル膜厚２．０ｎｍのうちで、ＳｉＯ₂、Ａｌ−Ｏ膜の膜厚を、０．１ｎｍとした。

各試料は以上の構造としたうえ、下地層１４とシリコン基板との間に図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜（後述するワード線となるもの）を設けて、各層を形成した。
酸化マグネシウム膜から成る絶縁層１６以外の各層は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜から成る絶縁層１６は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
磁化固定層１５は積層フェリカップリングしており、その結合強度は５ｋＯｅ程度である。
さらに、記憶素子３の各層を成膜した後に、磁場中熱処理炉で加熱処理を行った。

次に、ワード線部分をフォトリソグラフィによってマスクした後に、ワード線以外の部分の積層膜に対してＡｒプラズマにより選択エッチングを行うことにより、ワード線（下部電極）を形成した。この際に、ワード線部分以外は、基板の深さ５ｎｍまでエッチングされた。
その後、電子ビーム描画装置により記憶素子３のパターンのマスクを形成し、積層膜に対して選択エッチングを行い、記憶素子３としての各試料を形成した。記憶素子３部分以外は、ワード線のＣｕ層直上までエッチングした。
なお、特性評価用の記憶素子には、磁化反転に必要なスピントルクを発生させるために、記憶素子に充分な電流を流す必要があるため、トンネル絶縁層の抵抗値を抑える必要がある。そこで、記憶素子３のパターンを、短軸０．０５μｍ×長軸０．０５μｍの楕円形状として、記憶素子３の面積抵抗値（Ωμｍ²）が２０Ωμｍ²となるようにした。

次に、記憶素子３部分以外を、厚さ１００ｎｍ程度のＡｌ₂Ｏ₃のスパッタリングによって絶縁した。その後、フォトリソグラフィを用いて、上部電極となるビット線及び測定用のパッドを形成した。
このようにして、記憶素子３の各試料を作製した。
磁化固定層１５、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、（Ｃｏ３０％−Ｆｅ７０％）８０％−Ｂ２０％（いずれも原子％）とした。
なお、比較例としての試料（２４）は、図６（ｅ）のように、記憶層１７を２ｎｍ厚のＣｏＦｅＢ単層とした。

（磁化曲線の測定）
各試料の磁化曲線を、試料振動型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer）を使用した、ＶＳＭ測定によって、測定した。このとき、測定には微細加工後の素子ではなく、ウェハ上に磁化曲線評価用に特別に設けた８ｍｍ×８ｍｍ程度のバルクフィルム部分を用いた。また測定磁界は、膜面垂直方向に印加した。

（熱安定性の測定）
記憶素子３の熱安定性を評価する目的で、反転電流値の測定を行った。
各試料に１０μｓから１００ｍｓのパルス幅の電流を流して、その後の各試料の抵抗値を測定した。反転電流値のパルス幅依存性の傾きは、各試料の前述した熱安定性の指標（Δ）に対応する。反転電流値がパルス幅によって変化しない（傾きが小さい）ほど、熱の擾乱に強いことを意味する。
そして、試料個体毎のばらつきを考慮するために、同一構成の各試料を２０個程度作製して、上述の測定を行い、反転電流値及び熱安定性の指標Δの平均値を求めた。

ＶＳＭにより得られた、記憶層１７を有する各試料（１）〜（２４）の保磁力を表５に示す。

この表５からわかるように、記憶層１７の上下が酸化物（ＭｇＯ）とされ、記憶層１７に非磁性金属が添加された試料（１）〜試料（４）、試料（１６）〜試料（２１）のうち、試料（１）〜試料（３）、試料（１６）〜試料（２１）で、比較例の試料（２４）より高い保磁力が得られている。
また記憶層１７の上下が酸化物（ＭｇＯ）とされ、記憶層１７に酸化物ＭｇＯと非磁性金属Ｔａが添加された試料（５）〜試料（１１）のうち、試料（５）〜試料（８）で、比較例の試料（２４）より高い保磁力が得られている。
また記憶層１７の上下が酸化物（ＭｇＯ）とされ、記憶層１７に酸化物ＭｇＯが添加された試料（１２）〜試料（１５）、試料（２２）、試料（２３）のうち、試料（１２）〜試料（１４）、試料（２２）、試料（２３）で、比較例の試料（２４）より高い保持力が得られている。

つまり、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７を用いた試料では、記憶層１７の上下に酸化物が存在し、かつ添加物の体積比率が一定値以下の場合に保磁力が得られる。
ここで、ＣｏＦｅＢ単層の記憶層１７を用いた試料（２４）と、保磁力が得られた非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７を用いた試料（１）〜試料（３）、試料（１６）〜試料（２１）、試料（５）〜試料（８）、試料（１２）〜試料（１４）、試料（２２）、試料（２３）の保磁力およびＫｕＶ／ｋ_BＴを比較すると、保磁力が得られる条件を満たした場合、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７を用いた記憶素子３の方が明確に大きな保磁力、ＫｕＶ／ｋ_BＴになっていることが分かる。

このことから本実施の形態の構成、すなわち、上下に酸化物が存在し、かつ、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７を用いた記憶素子３は垂直磁気異方性が強化され、高い保磁力、ＫｕＶ／ｋ_BＴを実現するのに好適な構成といえる。

非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７の上下に酸化物が存在すると、保磁力およびＫｕＶ／ｋ_BＴが向上する原因は、記憶層１７が上下で酸化物と接することにより、ＣｏもしくはＦｅがＭｇＯの酸素と結合する機会が増大し、軌道の混成に起因する垂直磁気異方性がより強くなったためと考えられる。
非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方を添加した記録層１７でＣｏＦｅＢ単層を用いた記録層１７より保磁力が大きくなる原因は、ＣｏＦｅＢ単層の場合、単一の磁性層に上下から異なる軌道混成に起因した垂直磁気異方性が誘起されたため、全体としてみたときには垂直磁気異方性を強化する力が有効に活用することが出来ないためであると推察される。
これに対して、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７の場合は、ＣｏＦｅＢと異なる材料が記憶層１７中に存在することより、上下から異なる異方性が誘起されても異層が垂直磁気異方性の相違を緩和してくれるために、ＣｏもしくはＦｅがＭｇＯの酸素と結合する機会が増大し、より効率的に垂直磁気異方性は強化されるものと推察される。

［実験６］
次に、上記表５中の試料（１）〜試料（３）、試料（５）〜試料（８）、試料（１２）〜試料（１４）の記憶層１７材料を用いて、図２（ｂ）に示した記憶素子３のように記憶層１７の上下に磁化固定層（１５Ｕ、１５Ｌ）が存在するデュアルＭＴＪ構造試料を作製した。
上部磁化固定層１５Ｕには膜厚２ｎｍのＣｏＦｅＢと膜厚１５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ層の積層膜を用いた。
２つの絶縁層１６Ｕ、１６Ｌは膜厚に差がつけてあり、トータルのＲＡは３０Ωμｍ²になるように調整してある。
基本的な素子作製プロセス、諸測定は上記［実験５］と同様である

上記［実験５］と同様の測定を行った結果を表６に示す。なお試料（１）〜試料（３）、試料（５）〜試料（８）、試料（１２）〜試料（１４）と同様の記憶層構造でデュアル構造とした試料を、試料（１’）〜試料（３’）、試料（５’）〜試料（８’）、試料（１２’）〜試料（１４’）として示した。

デュアル構造の場合も、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７を用いた試料では高い保磁力およびＫｕＶ／ｋＢＴになっている。
ここで、重要なことは、垂直磁気異方性は記憶層１７および近接する材料に大きく依存することから、デュアルＭＴＪを作製する場合、２枚の酸化物に挟まれることになる記憶層１７の材料には、２枚の酸化物で挟まれたときに保磁力が大きくなる材料を用いたほうが、より良好なＫｕＶ／ｋＢＴを得ることが出来る点である。
その観点から言って、表６に示した各試料の構成、すなわち、上下に酸化物が存在し、かつ、非磁性金属、酸化物の両方もしくは一方が添加された記憶層１７を用いた記憶素子３はデュアルＭＴＪにおいて垂直磁気異方性が強化され、高い保磁力、ＫｕＶ／ｋ_BＴを実現するのに好適な構成といえる。

以上の［実験５］〜［実験６］から、記憶層１７を構成するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に非磁性金属：Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、酸化物：ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ−Ｏの両方もしくは、一方が添加されていること、及び記憶層１７の上下には酸化物が存在することが、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層単層の記憶層の場合と比較して、垂直磁気異方性が強化され、保磁力および熱安定性ＫｕＶ／ｋ_BＴが向上することがわかった。
またシングルＭＴＪのみならず、デュアルＭＴＪにも適応可能である。

以上実施の形態について説明してきたが、本発明では、上述の実施の形態で示した記憶素子３の層構成に限らず、様々な層構成を採用することが可能である。
例えば実施の形態では、記憶層１７と磁化固定層１５のＣｏ−Ｆｅ−Ｂの組成を同一のものとしたが、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
また、下地層１４やキャップ層１８は、単一材料でも複数材料の積層構造でも良い。
また磁化固定層１５は、単層でも、２層の強磁性層と非磁性層から成る積層フェリピン構造を用いても良い。また積層フェリピン構造膜に反強磁性膜を付与した構造でもよい。

３ 記憶素子、１４ 下地層、１５ 磁化固定層、１５Ｕ 上部磁化固定層、１５Ｌ 下部磁化固定層、１６ 絶縁層、１６Ｕ 上部絶縁層、１６Ｌ 下部絶縁層、１７ 記憶層、１８ キャップ層、１９ 反強磁性層、１９Ｕ 上部反強磁性層、１９Ｌ 下部反強磁性層

Claims (9)

1. 界面磁気異方性エネルギーを起源とする膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
   上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
   上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層と、
   を有する層構造を備え、
   上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、
   上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされ、
   上記記憶層に接する上記絶縁層と、該絶縁層とは反対側で上記記憶層が接する他方の層は、少なくとも上記記憶層と接する界面が酸化膜で形成されており、
   さらに上記記憶層は、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれている記憶素子。
2. 上記絶縁層及び上記他方の層は、少なくとも上記記憶層と接する界面の層がＭｇＯ膜で構成される請求項１に記載の記憶素子。
3. 上記記憶層に含まれる非磁性金属はＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙのいずれかである請求項２に記載の記憶素子。
4. 上記記憶層に含まれる酸化物はＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ−Ｏのいずれかである請求項２に記載の記憶素子。
5. 上記記憶層に接する上記他方の層としてのキャップ層が設けられている層構造である請求項１に記載の記憶素子。
6. 上記記憶層に接する上記他方の層としての第２の絶縁層が設けられ、該第２の絶縁層を介して第２の磁化固定層が設けられている層構造である請求項１に記載の記憶素子。
7. 界面磁気異方性エネルギーを起源とする膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
   上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
   上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層と、
   を有する層構造を備え、
   上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、
   上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされ、
   上記記憶層は、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれている記憶素子。
8. 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、
   互いに交差する２種類の配線とを備え、
   上記記憶素子は、
   界面磁気異方性エネルギーを起源とする膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する層構造を備え、上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされ、上記記憶層に接する上記絶縁層と、該絶縁層とは反対側で上記記憶層が接する他方の層は、少なくとも上記記憶層と接する界面が酸化膜で形成されており、さらに上記記憶層は、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれている構成とされ、
   上記２種類の配線の間に上記記憶素子が配置され、
   上記２種類の配線を通じて、上記記憶素子に上記積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入されるメモリ装置。
9. 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、
   互いに交差する２種類の配線とを備え、
   上記記憶素子は、
   界面磁気異方性エネルギーを起源とする膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する層構造を備え、上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされ、さらに上記記憶層は、上記絶縁層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層及び上記他方の層側の界面と接するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層に加え、上記２つのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層間に非磁性金属層と酸化物層の両方が含まれている構成とされ、
   上記２種類の配線の間に上記記憶素子が配置され、
   上記２種類の配線を通じて、上記記憶素子に上記積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入されるメモリ装置。

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