JP5694035B2 - 電力増幅器および通信装置 - Google Patents

Description

本発明は、電力増幅器および通信装置に関する。

一般に、携帯電話等の無線通信装置では、アンテナの直前（送信側の出力部）に、送信用の電力増幅器が設けられている。この種の電力増幅器では、例えば、信号を増幅する増幅用素子は、抵抗分割により生成されたバイアス電圧を受ける。また、増幅用素子がＭＯＳトランジスタで形成される電力増幅器では、増幅用の各ＭＯＳトランジスタに所望のドレイン電流を流すようにバイアス電圧を生成する構成が提案されている（例えば、特許文献１）。

特開２００７−１９７８４号公報

一般に、抵抗分割により生成されたバイアス電圧は、温度変動や製造ばらつきによる影響を受けにくい。なお、ＭＯＳトランジスタは、温度変動や製造ばらつきにより、閾値電圧等が変動する。このため、抵抗分割で生成したバイアス電圧をゲートで受けるＭＯＳトランジスタでは、温度変動等により、ドレイン電流が変動する。ドレイン電流の変動により、例えば、ＭＯＳトランジスタのトランスコンダクタンスが変動する。したがって、抵抗分割で生成したバイアス電圧を増幅用のＭＯＳトランジスタに供給する電力増幅器では、温度変動等による特性変動（利得等の変動）が大きくなる。

また、ＭＯＳトランジスタのドレイン電流を所望の大きさに制御したときにも、温度変動等に伴うキャリアの移動度の変動により、ＭＯＳトランジスタのトランスコンダクタンスが変動するおそれがある。このため、多段構成の電力増幅器では、各段のトランスコンダクタンスの変動が積み重なり、電力増幅器全体の利得変動が大きくなることもある。

本発明の目的は、温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動を抑制することである。

本発明の一形態では、電力増幅器は、信号を増幅する複数の増幅部が多段接続された増幅回路と、複数の増幅部のうちの第１増幅部に、トランスコンダクタンスを安定させる第１バイアス電圧を供給する第１バイアス回路、および、複数の増幅部のうちの第１増幅部を除く第２増幅部に、バイアス電流を安定させる第２バイアス電圧を供給する第２バイアス回路を、外部からの制御信号に応じて複数の増幅部のいずれかに接続するバイアス供給回路とを備える。

温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動を抑制できる。

一実施形態における電力増幅器の例を示している。 図１に示した増幅回路の一例を示している。 図１に示したバイアス回路の一例を示している。 図１に示した別のバイアス回路の一例を示している。 電流／電圧変換比を可変にした電流／電圧変換部の一例を示している。 別の実施形態における電力増幅器の一例を示している。 図６に示したバイアス回路群の別の例を示している。 別の実施形態における電力増幅器の一例を示している。 図８に示した電力増幅器の測定結果の一例を示している。 別の実施形態における電力増幅器の一例を示している。 上述した実施形態の電力増幅器が搭載される通信装置の一例を示している。

以下、実施形態を図面を用いて説明する。図に記載した端子を介して供給される信号には、端子名と同じ符号を使用する。

図１は、一実施形態における電力増幅器１０の例を示している。例えば、電力増幅器１０は、携帯電話等の無線通信装置に搭載され、送信信号を増幅する。なお、電力増幅器１０は、無線通信装置以外の装置に搭載されてもよい。電力増幅器１０は、増幅回路ＡＭＰＣおよびバイアス供給回路ＢＳＵＰを有している。

増幅回路ＡＭＰＣは、入力端子ＰＩＮで受けた入力信号ＰＩＮを増幅し、増幅した出力信号ＰＯＵＴを出力端子ＰＯＵＴから出力する。例えば、増幅回路ＡＭＰＣは、信号を増幅する複数の増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０が多段接続されている。増幅部ＡＭＰ１０は、バイアス電圧ＶＢ１０を端子ＶＢ１０で受け、入力端子ＰＩＮで受けた入力信号ＰＩＮを増幅する。

増幅部ＡＭＰ１０の出力は、増幅部ＡＭＰ２０の入力に接続されている。増幅部ＡＭＰ２０は、バイアス電圧ＶＢ２０を端子ＶＢ２０で受け、増幅部ＡＭＰ１０から受けた信号（増幅部ＡＭＰ１０の出力）を増幅する。そして、増幅部ＡＭＰ２０は、増幅した出力信号ＰＯＵＴを出力端子ＰＯＵＴから出力する。出力端子ＰＯＵＴは、例えば、アンテナに接続される。

バイアス供給回路ＢＳＵＰは、各増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０にバイアス電圧ＶＢ１０、ＶＢ２０を供給する。例えば、バイアス供給回路ＢＳＵＰは、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０を有している。バイアス回路ＢＡ１０は、例えば、増幅部ＡＭＰ１０のトランスコンダクタンスを安定させるためのモード（以下、第１モードとも称する）で、バイアス電圧ＶＢ１０を制御する。また、バイアス回路ＢＡ２０は、例えば、増幅部ＡＭＰ２０のバイアス電流を安定させるためのモード（以下、第２モードとも称する）で、バイアス電圧ＶＢ２０を制御する。

すなわち、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０は、互いに異なるモードで制御されたバイアス電圧ＶＢ１０、ＶＢ２０をそれぞれ受ける。例えば、増幅部ＡＭＰ１０は、バイアス電圧ＶＢ１０により、トランスコンダクタンスが一定になるように制御される。このため、増幅部ＡＭＰ１０では、温度変動や製造ばらつきに伴うトランスコンダクタンスの変動は、抑制される。したがって、増幅部ＡＭＰ１０では、温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動は抑制される。

また、例えば、増幅部ＡＭＰ２０は、バイアス電圧ＶＢ２０により、バイアス電流が一定になるように制御される。このため、増幅部ＡＭＰ２０では、例えば、トランジスタの動作曲線が設計時の動作曲線から大きくずれることを抑制できる。これにより、電力増幅器１０は、増幅部ＡＭＰ２０の利得を所望の値（設計時の値）に合わせたときに、増幅部ＡＭＰ２０により増幅された電圧が設計時の値から大きくずれることを抑制できる。したがって、電力増幅器１０の特性は、多段接続された増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０のバイアス電圧を同じモードで制御する電力増幅器に比べて、向上する。例えば、電力増幅器１０は、温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動を抑制できる。このように、この実施形態では、利得変動を抑制できるため、所望の利得を達成できる。また、利得が安定化するため、歪みも安定化する。

図２は、図１に示した増幅回路ＡＭＰＣの一例を示している。増幅部ＡＭＰ２０の構成は、増幅部ＡＭＰ１０と同じである。このため、増幅部ＡＭＰ１０について説明する。なお、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０の利得は、例えば、増幅回路ＡＭＰＣの利得が所望の値になるように、それぞれ設定される。

増幅部ＡＭＰ１０は、抵抗Ｒ１０、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０および整合回路ＭＴ１０を有している。ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のゲートは、端子ＶＢ１０および抵抗Ｒ１０を介して受けるバイアス電圧ＶＢ１０でバイアスされている。そして、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０は、入力信号ＰＩＮを、入力端子ＰＩＮを介してゲートで受ける。また、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０は、ソースが接地され、ドレインが整合回路ＭＴ１０のキャパシタＣ１０に接続されている。

整合回路ＭＴ１０は、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０間のインピーダンス整合を実施する。例えば、整合回路ＭＴ１０は、キャパシタＣ１０およびコイルＬ１０を有している。キャパシタＣ１０は、一端がｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のドレインに接続され、他端がコイルＬ１０の一端に接続されている。コイルＬ１０の他端は、電源ＶＤＤに接続されている。ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０により増幅された信号（増幅部ＡＭＰ１０の出力信号）は、キャパシタＣ１０とコイルＬ１０との接続ノードから出力される。

増幅部ＡＭＰ２０の構成は、符号ＶＢ１０、Ｒ１０、ＮＭ１０、ＭＴ１０、Ｃ１０、Ｌ１０を符号ＶＢ２０、Ｒ２０、ＮＭ２０、ＭＴ２０、Ｃ２０、Ｌ２０にそれぞれ読み替えることで説明される。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０は、増幅部ＡＭＰ１０の出力信号をゲートで受ける。そして、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０により増幅された出力信号ＰＯＵＴは、キャパシタＣ２０とコイルＬ２０との接続ノードである出力端子ＰＯＵＴから出力される。

ここで、図２の例では、増幅部ＡＭＰ１０のトランスコンダクタンスは、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のトランスコンダクタンスである。また、増幅部ＡＭＰ１０のバイアス電流は、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のドレイン電流である。そして、増幅部ＡＭＰ２０のトランスコンダクタンスは、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０のトランスコンダクタンスである。また、増幅部ＡＭＰ２０のバイアス電流は、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０のドレイン電流である。

なお、増幅回路ＡＭＰＣの構成は、この例に限定されない。例えば、増幅回路ＡＭＰＣ内で扱う信号は、差動信号でもよい。あるいは、増幅回路ＡＭＰＣは、差動信号を受け、差動信号を出力するように形成されてもよい。また、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０の利得は、互いに同じでもよいし、互いに異なっていてもよい。例えば、増幅部ＡＭＰの各素子のサイズは、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０で互いに同じでもよいし、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０で互いに異なっていてもよい。

図３は、図１に示したバイアス回路ＢＡ１０の一例を示している。なお、図３では、増幅部ＡＭＰ１０の抵抗Ｒ１０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０も記載している。バイアス回路ＢＡ１０は、例えば、抵抗Ｒ３０、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ３０、ＭＮ４０およびｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０、ＭＰ２０を有している。

抵抗Ｒ３０、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ３０およびｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０、ＭＰ２０は、例えば、制御電流ＩＲ１０、ＩＲ１２を生成する電流生成部として機能する。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ３０は、ソースが抵抗Ｒ３０を介して接地され、ゲートがｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のドレインに接続され、ドレインがｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０のドレインに接続されている。

ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０は、ソースが電源ＶＤＤに接続され、ゲートとドレインが互いに接続されている。ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０は、ソースが電源ＶＤＤに接続され、ゲートがｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０のゲートに接続されている。すなわち、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０、ＭＰ２０は、カレントミラー回路を形成する。例えば、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０、ＭＰ２０に流れる電流ＩＲ１０、ＩＲ１２の比は、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０、ＭＰ２０のサイズ（ゲート幅／ゲート長）の比に一致する。

ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０は、制御電流ＩＲ１２をバイアス電圧ＶＢ１０に変換する電流／電圧変換部として機能する。ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０は、ソースが接地され、ゲートとドレインが互いに接続されている。これにより、制御電流ＩＲ１２に応じたバイアス電圧ＶＢ１０が、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０のゲートに発生する。

なお、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０のゲートは、端子ＶＢ１０および抵抗Ｒ１０を介して、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のゲートに接続されている。すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０、ＭＮ４０は、カレントミラー回路を形成する。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０、ＭＮ４０に流れる電流ＩＤ１０、ＩＲ１２の比は、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０、ＭＮ４０のサイズの比に一致する。

ここで、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０、ＭＰ２０のサイズが互いに同じで、かつ、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のサイズがｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０のＮ倍のとき、電流ＩＲ１０、ＩＲ１２、ＩＤ１０の関係は、式（１）で表される。
IR10＝IR12＝1／N・ID10 ‥‥（１）
また、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０、ＭＮ３０、ＭＮ４０のゲート電圧は、互いに同じ（バイアス電圧ＶＢ１０）である。したがって、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ３０のサイズがｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０のＫ倍のとき、電流ＩＤ１０、ＩＲ１０は、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０のゲート幅Ｗおよびゲート長Ｌを用いて、式（２）、（３）でそれぞれ表される。なお、式（２）等のμは、キャリアの移動度であり、Ｃｏｘは、単位面積当たりのゲート酸化膜容量である。そして、Ｖｔｈは、ｎＭＯＳトランジスタの閾値電圧である。
ID10＝1／2・μ・Cox・N・(W／L)・(VB10−Vth)² ‥‥（２）
IR10＝1／2・μ・Cox・K・(W／L)・((VB10−IR10・R30)−Vth)² ‥‥（３）
さらに、電流ＩＤ１０は、式（１）−（３）に基づいて、式（４）で与えられる。また、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のトランスコンダクタンスｇｍは、式（５）で表される。そして、トランスコンダクタンスｇｍは、式（４）を式（５）に代入することより、式（６）で与えられる。なお、式（５）の√は、外側の括弧内に含まれる式全体にかかる。
ID10＝2・N／(μ・Cox・(W／L))・(1／R30²)・(1−1／(√K))² ‥‥（４）
gm＝√(2・ID10・μ・Cox・N・(W／L)) ‥‥（５）
gm＝2・N／R30・(1−1／(√K)) ‥‥（６）
ＭＯＳトランジスタのサイズ比（例えば、式（６）のＮやＫ）は、温度変動や製造ばらつきによる影響を受けにくい。また、抵抗素子（例えば、抵抗Ｒ３０）の温度変動等による特性の変動は、ＭＯＳトランジスタに比べて小さい。したがって、バイアス電圧ＶＢ１０を受けるｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０では、温度変動等によるトランスコンダクタンスｇｍの変動が抑制される。すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０のトランスコンダクタンスｇｍは、安定する。

このように、バイアス回路ＢＡ１０は、例えば、小信号のトランスコンダクタンスｇｍが一定になるように、バイアス電圧ＶＢ１０を調整する。例えば、図１に示した電力増幅器１０では、バイアス回路ＢＡ１０は、直列に接続された増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０のうち、小信号を増幅する前段の増幅部ＡＭＰ１０のバイアス電圧ＶＢ１０を調整する。

図４は、図１に示したバイアス回路ＢＡ２０の一例を示している。なお、図４では、増幅部ＡＭＰ２０の抵抗Ｒ２０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０も記載している。バイアス回路ＢＡ２０は、例えば、演算増幅器ＯＰ、抵抗Ｒ３２、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２、ＭＰ２２およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２を有している。

演算増幅器ＯＰ、抵抗Ｒ３２、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２、ＭＰ２２は、例えば、制御電流ＩＲ２０、ＩＲ２２を生成する電流生成部として機能する。例えば、演算増幅器ＯＰは、マイナス端子が抵抗Ｒ３２を介して接地され、プラス端子が基準電圧ＶＲＥＦを受けている。これにより、抵抗Ｒ３２には、例えば、基準電圧ＶＲＥＦと同じ電圧が印加される。

ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２は、ソースが電源ＶＤＤに接続され、ゲートが演算増幅器ＯＰの出力端子に接続され、ドレインが抵抗Ｒ３０を介して接地されている。これにより、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２には、基準電圧ＶＲＥＦおよび抵抗Ｒ３２に基づく電流ＩＲ２０が流れる。

ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２２は、ソースが電源ＶＤＤに接続され、ゲートがｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２のゲートに接続されている。すなわち、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２、ＭＰ２２は、カレントミラー回路を形成する。例えば、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２、ＭＰ２２に流れる電流ＩＲ２０、ＩＲ２２の比は、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０、ＭＰ２２のサイズの比に一致する。

ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２は、制御電流ＩＲ２２をバイアス電圧ＶＢ２０に変換する電流／電圧変換部として機能する。ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２は、ソースが接地され、ゲートとドレインが互いに接続されている。これにより、制御電流ＩＲ２２に応じたバイアス電圧ＶＢ２０が、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２のゲートに発生する。

なお、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２のゲートは、端子ＶＢ２０および抵抗Ｒ２０を介して、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０のゲートに接続されている。すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０、ＭＮ４２は、カレントミラー回路を形成する。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０、ＭＮ４２に流れる電流ＩＤ２０、ＩＲ２２の比は、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０、ＭＮ４２のサイズの比に一致する。

ここで、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２、ＭＰ２２のサイズが互いに同じで、かつ、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０のサイズがｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２のＪ倍のとき、電流ＩＤ２０は、式（７）で表される。
ID20＝Ｊ・IR22＝Ｊ・IR20＝J・(VREF／R32) ‥‥（７）
ＭＯＳトランジスタのサイズ比（例えば、式（７）のＪ）および抵抗素子（例えば、抵抗Ｒ３２）は、温度変動や製造ばらつきによる影響を受けにくい。したがって、バイアス電圧ＶＢ２０を受けるｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０では、温度変動等によるドレイン電流ＩＤ２０の変動が抑制される。すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０のドレイン電流ＩＤ２０は、安定する。このように、バイアス回路ＢＡ２０は、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ２０のドレイン電流ＩＤ２０が一定になるように、バイアス電圧ＶＢ２０を調整する。

なお、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０の構成は、この例に限定されない。例えば、バイアス回路ＢＡ１０のｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０およびバイアス回路ＢＡ２０のｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２は、図５に示すように、サイズが可変設定されてもよい。

図５は、電流／電圧変換比を可変にした電流／電圧変換部ＩＶＣの一例を示している。なお、図５は、図３に示したバイアス回路ＢＡ１０に電流／電圧変換部ＩＶＣを形成したときの一例を示している。例えば、電流／電圧変換部ＩＶＣは、図３に示したｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０の代わりに設けられる。なお、図４に示したバイアス回路ＢＡ２０に電流／電圧変換部ＩＶＣを形成するときには、電流／電圧変換部ＩＶＣは、図４に示したｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２の代わりに設けられる。

電流／電圧変換部ＩＶＣは、例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５０、ＭＮ５１、ＭＮ５２、ＭＳＷ１０、ＭＳＷ１２、ＭＳＷ２０、ＭＳＷ２２を有している。ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５０、ＭＮ５１、ＭＮ５２は、端子ＶＢ１０と接地線（接地電圧が供給される電源線）との間に並列に接続されている。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５０は、ソースが接地され、ゲートおよびドレインが端子ＶＢ１０に接続されている。

また、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５１のゲートは、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ１０を介して端子ＶＢ１０に接続され、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ１２を介して接地されている。ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ１０は、ゲートで受ける制御信号Ａ１０に応じて、オンおよびオフのいずれかに設定される。また、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ１２は、ゲートで受ける制御信号Ａ１０Ｚに応じて、オンおよびオフのいずれかに設定される。制御信号Ａ１０Ｚは、制御信号Ａ１０の反転信号である。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ１０がオンしているとき、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ１２は、オフする。

ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５２のゲートは、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ２０を介して端子ＶＢ１０に接続され、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ２２を介して接地されている。ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ２０は、ゲートで受ける制御信号Ａ２０に応じて、オンおよびオフのいずれかに設定される。また、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ２２は、ゲートで受ける制御信号Ａ２０Ｚに応じて、オンおよびオフのいずれかに設定される。制御信号Ａ２０Ｚは、制御信号Ａ２０の反転信号である。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ２０がオンしているとき、ｎＭＯＳトランジスタＭＳＷ２２は、オフする。

ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５０、ＭＮ５１、ＭＮ５２のサイズ（ゲート幅／ゲート長）の合計は、制御端子Ａ１０、Ａ１０Ｚ、Ａ２０、Ａ２０Ｚに基づいて、設定される。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５０、ＭＮ５１、ＭＮ５２のサイズをそれぞれＳＺ１０、ＳＺ１１、ＳＺ１２としたとき、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５０、ＭＮ５１、ＭＮ５２のサイズの合計ＳＺｔは、式（８）で表される。なお、式（８）のＡ１０、Ａ２０は、制御信号Ａ１０、Ａ２０が示す“０”および“１”のいずれかの値である。
SZt＝SZ10＋A10・SZ11＋A12・SZ12 ‥‥（８）
このように、電流／電圧変換部ＩＶＣは、制御電流ＩＲ１２をバイアス電圧ＶＢ１０に変換するｎＭＯＳトランジスタのサイズＳＺｔを、制御信号Ａ１０、Ａ２０に応じて変更する。これにより、電流／電圧変換部ＩＶＣの電流／電圧変換比が変更される。電流／電圧変換部ＩＶＣは、電流／電圧変換比を可変設定できるため、使用状況や信号振幅等に応じて、バイアス電圧ＶＢ１０のレベルを適切に設定できる。

なお、電流／電圧変換部ＩＶＣの構成は、この例に限定されない。例えば、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５２、ＭＳＷ２０、ＭＳＷ２２が省かれてもよい。あるいは、電流／電圧変換部ＩＶＣは、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５１、ＭＳＷ１０、ＭＳＷ１２のトランジスタ郡（ｎＭＯＳトランジスタＭＮ５２、ＭＳＷ２０、ＭＳＷ２２のトランジスタ郡）を３つ以上有してもよい。

また、電力増幅器１０の構成は、この例に限定されない。例えば、増幅部ＡＭＰ１０のバイアス電圧ＶＢ１０がバイアス回路ＢＡ２０により制御され、増幅部ＡＭＰ２０のバイアス電圧ＶＢ２０がバイアス回路ＢＡ１０により制御されてもよい。すなわち、第１モードで制御される増幅部ＡＭＰは、第２モードで制御される増幅部ＡＭＰより、後段に配置されてもよい。

例えば、後段の増幅部ＡＭＰは、大信号を扱うため、前段の増幅部ＡＭＰに比べて、動作温度が高くなる。このため、後段の増幅部ＡＭＰでは、前段の増幅部ＡＭＰに比べて、温度変動が大きくなるおそれがある。したがって、例えば、温度変動が大きくなる状況等では、後段の増幅部ＡＭＰのバイアス電圧ＶＢを第１モード（後段の増幅部ＡＭＰのトランスコンダクタンスを安定させるためのモード）で制御した方がよいときもある。

また、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０は、制御対象の増幅部ＡＭＰを切り替え可能に形成されてもよい。さらに、電力増幅器１０は、ＭＯＳトランジスタ以外のトランジスタを有してもよい。例えば、電力増幅器１０の一部は、バイポーラトランジスタで形成されてもよい。

以上、この実施形態では、互いに異なるモードで制御されたバイアス電圧ＶＢ１０、ＶＢ２０をそれぞれ受ける増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０を有している。すなわち、この実施形態では、各段の増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０で独立したパラメータ（例えば、コンダクタンスやドレイン電流）を安定化させることができる。これにより、この実施形態では、多段接続された増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０のバイアス電圧を同じモードで制御する電力増幅器に比べて、電力増幅器１０の特性を向上できる。例えば、この実施形態では、温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動を抑制できる。また、この実施形態では、利得変動を抑制できるため、所望の利得を達成できる。また、利得が安定化するため、歪みも安定化する。

図６は、別の実施形態における電力増幅器１２の一例を示している。上述した実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。電力増幅器１２は、図１に示したバイアス供給回路ＢＳＵＰの代わりにバイアス供給回路ＢＳＵＰ２を有している。電力増幅器１２のその他の構成は、上述した実施形態と同じである。例えば、電力増幅器１２は、携帯電話等の無線通信装置に搭載される。

バイアス供給回路ＢＳＵＰ２は、バイアス回路群ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０を有している。例えば、バイアス供給回路ＢＳＵＰ２のバイアス回路群ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０は、増幅部ＡＭＰのバイアス電圧ＶＢを制御する際のモードを第１モードおよび第２モード間で切り替えるための制御信号ＳＣＮＴ１０、ＳＣＮＴ２０をそれぞれ受ける。なお、バイアス回路群ＢＡＧ２０の構成は、バイアス回路群ＢＡＧ１０と同じである。このため、バイアス回路群ＢＡＧ１０について説明する。

バイアス回路群ＢＡＧ１０は、バイアス回路ＢＡ１０ａ、ＢＡ２０ａおよびスイッチＳＷ１０ａを有している。バイアス回路ＢＡ１０ａの構成は、例えば、図３に示したバイアス回路ＢＡ１０と同じである。また、バイアス回路ＢＡ２０ａの構成は、例えば、図４に示したバイアス回路ＢＡ２０と同じである。バイアス回路ＢＡ１０ａ、ＢＡ２０ｂの出力は、スイッチＳＷ１０ａを介して端子ＶＢ１０に接続されている。スイッチＳＷ１０ａは、制御信号ＳＣＮＴ１０に応じて、バイアス回路ＢＡ１０ａ、ＢＡ２０ｂの出力（バイアス電圧）のいずれかを端子ＶＢ１０に出力する。

バイアス回路群ＢＡＧ２０の構成は、符号ＢＡ１０ａ、ＢＡ２０ａ、ＳＷ１０ａ、ＳＣＮＴ１０、ＶＢ１０を符号ＢＡ１０ｂ、ＢＡ２０ｂ、ＳＷ１０ｂ、ＳＣＮＴ２０、ＶＢ２０にそれぞれ読み替えることで説明される。例えば、スイッチＳＷ１０ｂは、制御信号ＳＣＮＴ２０に応じて、バイアス回路ＢＡ１０ｂ、ＢＡ２０ｂの出力（バイアス電圧）のいずれかを端子ＶＢ２０に出力する。以下、バイアス回路ＢＡ１０ａ、ＢＡ１０ｂをバイアス回路ＢＡ１０とも称し、バイアス回路ＢＡ２０ａ、ＢＡ２０ｂをバイアス回路ＢＡ２０とも称する。

このように、電力増幅器１２は、バイアス電圧ＶＢを制御するモード（第１モード、第２モード）を増幅部ＡＭＰ毎に選択可能に形成される。例えば、各増幅部ＡＭＰは、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０から選択的にバイアス電圧ＶＢを受ける。なお、バイアス回路ＢＡ１０の各素子のサイズは、バイアス回路群ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０で互いに同じでもよいし、バイアス回路群ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０で互いに異なっていてもよい。また、バイアス回路ＢＡ２０の各素子のサイズは、バイアス回路群ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０で互いに同じでもよいし、バイアス回路群ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０で互いに異なっていてもよい。

なお、バイアス回路群ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０の構成は、この例に限定されない。例えば、図７に示すように、各バイアス回路群ＢＡＧ（ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０）のバイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０は、電流／電圧変換部として機能するｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０等を共有してもよい。

図７は、図６に示したバイアス回路群の別の例を示している。なお、図７では、増幅部ＡＭＰ１０の抵抗Ｒ１０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ１０も記載している。図７に示したバイアス回路群ＢＡＧ１０は、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０を電流生成部ＩＧＥＮ１０、ＩＧＥＮ２０で共有している。例えば、バイアス回路群ＢＡＧ１０は、電流生成部ＩＧＥＮ１０、ＩＧＥＮ２０、スイッチＳＷ１２、ＳＷ１４、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０を有している。

電流生成部ＩＧＥＮ１０は、例えば、図３に示したバイアス回路ＢＡ１０からｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０を省いた部分に対応する。例えば、電流生成部ＩＧＥＮ１０は、図３に示した抵抗Ｒ３０、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ３０およびｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０を有し、制御電流ＩＲ１０を生成する。

例えば、電流生成部ＩＧＥＮ１０の出力ＯＴ１０（図３のｐＭＯＳトランジスタＭＰ１０のゲート）は、スイッチＳＷ１２を介して、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のゲートに接続されている。また、電流生成部ＩＧＥＮ１０の出力ＯＴ１２（図３のｎＭＯＳトランジスタＭＮ３０のゲート）は、スイッチＳＷ１４を介して、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のドレインに接続されている。

電流生成部ＩＧＥＮ２０は、例えば、図４に示したバイアス回路ＢＡ２０からｐＭＯＳトランジスタＭＰ２２およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ４２を省いた部分に対応する。例えば、電流生成部ＩＧＥＮ２０は、図４に示した演算増幅器ＯＰ、抵抗Ｒ３２、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２を有し、制御電流ＩＲ２０を生成する。例えば、電流生成部ＩＧＥＮ２０の出力ＯＴ２０（図４のｐＭＯＳトランジスタＭＰ１２のゲート）は、スイッチＳＷ１２を介して、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のゲートに接続されている。

スイッチＳＷ１２は、制御信号ＳＣＮＴ１０に応じて、電流生成部ＩＧＥＮ１０の出力ＯＴ１０および電流生成部ＩＧＥＮ２０の出力ＯＴ２０のいずれかをｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のゲートに接続する。また、スイッチＳＷ１４は、制御信号ＳＣＮＴ１０に応じて、電流生成部ＩＧＥＮ１０の出力ＯＴ１２をｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のドレインに接続する。なお、スイッチＳＷ１４は、電流生成部ＩＧＥＮ１０の出力ＯＴ１０とｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のゲートとが接続されているときにオンし、電流生成部ＩＧＥＮ２０の出力ＯＴ２０とｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のゲートとが接続されているときにオフする。

例えば、電流生成部ＩＧＥＮ１０の出力ＯＴ１０とｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のゲートとが接続されているとき、バイアス電圧ＶＢ１０は、第１モード（増幅部ＡＭＰ１０のトランスコンダクタンスを安定させるためのモード）で制御される。すなわち、電流生成部ＩＧＥＮ１０、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０は、図３に示したバイアス回路ＢＡ１０に対応する。

また、電流生成部ＩＧＥＮ２０の出力ＯＴ２０とｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０のゲートとが接続されているとき、バイアス電圧ＶＢ１０は、第２モード（増幅部ＡＭＰ１０のバイアス電流を安定させるためのモード）で制御される。すなわち、電流生成部ＩＧＥＮ２０、ｐＭＯＳトランジスタＭＰ２０およびｎＭＯＳトランジスタＭＮ４０は、図４に示したバイアス回路ＢＡ２０に対応する。

なお、バイアス回路群ＢＡＧ２０の構成は、バイアス回路群ＢＡＧ１０と同じである。したがって、この実施形態では、各増幅部ＡＭＰのバイアス電圧ＶＢを、第１モードで制御されるバイアス電圧ＶＢと第２モードで制御されるバイアス電圧ＶＢとから選択できる。

以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態では、各増幅部ＡＭＰのバイアス電圧ＶＢは、制御信号ＳＣＮＴに応じて、第１モードで制御されるバイアス電圧ＶＢと第２モードで制御されるバイアス電圧ＶＢとから選択される。例えば、各増幅部ＡＭＰは、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０から選択的にバイアス電圧ＶＢを受ける。したがって、この実施形態では、使用状況や信号振幅等に応じて、各増幅部ＡＭＰで安定化させたい特性（例えば、コンダクタンスやドレイン電流）を適切に選択して設定できる。

図８は、別の実施形態における電力増幅器１４の一例を示している。上述した実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。電力増幅器１４では、増幅部ＡＭＰ１４およびバイアス回路ＢＡ１２が図１に示した電力増幅器１０に追加されている。また、増幅部ＡＭＰ２０が増幅部ＡＭＰ１０の前段に配置されている。電力増幅器１４のその他の構成は、上述した実施形態と同じである。例えば、電力増幅器１４は、携帯電話等の無線通信装置に搭載される。

増幅回路ＡＭＰＣ２は、直列に多段接続された増幅部ＡＭＰ２０、ＡＭＰ１０、ＡＭＰ１２を有している。例えば、入力信号ＰＩＮは、増幅部ＡＭＰ２０に入力され、出力信号ＰＯＵＴは、増幅部ＡＭＰ１２から出力される。増幅部ＡＭＰ１２の構成は、例えば、図２に示した増幅部ＡＭＰ２０の構成と同じである。なお、増幅部ＡＭＰ１２の利得は、増幅部ＡＭＰ２０の利得と同じでもよいし、増幅部ＡＭＰ２０の利得と異なっていてもよい。例えば、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ１２、ＡＭＰ２０の利得は、増幅回路ＡＭＰＣ２の利得が所望の値になるように、それぞれ設定される。

バイアス供給回路ＢＳＵＰ３では、バイアス回路ＢＡ１２が図１に示したバイアス供給回路ＢＳＵＰに追加されている。例えば、バイアス回路ＢＡ１２は、増幅部ＡＭＰ１２のトランスコンダクタンスを安定させるためのモード（第１モード）で、増幅部ＡＭＰ１２のバイアス電圧ＶＢ１２を制御する。バイアス回路ＢＡ１２の構成は、例えば、バイアス回路ＢＡ１０と同じである。なお、バイアス回路ＢＡの各素子のサイズは、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ１２で互いに同じでもよいし、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ１２で互いに異なっていてもよい。

なお、電力増幅器１４の構成は、この例に限定されない。例えば、バイアス回路ＢＡ２０で制御される増幅部ＡＭＰ２０（第２モードで制御される増幅部ＡＭＰ）は、増幅部ＡＭＰ１０と増幅部ＡＭＰ１２との間に配置されてもよいし、増幅部ＡＭＰ１２の後段に配置されてもよい。また、増幅回路ＡＭＰＣ２は、第２モードで制御される２つの増幅部ＡＭＰと、第１モードで制御される１つの増幅部ＡＭＰとを有してもよい。あるいは、増幅回路ＡＭＰＣ２は、４つ以上の増幅部ＡＭＰを有してもよい。

また、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ１２、ＢＡ２０は、制御対象の増幅部ＡＭＰを切り替え可能に形成されてもよい。あるいは、電力増幅器１４は、図６および図７に示したように、バイアス電圧ＶＢを制御するバイアス回路ＢＡを増幅部ＡＭＰ毎に選択可能に形成されてもよい。また、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ１２の一方は、第１モードおよび第２モード以外のモード（例えば、バイアス電圧ＶＢを一定にするためのモード）で制御されてもよい。

図９は、図８に示した電力増幅器１４の測定結果の一例を示している。図の横軸は電力増幅器１４の利得を示し、縦軸は入力信号ＰＩＮの電力を示している。図中の円形、三角形、四角形のマークは、低温、常温および高温のときの測定結果をそれぞれ示している。なお、黒塗りのマーク（円形、三角形、四角形）は、図８に示した電力増幅器１４の測定結果を示し、白抜きのマーク（円形、三角形、四角形）は、比較例の測定結果を示している。比較例では、全ての増幅部ＡＭＰは、第２モード（増幅部ＡＭＰのバイアス電流を安定させるためのモード）で制御されている。

例えば、小信号の入力信号ＰＩＮでは、低温時の利得は、常温時の利得より大きく、高温時の利得は、常温時の利得より小さい。また、比較例の低温時の利得は、電力増幅器１４の低温時の利得より大きく、比較例の高温時の利得は、電力増幅器１４の高温時の利得より小さい。このように、比較例の利得の変動Ｄ２は、電力増幅器１４の利得の変動Ｄ１より大きい。すなわち、この実施形態では、温度変動による利得の変動を小さくできる。

以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

図１０は、別の実施形態における電力増幅器１６の一例を示している。上述した実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。電力増幅器１６は、図１に示した増幅回路ＡＭＰＣの代わりに増幅回路ＡＭＰＣ３を有している。電力増幅器１６のその他の構成は、上述した実施形態と同じである。例えば、電力増幅器１６は、携帯電話等の無線通信装置に搭載される。

増幅回路ＡＭＰＣ３は、並列に多段接続された増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０を有している。例えば、入力端子ＰＩＮは、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０の入力に接続され、出力端子ＰＯＵＴは、増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ１０の出力に接続されている。増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０の構成は、例えば、図１−図５に示した実施形態と同じである。

なお、電力増幅器１６の構成は、この例に限定されない。例えば、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０は、制御対象の増幅部ＡＭＰを切り替え可能に形成されてもよい。あるいは、電力増幅器１６は、図６および図７に示したように、バイアス電圧ＶＢを制御するバイアス回路ＢＡを増幅部ＡＭＰ毎に選択可能に形成されてもよい。また、増幅回路ＡＭＰＣ３は、３つ以上の増幅部ＡＭＰを有してもよい。さらに、電力増幅器１６は、並列に多段接続された増幅部ＡＭＰと、直列に多段接続された増幅部ＡＭＰとを混在して有してもよい。

以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様に、互いに異なるモードで制御されたバイアス電圧ＶＢ１０、ＶＢ２０をそれぞれ受ける増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０を有しており、各段の増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０で独立したパラメータ（例えば、コンダクタンスやドレイン電流）を安定化させることができる。これにより、並列に多段接続された増幅部ＡＭＰ１０、ＡＭＰ２０のバイアス電圧を同じモードで制御する電力増幅器に比べて、電力増幅器１６の特性を向上できる。

図１１は、上述した実施形態の電力増幅器が搭載される通信装置ＳＹＳの一例を示している。なお、図１１は、図１に示した電力増幅器１０が搭載される通信装置ＳＹＳの一例を示している。図６−図１０に示した電力増幅器１２、１４、１６のいずれかが搭載される通信装置ＳＹＳは、電力増幅器１０の代わりに電力増幅器１２、１４、１６のいずれか搭載されることを除いて、図１１の通信装置ＳＹＳと同じである。

通信装置ＳＹＳは、例えば、無線通信装置であり、電力増幅器１０および送受信機２０を有している。送受信機２０は、信号を送受信する。例えば、送信信号ＰＩＮを電力増幅器１０に出力する。また、送受信機２０は、例えば、バイアス供給回路ＢＳＵＰを制御する制御信ＢＣＮＴをバイアス供給回路ＢＳＵＰに出力する。例えば、制御信ＢＣＮＴには、図５に示した制御信号Ａ１０、Ａ１０Ｚ、Ａ２０、Ａ２０Ｚが含まれる。この場合、電流／電圧変換比は、制御信ＢＣＮＴにより設定される。

なお、例えば、バイアス回路ＢＡ１０、ＢＡ２０が制御対象の増幅部ＡＭＰを切り替え可能に形成されているとき、制御対象の増幅部ＡＭＰを切り替えるための制御信号が制御信ＢＣＮＴに含まれる。また、電力増幅器１２等が搭載された通信装置ＳＹＳでは、例えば、図６に示した制御信号ＳＣＮＴ１０、ＳＣＮＴ２０が制御信ＢＣＮＴに含まれる。すなわち、制御信ＢＣＮＴには、第１モードと第２モードとを切り替えるための制御信号（例えば、制御信号ＳＣＮＴ１０、ＳＣＮＴ２０）および電流／電圧変換比を設定するための制御信号（例えば、制御信号Ａ１０、Ａ１０Ｚ、Ａ２０、Ａ２０Ｚ）の少なくとも１つが含まれる。

以上の詳細な説明により、実施形態の特徴点および利点は明らかになるであろう。これは、特許請求の範囲がその精神および権利範囲を逸脱しない範囲で前述のような実施形態の特徴点および利点にまで及ぶことを意図するものである。また、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、あらゆる改良および変更に容易に想到できるはずであり、発明性を有する実施形態の範囲を前述したものに限定する意図はなく、実施形態に開示された範囲に含まれる適当な改良物および均等物に拠ることも可能である。

１０、１２、１４、１６‥電力増幅器；ＡＭＰ１０、ＡＭＰ１２、ＡＭＰ２０‥増幅部；ＡＭＰＣ、ＡＭＰＣ２、ＡＭＰＣ３‥増幅回路；ＢＡ１０、ＢＡ１２、ＢＡ２０‥バイアス回路；ＢＡＧ１０、ＢＡＧ２０‥バイアス回路群；ＢＳＵＰ、ＢＳＵＰ２、ＢＳＵＰ３‥バイアス供給回路；Ｃ１０、Ｃ２０‥キャパシタ；ＩＧＥＮ１０、ＩＧＥＮ２０‥電流生成部；ＩＶＣ‥電流／電圧変換部；Ｌ１０、Ｌ２０‥コイル；ＭＮ１０−ＭＮ５２、ＭＳＷ１０−ＭＳＷ２２‥ｎＭＯＳトランジスタ；ＭＴ１０、ＭＴ２０‥整合回路；ＭＰ１０−ＭＰ２２‥ｐＭＯＳトランジスタ；ＯＰ‥演算増幅器；Ｒ１０−Ｒ３２‥抵抗；ＳＷ１０、ＳＷ１２、ＳＷ１４‥スイッチ

Claims (8)

1. 信号を増幅する複数の増幅部が多段接続された増幅回路と、
   前記複数の増幅部のうちの第１増幅部に、トランスコンダクタンスを安定させる第１バイアス電圧を供給する第１バイアス回路、および、前記複数の増幅部のうちの前記第１増幅部を除く第２増幅部に、バイアス電流を安定させる第２バイアス電圧を供給する第２バイアス回路を、外部からの制御信号に応じて前記複数の増幅部のいずれかに接続するバイアス供給回路とを備えること
   を特徴とする電力増幅器。
2. 前記第２増幅部は、前記第１増幅部の前段に接続されること
   を特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
3. 前記第１増幅部および前記第２増幅部は、直列に多段接続されること
   を特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
4. 前記第１バイアス回路および前記第２バイアス回路の少なくとも一方は、
   制御電流を生成する電流生成部と、
   電流／電圧変換比が可変設定され、設定された電流／電圧変換比に基づいて、前記制御電流をバイアス電圧に変換する電流／電圧変換部とを備えること
   を特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
5. 前記バイアス供給回路は、バイアス電圧を制御する際のモードをトランスコンダクタンスを安定させるための第１モードおよびバイアス電流を安定させるための第２モード間で切り替えるための前記制御信号に応じて、前記複数の増幅部のいずれかのバイアス電圧を前記第１モードで制御される前記第１バイアス電圧と前記第２モードで制御される前記第２バイアス電圧とから選択すること
   を特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
6. 前記第１増幅部および前記第２増幅部は、並列に多段接続されること
   を特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
7. 電力増幅器で増幅した信号を出力する通信装置において、
   前記電力増幅器は、
   信号を増幅する複数の増幅部が多段接続された増幅回路と、
   前記複数の増幅部のうちの第１増幅部に、トランスコンダクタンスを安定させる第１バイアス電圧を供給する第１バイアス回路、および、前記複数の増幅部のうちの前記第１増幅部を除く第２増幅部に、バイアス電流を安定させる第２バイアス電圧を供給する第２バイアス回路を、外部からの制御信号に応じて前記複数の増幅部のいずれかに接続するバイアス供給回路とを備えること
   を特徴とする通信装置。
8. 前記制御信号を前記バイアス供給回路に出力する送受信機を備え、
   前記第１バイアス回路および前記第２バイアス回路は、電流を電圧に変換することによりバイアス電圧を生成し、
   前記制御信号は、バイアス電圧を制御する際のモードをトランスコンダクタンスを安定させるための第１モードおよびバイアス電流を安定させるための第２モード間で切り替えるための切り替え制御信号と、バイアス電圧を生成する際の電流／電圧変換比を設定するための変換制御信号とのうち、少なくとも前記切り替え制御信号を含むこと
   を特徴とする請求項７記載の通信装置。

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