JP5728631B2 - 導電性ポリマーを調製するためのプロセス - Google Patents
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Description
R1およびR2は各々独立に、H、任意に置換されたC1〜C18−アルキルラジカルもしくは任意に置換されたC1〜C18−アルコキシラジカルであるか、または
R1およびR2は一緒になって、1以上の炭素原子が1以上の同一のまたは異なるOもしくはSから選択されるヘテロ原子によって置き換えられていてもよい任意に置換されたC1〜C8−アルキレンラジカル、好ましくはC1〜C8−ジオキシアルキレンラジカル、任意に置換されたC1〜C8−オキシチアアルキレンラジカルまたは任意に置換されたC1〜C8−ジチアアルキレンラジカル、または少なくとも1つの炭素原子がOもしくはSから選択されるヘテロ原子によって任意に置き換えられていてもよい任意に置換されたC1〜C8−アルキリデンラジカルである)
を含む任意に置換されたポリチオフェンである。
Aは、任意に置換されたC1〜C5−アルキレンラジカル、好ましくは任意に置換されたC2〜C3−アルキレンラジカルであり、
YはOもしくはSであり、
Rは、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1〜C18−アルキルラジカル、好ましくは直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1〜C14−アルキルラジカル、任意に置換されたC5〜C12−シクロアルキルラジカル、任意に置換されたC6〜C14−アリールラジカル、任意に置換されたC7〜C18−アラルキルラジカル、任意に置換されたC1〜C4−ヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルであり、
xは0〜8、好ましくは0、1または2、より好ましくは0または1の整数であり、
複数のRラジカルがAに結合されている場合は、それらは同じであってもよいし異なっていてもよい)
を含むポリチオフェンである。
1)反応媒体が不活性ガスを用いて不活性化された後でのみ、少なくとも1つの酸化剤を加える工程と、
2)大気圧よりも低い圧力で重合を実施する工程と
を含むことを特徴とするプロセスを提供する。
3リットルのステンレス鋼の槽は、撹拌機、上蓋にある排出口、上蓋にある閉じることができる物質導入口、底部にある排出口およびサーモスタットを取り付けた加熱ジャケットを備えていた。2050gの水、500gのポリスチレンスルホン酸溶液(5.0%)および5.6gの10%硫酸鉄(III)溶液をこの反応容器に加えた。撹拌機を50回転/分間(rpm)で回転させた。温度を18℃に調整した。200 l/hの窒素を、底部にある排出口を通して3時間導入した。この窒素は開かれた物質導入口を通って逃げることができた。3時間後、下側の排出口の窒素ストリームを遮断し、500 l/hの窒素ストリームを上側の排出口で確立した。この窒素ストリームは物質導入口を通って逃げることができた。その後、窒素の向流の中で、10.13gのエチレンジオキシチオフェン(Baytron(登録商標) M V2、エイチ・シー・スタルク社(H.C.Starck GmbH)、ゴスラー(Goslar))を、シリンジを用いて物質導入口を通して導入した。その後、窒素の向流の中で物質導入口を通して23.7gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを加えた。物質導入口を閉じた。大気圧の酸素の侵入を防止するために、20hPaのわずかに高めた窒素圧力で、この重合を実施した。この混合物を18℃で23時間撹拌した。この反応が終了した後、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、500mlのカチオン交換体(Lewatit S100 H、ランクセス社(Lanxess AG))および290mlのアニオン交換体(Lewatit MP 62、ランクセス社)を加えることにより無機塩を除去した。この混合物を6時間撹拌し、このイオン交換体を濾別した。最後に、この混合物を10μmのフィルターに通した。得られた分散液は1.19%の固形分含量を有していた。
19gのこの分散液を1gのジメチルスルホキシドと混合した。洗浄したガラス基材をスピンコーターの上に置き、10mlの上述の混合物をその基材の上に広げた。その後、このプレートを回転させることによりこの上澄み溶液を除去した。その後、このようにコーティングした基材を、ホットプレート上で、130℃で15分間乾燥させた。この層の厚さは70nmであった(テンコール(Tencor)、Alphastep 500)。
実施例1で記載した3リットルのステンレス鋼の槽を使用した。2050gの水、500gのポリスチレンスルホン酸溶液(5.0%)および5.6gの10%硫酸鉄(III)溶液を反応容器の中に導入した。撹拌機を50rpmで回転させた。温度を60℃に調整し、この槽の内圧を100hPaまで下げた。16時間にわたって、この温度を18℃まで下げた。結果として、内圧は33hPaまで下がった。その後、窒素の向流の中で、10.13gのエチレンジオキシチオフェン(Baytron(登録商標) M V2、エイチ・シー・スタルク社、ゴスラー)を、チューブを通してこの反応容器の中へ導入した。23.7gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを50gの水に溶解し、同様にチューブを通してこの反応媒体の中へ導入した。物質導入口を閉じ、真空ポンプを用いてこの反応容器の内圧を30hPaに調整した。当該反応を、ここからこの減圧下で23時間実施した。反応が終了した後、この反応容器に通気し、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、500mlのカチオン交換体(Lewatit S100 H、ランクセス社)および290mlのアニオン交換体(Lewatit MP 62、ランクセス社)を加えることにより無機塩を除去した。この混合物を6時間撹拌し、このイオン交換体を濾別した。最後に、この混合物を10μmのフィルターに通した。得られた分散液は1.26%の固形分含量を有していた。
19gのこの分散液を1gのジメチルスルホキシドと混合し、実施例1に記載したように、層をガラス基材に付与し、電気伝導率を測定した。この層の比抵抗は0.00265ohm・cmであった。これは377S/cmの電気伝導率に相当する。このように製造した層は透明であった。
19gのこの分散液を1gのジメチルスルホキシドと混合した。洗浄したガラス基材をスピンコーターの上に置き、10mlの上述の混合物をその基材の上に広げた。その後、このプレートを回転させることによりこの上澄み溶液を除去した。その後、コーティングした基材を、ホットプレート上で、130℃で15分間乾燥させた。この層の厚さは110nmであった(テンコール、Alphastep 500)。
実施例1で記載した3リットルのステンレス鋼の槽を使用した。2050gの水、500gのポリスチレンスルホン酸溶液(5.0%)および5.6gの10%硫酸鉄(III)溶液をこの反応容器に加えた。撹拌機を50rpmで回転させた。温度を18℃に調整した。200 l/hの窒素を、底部にある排出口を通して3時間導入した。この窒素は開かれた物質導入口を通って逃げることができた。3時間後、下側の排出口の窒素ストリームを遮断し、500 l/hの窒素ストリームを上側の排出口で確立した。この窒素ストリームは物質導入口を通って逃げることができた。その後、窒素の向流の中で、10.13gのエチレンジオキシチオフェン(Baytron(登録商標) M V2、エイチ・シー・スタルク社、ゴスラー)を、シリンジを用いて物質導入口を通して導入した。その後、窒素の向流の中で物質導入口を通して23.7gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを加えた。物質導入口を閉じ、すぐに真空ポンプを用いてこの反応容器の内圧を30hPaまで下げた。次いで当該反応を、この減圧下で23時間実施した。反応が終了した後、この反応容器に通気し、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、500mlのカチオン交換体(Lewatit S100 H、ランクセス社)および290mlのアニオン交換体(Lewatit MP 62、ランクセス社)を加えることにより無機塩を除去した。この混合物を6時間撹拌し、このイオン交換体を濾別した。最後に、この混合物を10μmのフィルターに通した。得られた分散液は1.21%の固形分含量を有していた。
19gのこの分散液を1gのジメチルスルホキシドと混合し、実施例1に記載したように、層をガラス基材に付与し、電気伝導率を測定した。この層の比抵抗は0.00142ohm・cmであった。これは704S/cmの電気伝導率に相当する。このように製造した層は透明であった。
19gのこの分散液を1gのジメチルスルホキシドと混合した。洗浄したガラス基材をスピンコーターの上に置き、10mlの上述の混合物をその基材の上に広げた。その後、このプレートを回転させることによりこの上澄み溶液を除去した。その後、このようにコーティングした基材を、ホットプレート上で、130℃で15分間乾燥させた。この層の厚さは60nm(テンコール、Alphastep 500)であった。
3リットルのガラス容器は撹拌機を備えていた。2050gの水、500gのポリスチレンスルホン酸溶液(5.0%)および5.6gの10%硫酸鉄(III)溶液をこの反応容器に加えた。撹拌機を50rpmで回転させた。温度を18℃に調整した。その後、10.13gのエチレンジオキシチオフェン(Baytron(登録商標) M V2、エイチ・シー・スタルク社、ゴスラー)を加えた。その後、23.7gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを加えた。当該重合を標準圧力下で実施した。この混合物を18℃で23時間撹拌した。この反応が終了した後、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、500mlのカチオン交換体(Lewatit S100 H、ランクセス社)および290mlのアニオン交換体(Lewatit MP 62、ランクセス社)を加えることにより無機塩を除去した。この混合物を6時間撹拌し、このイオン交換体を濾別した。最後に、この混合物を10μmのフィルターに通した。得られた分散液は1.12%の固形分含量を有していた。
19gのこの分散液を1gのジメチルスルホキシドと混合し、実施例1に記載したように、層をガラス基材に付与し、電気伝導率を測定した。この層の比抵抗は0.00877ohm・cmであった。これは114S/cmの電気伝導率に相当する。このように製造した層は透明であった。
実施例1で記載した3リットルのステンレス鋼の槽を使用した。2100gの水、500gのポリスチレンスルホン酸溶液(5.0%)、5.6gの10%硫酸鉄(III)溶液および23.7gのペルオキソ二硫酸ナトリウムをこの反応容器に加えた。撹拌機を50rpmで回転させた。温度を45℃に調整し、この槽の内圧をおよそ100hPaまで下げた。1時間にわたって、温度を45℃に保った。その後、温度を13℃まで下げた。これにより圧力は25hPaまで下がった。その後、この装置を通気し、物質導入口を通して10.13gのエチレンジオキシチオフェン(Baytron(登録商標) M V2、エイチ・シー・スタルク社、ゴスラー)を加えた。物質導入口を閉じ、真空ポンプを用いてこの反応容器の内圧を再度30hPaまで下げた。当該反応を、ここからこの減圧下で13℃で23時間実施した。反応が終了した後、この反応容器に通気し、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、500mlのカチオン交換体(Lewatit S100 H、ランクセス社)および290mlのアニオン交換体(Lewatit MP 62、ランクセス社)を加えることにより無機塩を除去した。この混合物を6時間撹拌し、このイオン交換体を濾別した。最後に、この混合物を10μmのフィルターに通した。得られた分散液は1.14%の固形分含量を有していた。
19gのこの分散液を1gのジメチルスルホキシドと混合し、実施例1に記載したように、層をガラス基材に付与し、電気伝導率を測定した。この層の比抵抗は0.00192ohm・cmであった。これは520S/cmの電気伝導率に相当する。このように製造した層は透明であった。
Claims (11)
- 少なくとも1つの導電性ポリマーおよび少なくとも1つのポリアニオンを含む水系または非水系の分散液または溶液を調製するためのプロセスであって、重合が大気圧よりも低い圧力で行われ、前記少なくとも1つの導電性ポリマーがポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)であることを特徴とする、プロセス。
- 前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸であることを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
- 前記重合が800hPaより低い圧力で実施されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプロセス。
- 電気伝導率向上剤が前記水系または非水系の分散液または溶液に添加されることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプロセス。
- 少なくとも1つの導電性ポリマーおよび少なくとも1つのポリアニオンを含む水系または非水系の分散液または溶液を調製するためのプロセスであって、以下の工程:
1)反応媒体が不活性ガスを用いて不活性化された後でのみ、少なくとも1つの酸化剤を加える工程と、
2)大気圧よりも低い圧力で重合を実施する工程と
を含むことを特徴とするプロセス。 - 少なくとも1つの導電性ポリマーが、任意に置換されたポリピロール、任意に置換されたポリアニリンまたは任意に置換されたポリチオフェンであることを特徴とする、請求項5に記載のプロセス。
- 少なくとも1つの導電性ポリマーが一般式(I)の繰り返し単位
R1およびR2は各々独立に、H、任意に置換されたC1〜C18−アルキルラジカルもしくは任意に置換されたC1〜C18−アルコキシラジカルであるか、または
R1およびR2は一緒になって、1以上の炭素原子が1以上の同一のまたは異なるOもしくはSから選択されるヘテロ原子によって置き換えられていてもよい任意に置換されたC1〜C8−アルキレンラジカル、または少なくとも1つの炭素原子がOもしくはSから選択されるヘテロ原子によって任意に置き換えられていてもよい任意に置換されたC1〜C8−アルキリデンラジカルである)
を含む任意に置換されたポリチオフェンであることを特徴とする、請求項5または請求項6に記載のプロセス。 - 前記ポリアニオンがポリスチレンスルホン酸であることを特徴とする、請求項5から請求項8のいずれか1項に記載のプロセス。
- 前記重合が800hPaより低い圧力で実施されることを特徴とする、請求項5から請求項9のいずれか1項に記載のプロセス。
- 電気伝導率向上剤が前記水系または非水系の分散液または溶液に添加されることを特徴とする、請求項5から請求項10のいずれか1項に記載のプロセス。
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