JP5696536B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図9〜図13を参照し、縦型IGBT10の製造方法を説明する。以下では、トレンチゲート40の製造工程のみを説明する。縦型IGBT10に係る他の製造工程は、通常のIGBTの製造工程を利用することができる。
例えば、上記の例では、半導体材料にシリコンを用いているが、シリコン以外の半導体材料でも本願明細書で開示される技術は有用である。シリコン以外の半導体材料としては、炭化珪素、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の化合物半導体が挙げられる。
本明細書で開示される技術は、IGBT又はMOSFET等の半導体装置に適用可能である。特に、本明細書で開示される技術は、IGBTに適用されるのが望ましい。IGBTでは、低いオン電圧を実現するために、幅広なトレンチゲートを用いることがある。このようなトレンチゲートでは、本明細書で開示される技術を用いると、スイッチング損失を低く維持しながら、トレンチゲートの底面の電界集中による耐圧低下も抑制することができる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
42:絶縁部
44:導電部
44a:第1導電部
44b:第2導電部
44A:第1端部
44B:第2端部
44C:第3端部
44D:第4端部
Claims (2)
- トレンチゲートを備える半導体装置であって、
前記トレンチゲートは、絶縁部と、その絶縁部内に設けられている導電部を有しており、
前記導電部は、前記トレンチゲートの上面側に位置する第1端部から前記トレンチゲートの底面側に位置する第2端部まで前記トレンチゲートの側面に沿って伸びている第1導電部と、前記トレンチゲートの側面側に位置する第3端部から前記トレンチゲートの中央側に位置する第4端部まで前記トレンチゲートの底面に沿って伸びている第2導電部を有しており、
前記第1導電部の前記第2端部と前記第2導電部の前記第3端部が接触しており、
前記第2導電部は、平面視したときに、前記第1導電部から前記トレンチゲートの中央に向けて突出しているとともに、前記トレンチゲートの側面と中央の間の中間位置を越えて中央に向けて突出しておらず、
前記第2導電部の前記第4端部は、前記トレンチゲートの中央に向けて、前記トレンチゲートの底面との距離が大きくなるように形成されている、半導体装置。 - 前記第2導電部の前記第4端部は、前記トレンチゲートの中央に向けて、前記トレンチゲートの底面との距離が大きくなるように曲面で形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
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