JP5709434B2 - 電子装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
第一保護層110と第二保護層114の材料は、感光性絶縁材料、例えば、感光性有機ポリマー材料である。感光性有機ポリマー材料の組成は、これに限定されないが、ポリイミド(PI)、ブチルシクロブテン(butylcyclobutene 、BCB)、パリレン(parylene)、 ポリナフタレン(polynaphthalene)、 フッ化炭素(fluorocarbons)、及び、アクリレート材(accrylates material)等である。感光性有機ポリマー材料は、コーティングプロセス、例えば、スピンコート、スプレイコート、或いは、カーテンコーティングプロセス等のコーティングプロセスか、或いは、その他の適当な蒸着方法により形成される。その後、感光性有機ポリマー材料は、露光と現像プロセスによりパターン化されて、第一保護層110と第二保護層114のパターンを形成する。
実施形態中、受動素子の導電層、及び/又は、誘電体層が、ガラス基板と半導体基板間に形成され、これにより、受動素子のキャパシタンス密度、或いは、品質係数(Q)が増大する。別の実施形態中、例えば、キャパシタ−インダクタ集積素子は、第一導電層が、同時に、キャパシタとインダクタ下電極層になり、同一平面に位置する。第二導電層も、上層開口中に形成されて、キャパシタとインダクタの上電極層を形成し、同一平面に位置する。よって、上述の導電層の同一平面構造により、キャパシタとインダクタはが平坦化する。この他、キャパシタ、及び/又は、インダクタは、高抵抗のガラス基板上に形成されるので、キャパシタとインダクタのキャパシタンス密度、あるいは、品質係数(Q)は増大する。実施形態中、約0.89nF/m2以上のキャパシタンス密度が達成され、約60以上の品質係数(Q)が達成される。例えば、インダクタは、二回半巻かれた方形のスパイラルインダクタで、スパイラル面積は約0.6mm×0.5mmであり、電極層104bの幅は約20μmで、電極層間の幅は約20μmである。よって、2.4GHzで、インダクタのインダクタンス値は約2.3nHで、2.4GHzで、品質係数(Q)は約31で、4GHzの最大品質係数(Q)は、約36である。別の実施形態中、インダクタは、二回半巻かれた円形のスパイラルインダクタで、スパイラル面積は0.6mm×0.5mmであり、電極層の幅は約20μmで、電極層間の幅は約20μmである。よって、2.4GHzで、インダクタのインダクタンス値は約2.2nHで、2.4GHzで、品質係数は約34で、6GHzの最大品質係数は、約40である。
100A キャパシタ領域
100B インダクタ領域
102 接着層
104,104a,104b 第一導電層
106,106a,106b 誘電体層
108 半導体基板
108a 半導体基板の第一表面
108b 半導体基板の第二表面
110 第一保護層
112,112a,112b,112c 第二導電層;
114 第二保護層
120,120a,120b 下層開口
122,124,126 上層開口
130,140 フォトマスク
132,142 フォトマスクパターン
200A キャパシタ
200B インダクタ
Claims (9)
- 電子装置であって、
ガラス基板と、
少なくとも一つの開口を有し、前記ガラス基板上に設置されるパターン化半導体基板と、
第一導電層と第二導電層とを有し、前記第一導電層が、前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板との間に設置され、前記第二導電層は前記開口中に設置されている、少なくとも一つの受動素子と、を含むことを特徴とする電子装置。 - 前記受動素子はインダクタであり、前記第一導電層は前記第二導電層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記受動素子はキャパシタで、誘電体層を含み、前記誘電体層は、前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板との間に設置され、前記誘電体層、前記第一導電層、前記第二導電層は結合されて、サンドイッチ構造を形成することを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記少なくとも一つの受動素子は、キャパシタとインダクタを含み、
前記パターン化半導体基板は、前記キャパシタに対応する第一開口と、前記第一開口よりも小さい、前記インダクタに対応する第二開口と、を含み、
前記第二導電層は、前記第一開口の中と前記第二開口の中に設置され、
前記第二開口中に設置される前記第二導電層は、前記インダクタに対応し、前記第一導電層に電気的に接続されており、さらに前記第二開口中に設置される前記第二導電層は、前記第二開口に充填されるように形成されているか、または、前記第二開口内の形状にしたがって形成されており、
前記第一開口中に設置される前記第二導電層は、前記キャパシタに対応し、前記第一開口内の形状にしたがって形成されており、
前記キャパシタに対応する前記第二導電層と前記インダクタに対応する前記第二導電層とは同一平面であり、
前記キャパシタに対応する前記第一導電層と、前記インダクタに対応する前記第一導電層とは同一平面であることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記キャパシタは誘電体層を含み、前記誘電体層は、前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板との間に設置されている平坦化層であり、前記キャパシタに対応する前記第一開口に設置される前記第二導電層は、前記第一導電層と前記誘電体層と結合し、サンドイッチ構造を形成することを特徴とする請求項4に記載の電子装置。
- 前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板を接合する接着層と
前記第二導電層と前記パターン化半導体基板を隔離する第一保護層であって、前記パターン化半導体基板を被覆するように前記パターン化半導体基板にしたがって形成された第一保護層と、
前記第二導電層と前記第一保護層を被覆する第二保護層であって、同一平面を構成する前記第二保護層と、
前記第一保護層および前記第二保護層の材料は、感光性絶縁材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 電子装置の製造方法であって、
受動素子領域を有する半導体基板を提供するステップと、
誘電体層を前記半導体基板上に形成するステップと、
複数の下層開口を前記誘電体層中に形成するステップと、
第一導電層を、前記誘電体層上および前記複数の下層開口中に形成するステップと、
ガラス基板を提供して、前記ガラス基板を前記半導体基板と接合し、前記誘電体層と前記第一導電層を、前記ガラス基板と前記半導体基板との間に設置するステップと、
前記半導体基板をパターン化して、複数の上層開口を、前記半導体基板の前記受動素子領域に形成して、前記誘電体層、及び/又は、前記複数の下層開口中の前記第一導電層を露出させるステップと、
第一保護層を、前記パターン化半導体基板上と前記複数の上層開口の側壁上とに形成するステップと、
第二導電層を、前記第一保護層上および前記複数の上層開口中に形成して、前記誘電体層、及び/又は、前記第一導電層とに接触させるステップと、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記半導体基板と前記ガラス基板を接合し、前記誘電体層と前記第一導電層とを、前記ガラス基板と前記半導体基板との間に設置するステップの後、前記半導体基板を薄化するステップをさらに含み、
前記受動素子は、インダクタまたはキャパシタであり、
前記受動素子がインダクタのとき、前記第一導電層は前記第二導電層に電気的に接続さ
れており、前記第二導電層は前記複数の上層開口に充填されるように形成されているか、
または、前記複数の上層開口内の形状にしたがって形成されており
前記受動素子がキャパシタのとき、前記誘電体層、前記第一導電層、及び、前記第二導
電層は結合されてサンドイッチ構造を形成し、前記複数の上層開口内の形状にしたがって
形成されていることを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記第二導電層上に、平坦化第二保護層を形成して、前記上層開口を充填するステップ
と、
前記第二保護層を形成した後、前記ガラス基板を薄化するステップと、をさらに含み、
前記第一保護層および前記第二保護層の材料は、感光性絶縁材料を含むことを特徴とす
る請求項7に記載の方法。
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