JP5696176B2 - シリコンドリフト型x線検出器 - Google Patents
シリコンドリフト型x線検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5696176B2 JP5696176B2 JP2013100981A JP2013100981A JP5696176B2 JP 5696176 B2 JP5696176 B2 JP 5696176B2 JP 2013100981 A JP2013100981 A JP 2013100981A JP 2013100981 A JP2013100981 A JP 2013100981A JP 5696176 B2 JP5696176 B2 JP 5696176B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- shield
- detection element
- ray detection
- thermal conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 89
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims description 30
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
- H01J2237/24415—X-ray
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
請求項1に記載の発明は、試料から発生する特性X線を分光検出することにより該試料の分析を行なう電子線装置に装着されるエネルギー分散型X線分光器に用いられるX線検出器であって、
X線を検出するための固体半導体からなるX線検出素子と、
前記X線検出素子にとりつけられ、前記X線検出素子を外部回路と電気接続するための接続端子を備えた電極端子板と、
前記電極端子板を介して熱的に接続して前記X線検出素子を冷却するペルチェ素子とからなるシリコンドリフト型X線検出器において、
前記電極端子板と前記ペルチェ素子との間に熱伝導体を備え、
前記熱伝導体の長さは、前記ペルチェ素子が発生する磁場が前記電子線装置の電子線に影響を及ぼさないように前記ペルチェ素子を前記X線検出素子から遠ざけておくのに必要な距離に基づいて定められ、
前記熱伝導体の前記X線検出素子側に開口端を持つ有底の空洞をさらに備えたことを特徴とする。
請求項11に記載の発明は、試料から発生する特性X線を分光検出することにより該試料の分析を行なう電子線装置に装着されるエネルギー分散型X線分光器に用いられるX線検出器であって、
X線を検出するための固体半導体からなるX線検出素子と、
前記X線検出素子にとりつけられ、前記X線検出素子を外部回路と電気接続するための接続端子を備えた電極端子板と、
前記電極端子板を介して熱的に接続して前記X線検出素子を冷却するペルチェ素子とからなるシリコンドリフト型X線検出器において、
前記電極端子板と前記ペルチェ素子との間に熱伝導体を備え、
前記熱伝導体の長さは、前記ペルチェ素子が発生する磁場が前記電子線装置の電子線に影響を及ぼさないように前記ペルチェ素子を前記X線検出素子から遠ざけておくのに必要な距離に基づいて定められ、
前記電極端子板と前記熱伝導体との間に前記熱伝導体を構成する材料の平均原子番号よりも原子番号の小さな元素を主成分とする第1遮蔽体をさらに備え、
前記X線検出素子を透過して前記熱伝導体に到達するX線の線量を前記第1遮蔽体により減少させるようにし、
前記第1遮蔽体と前記熱伝導体との間に前記熱伝導体よりも原子番号の大きな元素を主成分とする第3遮蔽体をさらに備え、前記X線検出素子と前記第1遮蔽体と前記第3遮蔽体とを透過して前記熱伝導体に到達したX線により前記熱伝導体から発生する二次X線が前記X線検出素子へ入射する量を減少させるようにしたことを特徴する。
(実施の形態1)
図1は、本発明を実施するシリコンドリフト型X線検出器(SDD)の概略構成例を示す断面図である。1はX線検出素子、1aはX線検出素子1の後面上に統合配置された電界効果トランジスタ(FET)、2はX線検出素子1とFET1aに電気接続するための電気配線が施された電極端子板、3はペルチェ素子、4は後部熱伝導体、5は例えば窒化硼素(BN)やベリリア磁器等の軽元素材料からなる第1遮蔽体、6は例えば金箔等の重元素からなる第2遮蔽体、7は冷却されたSDDを真空環境下に保持するための非磁性外套、8はX線入射窓である。電極端子板2は開口部2aを持つ枠状であり X線検出素子1の周辺部で接触し、X線検出素子1を保持している。
図2は、本発明を実施する他のもうひとつのシリコンドリフト型X線検出器(SDD)の概略構成例を示す断面図である。前述したように、ペルチェ素子には直流の大電流が流れている。実施の形態2のSDDは、TEMに装着する場合にも、ペルチェ素子に流れる電流によって発生する磁場が電子線に影響を与えないようにするためのものである。
1・・・X線検出素子
2・・・電極端子板
3・・・ペルチェ素子
4・・・後部熱伝導体
5・・・第1遮蔽体
6・・・第2遮蔽体
7・・・非磁性外套
8・・・X線入射窓
9・・・熱伝導体
10・・・バックグランド軽減機構
Claims (15)
- 試料から発生する特性X線を分光検出することにより該試料の分析を行なう電子線装置に装着されるエネルギー分散型X線分光器に用いられるX線検出器であって、
X線を検出するための固体半導体からなるX線検出素子と、
前記X線検出素子にとりつけられ、前記X線検出素子を外部回路と電気接続するための接続端子を備えた電極端子板と、
前記電極端子板を介して熱的に接続して前記X線検出素子を冷却するペルチェ素子とからなるシリコンドリフト型X線検出器において、
前記電極端子板と前記ペルチェ素子との間に熱伝導体を備え、
前記熱伝導体の長さは、前記ペルチェ素子が発生する磁場が前記電子線装置の電子線に影響を及ぼさないように前記ペルチェ素子を前記X線検出素子から遠ざけておくのに必要な距離に基づいて定められ、
前記熱伝導体の前記X線検出素子側に開口端を持つ有底の空洞をさらに備えたことを特徴とするシリコンドリフト型X線検出器。 - 前記電極端子板と前記熱伝導体との間に前記熱伝導体を構成する材料の平均原子番号よりも原子番号の小さな元素を主成分とする第1遮蔽体をさらに備え、
前記X線検出素子を透過して前記熱伝導体に到達するX線の線量を前記第1遮蔽体により減少させるようにしたことを特徴とする請求項1に記載のシリコンドリフト型X線検出器。 - 前記有底の空洞が、前記X線検出素子を透過して進行するX線が斜めに入射する内壁面を有する形状であることを特徴とする請求項1乃至2に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記有底の空洞が円錐状又は多角錐状又は内壁が放物面状又は単一焦点を持たない曲面状の形状であることを特徴とする請求項3に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記第1遮蔽体は窒化硼素又はベリリア磁器から成ることを特徴とする請求項2乃至4の何れかに記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記第1遮蔽体と前記熱伝導体との間に前記熱伝導体よりも原子番号の大きな元素を主成分とする第3遮蔽体をさらに備え、前記X線検出素子と前記第1遮蔽体と前記第3遮蔽体とを透過して前記熱伝導体に到達したX線により前記熱伝導体から発生する二次X線が前記X線検出素子へ入射する量を減少させるようにしたことを特徴とする請求項2乃至5の何れかに記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記第3遮蔽体は金箔から成ることを特徴とする請求項6に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記有底の空洞内壁表面に前記熱伝導体を構成する材料の平均原子番号よりも原子番号の小さな元素を主成分とするX線減少層を設け、前記内壁表面で発生するX線のX線発生効率が小さくなるようにしたことを特徴とする請求項3乃至7の何れかに記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記X線減少層はカーボン塗料から成ることを特徴とする請求項8に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記第1遮蔽体と前記第3遮蔽体との間に、前記第1遮蔽体より原子番号が大きく前記第3遮蔽体より原子番号が小さい元素を主成分とする少なくとも一つのX線遮蔽体を更に設けたことを特徴とする請求項6に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 試料から発生する特性X線を分光検出することにより該試料の分析を行なう電子線装置に装着されるエネルギー分散型X線分光器に用いられるX線検出器であって、
X線を検出するための固体半導体からなるX線検出素子と、
前記X線検出素子にとりつけられ、前記X線検出素子を外部回路と電気接続するための接続端子を備えた電極端子板と、
前記電極端子板を介して熱的に接続して前記X線検出素子を冷却するペルチェ素子とからなるシリコンドリフト型X線検出器において、
前記電極端子板と前記ペルチェ素子との間に熱伝導体を備え、
前記熱伝導体の長さは、前記ペルチェ素子が発生する磁場が前記電子線装置の電子線に影響を及ぼさないように前記ペルチェ素子を前記X線検出素子から遠ざけておくのに必要な距離に基づいて定められ、
前記電極端子板と前記熱伝導体との間に前記熱伝導体を構成する材料の平均原子番号よりも原子番号の小さな元素を主成分とする第1遮蔽体をさらに備え、
前記X線検出素子を透過して前記熱伝導体に到達するX線の線量を前記第1遮蔽体により減少させるようにし、
前記第1遮蔽体と前記熱伝導体との間に前記熱伝導体よりも原子番号の大きな元素を主成分とする第3遮蔽体をさらに備え、前記X線検出素子と前記第1遮蔽体と前記第3遮蔽体とを透過して前記熱伝導体に到達したX線により前記熱伝導体から発生する二次X線が前記X線検出素子へ入射する量を減少させるようにしたことを特徴とするシリコンドリフト型X線検出器。 - 前記第3遮蔽体は金箔から成ることを特徴とする請求項11に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記熱伝導体の前記X線検出素子側に開口端を持つ有底の空洞を備え、前期有底の空洞内壁表面に前記熱伝導体を構成する材料の平均原子番号よりも原子番号の小さな元素を主成分とするX線減少層を設け、前記内壁表面で発生するX線のX線発生効率が小さくなるようにしたことを特徴とする請求項11乃至12の何れかに記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記X線減少層はカーボン塗料から成ることを特徴とする請求項13に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
- 前記第1遮蔽体と前記第3遮蔽体との間に、前記第1遮蔽体より原子番号が大きく前記第3遮蔽体より原子番号が小さい元素を主成分とする少なくとも一つのX線遮蔽体を更に設けたことを特徴とする請求項11に記載のシリコンドリフト型X線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013100981A JP5696176B2 (ja) | 2008-12-25 | 2013-05-13 | シリコンドリフト型x線検出器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008330339 | 2008-12-25 | ||
JP2008330339 | 2008-12-25 | ||
JP2013100981A JP5696176B2 (ja) | 2008-12-25 | 2013-05-13 | シリコンドリフト型x線検出器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009266163A Division JP5606723B2 (ja) | 2008-12-25 | 2009-11-24 | シリコンドリフト型x線検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013210376A JP2013210376A (ja) | 2013-10-10 |
JP5696176B2 true JP5696176B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=42077283
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009266163A Active JP5606723B2 (ja) | 2008-12-25 | 2009-11-24 | シリコンドリフト型x線検出器 |
JP2013100981A Active JP5696176B2 (ja) | 2008-12-25 | 2013-05-13 | シリコンドリフト型x線検出器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009266163A Active JP5606723B2 (ja) | 2008-12-25 | 2009-11-24 | シリコンドリフト型x線検出器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8648313B2 (ja) |
EP (1) | EP2202775B1 (ja) |
JP (2) | JP5606723B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101281148B (zh) * | 2007-07-27 | 2011-01-05 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 一种高分辨率的半导体核辐射探测器 |
JP5818238B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2015-11-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
DE102010056321B9 (de) * | 2010-12-27 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlmikroskop |
EP2544025A1 (en) | 2011-07-07 | 2013-01-09 | FEI Company | Silicon Drift Detector for use in a charged particle apparatus |
JP5600722B2 (ja) | 2012-11-02 | 2014-10-01 | 株式会社堀場製作所 | 放射線検出器、放射線検出装置、及びx線分析装置 |
US9123837B2 (en) * | 2013-05-31 | 2015-09-01 | Oxford Instruments Analytical Oy | Semiconductor detector with radiation shield |
US10061038B2 (en) | 2015-04-07 | 2018-08-28 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Semiconductor X-ray detector |
JP6718782B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-07-08 | 日本電子株式会社 | 対物レンズおよび透過電子顕微鏡 |
DE112018006397T5 (de) * | 2017-12-15 | 2020-08-20 | Horiba Ltd. | Silizium-drift-detektionselement, silizium-drift-detektor und strahlungsdetektionsvorrichtung |
JP7486737B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-05-20 | 日本電子株式会社 | 磁場補償モジュール、物理パッケージシステム、光格子時計用物理パッケージシステム、原子時計用物理パッケージシステム、原子干渉計用物理パッケージシステム、及び、量子情報処理デバイス用物理パッケージシステム |
US12015036B2 (en) * | 2020-04-28 | 2024-06-18 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High temporal resolution solid-state X-ray detection system |
CN111473792B (zh) * | 2020-05-19 | 2021-11-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种脉冲星x射线探测装置 |
CN112071874B (zh) * | 2020-09-30 | 2024-06-14 | 湖南脉探芯半导体科技有限公司 | 一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件 |
CN112987076B (zh) * | 2021-02-07 | 2022-08-16 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种用于微弱束流的流强探测系统 |
EP4266326A1 (en) | 2022-04-22 | 2023-10-25 | Hitachi High-Tech Analytical Science Finland Oy | Multilayer collimator, and method for manufacturing a multilayer collimator |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2461801A (en) * | 1945-03-06 | 1949-02-15 | Armstrong Walter | Apparatus and method for detecting and measuring radiant energy for locating subterranean petroleum deposits |
JPH0548160Y2 (ja) * | 1987-02-06 | 1993-12-20 | ||
US5075555A (en) * | 1990-08-10 | 1991-12-24 | Kevex Instruments | Peltier cooled lithium-drifted silicon x-ray spectrometer |
JPH05142355A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-08 | Jeol Ltd | 検出器ペルチエ冷却装置 |
DE19546142A1 (de) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | Roentec Gmbh | Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung |
JP3890883B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2007-03-07 | 株式会社島津製作所 | エネルギー分散型x線検出装置及びこれを用いた走査型電子顕微鏡及び電子線マイクロアナライザー |
JP2003024312A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-28 | Hitachi Medical Corp | X線撮像装置 |
JP3950866B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2007-08-01 | 株式会社東芝 | X線分析装置及びその分析方法 |
JP2005308632A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Jeol Ltd | X線検出器 |
JP2006038822A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Tadashi Uko | 蛍光x線分析装置 |
US7449131B2 (en) * | 2004-10-06 | 2008-11-11 | Terry Industries, Inc. | Techniques and compositions for shielding radioactive energy |
US7193216B2 (en) | 2004-10-22 | 2007-03-20 | Oxford Instruments Analytical Oy | Method and circuit arrangement for compensating for rate dependent change of conversion factor in a drift-type radiation detector and a detector appliance |
DE102005037860A1 (de) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy | Röntgendetektormodul |
JP2007171062A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Hitachi Ltd | X線ct装置 |
US20080156996A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Ametek, Inc. | Indirect Method and Apparatus for Cooling a Silicon Drift Detector |
JP2008258348A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-10-23 | Institute X-Ray Technologies Co Ltd | 放射線検出器 |
JP2009186403A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Shimadzu Corp | 半導体x線検出装置および蛍光x線分析装置 |
-
2009
- 2009-11-24 JP JP2009266163A patent/JP5606723B2/ja active Active
- 2009-12-16 EP EP09252804.1A patent/EP2202775B1/en active Active
- 2009-12-23 US US12/646,496 patent/US8648313B2/en active Active
-
2013
- 2013-05-13 JP JP2013100981A patent/JP5696176B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2202775B1 (en) | 2017-02-22 |
US20100163742A1 (en) | 2010-07-01 |
JP2013210376A (ja) | 2013-10-10 |
EP2202775A3 (en) | 2012-05-09 |
US8648313B2 (en) | 2014-02-11 |
EP2202775A2 (en) | 2010-06-30 |
JP5606723B2 (ja) | 2014-10-15 |
JP2010169659A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5696176B2 (ja) | シリコンドリフト型x線検出器 | |
US7589323B2 (en) | Superconducting X-ray detector and X-ray analysis apparatus using the same | |
JP5102580B2 (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
JP5801891B2 (ja) | 電子イメージングを用いて試料の画像を作成する荷電粒子線装置及び方法 | |
US7627088B2 (en) | X-ray tube and X-ray analysis apparatus | |
US7928400B1 (en) | X-ray detection system for wavelength dispersive and energy dispersive spectroscopy and electron beam applications | |
Fukumoto et al. | Direct imaging of electron recombination and transport on a semiconductor surface by femtosecond time-resolved photoemission electron microscopy | |
WO2013035389A1 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
US8476589B2 (en) | Particle beam microscope | |
JP2019033080A (ja) | 電子顕微鏡における高エネルギーx線検査システム及び方法 | |
US10094939B2 (en) | Semiconductor detector, radiation detector and radiation detection apparatus | |
JP2013541799A5 (ja) | ||
JP5760004B2 (ja) | X線分析器 | |
US20200355837A1 (en) | Silicon drift detection element, silicon drift detector, and radiation detection device | |
Metzkes et al. | An online, energy-resolving beam profile detector for laser-driven proton beams | |
Grilj et al. | An ultra-thin diamond membrane as a transmission particle detector and vacuum window for external microbeams | |
NL2012225C2 (en) | Particle beam microscope. | |
US20190324160A1 (en) | X-ray detector and x-ray measurement device using the same | |
TW494229B (en) | Compact, high collection efficiency scintillator for secondary electron detection | |
JP2015021843A (ja) | 放射線検出器、放射線検出装置及び放射線分析装置 | |
JP4267397B2 (ja) | 信号電子検出器 | |
WO2016151786A1 (ja) | 電子顕微鏡 | |
JP2008209394A (ja) | X線管及びx線分析装置 | |
WO2018225563A1 (ja) | 放射線検出器及び放射線検出装置 | |
JP2012202828A (ja) | 半導体x線検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5696176 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |