DE19546142A1 - Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Detektion
von Röntgenstrahlung unter Verwendung von Silizium-
Driftkammer-Strukturen und ist anwendbar insbesondere
beim Einsatz in der energiedispersiven
Elektronenstrahl-Mikroanalyse in Verbindung mit
Elektronenmikroskopen.
Es ist bekannt, Strahlungssensoren in der
hochauflösenden Röntgenspektroskopie durch den Einsatz
von Detektorkristallen aus Lithium-gedriftetem Silizium
bzw. hochreinem Germanium zu realisieren. Als
Eingangsstufe des Vorverstärkers werden hierbei
separate, rauscharme Feldeffekt-Transistoren verwendet.
Bezüglich des charakteristischen Parameters derartiger
Systeme, der Energieauflösung, liegen die typischen
Werte bei 133 eV (Si(Li)) bzw. 115 eV (Germanium).
Nachteilig an diesen bekannten technischen Lösungen
ist, daß die Bauelemente im Betrieb mit Hilfe von
flüssigem Stickstoff oder thermoelektrischen bzw.
thermodynamischen Kühlern auf sehr niedrige
Temperaturen (bis -196°C) gekühlt werden müssen.
Insbesondere bei Germanium-Detektoren besteht die
Gefahr der Zerstörung bei Unterbrechung der Kühlung
(nicht rechtzeitiges Nachfüllen von flüssigem
Stickstoff bzw. Stromausfall bei thermoelektrischen/thermodynamischen
Kühlern).
Auch müssen sich aufgrund der niedrigen Temperaturen
die Bauelemente ständig im Vakuum befinden, um
Kondensation auf den Oberflächen zu verhindern.
In der Regel sind die Sensoren in spezielle Kryostate
montiert, die ein abgeschlossenes Vakuumsystem bilden.
Damit sind aufgrund der konstruktiven Randbedingungen
Einschränkungen bezüglich der geometrischen
Verhältnisse für die Strahlungsdetektion gegeben.
Die geschlossenen Vakuumsysteme haben naturgemäß nur
eine begrenzte Standzeit.
Bei Überschreiten einer bestimmten Restgaskonzentration
bilden sich Kondensationsschichten unter anderem auf
dem Detektorkristall, was zu Änderungen in der
Absorptionscharakteristik für die Röntgenstrahlung
führt und die korrekte Auswertung der Spektren
erschwert bzw. unmöglich macht.
Hinzu kommt, daß in den Systemen auf unterschiedlicher
Art mechanische Schwingungen erzeugt werden, die
einerseits aufgrund der separaten Anordnung
Sensor/Feldeffekt -Transistor zu Kapazitätsschwankungen
und damit zu Mikrofonie-Effekten führen können,
andererseits die Abbildungsqualität des
Elektronenmikroskopes beeinträchtigen können.
Auch ist der Herstellungsaufwand sowohl für
stickstoffgekühlte als auch für thermoelektrisch bzw.
thermodynamisch gekühlte Detektionssysteme relativ
hoch. Daraus resultieren hohe Anschaffungspreise, was
wiederum einem breiten Einsatz dieser Technik entgegen
steht. Weiterhin ergeben sich relativ hohe
Betriebskosten durch den kontinuierlichen
Stickstoffverbrauch und die Notwendigkeit einer
zyklischen Regenerierung.
Letzlich entstehen beim Betrieb stickstoffgekühlter
Systeme erhebliche Belastungen für den Anwender. Die
notwendige regelmäßige Beschaffung des Stickstoffes,
die Lagerung und das Handling sind sehr aufwendig. Es
besteht Verletzungsgefahr bei unsachgemäßem Umgang mit
dem flüssigen Stickstoff.
Silizium-Driftkammer- Strukturen sind prinzipiell für
die Detektion von Röntgenstrahlung geeignet, bisherige
Anwendungen sind jedoch auf den Einsatz im Rahmen von
kosmischen Experimenten beschränkt. Die dafür gezielt
entwickelten Sensorelemente sind aufgrund ihres
speziellen Layout und der Parameter nicht unmittelbar
für die Anwendung in der instrumentellen Analytik,
beispielsweise der Elektronenstrahl-Mikroanalyse,
geeignet. Spezielle Halbleiterdetektoren sind in den
Internationalen Anmeldungen WO 85/04986 und WO 85/04987
beschrieben.
Bisher ist keine gerätetechnische Lösung bekannt, die
es gestattet, für die Elektronenstrahl-Mikroanalyse
Strahlungssensoren bei Raumtemperatur bzw. bei
Temperaturen oberhalb -50°C zu betreiben.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine
Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung zu
schaffen, welche als neues Einsatzgebiet die
energiedispersive Elektronenstrahl-Mikroanalyse in
Verbindung mit Elektronenstrahl-Mikroskopen erschließt,
einfach und preiswert herstellbar und anwendbar ist und
sowohl bei Raumtemperatur als auch gekühlt sowie unter
normalen Atmosphärenbedingungen als auch unter
Schutzgas oder Vakuum betrieben werden kann.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die
Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 in
Verbindung mit den Merkmalen im Oberbegriff.
Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen enthalten.
Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß
durch eine kompakte Modulbauweise bei geringen
Produktions- und Betriebskosten sowie relativ kleinen
geometrischen Abmessungen der Einsatz in der
energiedispersiven Elektronenstrahl-Mikroanalyse
erschlossen wird, indem das Sensormodul als
Strahlungssensor ein Siliziumchip aufweist, auf welchem
mindestens eine nach dem Driftkammer-Prinzip arbeitende
Struktur sowie mindestens eine Verstärkerstufe des
Vorverstärkers und gegebenenfalls ein Temperatursensor
angeordnet ist.
Der Detektor kann bei Raumtemperatur betrieben werden,
eine aufwendige Kühlung auf Temperaturen unter -100°C
mit flüssigem Stickstoff oder thermoelektrischen bzw.
thermodynamischen Verfahren ist nicht notwendig. Zur
Stabilisierung der thermischen Verhältnisse und
gegebenenfalls zur Erzeugung von Arbeitstemperaturen
<-50°C kann ein integriertes Peltier-Element verwendet
werden.
Für die Funktion des Detektors ist kein Vakuum oder
Schutzgas erforderlich, jedoch möglich, ein Betrieb
auch unter normalen Atmosphärenbedingungen ist
unbedenklich.
Aufgrund der Betriebsbedingungen und der damit
möglichen kleinen und kompakten Bauform sowie dadurch,
daß das Silizium-Chip auf einer Keramik-Hybrid-Baugruppe,
welche der mechanischen Halterung sowie der
internen und externen elektrischen Kontaktierung dient,
angeordnet ist und die Keramik-Hybrid-Baugruppe mit der
Kälteseite des Peltier-Elementes, welches der
thermischen Stabilisierung des Silizium-Chips dient,
verbunden ist und die Wärmeseite des Peltier-Elementes
mit dem Flatpack-Gehäuse in Verbindung steht, lassen
sich diese Detektor-Module vollständig in die
Probenkammer eines Elektronenmikroskopes integrieren.
Die geometrischen Verhältnisse für die
Strahlungsdetektion (Abstand Probe-Detektor-Modul,
Abnahmewinkel) können optimal gestaltet werden.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß
beim Betrieb bei Raumtemperatur keine
Kondensationsschichten entstehen können, die
Absorptionscharakteristik für die Röntgenstrahlung
bleibt stabil. Eine Regenerierung ist nicht
erforderlich.
Ebenso ist es vorteilhaft, daß keinerlei mechanische
Schwingungen erzeugt werden. Auch fremderzeugte
Schwingungen bzw. Vibrationen beeinträchtigen die
Parameter nicht, da die Empfindlichkeit der Anordnung
durch die integrierte on-chip Elektronik wesentlich
geringer ist.
Die Erfindung soll nachstehend anhand von
Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
Es zeigen:
Fig. 1 den Aufbau eines Röntgen-Detektor-Moduls in
einer Schnittdarstellung;
Fig. 2 das im Ergebnis einer Messung aufgenommene
Spektrum.
Für den Einsatz in der energiedispersiven
Elektronenstrahl-Mikroanalyse in Verbindung mit
Elektronenmikroskopen weist, wie in Fig. 1 dargestellt,
ein Sensor-Modul 1 als Strahlungssensor ein
Siliziumchip 2 auf, auf dem als sensitives Element eine
kreisförmige, nach dem Driftkammer-Prinzip arbeitende
Struktur integriert und die erste Verstärkerstufe des
Vorverstärkers als integrierte on-chip Elektronik
ausgeführt ist.
Der Silizium-Chip 2 ist auf eine Keramik-Hybrid-Baugruppe
montiert, die neben der mechanischen
Halterung und elektrischen Kontaktierung des Silizium-Chips
2 die Schnittstelle für die Kontaktierung aller
Signal- und Versorgungsanschlüsse realisiert.
Die Keramik-Hybrid-Baugruppe 3 ist im vorliegenden
Ausführungsbeispiel, obwohl nicht zwingend notwendig,
mit einem Peltier-Element 4 versehen, um eine
thermische Stabilisierung bzw. Kühlung des Sensors
realisieren zu können. Dabei ist die Keramik-Hybrid-Baugruppe
3 mit der Kälteseite des Peltier-Elementes 4
und die Wärmeseite des Peltier-Elementes 4 mit dem
Flatpack-Gehäuse 5 verbunden.
Die Keramik-Hybrid-Baugruppe 3 einschließlich des
Peltier-Elementes 4 ist im vorliegenden
Ausführungsbeispiel, ebenfalls nicht zwingend
notwendig, in einem unter Vakuum oder Schutzgas
hermetisch verschließbaren Flatpack-Gehäuse 5 aus
Metall montiert.
Zur Vermeidung von Randzoneneffekten wurden geeignete
konstruktive bzw. elektronische Maßnahmen getroffen,
indem vor der sensitiven Fläche 2a des Silizium-Chips 2
ein Kollimator 6 in das Flatpack-Gehäuse 5 integriert
wurde und die Beschaltung einer Veto-Anode erfolgte.
Das Gehäuse 5 ist mit einer Beryllium-Folie als
Strahlen-Eintrittsfenster 7 versehen.
In der Figur nicht dargestellt ist die Anordnung des
Sensor-Modules 1 in der Probenkammer eines
Elektronenmikroskopes. Die Verwendung des Sensor-Modules
1 ist als Standard-Analytikzusatz zu allen
Raster- bzw. Transmissions-Elektronenmikroskopen
möglich.
Das Röntgen-Detektor-Modul soll nachfolgend noch kurz
im dynamischen Zustand beschrieben werden. Dabei wurde
eine Testanordnung verwendet, bestehend aus:
- - Silizium-Driftkammer, Struktur kreisförmig, aktive Fläche 3,14 qmmm mit integrierter on-chip-Elektronik, betrieben bei Raumtemperatur
- - Vorverstärker- Schaltkreis AMTEC A250
- - RÖNTEC Signalverarbeitungs-Elektronik
- - PC mit analytischer Software und Spektren-Eingabekarte (DMI).
Die Funktionsweise ist wie folgt:
In das aktive Volumen des Sensors einfallende Röntgen quanten erzeugen eine ihrer Energie proportionale Anzahl von Elektronen-Loch-Paaren. Durch das angelegte Potentialfeld werden die Ladungsträger nach dem Driftkammerprinzip an die Elektroden abgeführt, an der Ausleseanode entsteht ein Ladungsimpuls. Im integrierten Feldeffekt-Transistor wird dieser in einen Spannungsimpuls umgewandelt und im Vorverstärker ver stärkt. Im spektroskopischen Verstärker erfolgt die Formung in gaußförmige Impulse entsprechender Höhe und die weitere Verstärkung. Diese werden mit Hilfe eines ADC digitalisiert und in der Spektren-Eingabekarte akkumuliert. Dies geschieht in der Weise, daß die Im pulse in Abhängigkeit von der Impulshöhe - und damit von der Energie des Röntgenquants - in diskrete Kanäle eingeordnet werden. Somit entsteht ein Röntgen-Spektrum, in dem in bestimmten Kanälen eine Häufung von Ereignissen zu verzeichnen ist. Mit Hilfe der ana lytischen Software kann aus der energetischen Lage dieser Häufungen das chemische Element bestimmt werden, das die entsprechende Strahlung emittiert sowie aus der Intensität die Konzentration des Elementes.
In das aktive Volumen des Sensors einfallende Röntgen quanten erzeugen eine ihrer Energie proportionale Anzahl von Elektronen-Loch-Paaren. Durch das angelegte Potentialfeld werden die Ladungsträger nach dem Driftkammerprinzip an die Elektroden abgeführt, an der Ausleseanode entsteht ein Ladungsimpuls. Im integrierten Feldeffekt-Transistor wird dieser in einen Spannungsimpuls umgewandelt und im Vorverstärker ver stärkt. Im spektroskopischen Verstärker erfolgt die Formung in gaußförmige Impulse entsprechender Höhe und die weitere Verstärkung. Diese werden mit Hilfe eines ADC digitalisiert und in der Spektren-Eingabekarte akkumuliert. Dies geschieht in der Weise, daß die Im pulse in Abhängigkeit von der Impulshöhe - und damit von der Energie des Röntgenquants - in diskrete Kanäle eingeordnet werden. Somit entsteht ein Röntgen-Spektrum, in dem in bestimmten Kanälen eine Häufung von Ereignissen zu verzeichnen ist. Mit Hilfe der ana lytischen Software kann aus der energetischen Lage dieser Häufungen das chemische Element bestimmt werden, das die entsprechende Strahlung emittiert sowie aus der Intensität die Konzentration des Elementes.
Mit der oben beschriebenen Anordnung wurde das Spektrum
einer radioaktiven Fe⁵⁵ Quelle aufgenommen. Die
berechnete Energieauflösung bei Raumtemperatur beträgt
173 eV.
Der Ausdruck des Spektrums ist in Fig. 2 dargestellt.
Die Erfindung ist nicht auf die hier beschriebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr ist es
möglich, durch Kombination und Modifikation der
beschriebenen Merkmale weitere Ausführungsvarianten zu
realisieren, ohne den Rahmen der Erfindung zu
verlassen.
Claims (12)
1. Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung
unter Verwendung von Silizium-Driftkammer-Strukturen,
dadurch gekennzeichnet,
daß für den Einsatz in der energiedispersiven
Elektronenstrahl-Mikroanalyse in Verbindung mit
Elektronenmikroskopen ein Sensor-Modul (1) als
Strahlungssensor ein Silizium-Chip (2) aufweist,
auf welchem mindestens eine nach dem Driftkammer-Prinzip
arbeitende Struktur sowie mindestens eine
Verstärkerstufe des Vorverstärkers angeordnet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf dem Silizium-Chip (2) zusätzlich mindestens
ein Temperatursensor angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Silizium-Chip (2) auf einer Keramik-Hybrid-Baugruppe
(3), welche der mechanischen Halterung
sowie der internen und externen elektrischen
Kontaktierung dient, angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet
daß die Keramik-Hybrid-Baugruppe (3) mit der
Kälteseite eines Peltier-Elementes (4), welches der
thermischen Stabilisierung des Silizium-Chips (2)
dient, verbunden ist und die Wärmeseite des
Peltier-Elementes (4) mit einem Flatpack-Gehäuse
(5) in Verbindung steht.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Sensor-Modul (1) mit auf der Keramik-
Hybrid-Baugruppe (3) angeordnetem Silizium-Chip (2)
und Peltier-Element (4) in einem gasdicht
ausgebildeten Flatpack-Gehäuse (5) aus Metall
angeordnet ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet
daß die nach dem Driftkammer-Prinzip arbeitenden
Strukturen kreisförmig ausgebildet sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß sich innerhalb des Flatpack-Gehäuses (5) Vakuum
oder Schutzgas befindet.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß vor der sensitiven Fläche (2a) des Silizium-Chips
(2) ein Kollimator (6) in das Flatpack-Gehäuse
(5) integriert ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Flatpack-Gehäuse (5) ein
Strahleneintrittsfenster (7) aufweist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Strahleneintrittsfenster (7) mit einer
Beryllium-Folie verschlossen ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Sensor-Modul (1) in der Probenkammer eines
Elektronenmikroskopes angeordnet ist.
12. Verwendung der Vorrichtung gemäß mindestens einem
der voranstehenden Ansprüche als Standard-Analytikzusatz
zu allen Raster- bzw. Transmissions-Elektronenmikroskopen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19546142A DE19546142A1 (de) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19546142A DE19546142A1 (de) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19546142A1 true DE19546142A1 (de) | 1997-06-05 |
Family
ID=7779770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19546142A Withdrawn DE19546142A1 (de) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19546142A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19843229A1 (de) * | 1998-09-10 | 2000-04-20 | Ifg Inst Fuer Geraetebau Gmbh | Verfahren und Gerät zum Analysieren von Proben mittels Röntgenfluoreszenz-Spektroskopie |
DE19948382A1 (de) * | 1999-10-07 | 2001-05-03 | Gemetec Ges Fuer Mestechnik Un | Detektor für grosse Waferflächen |
EP1619495A1 (de) * | 2004-07-23 | 2006-01-25 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle einer Probenoberfläche und Verwendung von fluoreszierenden Materialien |
WO2010132124A1 (en) | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Aspex Corporation | Electron microscope with integrated detector(s) |
EP2202775A3 (de) * | 2008-12-25 | 2012-05-09 | JEOL Ltd. | Silicon-Drift-Röntgendetektor |
US9972474B2 (en) | 2016-07-31 | 2018-05-15 | Fei Company | Electron microscope with multiple types of integrated x-ray detectors arranged in an array |
-
1995
- 1995-11-28 DE DE19546142A patent/DE19546142A1/de not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19843229A1 (de) * | 1998-09-10 | 2000-04-20 | Ifg Inst Fuer Geraetebau Gmbh | Verfahren und Gerät zum Analysieren von Proben mittels Röntgenfluoreszenz-Spektroskopie |
DE19948382A1 (de) * | 1999-10-07 | 2001-05-03 | Gemetec Ges Fuer Mestechnik Un | Detektor für grosse Waferflächen |
US6421414B1 (en) | 1999-10-07 | 2002-07-16 | Gemetec Gesellschaft Fuer Messtechnik Und Technologie Mbh | Detector for large wafer surfaces |
EP1619495A1 (de) * | 2004-07-23 | 2006-01-25 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle einer Probenoberfläche und Verwendung von fluoreszierenden Materialien |
EP2202775A3 (de) * | 2008-12-25 | 2012-05-09 | JEOL Ltd. | Silicon-Drift-Röntgendetektor |
WO2010132124A1 (en) | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Aspex Corporation | Electron microscope with integrated detector(s) |
EP2430432A1 (de) * | 2009-05-15 | 2012-03-21 | Aspex Corporation | Elektronenmikroskop mit einem oder mehreren integrierten detektoren |
EP2430432A4 (de) * | 2009-05-15 | 2014-07-23 | Fei Co | Elektronenmikroskop mit einem oder mehreren integrierten detektoren |
US8987665B2 (en) | 2009-05-15 | 2015-03-24 | Fei Company | Electron microscope with integrated detector(s) |
US9972474B2 (en) | 2016-07-31 | 2018-05-15 | Fei Company | Electron microscope with multiple types of integrated x-ray detectors arranged in an array |
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