JP5706707B2 - 磁気抵抗効果素子の形成方法 - Google Patents
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Description
Claims (20)
- (a)基体の上に、ピンド層と、フリー層と、前記ピンド層と前記フリー層との間に位置する非磁性スペーサ層と、最上部のキャップ層とを含むMTJ(磁気トンネル接合)スタックを形成する第1の工程と、
(b)前記MTJスタックをパターニングすることにより、上面および前記上面と前記基体とを繋ぐ側壁を有するMTJ素子を形成し、前記フリー層が、前記MTJ素子の上面に平行な面に沿って第1の幅を有するものとする第2の工程と、
(c)前記基体に垂直な面に対して20°未満の入射角のイオンビームを用いた第1のイオンビームエッチング(IBE)を行うことにより、前記フリー層が前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有するように前記側壁のトリミングを行う第3の工程と、
(d)前記基体に垂直な面に対して60°を超える入射角のイオンビームを用い、弧を描くような掃引動作を伴いながら第2のイオンビームエッチングを行うことにより、前記第1のイオンビームエッチングの際に生じた残渣を除去すると共に、前記フリー層が前記第2の幅よりも狭い第3の幅を有するように前記側壁のトリミングをさらに行う第4の工程と、
(e)前記基体に垂直な面に対して20°未満の入射角のイオンビームを用いた第3のイオンビームエッチングを行うことにより、前記第2のイオンビームエッチングの際に生じた前記側壁における損傷部分を除去すると共に、前記フリー層が前記第3の幅よりも狭い第4の幅を有するように前記側壁のトリミングをさらに行う第5の工程と
を含み、
前記第1から第3のイオンビームエッチングを、300eV未満のエネルギーを用いて行う
磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1から第3のイオンビームエッチングを、不活性ガスを用いて行う
請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1から第3のイオンビームエッチングを、100mA以上600mA以下のイオン電流と、100ワット以上600ワット以下のRF電力とを用いて行う
請求項2記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記掃引動作は、開始位置から時計方向または反時計方向に40°の回転角の範囲で前記基体を回転させる第1の動作と、前記開始位置へ戻るように反対方向へ前記基体を回転させる第2の動作とを交互に複数回行うものである
請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1のイオンビームエッチングを、前記第1の幅から前記第4の幅への寸法の減少分のうち60%から90%に相当する分を除去するように行う
請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第3のイオンビームエッチングを、前記第1の幅から前記第4の幅への寸法の減少分のうち10%から40%に相当する分を除去するように行う
請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1の幅を50nm以上70nm以下とし、前記第1の幅と前記第4の幅との差分を20nmとする
請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記MTJ素子としてCIP−GMRセンサ、CPP−GMRセンサまたはTMRセンサを形成する
請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記基体の表面に対する前記側壁の角度を、
前記第1から前記第3のイオンビームエッチングのうちの少なくとも1つにおける前記イオンビームの前記入射角を変化させることにより変化させる
請求項1記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記MTJ素子のトラック幅を、前記側壁の角度が前記基体の表面に対して垂直である場合に、前記第4の幅と等しくなるようにする
請求項9記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - (a)基体の上に、シード層と、AFM層と、ピンド層と、フリー層と、前記ピンド層と前記フリー層との間に位置する非磁性スペーサ層と、最上部のキャップ層とを含むMTJ(磁気トンネル接合)スタックを形成する第1の工程と、
(b)前記MTJスタックをパターニングすることにより、上面および前記上面と前記基体とを繋ぐ側壁を有するMTJ素子を形成し、前記フリー層が、前記MTJ素子の上面に平行な面に沿って第1の幅を有するものとする第2の工程と、
(c)前記基体に対して垂直な主成分を含む入射角のイオンビームを用いた第1のイオンビームエッチング(IBE)を行うことにより、前記フリー層が前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有するように前記側壁のトリミングを行う第3の工程と、
(d)前記基体に対して平行な主成分を含む入射角のイオンビームを用い、弧を描くような掃引動作を伴いながら第2のイオンビームエッチングを行うことにより、前記第1のイオンビームエッチングの際に生じた残渣を除去すると共に、前記フリー層が前記第2の幅よりも狭い第3の幅を有するように前記側壁のトリミングをさらに行う第4の工程と、
(e)前記基体に対して垂直な主成分を含む入射角のイオンビームを用いた第3のイオンビームエッチングを行うことにより、前記第2のイオンビームエッチングの際に生じた前記側壁における損傷部分を除去すると共に、前記フリー層が前記第3の幅よりも狭い第4の幅を有するように前記側壁のトリミングをさらに行う第5の工程と
を含み、
前記第1から第3のイオンビームエッチングを、300eV未満のエネルギーを用いて行う
磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1から第3のイオンビームエッチングを、不活性ガスを用いて行う
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1から第3のイオンビームエッチングを、100mA以上600mA以下のイオン電流と、100ワット以上600ワット以下のRF電力とを用いて行う
請求項12記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記掃引動作は、開始位置から時計方向または反時計方向に40°の回転角の範囲で前記基体を回転させる第1の動作と、前記開始位置へ戻るように反対方向へ前記基体を回転させる第2の動作とを交互に複数回行うものである
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1のイオンビームエッチングにおける前記イオンビームの前記基体に垂直な面に対する入射角を20°未満とし、
前記第1のイオンビームエッチングを、前記第1の幅から前記第4の幅への寸法の減少分のうち60%から90%に相当する分を除去するように行う
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第2のイオンビームエッチングにおける前記イオンビームの前記基体に垂直な面に対する入射角を、60°よりも大きく90°未満とする
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第3のイオンビームエッチングにおける前記イオンビームの前記基体に垂直な面に対する入射角を20°未満とし、
前記第3のイオンビームエッチングを、前記第1の幅から前記第4の幅への寸法の減少分のうち10%から40%に相当する分を除去するように行う
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記第1の幅を、50nm以上70nm以下とし、前記第1の幅と前記第4の幅との差分を20nmとする
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記MTJ素子としてCIP−GMRセンサ、CPP−GMRセンサまたはTMRセンサを形成する
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記基体の表面に対する前記側壁の角度を、
前記第1から前記第3のイオンビームエッチングのうちの少なくとも1つにおける前記イオンビームの前記入射角を変化させることにより変化させる
請求項11記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。
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