JP5707889B2 - 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 - Google Patents
半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5707889B2 JP5707889B2 JP2010256218A JP2010256218A JP5707889B2 JP 5707889 B2 JP5707889 B2 JP 5707889B2 JP 2010256218 A JP2010256218 A JP 2010256218A JP 2010256218 A JP2010256218 A JP 2010256218A JP 5707889 B2 JP5707889 B2 JP 5707889B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor substrate
- modified region
- region
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010256218A JP5707889B2 (ja) | 2010-11-16 | 2010-11-16 | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010256218A JP5707889B2 (ja) | 2010-11-16 | 2010-11-16 | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012109358A JP2012109358A (ja) | 2012-06-07 |
| JP2012109358A5 JP2012109358A5 (https=) | 2013-12-05 |
| JP5707889B2 true JP5707889B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=46494677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010256218A Active JP5707889B2 (ja) | 2010-11-16 | 2010-11-16 | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5707889B2 (https=) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5670764B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP5882154B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-03-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
| JP6255219B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2017-12-27 | 株式会社ディスコ | 冷却機構 |
| JP6521695B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-05-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN104889577A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-09-09 | 无锡宏纳科技有限公司 | 一种平面光波导分路器晶圆激光切割工艺 |
| JP6608713B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2019-11-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6620825B2 (ja) | 2017-02-27 | 2019-12-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP6818351B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-01-20 | サムコ株式会社 | ウエハ処理装置 |
| JP7020675B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2022-02-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Low-k膜付きウエハの分断方法 |
| JP7081993B2 (ja) * | 2018-06-19 | 2022-06-07 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| KR102944322B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2026-03-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| JP7307534B2 (ja) | 2018-10-04 | 2023-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置 |
| JP7307533B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2023-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置 |
| JP7171353B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2022-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置 |
| KR102747440B1 (ko) * | 2018-11-21 | 2024-12-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12525453B2 (en) * | 2019-04-19 | 2026-01-13 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
| TWI857094B (zh) * | 2019-07-18 | 2024-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 處理裝置及處理方法 |
| CN111300161B (zh) * | 2020-02-26 | 2022-02-01 | 上海东竞自动化系统有限公司 | 表面划痕修复的方法和设备 |
| JP7708609B2 (ja) * | 2021-08-05 | 2025-07-15 | 株式会社ディスコ | 基板の分割方法 |
| CN118832322B (zh) * | 2024-09-23 | 2024-11-22 | 深圳市智越盛电子科技有限公司 | 一种时钟晶体加工用的激光切割装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5276872A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Fujitsu Ltd | Cutting method of semiconductor wafer |
| JP4440582B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2010-03-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
| JP4739900B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2011-08-03 | リンテック株式会社 | 転着装置及び転着方法 |
| JP2009166150A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Denso Corp | ウェハの製造方法 |
| EP2394775B1 (en) * | 2009-02-09 | 2019-04-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Workpiece cutting method |
-
2010
- 2010-11-16 JP JP2010256218A patent/JP5707889B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012109358A (ja) | 2012-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5707889B2 (ja) | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 | |
| JP5953645B2 (ja) | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 | |
| JP6703073B2 (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
| JP6081006B2 (ja) | ウェハ割断方法及びウェハ割断装置 | |
| JP2025041854A (ja) | 亀裂進展方法 | |
| JP6249318B2 (ja) | 抗折強度の高い薄型チップの製造システム及び製造方法 | |
| JP6703072B2 (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
| JP6327490B2 (ja) | ウェハ加工装置及びウェハ加工方法 | |
| JP6081005B2 (ja) | 研削・研磨装置及び研削・研磨方法 | |
| JP6081008B2 (ja) | ウェハ加工装置及びウェハ加工方法 | |
| JP2013004583A (ja) | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 | |
| JP2018142717A (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
| JP2019161232A (ja) | レーザ加工システム | |
| JP6593663B2 (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
| JP6128666B2 (ja) | 半導体基板の割断方法及び割断装置 | |
| JP2019169719A (ja) | レーザ加工システム | |
| JP2019012850A (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
| JP2019068077A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| JP2020080409A (ja) | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 | |
| JP6979607B2 (ja) | 研削装置及び研削方法 | |
| JP7801548B2 (ja) | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 | |
| JP7290843B2 (ja) | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 | |
| JP2017092503A (ja) | ウェハ分割システム及びウェハ分割方法 | |
| JP2019096911A (ja) | レーザ加工システム | |
| JP2019071476A (ja) | レーザ光学部 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131016 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131018 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140828 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5707889 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |