JP5729472B2 - 短絡保護回路 - Google Patents
短絡保護回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5729472B2 JP5729472B2 JP2013523828A JP2013523828A JP5729472B2 JP 5729472 B2 JP5729472 B2 JP 5729472B2 JP 2013523828 A JP2013523828 A JP 2013523828A JP 2013523828 A JP2013523828 A JP 2013523828A JP 5729472 B2 JP5729472 B2 JP 5729472B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- gate
- semiconductor element
- short
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/08112—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/36—Means for starting or stopping converters
Description
インバータの動作について説明する。あるタイミングでIGBT51とIGBT54がオンして負荷64に主電源63から電流71が供給されているものとする。つぎに、IGBT51とIGBT54がオフすると負荷64に流れている電流71はFWD58,59を通して主電源63に還流電流となって流れ込む。このように、IGBT51〜IGBT56が順次オン・オフすることで、負荷64に三相の電力を供給する。
IGBT56を駆動するIGBT駆動回路は、制御電源86と、pチャネルMOSFET80およびnチャネルMOSFET81の直列回路92と、これらのMOSFET80,81のゲートを駆動するドライブ回路82とからなる。pチャネルMOSFET80とnチャネルMOSFET81の接続点87はIGBT56のゲート56gに接続し、制御電圧Vgccがゲート56gに印加される。
IGBT56のゲート56gにはゲート電流が流れ、ゲート容量(ここではゲート・エミッタ間容量のこと)を充電する。ゲート容量が充電されるとゲート電圧Vgが立ち上がる。ゲート電圧Vgが立ち上がりゲート閾値電圧に達すると、コレクタ電流Icが立ち上がり、コレクタ電圧Vcは立下がり始める。
NLU回路94は、検出回路91の出力78がLレベルとなると、nチャネルMOSFET84をオンさせる。nチャネルMOSFET84がオンすると、Vgccの電圧がひきぬかれて、接続点87の制御電圧VgccはBに示すように制御電源電圧VCCより低下する。なお、MOSFET84がオンしても制御電圧Vgccがゼロとならないように、MOSFET84の電流駆動能力はMOSFET80より小さく設定する。
前記したように、ミラー容量が増大しゲート電圧Vgが一定になる期間に、NLU回路94が動作して、ゲート56gへ印加される制御電圧Vgccが低下すると、IGBT56のゲートへの電流の供給が不十分となって、電圧Vgが所望の値に到達するまでの時間が長くなり、コレクタ電圧Vcの立下りが緩くなり、ターンオン時間ton1が長くなってターンオン損失が増大する。
また、特許文献2では、IGBTのターンオン直後の過渡期間に電流検出波形が立ち上がって、過電流状態と誤検出しまうことを防ぐため、入力信号の立ち上がりエッジをトリガとして、ターンオン直後の過渡状態で、過渡状態用の動作閾値電圧と電流検出値との比較を行なうことが開示されている。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、IGBTのターンオン動作時において、NLU回路を動作させないようにすることで、IGBTのターンオン損失を小さくできるマスク回路を有する短絡保護回路を提供することにある。
また、本発明の第3の態様は、前記NLU回路が、前記AND回路の出力がLレベルであるときに非動作状態となり、Hレベルであるときに動作状態となる。
<実施例>
図1は、本発明の一実施例の短絡保護回路の回路図である。図1には短絡保護回路の他にIGBT駆動回路も示す。この短絡保護回路はNLU回路24、マスク回路21および図示しない遮断回路で構成される。
図1において、1は電圧制御型半導体素子の一つであるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)である。IGBT1を駆動するIGBT駆動回路は、制御電源16と、この制御電源16のプラス側及びマイナス側間に接続されたpチャネルMOSFET10およびnチャネルMOSFET11の直列回路22と、これらのMOSFET10,11を駆動するドライブ回路12とからなる。pチャネルMOSFET10とnチャネルMOSFET11の接続点17はIGBT1のゲート3に接続し、接続点17の電圧を制御電圧VgccとしてIGBT1のゲート3に供給する。
マスク回路21は、オペアンプで構成される第1の比較部としての第1の比較器4、同様にオペアンプで構成される第2の比較部としての第2の比較器5およびAND回路6を備えている。
IGBT1の電流検出端子であるセンスエミッタ2aはセンス抵抗Rsの一端(高電位側)に接続する。センスエミッタ2aは主エミッタ2に流れる電流に比例する電流(主エミッタ2電流の1万分の1程度)を出力するものである。このセンスエミッタ2aはIGBT1のエミッタ領域を形成する際に同時に形成される。
ここで、第1基準電圧E1のマイナス側、第2基準電圧E2のマイナス側は、センス抵抗Rsの低電位側に接続する。すなわち、主エミッタ2、センス抵抗Rsの低電位側、第1基準電圧E1のマイナス側、第2基準電圧E2のマイナス側が制御電源16のマイナス側に接続されている。
また、AND回路6の出力6a側がNLUドライブ回路15の入力15a側と接続する。尚、IGBT1にはフリーホイーリングダイオード19が逆並列接続されている。
ゲート電圧Vgがゲート閾値電圧Vgthに達すると、ミラー容量(ゲート・コレクタ容量)のため、ゲート電圧Vgは一定領域に移行する。この状態ではゲート電圧Vgは予め設定した第1の動作閾値電圧V1に達していない。この第1の動作閾値電圧V1は、第1の基準電圧E1で決まり、この第1の動作閾値電圧V1にゲート電圧Vgが達すると第1の比較器4の出力4aはHレベル(ここでは制御電源16の制御電源電圧VCCのこと)になる。
また、センス電圧Vsが上昇し、図2(a)に示すように、予め定めた第2の動作閾値電圧V2に達する。この第2の動作閾値電圧V2は短絡電流と判断されるセンス電圧Vsであり、この第2の動作閾値電圧V2を第2の基準電圧E2とする。この第2の基準電圧E2は、例えば4V程度である。センス電圧Vsが第2の動作閾値電圧V2(=第2の基準電圧E2)に達すると第2の比較器5の出力5aはHレベル(ここでは制御電源電圧VCC)になる。
AND回路6の出力6aがLレベルであるためNLU回路24の動作は停止状態(非動作状態)になる。つまり、ゲート電圧Vgが第1の動作閾値電圧V1未満の状態では、センス電圧Vsが第2の動作閾値電圧V2を超えても、マスク回路21がマスク動作し(AND回路6の出力6aがLレベルの状態をいう)、NLU回路24の動作は停止する(NLU回路24は非動作状態となる)。前記の第1の動作閾値電圧V1は、短絡電流と判断されるときのゲート電圧Vgであり、前記の第2の動作閾値電圧V2は、短絡電流と判断されるときのセンス電圧Vsである。
前記したように、ターンオン動作中、NLU回路24の動作はマスク回路21のマスク動作により停止状態(非動作状態)になり、NLU回路24は動作しない。そのため、IGBT1のゲート3へは制御電源電圧VCCが制御電圧Vgccとして印加され、IGBT1のドライブが十分になり、コレクタ電圧Vcの立下りが早まり、図2(a)に示すように、ターンオン時間ton2が従来の場合のターンオン時間ton1より短くなる。そのため、ターンオン損失が小さくなる。
尚、図示しないが強制的に遮断される場合は、通常、ソフト遮断と言って、電流の立下りを緩やかにして、この間に発生するノイズなどを抑制している。
また、本実施例では、電圧駆動型半導体素子としてはIGBT1を例に挙げたが、SiCなどのワイドギャップ半導体基板で製作したパワーMOSFETなどの電圧駆動型半導体素子にも本発明を適用することができる。
2 主エミッタ
2a センスエミッタ
3 ゲート
4 第1のオペアンプ
4a,5a,6a,7a 出力
5 第2のオペアンプ
6 AND回路
10,13 pチャネルMOSFET
11,14 nチャネルMOSFET
12,15 ドライブ回路
15a 入力
16 制御電源
17,18 接続点
21 マスク回路
22,23 直列回路
24 NLU回路
VCC 制御電源電圧
Vgcc 制御電圧
Vg ゲート電圧
Rs センス抵抗
Vs センス電圧
Vc コレクタ電圧
Is センス電流
Ic コレクタ電流
Ie エミッタ電流
V1 第1の動作閾値電圧
V2 第2の動作閾値電圧
E1 第1の基準電圧
E2 第2の基準電圧
Claims (3)
- 電圧駆動型半導体素子の短絡破壊を防止するための短絡保護回路であって、
前記電圧駆動型半導体素子のゲートに、ターンオン動作時に制御電源の制御電圧をゲート電圧として印加する駆動回路と、
短絡発生時に前記電圧駆動型半導体素子を流れる電流で当該電圧駆動型半導体素子がラッチアップするのを防止するために、前記駆動回路から前記電圧駆動型半導体素子のゲートに印加される前記ゲート電圧を、前記制御電圧よりも低く、前記電圧駆動型半導体素子にチャネルが形成されるゲート閾値電圧より高く設定された第1の動作閾値電圧よりも高い制限制御電圧に変更するNLU回路と、
前記電圧駆動型半導体素子のターンオン動作時に、前記電圧駆動型半導体素子に流れる電流が前記NLU回路を動作させるレベルにある状態で、前記電圧駆動型半導体素子のゲート電圧が、前記第1の動作閾値電圧より低いときに、前記NLU回路を非動作状態とするマスク回路と
を備えることを特徴とする短絡保護回路。 - 前記マスク回路は、
前記電圧駆動型半導体素子のゲートに印加されるゲート電圧が前記第1の動作閾値電圧に設定された第1の基準電圧より低いときに出力がLレベルとなる第1の比較部と、
前記電圧駆動型半導体素子の電流検出端子に直列接続された電流検出抵抗の高電位側のセンス電圧が過電流検出時の基準電圧より高い前記電圧駆動型半導体素子の短絡と判断される第2の基準電圧以上となったときに出力がHレベルとなる第2の比較部と、
前記第1の比較部及び前記第2の比較部の出力の論理積をとるAND回路とを具備し、
前記AND回路の出力を前記NLU回路に出力することを特徴とする請求項1に記載の短絡保護回路。 - 前記NLU回路は、前記AND回路の出力がLレベルであるときに非動作状態となり、Hレベルであるときに動作状態となることを特徴とする請求項2に記載の短絡保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013523828A JP5729472B2 (ja) | 2011-07-14 | 2012-07-10 | 短絡保護回路 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011155444 | 2011-07-14 | ||
JP2011155444 | 2011-07-14 | ||
JP2013523828A JP5729472B2 (ja) | 2011-07-14 | 2012-07-10 | 短絡保護回路 |
PCT/JP2012/004449 WO2013008452A1 (ja) | 2011-07-14 | 2012-07-10 | 短絡保護回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013008452A1 JPWO2013008452A1 (ja) | 2015-02-23 |
JP5729472B2 true JP5729472B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=47505756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013523828A Active JP5729472B2 (ja) | 2011-07-14 | 2012-07-10 | 短絡保護回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140192449A1 (ja) |
JP (1) | JP5729472B2 (ja) |
WO (1) | WO2013008452A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11115017B2 (en) | 2019-06-10 | 2021-09-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Driving apparatus and switching apparatus |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013190752A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 富士電機株式会社 | 過電流検出装置及びこれを使用したインテリジェントパワーモジュール |
DE102013216672A1 (de) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronischer Schalter mit einem IGBT |
DE102014202611A1 (de) * | 2014-02-13 | 2015-08-13 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Strommessung |
US9331188B2 (en) | 2014-09-11 | 2016-05-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Short-circuit protection circuits, system, and method |
US10222422B2 (en) | 2014-10-30 | 2019-03-05 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Short-circuit detection circuits, system, and method |
JP6350422B2 (ja) * | 2015-07-08 | 2018-07-04 | トヨタ自動車株式会社 | 電力変換装置 |
WO2017141545A1 (ja) | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の過電流保護装置 |
US10254327B2 (en) * | 2016-02-29 | 2019-04-09 | Infineon Technologies Ag | Method and device for short circuit detection in power semiconductor switches |
JP6711059B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-06-17 | トヨタ自動車株式会社 | 保護回路 |
US9837887B1 (en) | 2016-08-01 | 2017-12-05 | Ford Global Technologies, Llc | IGBT gate drive with active turnoff to reduce switching loss |
CN106803754B (zh) * | 2017-02-17 | 2023-05-23 | 广东明阳龙源电力电子有限公司 | 一种用于门极保护的栅极保护板 |
CN109983679B (zh) | 2017-05-16 | 2021-08-24 | 富士电机株式会社 | 控制装置以及半导体装置 |
JP6758538B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2020-09-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の保護回路およびパワーモジュール |
JP7124486B2 (ja) * | 2018-06-28 | 2022-08-24 | 株式会社デンソー | 負荷駆動装置 |
FR3096784A1 (fr) * | 2019-05-28 | 2020-12-04 | Psa Automobiles Sa | Dispositif de contrôle de la tension de grille d’un mosfet de commutation |
JP7408934B2 (ja) * | 2019-07-03 | 2024-01-09 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の電流検出回路及び電流検出方法、並びに半導体モジュール |
US11519954B2 (en) | 2019-08-27 | 2022-12-06 | Analog Devices International Unlimited Company | Apparatus and method to achieve fast-fault detection on power semiconductor devices |
WO2021054027A1 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | ローム株式会社 | 電源装置 |
US11531054B2 (en) | 2020-03-23 | 2022-12-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | IGBT/MOSFET fault protection |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05276761A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-22 | Hitachi Ltd | パワー半導体素子の過電流検出方法及び回路並びにこれを用いたインバータ装置 |
JP2999887B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2000-01-17 | 三菱電機株式会社 | Igbtの過電流保護回路及び半導体集積回路装置 |
US6717785B2 (en) * | 2000-03-31 | 2004-04-06 | Denso Corporation | Semiconductor switching element driving circuit |
JP2004312924A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの駆動回路 |
JP2005006381A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | スイッチング素子の駆動回路 |
JP4223331B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2009-02-12 | 株式会社日立製作所 | 電力制御用半導体素子の保護装置及びそれを備えた電力変換装置 |
JP2005323413A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Rohm Co Ltd | 過電流検出回路及びこれを有する電源装置 |
US7710700B2 (en) * | 2005-01-10 | 2010-05-04 | Linear Technology Corporation | DC/DC converter with current limit protection |
JP4731257B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-07-20 | 株式会社リコー | 異常接続検出回路及び異常接続検出回路を備えた駆動装置 |
JP5029678B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2012-09-19 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動装置 |
JP5678498B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2015-03-04 | 富士電機株式会社 | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 |
TWI398747B (zh) * | 2010-07-16 | 2013-06-11 | Richpower Microelectronics | 功率級控制電路 |
-
2012
- 2012-07-10 WO PCT/JP2012/004449 patent/WO2013008452A1/ja active Application Filing
- 2012-07-10 US US14/126,308 patent/US20140192449A1/en not_active Abandoned
- 2012-07-10 JP JP2013523828A patent/JP5729472B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11115017B2 (en) | 2019-06-10 | 2021-09-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Driving apparatus and switching apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2013008452A1 (ja) | 2015-02-23 |
WO2013008452A1 (ja) | 2013-01-17 |
US20140192449A1 (en) | 2014-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5729472B2 (ja) | 短絡保護回路 | |
JP3883925B2 (ja) | 電力用半導体素子の駆動回路 | |
US8466734B2 (en) | Gate driving circuit for power semiconductor element | |
JP4752811B2 (ja) | 電圧駆動型素子の駆動回路 | |
JP2009225506A (ja) | 電力変換器 | |
JP5634622B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
US10033370B2 (en) | Circuit and method for driving a power semiconductor switch | |
JP5767734B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
WO2016204122A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016059036A (ja) | 短絡保護用の回路、システム、及び方法 | |
JP2010130557A (ja) | ゲート駆動装置 | |
JP2009296732A (ja) | 半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置を備えた電力変換装置 | |
JP5542719B2 (ja) | 電力用半導体素子の駆動保護回路 | |
JP5298557B2 (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 | |
JP6070003B2 (ja) | 半導体駆動装置 | |
JP3833688B2 (ja) | インバータ装置 | |
JP4413482B2 (ja) | 電力用半導体素子の駆動回路 | |
JP2004112987A (ja) | 電力変換装置 | |
JP6298735B2 (ja) | 半導体駆動装置ならびにそれを用いた電力変換装置 | |
JP2002153043A (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 | |
JP6622405B2 (ja) | インバータ駆動装置 | |
CN112468131B (zh) | 驱动电路和驱动装置 | |
WO2022123977A1 (ja) | 電圧制御型半導体素子の駆動装置 | |
WO2022050040A1 (ja) | 過電流保護回路及びスイッチング回路 | |
JP2006141078A (ja) | 駆動回路と電力用半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5729472 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |