JP5692146B2 - マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
40 基板(下部シールド層)
50 上部シールド層
62 無機材料
62a 第1の無機材料
62b 第2の無機材料
63 マスク
63a マスク
63b マスク
64 エッチングストッパ層
66 フォトレジスト
68 レジスト
80 絶縁層
82 磁性層
98 空間
200 エアベアリング面
Claims (17)
- 薄膜が形成された基板の上にアルカリ溶液に可溶な無機材料を成膜するステップと、
前記無機材料を所定パターンに形成するステップと、
所定パターンに形成された前記無機材料を前記アルカリ溶液によって狭小化してマスクを形成するステップと、を含む、前記薄膜をパターニングするためのマスクの作成方法。 - 前記無機材料を所定パターンに形成するステップでは、
フォトリソグラフィ法により前記無機材料を所定パターンに形成する、請求項1に記載のマスクの作成方法。 - 前記無機材料を所定パターンに形成するステップでは、
前記無機材料の上に、エッチングに対して耐性を有するエッチングストッパ層を成膜することと、
フォトリソグラフィ法によって前記エッチングストッパ層の上に所定パターンのフォトレジストを形成することと、
前記エッチングストッパ層の、前記フォトレジストで覆われていない部分を除去して、所定パターンのエッチングストッパ層を形成することと、
前記無機材料の、前記所定パターンのエッチングストッパ層で覆われていない部分をエッチングにより除去することと、を含む、請求項1または2に記載のマスクの作成方法。 - 前記無機材料の、前記所定パターンのエッチングストッパ層で覆われていない部分は、反応性イオンエッチングにより除去される、請求項3に記載のマスクの作成方法。
- 前記エッチングストッパ層は、前記反応性イオンエッチングに対して耐性を有する材料から成る、請求項4に記載のマスクの作成方法。
- 前記エッチングストッパ層はNiおよび/またはNiFeから成る、請求項3から5のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記無機材料の、前記所定パターンのエッチングストッパ層で覆われていない部分をエッチングにより除去した後、前記無機材料を前記アルカリ溶液によって狭小化する前に、前記エッチングストッパ層を除去する、請求項3から6のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記無機材料は、Al2O3、ZnO、SnO、SnO2、PbO、PbO2、Pb3O4、MgO、Nb2O5、Ta2O5、TiO2、WO3から選択された無機酸化物、またはこれらの2以上の組み合わせからなる、請求項1から7のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記基板の上にアルカリ溶液に可溶な無機材料を成膜するステップでは、前記アルカリ溶液に対するエッチングレートが相対的に早い第1の無機材料と、前記アルカリ溶液に対するエッチングレートが相対的に遅い第2の無機材料と、をこの順に形成する、請求項1から8のいずれか1項に記載のマスクの作成方法。
- 前記第1の無機材料は低温原子層蒸着法により形成され、
前記第2の無機材料は高温原子層蒸着法により形成される、請求項9に記載のマスクの作成方法。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載のマスクの作成方法により、第1の薄膜が形成された基板の上に、アルカリ溶液に可溶な無機材料を有するマスクを作成するステップと、
前記第1の薄膜の該マスクで覆われていない部分を除去して、前記第1の薄膜をパターニングするステップと、を含む、薄膜のパターニング方法。 - 前記第1の薄膜をパターニングした後、前記マスクをアルカリ溶液によって除去することを含む、請求項11に記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記第1の薄膜をパターニングするステップの後に、前記第1の薄膜が除去された部分および前記マスク上に前記第2の薄膜を形成することを含む、請求項11または12に記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記第2の薄膜を形成した後に、前記マスク上に形成された前記第2の薄膜の少なくとも一部が露出するように、前記基板の上に形成された前記第2の薄膜をレジストで覆うステップと、
前記マスク上で前記レジストから露出している前記第2の薄膜の一部を除去して前記マスクの一部を露出させるステップと、
アルカリ溶液によって前記マスクを除去して、前記第1の薄膜と前記レジストとの間に空間を形成するステップと、
前記レジストとともに、前記マスク上に形成されていた、前記レジストに付着した前記第2の薄膜を除去するステップと、を含む、請求項13に記載の薄膜のパターニング方法。 - 前記レジストに付着した前記第2の薄膜を除去するステップは、前記第1の薄膜をパターニングするステップにおいて前記マスク上に付着した付着物を除去することを含む、請求項14に記載の薄膜のパターニング方法。
- 請求項11から15のいずれか1項に記載の方法を用いて薄膜をパターニングするステップを含むマイクロデバイスの製造方法。
- 基板の上に、外部磁場に応じて電気抵抗が変化する積層膜を成膜するステップと、
前記積層膜の上にアルカリ溶液に可溶な無機材料を成膜するステップと、
前記無機材料を所定パターンに形成するステップと、
前記無機材料を前記アルカリ溶液によって狭小化してマスクを形成するステップと、
前記積層膜の前記マスクで覆われていない部分を除去するステップと、を含む、薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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