JP5697056B2 - 平面構造ebg - Google Patents
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Description
たとえばEBG構造を用いて、アンテナにおける不要放射を抑制することや、電波の伝搬抑制が可能である(特許文献1参照)。
EBGとは、半導体工学のエネルギ・バンド理論をマイクロ波やミリ波といった電磁波領域に適用したもので、対象とする電磁波の波長よりも小さい周期構造を、例えば金属材料で形成したものである。
マイクロ波やミリ波は、対象とされる電磁波の波長よりも小さい周期構造を金属材料で形成したEBG構造により、周波数に応じてその構造の中に存在できなくなったり、存在できたりする。したがって、EBG構造を用いて、電波を伝搬抑制したり透過させたりすることができ、EBG構造をアンテナ等に利用することにより、不要放射の抑制や伝搬抑制が可能となる。
基板上に導体パターンとして配置されるEBGには、特許文献1に見られるようなスルーホールを用いた構造(以下、3D構造)と平面構造の2つのタイプがあり、本願発明は平面構造のEBGに関するものである。
しかし、実際の製品化に当たっては、限られたスペースに種々の部品を配置する必要がある。そのため、所望の機能を得るために必要なEBGの周期構造を形成するのに必要な十分なスペースを確保することが難しい場合も多い。このように周期配列のためのスペースが不足した場合には、周期構造の繰り返し数が少ないため伝搬抑制特性を低下せざるを得ない場合もある。
この態様によると、基板上に平面EBG素子を周期配列するスペースが十分で無く、かつ平面EBG素子1個分よりも小さいスペースが余っている場合に、平面EBG素子列の形状を平面EBG素子を途中から切断し、端列のスペースに配置可能な形状とした平面EBG素子を配列することにより、平面EBG素子列を一個少なくするよりも電波の伝搬抑制効率を向上させることが可能となる。
平面EBG素子幅を1/4より大きく切り落とした場合に比べて、何らの追加処理を必要とすることなく、高い電波伝搬抑制効率を得ることできる。
この態様によると、切断した端列の平面EBG素子をグランドに接続することにより、平面EBG素子を素子幅の1/4より大きく切り落としても、繰り返し周期配列を1個減らすよりも高い電波伝搬抑制効果を得ることができる。
本発明にかかる平面EBG構造を用いることにより、不要放射の抑制及び表面波を伝搬抑制することができ、所望の放射特性を有しかつ小さいスペースに配置可能なアンテナを提供することができる。
まず、図9に従来の繰り返し周期で配列される平面EBG構造に使用される平面EBG素子を示し、図9に、従来の平面EBG構造の例として、図8の平面EBG素子を縦に並べた素子列が繰り返し周期で11列配列されている場合と、3列配列されている場合を示す。このように、従来の平面EBG構造では、すべて同じ形状一の平面EBG素子が、繰り返し配列されている。
図10は、繰り返し配列数(n)ごとの周波数と電波伝搬抑制効果の関係を示すグラフである。グラフは、電界強度が低くなるほど電波伝搬抑制効果が高いことを示している。図9に示すような平面EBG構造において、繰り返し配列数をnとしたとき、n=2、3、5、11の繰り返し周期構造を有する場合の周波数ごとの電界強度(電波伝搬抑制効果)を示すもので、横軸に周波数を示し、縦軸は電界強度を示している。
この平面EBG構造体に対して、TMモード伝搬を励起する平面波を側面より入射し、基板端から横方向に約0.38λ0進み、EBG導体パターンの上約0.09λ0の定点での電界強度を観測した。
繰り返し周期n=5でもn=11とほぼ同様の変化を示している。しかし、繰り返し周期n=2、3では、それぞれ約23.8GHz、及び約24.8GHz近辺で電界強度は下限のピーク(電波伝搬抑制効果が最大)を示している。
すなわち、図10のグラフによると、繰り返し配列数n=2,3では電界強度の最大下限ピーク値がそれぞれ−4.8dB,−3dBとなり、繰り返し配列数n=5の場合と比較して電波伝搬抑制効果が大幅にダウンすることがわかる。
本願発明は、この残余空間を有効に活用できる平面EBG構造を得るべく検討した結果、端部列のEBG素子を途中で切断した場合に、切断位置、切断端の条件に応じて、単純に同じ構造の列を設けるよりもより優れた電波伝搬抑制効果を得ることができることを見出したものである。
本願発明は、デッドスペースとなる残余スペース53に、有効なEBG素子を配列するため、端列のEBG素子として、通常のEBG素子を途中で切断した形状のEBG素子列を残余スペース53に配置した。図1は、途中で切断した形状のEBG素子11を示し、図2は、本発明の一実施形態に係る平面EBG構造10を示し、端列に途中で切断した形状の平面EBG素子11を並べたものである。
なお、ここで示すのは例であり、平面構造のEBG素子形状、配列の仕方は図1や図2に限られるものではない。
計算条件は、基板の幅n=3配列程度において繰り返し配列数n=2または3として、端列の平面EBG素子11の幅を変化させたこと以外は、図10の測定条件と同じである。凡例の数字は繰り返し配列数を表し、少数点以下は端数列の幅を表している。すなわち、1.83は、繰り返し配列数n=2で、端列の平面EBG素子11の幅は通常の平面EBG素子50の0.83倍であることを表している。また、2.67は、繰り返し配列数n=3で、端列の平面EBG素子11の幅は通常の平面EBG素子50の0.67倍であることを示している。これにより、繰り返し配列数n=2または3の場合における端列の平面EBG素子11の幅が変化したときの特性変化を知ることができる。
これによると、列数2と列数3のEBG構造の場合に、n=2.83のときに、n=3よりも電波伝搬抑制効果が良く、n=1.83のときもn=2よりも電波伝搬抑制効果が高いことがわかる。一方n=2.67〜n=2では、電波伝搬抑制効果が上がらないこともわかる。
平面EBG素子の幅の1/4未満切り取った(3/4以上残す)場合に効果があり、繰り返し周期nをちょうど3とするよりも、むしろn=2.83とする方が電波伝搬抑制効果が顕著である。
したがって、繰り返し配列の数を多くとれない平面EBG構造においては、平面EBG素子においては、端部列におけるEBG素子の幅を1個のEBG素子の幅の3/4〜1倍未満とする構造が望ましい。
端列のEBG導体11をGND20に落とす構成としては、図6に示すように、EBG導体11から誘電体(基板)14を突き抜けてGND20に接続するようなスルーホール21を設ける構成とすることもできる。
このように、端列のスペースを無駄にすることなく平面EBG素子50、11を配列することにより、所望の放射特性を有しかつ小さいスペースに配置可能なアンテナを提供することが可能となる。
11 本願発明の端列に使用する平面EBG素子
12 EBG導体
14 誘電体(基板)
17 グランド接続ライン
19 シールドケース
20 GND(グランド)
21 スルーホール
40 アンテナ
41 アンテナ素子
50 平面EBG素子
51 EBG導体
53 残余スペース
Claims (3)
- 複数の平面EBG素子を配列した平面EBG構造であって、
少なくともいずれか一方の端列の平面EBG素子列が所定の位置で切断されており、
少なくともいずれか一方の端列において、前記平面EBG素子は、該平面EBG素子の幅の3/4倍以上を残して切断された形状を備える
ことを特徴とする平面EBG構造。 - 前記平面EBG構造は、前記切断した形状の平面EBG素子列のEBG導体をグランドに接続したことを特徴とする請求項1に記載の平面EBG構造。
- アンテナ素子と、前記アンテナ素子を両側から挟むように配列された平面EBG構造とを備えるアンテナであって、
前記平面EBG構造の端列の少なくとも一方は、請求項1または2に記載の平面EBG構造を備えることを特徴とするアンテナ。
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