JP5732071B2 - 複数の反射ファセット要素を有する光学要素 - Google Patents
複数の反射ファセット要素を有する光学要素 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5732071B2 JP5732071B2 JP2012543559A JP2012543559A JP5732071B2 JP 5732071 B2 JP5732071 B2 JP 5732071B2 JP 2012543559 A JP2012543559 A JP 2012543559A JP 2012543559 A JP2012543559 A JP 2012543559A JP 5732071 B2 JP5732071 B2 JP 5732071B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- facet
- reflective
- optical element
- optical unit
- illumination optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 237
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 97
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 74
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 57
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 9
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0927—Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/0977—Reflective elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
- G02B7/182—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors
- G02B7/1822—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors comprising means for aligning the optical axis
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Description
5 反射面
9 回転軸
Claims (21)
- EUVマイクロリソグラフィ投影露光装置(323)の照明光学ユニット(325)に使用するための光学要素(331,431)であって、
複数の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)を含み、
少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)が、少なくとも1つの第1の反射面(5,505,605,793,794,805)及び1つの第2の反射面(5,505,605,793,794,805)を有し、かつ回転軸(9,409,509,609,709,809)の回りに回転可能な方式で配置される、
ことを特徴とする光学要素(331,431)。 - 前記回転軸(9,409,509,609,709,809)は、前記第1の反射面(5,505,605,793,794,805)に対する第1の法線ベクトル(7,407,507,707a,707b)との第1の角度、及び前記第2の反射面(5,505,605,793,794,805)に対する第2の法線ベクトル(7,407,507,707a,707b)との第2の角度を形成し、該第1の角度と該第2の角度は、1°よりも大きく異なる、
ことを特徴とする請求項1に記載の光学要素(331,431)。 - 前記第1及び前記第2の反射面(5,505,605,793,794,805)は、異なる反射率を有する、
ことを特徴とする請求項1から請求項2のいずれか1項に記載の光学要素(331,431)。 - EUVマイクロリソグラフィ投影露光装置(323)の照明光学ユニット(325)に使用するための光学要素(331,431)であって、
各々が少なくとも1つの反射面(5,505,605,793,794,805)を有する複数のファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)を含み、
少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)は、回転軸(9,409,509,609,709,809)の回りに回転可能な方式で配置され、該回転軸(9,409,509,609,709,809)は、該ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)の前記少なくとも1つの反射面(5,505,605,793,794,805)と交差する、
ことを特徴とする光学要素(331,431)。 - 前記少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)が、2つの回転終端位置(13,15)の間でのみ回転可能であるように設計される、
ことを特徴とする請求項4に記載の光学要素(331,431)。 - 前記少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)は、担体要素(3,403,503)に回転可能な方式で配置され、担体要素(3,403,503)及びファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)の各々は、前記回転終端位置(13,15)を定義する終端止め(19,219a,219b)を有する、
ことを特徴とする請求項5に記載の光学要素(331,431)。 - 前記少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)の前記反射面(5,505,605,793,794,805)は、法線ベクトル(7,407,507,707a,707b)を有し、その方向は、該反射面(5,505,605,793,794,805)の向きを空間的に定義し、該法線ベクトル(7,407,507,707a,707b)と前記回転軸(9,409,509,609,709,809)の間の角度は、ゼロとは異なる、
ことを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の光学要素(331,431)。 - 前記少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)の前記反射面(5,505,605,793,794,805)は、法線ベクトル(7,407,507,707a,707b)を有し、その方向は、該反射面(5,505,605,793,794,805)の向きを空間的に定義し、該法線ベクトル(7,407,507,707a,707b)と前記回転軸(9,409,509,609,709,809)の間の角度は、20°よりも小さい、
ことを特徴とする請求項4から請求項7のいずれか1項に記載の光学要素(331,431)。 - 前記少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)は、前記回転軸(9,409,509,609,709,809)の回りの回転に向けてアクチュエータ(332,334)に接続される、
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光学要素(331,431)。 - EUVマイクロリソグラフィ投影露光装置(323)に使用するための照明光学ユニット(325)であって、
請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光学要素(331,431)、
を含むことを特徴とする照明光学ユニット(325)。 - 複数の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)を有する光学要素(331,431)を含むEUVマイクロリソグラフィ投影露光装置に使用するための照明光学ユニットであって、
少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)が、少なくとも1つの第1の反射面(5,505,605,793,794,805)及び1つの第2の反射面(5,505,605,793,794,805)を有し、かつ回転軸(9,409,509,609,709,809)の回りに回転可能な方式で配置され、
光学要素(331,431)が、照明光学ユニットの作動中に放射線が前記ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)の第1の回転位置において前記第1の反射面(5,505,605,793,794,805)にのみ印加され、かつ第2の回転位置において前記第2の反射面(5,505,605,793,794,805)にのみ印加されるような方法で具現化される、
ことを特徴とする照明光学ユニット。 - 前記第1の反射面(5,505,605,793,794,805)は、前記第1の回転位置において第1の法線ベクトル(707a)を有し、
前記第2の反射面(5,505,605,793,794,805)は、前記第2の回転位置において第2の法線ベクトル(707b)を有し、前記第1及び該第2の法線ベクトル(707a,707b)は、1°よりも大きい角度を形成する、
ことを特徴とする請求項11に記載の照明光学ユニット。 - 前記第1及び前記第2の反射面(5,505,605,793,794,805)は、異なる反射率を有する、
ことを特徴とする請求項11から請求項12のいずれか1項に記載の照明光学ユニット。 - 測定系(342)と、該測定系(342)にかつ前記少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)を前記回転軸(9,409,509,609,709,809)の回りに回転させるためのアクチュエータ(332,334)に該アクチュエータ(332,334)を該測定系(342)の信号に基づいて駆動することができるように信号接続された制御系(344)とを含む、
ことを特徴とする請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の照明光学ユニット。 - 前記測定系(342)は、物体視野(341,441)での角度依存強度分布を測定するように設計される、
ことを特徴とする物体平面(343)内の物体視野(341,441)を照明するための請求項14に記載の照明光学ユニット。 - 物体平面(343)内の物体視野(341,441)を照明するための照明光学ユニット(325)であって、
少なくとも1つの第1の及び1つの第2の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)を有する第1の光学要素(327,427)と、少なくとも1つの第1の及び1つの第2の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)を有する第2の光学要素(331,431)とを含み、
前記第2の光学要素(331,431)は、該第2の光学要素(331,431)の前記反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)のうちの少なくとも1つが、照明光学ユニットの作動中にそれが前記第1の光学要素(327,427)の該第1の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)から射出する放射線ビームを物体視野(341,441)の方向に向ける第1の位置と、照明光学ユニットの作動中にそれが該第1の光学要素(327,427)の該第2の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)から射出する放射線ビームを該物体視野(341,441)の方向に向ける第2の位置とを取ることができるような方法で具現化され、
前記第2の光学要素(331,431)は、請求項1から請求項3のいずれか1項に従って実具現化される、
ことを特徴とする照明光学ユニット(325)。 - 前記第2の光学要素(331,431)は、該第2の光学要素(331,431)の前記反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)のうちの少なくとも1つが、前記物体視野の方向にどの放射線ビームも向けない第3の位置を取ることができるような方法で具現化される、
ことを特徴とする請求項16に記載の照明光学ユニット。 - 前記第1の光学要素(327,427)は、該第1の光学要素(327,427)の前記反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)のうちの少なくとも1つが、照明光学ユニットの作動中にそれが前記第2の光学要素(331,431)の該第1の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)上に放射線を向ける第1の位置と、照明光学ユニットの作動中にそれが該第2の光学要素(331,431)の該第2の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)上に放射線を向ける第2の位置とを取ることができるような方法で具現化される、
ことを特徴とする請求項17に記載の照明光学ユニット。 - 請求項10から請求項15のいずれか1項に記載の照明光学ユニット(325)、
を含むことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置(323)。 - 物体視野(341,441)の場所での放射線の角度依存強度分布を変更する方法であって、
角度依存強度分布が、請求項10から請求項14のいずれか1項に記載の照明光学ユニット(325)を用いて生成され、
前記照明光学ユニットの作動中に、複数の放射線ビームが複数の反射ファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)での反射の後に生じるように、放射線が、光学要素(327,427)上に入射し、
前記少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)は、少なくとも1つの放射線ビームの反射角及び/又は強度が変化するように回転軸(9,409,509,609,709,809)の回りに回転される、
ことを特徴とする方法。 - 請求項20に記載の角度依存強度分布を変更する方法であって、
a.物体視野(341,441)の場所での角度依存強度分布を測定する段階、
b.前記物体視野(341,441)の場所での前記角度依存強度分布が変化するように、前記測定に基づいて少なくとも1つのファセット要素(1,201,333,401,433,501,601,801)を回転させる段階、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009054888A DE102009054888A1 (de) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen |
DE102009054888.2 | 2009-12-17 | ||
PCT/EP2010/067520 WO2011082872A1 (de) | 2009-12-17 | 2010-11-16 | Optisches element mit einer mehrzahl von reflektiven facettenelementen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013514639A JP2013514639A (ja) | 2013-04-25 |
JP5732071B2 true JP5732071B2 (ja) | 2015-06-10 |
Family
ID=43903392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012543559A Expired - Fee Related JP5732071B2 (ja) | 2009-12-17 | 2010-11-16 | 複数の反射ファセット要素を有する光学要素 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9063336B2 (ja) |
JP (1) | JP5732071B2 (ja) |
KR (1) | KR101418193B1 (ja) |
DE (1) | DE102009054888A1 (ja) |
WO (1) | WO2011082872A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008000967B4 (de) * | 2008-04-03 | 2015-04-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
CN102385082B (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-29 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种用于euv光刻系统的复眼反射镜制作方法 |
DE102011086345A1 (de) * | 2011-11-15 | 2013-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel |
DE102012005546A1 (de) | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikrospiegelanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Mikrospiegelanordnung |
DE102012209412A1 (de) * | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Verfahren und optische Messvorrichtung zum Messen von Winkellagen von Facetten zumindest eines Facettenspiegels für EUV-Anwendungen |
DE102013203364A1 (de) | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektierende Beschichtung mit optimierter Dicke |
DE102014216801A1 (de) | 2014-08-25 | 2016-02-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
DE102016213561A1 (de) * | 2016-07-25 | 2018-01-25 | Trumpf Laser Gmbh | Optische Anordnung mit scheibenförmigem laseraktiven Medium |
DE102018207410A1 (de) | 2018-05-14 | 2019-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
DE102019214269A1 (de) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage |
DE102022209214A1 (de) | 2022-09-05 | 2024-03-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4738499A (en) * | 1985-06-12 | 1988-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stationary hologram scanner |
US4793672A (en) * | 1987-04-08 | 1988-12-27 | Compugraphic Corporation | Constant deviation scanning apparatus |
JP2771593B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1998-07-02 | 富士通株式会社 | 光走査装置 |
JP3132707B2 (ja) * | 1994-06-07 | 2001-02-05 | 日本電信電話株式会社 | 光ビーム偏向装置 |
DE10053587A1 (de) | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
US6292285B1 (en) * | 1999-12-20 | 2001-09-18 | Xerox Corporation | Single rotating polygon mirror with v-shaped facets for a multiple beam ROS |
US6580849B2 (en) * | 2001-01-05 | 2003-06-17 | Agilent Technologies, Inc. | Optical switch incorporating stepped faceted mirrors |
US7129601B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-10-31 | Gsi Group Corporation | Apparatus for controlled movement of an element |
US6798494B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-09-28 | Euv Llc | Apparatus for generating partially coherent radiation |
WO2003040796A1 (en) | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Tilting mirror |
DE10205425A1 (de) * | 2001-11-09 | 2003-05-22 | Zeiss Carl Smt Ag | Facettenspiegel mit mehreren Spiegelfacetten |
JP4387198B2 (ja) * | 2002-02-09 | 2009-12-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 多数の鏡面を有する面鏡 |
JP2003255092A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Nikon Corp | 多面反射鏡の製造方法、多面反射鏡および投影露光装置 |
DE10219514A1 (de) | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
US7246909B2 (en) | 2003-01-24 | 2007-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for the production of a facetted mirror |
JP4356695B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2009-11-04 | 株式会社ニコン | 照明光学系、投影露光装置、マイクロデバイスの製造方法 |
US7136214B2 (en) * | 2004-11-12 | 2006-11-14 | Asml Holding N.V. | Active faceted mirror system for lithography |
DE102006020734A1 (de) | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102006059024A1 (de) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil |
DE102007061194A1 (de) | 2006-12-18 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Mikro-Lithografie, Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikro-Lithografie, Verfahren zur Korrektur der Elliptizität und/oder der Uniformität innerhalb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie mit dem Herstellungsverfahren hergestelltes Bauteil |
WO2008095695A2 (de) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
DE102007008448A1 (de) | 2007-02-19 | 2008-08-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung von Spiegelfacetten für einen Facettenspiegel |
WO2008131930A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Mirror matrix for a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102008040742A1 (de) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung |
JP5326259B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2009100856A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography |
JP2009244120A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Dkk Toa Corp | 光反射装置 |
DE102008001511A1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
DE102011004615A1 (de) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
-
2009
- 2009-12-17 DE DE102009054888A patent/DE102009054888A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-11-16 JP JP2012543559A patent/JP5732071B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-16 WO PCT/EP2010/067520 patent/WO2011082872A1/de active Application Filing
- 2010-11-16 KR KR1020127018764A patent/KR101418193B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-06-01 US US13/486,073 patent/US9063336B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9063336B2 (en) | 2015-06-23 |
KR101418193B1 (ko) | 2014-08-06 |
JP2013514639A (ja) | 2013-04-25 |
DE102009054888A1 (de) | 2011-06-22 |
KR20120094519A (ko) | 2012-08-24 |
US20120293785A1 (en) | 2012-11-22 |
WO2011082872A1 (de) | 2011-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5732071B2 (ja) | 複数の反射ファセット要素を有する光学要素 | |
JP5863974B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ | |
JP6222594B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP5021031B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム | |
US8854604B2 (en) | Microlithographic projection exposure apparatus | |
JP6186623B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP6221159B2 (ja) | コレクター | |
JP5576938B2 (ja) | マイクロリソグラフィのための照明光学ユニット | |
US8773639B2 (en) | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
JP5087060B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
US20180314165A1 (en) | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
JP4387975B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP6052931B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2005026396A (ja) | 多層膜成膜方法、多層膜成膜装置、多層膜反射鏡及び露光装置 | |
TW201312282A (zh) | 照射光學單元 | |
JP5815887B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130826 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131126 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5732071 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |