CN111473792B - 一种脉冲星x射线探测装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种脉冲星X射线探测装置，属于辐射探测仪器仪表系统领域，解决脉冲星X射线探测的问题；装置包括用于探测脉冲星X射线的SDD单元；SDD单元包括SDD晶圆和前置放大器；SDD晶圆用于探测脉冲星X射线输出探测电流；SDD晶圆的入射窗口电极采用结深浅的PN结；前置放大器与SDD晶圆的阳极连接，用于对探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；并对SDD晶圆的漏电流进行补偿；本发明的探测装置还可基于单个SDD进行拼装组成阵列结构的大探测面积探测器。因此，本发明的脉冲星X射线探测装置，具有高能量分辨率和高时间分辨率的典型特征，探测效率高，性能稳定，系统可靠，能够适用于航天应用环境。

Description

一种脉冲星X射线探测装置
技术领域
本发明涉及辐射探测仪器仪表系统领域，尤其是一种脉冲星X射线探测装置。
背景技术
X射线脉冲星是大质量恒星演化、坍缩、超新星爆发的遗迹，具有极其稳定的自转周期，被誉为自然界最精准的天文时钟(＜10-19s/s)，它可以作为“宇宙灯塔”，为近地空间、深空探测和星际飞行航天器提供位置、速度、时间和姿态等丰富的高精度导航信息。脉冲星导航就是以脉冲星辐射的X射线作为天然信标，利用安装在航天器上的X射线探测器，探测X射线光子、测量脉冲到达时间(Time Of Arrival，TOA)，经过相应的信号和数据处理，为航天器自主高精度确定轨道、时间和姿态等导航参数的过程。
X射线探测系统是脉冲星导航系统的核心，X射线探测系统由X射线探测器、专用集成电路读出系统、数字化模块、可编程门阵列数字处理单元组成，其中X射线探测器是探测系统的最为重要部分。由于脉冲星流量低，为了获得信噪比较高的X射线脉冲星观测脉冲轮廓来计算出具有高精度的脉冲到达时间就需要较高的探测精度和很长的探测时间，
目前的X射线探测器无论在探测精度和探测面积上，均无法达到要求。
发明内容
鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种脉冲星X射线探测装置，解决脉冲星X射线探测的问题。
本发明公开了一种脉冲星X射线探测装置，包括用于探测脉冲星X射线的SDD单元；所述SDD单元包括SDD晶圆和前置放大器；
所述SDD晶圆，用于探测脉冲星X射线输出探测电流；所述SDD晶圆的入射窗口电极采用结深浅的PN结；
所述前置放大器与所述SDD晶圆的阳极连接，用于对所述探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；并对SDD晶圆的漏电流进行补偿。
进一步地，所述结深浅的PN结的结深不超过15nm，用于探测能量范围500eV～10keV的脉冲星X射线。
进一步地，所述SDD晶圆的入射窗口与外界环境之间包括双面镀铝聚酰亚胺层，其中聚酰亚胺厚度为总层厚度的90％，双面镀铝层的每一面的厚度为总层厚度的5％。
进一步地，所述前置放大器包括电荷灵敏环电路和补偿泄放电路；
所述电荷灵敏环电路与所述SDD晶圆的收集阳极连接，用于对SDD晶圆输出的探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；
所述补偿泄放电路，连接在所述电荷灵敏环电路输出端与输入端之间；一方面用于监测所述电荷灵敏环电路的输出电压值，当电压值超出所述电荷灵敏环电路的线性放大区时，对电荷灵敏环电路累积的电荷量进行泄放，降低输出电压值，使输出电压值回到线性放大区；另一方面用于提供补偿电流，对电荷灵敏环电路输入端的漏电流进行补偿。
进一步地，述电荷灵敏环电路，包括结型场效应晶体管J1、运算放大器U1、电阻R1、R2、R3和积分电容Cf；
所述结型场效应晶体管J1的栅极与探测器的输出端连接，源极接地，漏极通过电阻R1与正电压VCC连接，并与运算放大器U1的同相输入端连接；电阻R2、R3串联在正电压VCC与地之间，电阻R2、R3之间的连接端与运算放大器U1的反相输入端连接，运算放大器U1输出端与结型场效应晶体管J1的栅极之间连接积分电容Cf。
进一步地，所述补偿泄放电路包括迟滞电压比较器、补偿泄放转换开关和MOS开关管；
所述迟滞电压比较器的输入端连接积分电容Cf的积分正电压端；用于监测积分电容Cf的输出电压值，在积分电容Cf充电过程中，所述输出电压值超过第二电压阈值Vth2时，输出高电平；在在积分电容Cf放电过程中，所述输出电压值低于第一电压阈值Vth1时，输出低电平；
所述补偿泄放转换开关为单刀双掷开关，其固定端连接MOS开关管的源极，第一活动端连接积分电容Cf的积分正电压端，第二活动端连接补偿电压V1；控制端连接所述迟滞电压比较器的输出端；当所述迟滞电压比较器输出高电平时，所述固定端与第一活动端连接；当所述迟滞电压比较器输出低电平时，所述固定端与第二活动端连接；
所述MOS开关管的漏极连接积分电容Cf的积分负电压端和所述结型场效应晶体管J1的栅极；所述MOS开关管的栅极连接述迟滞电压比较器的输出端；当所述迟滞电压比较器输出高电平时，所述MOS开关管导通，当所述迟滞电压比较器输出低电平时，所述MOS开关管断开。
进一步地，所述迟滞电压比较器包括比较器U2，电阻R4、R5、R6，参考电压V2；所述电阻R4连接在积分电容Cf的积分正电压端与比较器U2的同相输入端，所述电阻R5、R6串联在比较器U2的输出端与地之间，所述电阻R5、R6的连接端与比较器U2的同相输入端连接；所述比较器U2的反相输入端与参考电压V2连接。
进一步地，所述第二电压阈值
Figure BDA0002498906810000031
所述第一电压阈值
Figure BDA0002498906810000032
式中，||表示电阻的并联关系。
进一步地，包括SDD阵列和结构骨架；
所述SDD阵列包括多个所述SDD单元，所述多个SDD单元以阵列形式排列安装于所述结构骨架上；所述结构骨架采用聚酰亚胺材料。
进一步地，各SDD单元的各SDD单元的布局关系和外接引线的长度一致；所述SDD单元的各信号通道之间采用电磁屏蔽；并且各所述SDD单元之间共用偏置电压、制冷电源。
本发明的有益效果如下：
本发明的脉冲星X射线探测装置，具有高能量分辨率和高时间分辨率的典型特征，可以得到精确的光子到达时间；
并且基于单个SDD进行拼装组成阵列结构的大探测面积探测器，可以有效解决当前单个的探测单元对于脉冲星X射线探测效率过低的问题，能够显著提升脉冲星导航系统的观测时间，在较短时间内达到脉冲星导航对于光子收集数量的需要；
本发明装置简单可行，性能稳定，系统可靠，能够适用于航天应用环境。
附图说明
附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本发明的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。
图1为本发明实施例中的脉冲星X射线探测装置组成原理图；
图2为本发明实施例中的阳极面结构示意图；
图3为本发明实施例中的入射面结构示意图；
图4为本发明实施例中的横剖面结构示意图；
图5为本发明实施例中的电荷灵敏前置放大器电路原理图；
图6为本发明实施例中的2×2SDD阵列拼装示意图。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。
本实施例公开了一种脉冲星X射线探测装置，包括用于探测脉冲星X射线的SDD(硅漂移探测器，Silicon Drift Detector)单元；如图1所示，所述SDD单元包括SDD晶圆11、前置放大器、基板13、制冷件14、外接引线15和底座16；
所述SDD晶圆11，用于探测脉冲星X射线，其阳极输出探测电流；
所述前置放大器与所述SDD晶圆11的阳极连接(图1中前置放大器被SDD晶圆11遮挡)，用于对所述探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；并对SDD晶圆11的漏电流进行补偿；
所述基板13与SDD晶圆11以及前置放大器连接，基板13、SDD晶圆11和前置放大器12之间的连接方式采用倒装焊方式，通过倒装焊方式可以使间接件之间的互连线短、寄生电容和寄生电感小，晶圆的I/O电极可在基板表面任意设置，封装密度高。基板13与外接引线15的连接方式采用金丝键合工艺进行连接。
制冷件14为电制冷器件，用于对SDD晶圆11和前置放大器12进行散热。制冷件14的制冷片通过导热胶粘合方式与基板连接，制冷件14的吸热面接触基板，放热面与热导率高的铜柱接触，最后铜柱与底座16连接；
具体的，制冷件14的最大制冷温差74℃，最大散热热量：2.3W，最大电流：1.2A，最大电压：3.1V。
底座16为SDD单元的其他部件提供支撑，对外连接接口以及实现热量传递，以便于降低SDD工作温度。
具体的，在本实施例中公开的SDD晶圆11，包括阳极面、入射面、阳极、入射窗口电极、分压器、漂移环、保护环、接地环和衬底；其阳极面、入射面和横剖面分别如图2、3、4所示；
具体的，SDD晶圆11的漂移环宽度：60um，漂移环间距：15um，漂移环个数：31。保护环宽度：15u，保护环间距：15um，保护环个数：15。衬底厚度不低于350μm，<100>晶向。
其中，如图2所示，阳极面是SDD晶圆的背面，在阳极面上设置有阳极4、分压器6、漂移环7、保护环8和接地环9，用于产生合适的电场分布，保证载流子被阳极收集；其中的阳极为晶圆的中心位置，漂移环7、保护环8和接地环9为由内向外依次设置的同心圆环，个数均为多个；分压器位于相邻的漂移环之间。
如图3所示，入射面是SDD晶圆的正面，X射线由此直接入射，包括入射窗口电极5，保护环8和接地环9。用于保证X射线能够正常入射并产生足够多的载流子；其中入射窗口电极为位于中心区域的圆形结构，其半径小于保护环的最内侧半径；外侧依次设置保护环8和接地环9。背面的保护环和正面的保护环对称设置；背面的接地环和正面的接地环对称设置。
如图4所示，横剖面即SDD晶圆的侧面，在横剖面包括的主要结构有阳极4、分压器6、漂移环7、保护环8以及中间的衬底。
其中，
阳极为N+掺杂，衬底为N-掺杂，其余结构为P+掺杂。
阳极4为零电位收集极，阳极的面积很小，用于收集载流子，被电离产生的电子经过漂移电场最后被阳极吸收，同时是前置放大器的输入极；
入射窗口电极5，采用结深浅的PN结，减少死层的厚度，用于作为硅漂移探测器的入射窗口；因为在此区域产生的载流子在分离之前就会很快复合，无法被阳极收集，随着PN结的结深越浅，则能够探测的X射线能量更低。
具体的，本实施例中的PN结的结深不超过15nm，能够探测的X射线能量范围500eV～10keV。
分压器6，采用高方阻短分压器，用于使漂移环间出现均匀的压降，获得均匀的漂移电场；
漂移环7，采用圆形结构，具有各向同性，漂移时间短，用于在SDD内部产生横向电场，电子空穴对在电场作用下进行横向漂移，漂移到阳极被收集产生输出信号；
保护环8，采用多保护环结构，用于降低PN结边缘的电场强度，防止PN结边缘在较大的反向偏压时被击穿，同时减少漏电流的产生；
接地环9，位于SDD晶圆的最外侧，用于屏蔽器件外部漏电的影响。
优选的，SDD晶圆的各电极材料采用镁青铜，收集阳极为微带线，微带线的介质基片选择聚四氟乙烯材料，介电常量高，微波损耗低，厚度不超过1mm。
所述SDD晶圆的入射窗口与外界环境之间包括双面镀铝聚酰亚胺层，其中聚酰亚胺厚度为总层厚度的90％，双面镀铝层的每一面的厚度为总层厚度的5％。作用是为探测器提供与外部环境的隔离屏障，同时阻挡可见光、紫外线等影响，但不能影响低能X射线入射，尽量减少能量损失。聚酰亚胺应该尽可能薄，但如果太薄会失去机械支撑作用，所以需要铝层，同时铝涂层能够对空间重带电粒子起到比较好的屏蔽效果。
优选的，双面镀铝聚酰亚胺层厚度为1μm，其中聚酰亚胺层900nm，铝涂层双面各50nm。
SDD单元的主体结构材料采用聚酰亚胺，具有耐高低温，强度高，比重小，抗辐射干扰等特点。在各单位制备和加工过程中，各零件采用和主体结构材料相同的材料，彼此之间有相同的热膨胀系数，防止发生松动。
本实施例的前置放大器为电荷灵敏前置放大器，紧邻SDD单元，与SDD晶圆阳极面的接收阳极相连，用于对信号进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；
优选的，前置放大器为输入漏电补偿型的电荷灵敏前置放大器。可实现对SDD晶圆对输入端结型场效应晶体管(JFET)的漏电流进行补偿，提高能量分辨率。
具体的，如图5所示，电荷灵敏前置放大器包括电荷灵敏环电路和补偿泄放电路。
所述电荷灵敏环电路与所述SDD晶圆的收集阳极连接，用于对SDD晶圆输出的探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；
所述补偿泄放电路，连接在所述电荷灵敏环电路输出端与输入端之间；一方面用于监测所述电荷灵敏环电路的输出电压值，当电压值超出所述电荷灵敏环电路的线性放大区时，对电荷灵敏环电路累积的电荷量进行泄放，降低输出电压值，使输出电压值回到线性放大区；另一方面用于提供补偿电流，对电荷灵敏环电路输入端的漏电流进行补偿。
具体的，电荷灵敏环电路包括结型场效应晶体管J1、运算放大器U1、电阻R1、R2、R3和积分电容Cf；
所述结型场效应晶体管J1的栅极与探测器的输出端连接，源极接地，漏极通过电阻R1与正电压VCC连接，并与运算放大器U1的同相输入端连接；电阻R2、R3串联在正电压VCC与地之间，电阻R2、R3之间的连接端与运算放大器U1的反相输入端连接，运算放大器U1输出端与结型场效应晶体管J1的栅极之间连接积分电容Cf，即跨接在电荷灵敏环电路的输入和输出端；积分电容Cf决定电荷灵敏环电路的电荷转换增益(电荷-电压)。当积分电容Cf的电荷累积到一定程度后，所述电荷灵敏环电路会工作在非线性放大区，从而影响对SDD晶圆输出探测电流的放大。
所述补偿泄放电路包括迟滞电压比较器、补偿泄放转换开关和MOS开关管；
所述迟滞电压比较器的输入端连接积分电容Cf的积分正电压端；用于监测积分电容Cf的输出电压值，在积分电容Cf充电过程中，所述输出电压值超过第二电压阈值Vth2时，输出高电平；在在积分电容Cf放电过程中，所述输出电压值低于第一电压阈值Vth1时，输出低电平；
所述补偿泄放转换开关为单刀双掷开关，其固定端连接MOS开关管的源极，第一活动端连接积分电容Cf的积分正电压端，第二活动端连接补偿电压V1；控制端连接所述迟滞电压比较器的输出端；当所述迟滞电压比较器输出高电平时，所述固定端与第一活动端连接；当所述迟滞电压比较器输出低电平时，所述固定端与第二活动端连接；
所述MOS开关管的漏极连接积分电容Cf的积分负电压端和所述结型场效应晶体管J1的栅极；所述MOS开关管的栅极连接述迟滞电压比较器的输出端；当所述迟滞电压比较器输出高电平时，所述MOS开关管导通，当所述迟滞电压比较器输出低电平时，所述MOS开关管断开。
具体的，所述迟滞电压比较器输入端连接积分电容Cf的积分正电压端；具体包括比较器U2，电阻R4、R5、R6，参考电压V2；所述电阻R4连接在积分电容Cf的积分正电压端与比较器U2的同相输入端，所述电阻R5、R6串联在比较器U2的输出端与地之间，所述电阻R5、R6的连接端与比较器U2的同相输入端连接；所述比较器U2的反相输入端与参考电压V2连接。
具体的，所述第二电压阈值
Figure BDA0002498906810000091
所述第一电压阈值
Figure BDA0002498906810000092
式中，||表示电阻的并联关系。
在上述连接关系上，在电荷灵敏环正常对SDD晶圆输出的探测电流进行积分，累积电荷量，积分电容Cf的输出电压值未超过第二电压阈值Vth2时，所述迟滞电压比较器输出低电平，所述补偿泄放转换开关的第二活动端与固定端连接，所述MOS开关管关断；所述补偿电压V1通过关断的MOS开关管连接结型场效应晶体管J1的栅极，补偿电压V1通过关断MOSFET产生的高阻产生一个微弱电流，所述电流与结型场效应晶体管J1的栅极漏电流相等，抵消漏电流进行补偿，减小对探测器输出电荷的影响。补偿电压V1还可以通过关断MOSFET产生的高阻进行分压，保持电荷灵敏前置放大器的静态工作电压不变。
具体的，在电荷灵敏环正常对SDD晶圆输出的探测电流进行积分过程中，当积分电容Cf的积分输出电压值超过第二电压阈值Vth2时，所述迟滞电压比较器输出高电平，所述补偿泄放转换开关的第一活动端与固定端连接，所述MOS开关管导通；形成积分电容Cf的泄放通路，积分电容Cf进行泄放，电压下降；当积分电容Cf的积分输出电压值泄放到低于第一电压阈值Vth1时，迟滞电压比较器输出低电平，所述补偿泄放转换开关的第二活动端与固定端连接，所述MOS开关管关断；断开积分电容Cf的泄放通路，停止泄放；同时，所述补偿电压V1通过MOS开关管303的关断电阻，给结型场效应晶体管J1的栅极提供补偿电流和偏置电压。
由于单个SDD单元的SDD晶圆的探测面积的增大会导致探测器漏电流的增大，使噪声变大，不利于实现高能量分辨率。但为了获得信噪比较高的X射线脉冲星观测脉冲轮廓来计算出具有高精度的脉冲到达时间就需要很长的探测时间，需要更大的探测面积。为了解决这一问题，本实施例的一个更优的方案公开的脉冲星X射线探测装置，包括SDD阵列和结构骨架；
所述SDD阵列包括多个所述SDD单元，所述多个SDD单元以阵列形式排列安装于所述结构骨架上；
其中，SDD阵列作为探测装置的基本单元，包括多个SDD单元。所述多个SDD单元芯片以阵列形式排列安装于结构骨架上；
SDD单元的阵列形式可以为M行×N列(M，N为正整数)的任何组合，以使SDD单元活性区面积和形状符合设计的要求。
结构骨架采用聚酰亚胺材料，有很强的机械强度和韧性，且具备真空辐射环境下使用条件。
如图6所示，给出了2×2阵列拼装形式，为方便集成，硅漂移探测器SDD单元为尺寸为20mm×20mm的方形，活性区为圆形。拼装为2×2的SDD阵列，总探测面积为1600mm2，活性区占比为80％。
2×2结构的SDD阵列的收集阳极有四个独立微带线，分别对应着每个探测单元，信号与漏电流一同进入对应前置放大器。
为了加强通道一致性、信号完整性和防止信号串扰，各SDD单元的外接引线的长度和SDD单元的布局严格保持一致，并采用电磁屏蔽措施使SDD单元的各通道之间电磁屏蔽，防止电源和数字信号带来的信号串扰。各SDD单元之间共用偏置电压、制冷电源，信号独立引出。
在各单位制备和加工过程中，各零件采用和主体结构材料相同的材料，彼此之间有相同的热膨胀系数，防止发生松动。
综上所述，本实施例的脉冲星X射线探测装置，具有高能量分辨率和高时间分辨率的典型特征，可以得到精确的光子到达时间；并且基于单个SDD进行拼装组成阵列结构的大探测面积探测器，可以有效解决当前单个的探测单元对于脉冲星X射线探测效率过低的问题，能够显著提升脉冲星导航系统的观测时间，在较短时间内达到脉冲星导航对于光子收集数量的需要；装置简单可行，性能稳定，系统可靠，能够适用于航天应用环境。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种脉冲星X射线探测装置，其特征在于，包括用于探测脉冲星X射线的SDD单元；所述SDD单元包括SDD晶圆和前置放大器；
所述SDD晶圆，用于探测脉冲星X射线输出探测电流；所述SDD晶圆的入射窗口电极采用结深浅的PN结；
所述前置放大器与所述SDD晶圆的阳极连接，用于对所述探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；并对SDD晶圆的漏电流进行补偿；
所述前置放大器包括电荷灵敏环电路和补偿泄放电路；
所述电荷灵敏环电路与所述SDD晶圆的收集阳极连接，用于对SDD晶圆输出的探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；
所述补偿泄放电路，连接在所述电荷灵敏环电路输出端与输入端之间；一方面用于监测所述电荷灵敏环电路的输出电压值，当电压值超出所述电荷灵敏环电路的线性放大区时，对电荷灵敏环电路累积的电荷量进行泄放，降低输出电压值，使输出电压值回到线性放大区；另一方面用于提供补偿电流，对电荷灵敏环电路输入端的漏电流进行补偿。
2.根据权利要求1所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，所述结深浅的PN结的结深不超过15nm，用于探测能量范围500eV～10keV的脉冲星X射线。
3.根据权利要求1所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，所述SDD晶圆的入射窗口与外界环境之间包括双面镀铝聚酰亚胺层，其中聚酰亚胺厚度为总层厚度的90％，双面镀铝层的每一面的厚度为总层厚度的5％。
4.根据权利要求1所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，述电荷灵敏环电路，包括结型场效应晶体管J1、运算放大器U1、电阻R1、R2、R3和积分电容Cf；
所述结型场效应晶体管J1的栅极与探测器的输出端连接，源极接地，漏极通过电阻R1与正电压VCC连接，并与运算放大器U1的同相输入端连接；电阻R2、R3串联在正电压VCC与地之间，电阻R2、R3之间的连接端与运算放大器U1的反相输入端连接，运算放大器U1输出端与结型场效应晶体管J1的栅极之间连接积分电容Cf。
5.根据权利要求4所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，
所述补偿泄放电路包括迟滞电压比较器、补偿泄放转换开关和MOS开关管；
所述迟滞电压比较器的输入端连接积分电容Cf的积分正电压端；用于监测积分电容Cf的输出电压值，在积分电容Cf充电过程中，所述输出电压值超过第二电压阈值Vth2时，输出高电平；在在积分电容Cf放电过程中，所述输出电压值低于第一电压阈值Vth1时，输出低电平；
所述补偿泄放转换开关为单刀双掷开关，其固定端连接MOS开关管的源极，第一活动端连接积分电容Cf的积分正电压端，第二活动端连接补偿电压V1；控制端连接所述迟滞电压比较器的输出端；当所述迟滞电压比较器输出高电平时，所述固定端与第一活动端连接；当所述迟滞电压比较器输出低电平时，所述固定端与第二活动端连接；
所述MOS开关管的漏极连接积分电容Cf的积分负电压端和所述结型场效应晶体管J1的栅极；所述MOS开关管的栅极连接述迟滞电压比较器的输出端；当所述迟滞电压比较器输出高电平时，所述MOS开关管导通，当所述迟滞电压比较器输出低电平时，所述MOS开关管断开。
6.根据权利要求5所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，所述迟滞电压比较器包括比较器U2，电阻R4、R5、R6，参考电压V2；所述电阻R4连接在积分电容Cf的积分正电压端与比较器U2的同相输入端，所述电阻R5、R6串联在比较器U2的输出端与地之间，所述电阻R5、R6的连接端与比较器U2的同相输入端连接；所述比较器U2的反相输入端与参考电压V2连接。
7.根据权利要求6所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，所述第二电压阈值
Figure FDA0003225565500000031
所述第一电压阈值
Figure FDA0003225565500000032
Figure FDA0003225565500000033
式中，||表示电阻的并联关系。
8.根据权利要求1-7任一项所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，包括SDD阵列和结构骨架；
所述SDD阵列包括多个所述SDD单元，所述多个SDD单元以阵列形式排列安装于所述结构骨架上；所述结构骨架采用聚酰亚胺材料。
9.根据权利要求8所述的脉冲星X射线探测装置，其特征在于，各SDD单元的各SDD单元的布局关系和外接引线的长度一致；所述SDD单元的各信号通道之间采用电磁屏蔽；并且各所述SDD单元之间共用偏置电压、制冷电源。
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