JP5692146B2 - マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5692146B2 JP5692146B2 JP2012094576A JP2012094576A JP5692146B2 JP 5692146 B2 JP5692146 B2 JP 5692146B2 JP 2012094576 A JP2012094576 A JP 2012094576A JP 2012094576 A JP2012094576 A JP 2012094576A JP 5692146 B2 JP5692146 B2 JP 5692146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- mask
- inorganic material
- patterning
- alkaline solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
40 基板(下部シールド層)
50 上部シールド層
62 無機材料
62a 第1の無機材料
62b 第2の無機材料
63 マスク
63a マスク
63b マスク
64 エッチングストッパ層
66 フォトレジスト
68 レジスト
80 絶縁層
82 磁性層
98 空間
200 エアベアリング面
Claims (17)
- 薄膜が形成された基板の上にアルカリ溶液に可溶な無機材料を成膜するステップと、
前記無機材料を所定パターンに形成するステップと、
所定パターンに形成された前記無機材料を前記アルカリ溶液によって狭小化してマスクを形成するステップと、を含む、前記薄膜をパターニングするためのマスクの作成方法。 - 前記無機材料を所定パターンに形成するステップでは、
フォトリソグラフィ法により前記無機材料を所定パターンに形成する、請求項1に記載のマスクの作成方法。 - 前記無機材料を所定パターンに形成するステップでは、
前記無機材料の上に、エッチングに対して耐性を有するエッチングストッパ層を成膜することと、
フォトリソグラフィ法によって前記エッチングストッパ層の上に所定パターンのフォトレジストを形成することと、
前記エッチングストッパ層の、前記フォトレジストで覆われていない部分を除去して、所定パターンのエッチングストッパ層を形成することと、
前記無機材料の、前記所定パターンのエッチングストッパ層で覆われていない部分をエッチングにより除去することと、を含む、請求項1または2に記載のマスクの作成方法。 - 前記無機材料の、前記所定パターンのエッチングストッパ層で覆われていない部分は、反応性イオンエッチングにより除去される、請求項3に記載のマスクの作成方法。
- 前記エッチングストッパ層は、前記反応性イオンエッチングに対して耐性を有する材料から成る、請求項4に記載のマスクの作成方法。
- 前記エッチングストッパ層はNiおよび/またはNiFeから成る、請求項3から5のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記無機材料の、前記所定パターンのエッチングストッパ層で覆われていない部分をエッチングにより除去した後、前記無機材料を前記アルカリ溶液によって狭小化する前に、前記エッチングストッパ層を除去する、請求項3から6のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記無機材料は、Al2O3、ZnO、SnO、SnO2、PbO、PbO2、Pb3O4、MgO、Nb2O5、Ta2O5、TiO2、WO3から選択された無機酸化物、またはこれらの2以上の組み合わせからなる、請求項1から7のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記基板の上にアルカリ溶液に可溶な無機材料を成膜するステップでは、前記アルカリ溶液に対するエッチングレートが相対的に早い第1の無機材料と、前記アルカリ溶液に対するエッチングレートが相対的に遅い第2の無機材料と、をこの順に形成する、請求項1から8のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記第1の無機材料は低温原子層蒸着法により形成され、
前記第2の無機材料は高温原子層蒸着法により形成される、請求項9に記載のマスクの作成方法。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載のマスクの作成方法により、第1の薄膜が形成された基板の上に、アルカリ溶液に可溶な無機材料を有するマスクを作成するステップと、
前記第1の薄膜の該マスクで覆われていない部分を除去して、前記第1の薄膜をパターニングするステップと、を含む、薄膜のパターニング方法。 - 前記第1の薄膜をパターニングした後、前記マスクをアルカリ溶液によって除去することを含む、請求項11に記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記第1の薄膜をパターニングするステップの後に、前記第1の薄膜が除去された部分および前記マスク上に前記第2の薄膜を形成することを含む、請求項11または12に記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記第2の薄膜を形成した後に、前記マスク上に形成された前記第2の薄膜の少なくとも一部が露出するように、前記基板の上に形成された前記第2の薄膜をレジストで覆うステップと、
前記マスク上で前記レジストから露出している前記第2の薄膜の一部を除去して前記マスクの一部を露出させるステップと、
アルカリ溶液によって前記マスクを除去して、前記第1の薄膜と前記レジストとの間に空間を形成するステップと、
前記レジストとともに、前記マスク上に形成されていた、前記レジストに付着した前記第2の薄膜を除去するステップと、を含む、請求項13に記載の薄膜のパターニング方法。 - 前記レジストに付着した前記第2の薄膜を除去するステップは、前記第1の薄膜をパターニングするステップにおいて前記マスク上に付着した付着物を除去することを含む、請求項14に記載の薄膜のパターニング方法。
- 請求項11から15のいずれか1項に記載の方法を用いて薄膜をパターニングするステップを含むマイクロデバイスの製造方法。
- 基板の上に、外部磁場に応じて電気抵抗が変化する積層膜を成膜するステップと、
前記積層膜の上にアルカリ溶液に可溶な無機材料を成膜するステップと、
前記無機材料を所定パターンに形成するステップと、
前記無機材料を前記アルカリ溶液によって狭小化してマスクを形成するステップと、
前記積層膜の前記マスクで覆われていない部分を除去するステップと、を含む、薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/230,261 US8529777B2 (en) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | Method of making a mask, method of patterning by using this mask and method of manufacturing a micro-device |
US13/230261 | 2011-09-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013062481A JP2013062481A (ja) | 2013-04-04 |
JP5692146B2 true JP5692146B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=47828886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012094576A Expired - Fee Related JP5692146B2 (ja) | 2011-09-12 | 2012-04-18 | マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8529777B2 (ja) |
JP (1) | JP5692146B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016007065A1 (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-14 | Scint-X Ab | Production of a thin film reflector |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04258011A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP3458352B2 (ja) | 2000-10-05 | 2003-10-20 | Tdk株式会社 | レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4850453B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-01-11 | ローム株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP4539876B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2010-09-08 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
KR100965011B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2010-06-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
JP4861947B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2012-01-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Al2O3膜のドライエッチング方法 |
JP5011345B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | レジストパターンのスリミング処理方法 |
-
2011
- 2011-09-12 US US13/230,261 patent/US8529777B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-18 JP JP2012094576A patent/JP5692146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8529777B2 (en) | 2013-09-10 |
US20130062307A1 (en) | 2013-03-14 |
JP2013062481A (ja) | 2013-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5551109B2 (ja) | 主磁極の周りに設けられたシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッド | |
US8225489B2 (en) | Method of manufacturing magnetoresistive element having a pair of free layers | |
JP4849158B2 (ja) | 一対のシールド層に結合する一対の強磁性層を有する磁気抵抗効果素子 | |
JP5544156B2 (ja) | 2つのサイドシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2007087551A (ja) | 垂直磁気記録ヘッドの製造方法 | |
JP2004342210A (ja) | 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 | |
US7469465B2 (en) | Method of providing a low-stress sensor configuration for a lithography-defined read sensor | |
JP5718384B2 (ja) | 主磁極とシールドを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッド | |
US7193822B2 (en) | Thin film magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive | |
JP2006086275A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 | |
JP5692146B2 (ja) | マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2006286669A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
US20070226987A1 (en) | Method for fabricating magnetic head | |
US7062838B2 (en) | Method of forming an embedded read element | |
US8117737B2 (en) | Method of manufacturing magnetic head for perpendicular magnetic recording with shield around main magnetic pole | |
US7443637B2 (en) | Giant magnetoresistance sensor with side longitudinal bias stacks and method for forming same | |
JP2006041120A (ja) | 磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2005293761A (ja) | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
US8379346B1 (en) | Method of forming metal to a concave portion of a substrate, method of manufacturing a magnetic head and a magnetic head | |
JP4539876B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2008034689A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、磁気センサおよび磁気メモリ | |
JP3818595B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
JP3980542B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、およびハードディスク装置 | |
JP4168019B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 | |
JP2005302229A (ja) | 薄膜磁気センサー、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130523 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140710 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5692146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |