JPH04258011A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH04258011A JPH04258011A JP1908091A JP1908091A JPH04258011A JP H04258011 A JPH04258011 A JP H04258011A JP 1908091 A JP1908091 A JP 1908091A JP 1908091 A JP1908091 A JP 1908091A JP H04258011 A JPH04258011 A JP H04258011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- zinc oxide
- oxide thin
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、６４ＹＸ−ＬｉＮｂ
Ｏ３ 基板を備える弾性表面波装置に関するもので、特
に、このような弾性表面波装置が与える諸特性の向上を
図るための改良に関するものである。
Ｏ３ 基板を備える弾性表面波装置に関するもので、特
に、このような弾性表面波装置が与える諸特性の向上を
図るための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板を伝搬す
る圧電表面すべり波は、次の性質を示すことが知られて
いる。
る圧電表面すべり波は、次の性質を示すことが知られて
いる。
【０００３】（１） 高音速であること。すなわち、
位相速度Ｖｐ が、約４５００ｍ／ｓと大きいこと。
位相速度Ｖｐ が、約４５００ｍ／ｓと大きいこと。
【０００４】（２） 低損失であること。すなわち、
波の減衰定数δが、約２×１０−２ｄＢ／λと小さいこ
と。
波の減衰定数δが、約２×１０−２ｄＢ／λと小さいこ
と。
【０００５】（３） 高結合であること。すなわち、
電気機械結合係数ｋ２ が、約１１％と大きいこと。
電気機械結合係数ｋ２ が、約１１％と大きいこと。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近、
弾性表面波装置において強く求められている低損失化を
進めていくためには、基板の減衰定数をさらに低下させ
る必要がある。
弾性表面波装置において強く求められている低損失化を
進めていくためには、基板の減衰定数をさらに低下させ
る必要がある。
【０００７】なお、６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板上に
、ＳｉＯ２薄膜を形成することによって、減衰定数が約
１×１０−２ｄＢ／λ程度にまで減少した、という報告
が、たとえば、水上他「ＳｉＯ２ ／ＬｉＮｂＯ３ 構
造の圧電表面すべり波」電子通信学会超音波研究会資料
（ＵＳ８２−８１）においてなされているが、その効果
は十分とはいえない。
、ＳｉＯ２薄膜を形成することによって、減衰定数が約
１×１０−２ｄＢ／λ程度にまで減少した、という報告
が、たとえば、水上他「ＳｉＯ２ ／ＬｉＮｂＯ３ 構
造の圧電表面すべり波」電子通信学会超音波研究会資料
（ＵＳ８２−８１）においてなされているが、その効果
は十分とはいえない。
【０００８】それゆえに、この発明の目的は、６４ＹＸ
−ＬｉＮｂＯ３ 基板を用いる弾性表面波装置において
、減衰定数をさらに低下させ、一層の低損失化を可能に
しようとすることである。
−ＬｉＮｂＯ３ 基板を用いる弾性表面波装置において
、減衰定数をさらに低下させ、一層の低損失化を可能に
しようとすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、６４ＹＸ−
ＬｉＮｂＯ３ 基板および基板上に形成されるインタデ
ィジタルトランスデューサを備える、弾性表面波装置に
向けられるものであって、上述した技術的課題を解決す
るため、次のような構成を備えることを特徴としている
。
ＬｉＮｂＯ３ 基板および基板上に形成されるインタデ
ィジタルトランスデューサを備える、弾性表面波装置に
向けられるものであって、上述した技術的課題を解決す
るため、次のような構成を備えることを特徴としている
。
【００１０】すなわち、前記基板の、前記インタディジ
タルトランスデューサが形成された面上に、酸化亜鉛薄
膜が、０＜ｈ／λ≦２．５％（ｈ：厚み、λ：波長）の
厚みをもって形成される。
タルトランスデューサが形成された面上に、酸化亜鉛薄
膜が、０＜ｈ／λ≦２．５％（ｈ：厚み、λ：波長）の
厚みをもって形成される。
【００１１】
【発明の作用および効果】この発明によれば、後述する
実験例からわかるように、波が基板中を伝搬するときの
減衰定数を低減することができる。特に、ｈ／λが１％
付近となるように、酸化亜鉛薄膜の厚みが選ばれている
と、このような酸化亜鉛薄膜がない場合に比べて、減衰
定数を、７分の１以下にまで低下させることができる。
実験例からわかるように、波が基板中を伝搬するときの
減衰定数を低減することができる。特に、ｈ／λが１％
付近となるように、酸化亜鉛薄膜の厚みが選ばれている
と、このような酸化亜鉛薄膜がない場合に比べて、減衰
定数を、７分の１以下にまで低下させることができる。
【００１２】また、上述のように酸化亜鉛薄膜を形成し
て、減衰定数を低下させたとしても、他の特性に悪影響
を及ぼすものではない。すなわち、波の位相速度につい
ては、４３４０ｍ／ｓ以上の値を得ることができる。ま
た、電気機械結合係数ｋ２ については、ｈ／λが１％
において８．４％、ｈ／λが２％において１１．９％、
という大きな値を得ることができる。
て、減衰定数を低下させたとしても、他の特性に悪影響
を及ぼすものではない。すなわち、波の位相速度につい
ては、４３４０ｍ／ｓ以上の値を得ることができる。ま
た、電気機械結合係数ｋ２ については、ｈ／λが１％
において８．４％、ｈ／λが２％において１１．９％、
という大きな値を得ることができる。
【００１３】さらに、従来のＳｉＯ２ 薄膜が形成され
た場合と比較して、この発明に係る酸化亜鉛薄膜が形成
された場合には、次のような効果も奏される。
た場合と比較して、この発明に係る酸化亜鉛薄膜が形成
された場合には、次のような効果も奏される。
【００１４】すなわち、ＳｉＯ２ ／６４ＹＸ−ＬｉＮ
ｂＯ３ 基板において、減衰定数が最も小さくなるＳｉ
Ｏ２ の厚みｈ／λは、約５％付近であるが、この発明
によるＺｎＯ／６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板において
は、減衰定数が最も小さくなるＺｎＯの厚みｈ／λは、
約１％であり、かなり薄い膜厚であっても、減衰定数の
大幅な低下を実現することができる。
ｂＯ３ 基板において、減衰定数が最も小さくなるＳｉ
Ｏ２ の厚みｈ／λは、約５％付近であるが、この発明
によるＺｎＯ／６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板において
は、減衰定数が最も小さくなるＺｎＯの厚みｈ／λは、
約１％であり、かなり薄い膜厚であっても、減衰定数の
大幅な低下を実現することができる。
【００１５】また、現実的な問題として、ＳｉＯ２ ／
６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ またはＺｎＯ／６４ＹＸ−Ｌ
ｉＮｂＯ３ 構造の基板を用いて、弾性表面波装置を作
製する場合、インタディジタルトランスデューサを構成
する電極パッド上には、ボンディングワイヤなどによる
配線を行なうため、ＳｉＯ２ またはＺｎＯがあっては
ならない。そのため、一般的には、（１） 基板上に
ＳｉＯ２ またはＺｎＯを成膜する際、電極パッド上に
成膜されないようにするためのマスキングをするか、（
２） 基板全面にＳｉＯ２ またはＺｎＯを形成した
後、エッチングにより、電極パッド上のＳｉＯ２ また
はＺｎＯを除去することが行なわれる。
６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ またはＺｎＯ／６４ＹＸ−Ｌ
ｉＮｂＯ３ 構造の基板を用いて、弾性表面波装置を作
製する場合、インタディジタルトランスデューサを構成
する電極パッド上には、ボンディングワイヤなどによる
配線を行なうため、ＳｉＯ２ またはＺｎＯがあっては
ならない。そのため、一般的には、（１） 基板上に
ＳｉＯ２ またはＺｎＯを成膜する際、電極パッド上に
成膜されないようにするためのマスキングをするか、（
２） 基板全面にＳｉＯ２ またはＺｎＯを形成した
後、エッチングにより、電極パッド上のＳｉＯ２ また
はＺｎＯを除去することが行なわれる。
【００１６】しかしながら、上記（１）の方法は、非常
に能率的ではあるが、弾性表面波装置の１単位の大きさ
が小さいときには、マスキングが困難であるとともに、
たとえばスパッタリング法により成膜する場合には、マ
スクと基板との間にスパッタリング粒子の回り込みが生
じるなどの問題がある。
に能率的ではあるが、弾性表面波装置の１単位の大きさ
が小さいときには、マスキングが困難であるとともに、
たとえばスパッタリング法により成膜する場合には、マ
スクと基板との間にスパッタリング粒子の回り込みが生
じるなどの問題がある。
【００１７】他方、上記（２）の方法を採用する場合に
は、ＳｉＯ２ の場合に比べて、ＺｎＯの場合の方が有
利である。すなわち、ＳｉＯ２ は、化学的に非常に安
定な酸化物であるので、フッ化水素などの特殊な液にし
か溶けないばかりでなく、もし、フッ化水素を用いれば
、たとえばアルミニウムによって形成された電極パッド
もすぐに溶けてしまう。これに対して、ＺｎＯは、両性
酸化物であり、多くの酸またはアルカリによってすぐに
溶かされることができ、したがって、適当な酸またはア
ルカリを選べば、アルミニウムを溶かさずにＺｎＯのみ
を容易にエッチングできる。
は、ＳｉＯ２ の場合に比べて、ＺｎＯの場合の方が有
利である。すなわち、ＳｉＯ２ は、化学的に非常に安
定な酸化物であるので、フッ化水素などの特殊な液にし
か溶けないばかりでなく、もし、フッ化水素を用いれば
、たとえばアルミニウムによって形成された電極パッド
もすぐに溶けてしまう。これに対して、ＺｎＯは、両性
酸化物であり、多くの酸またはアルカリによってすぐに
溶かされることができ、したがって、適当な酸またはア
ルカリを選べば、アルミニウムを溶かさずにＺｎＯのみ
を容易にエッチングできる。
【００１８】
【実施例】図２に示すように、６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３
基板１上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、波長
λが９．２μｍ、伝搬距離が１０８．７λ、交叉幅が５
４．３λ、電極対数が１０対の正規型の入力側インタデ
ィジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）２および出力側Ｉ
ＤＴ３を備える、フィルタとして用いられ得る弾性表面
波装置を作製した。
基板１上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、波長
λが９．２μｍ、伝搬距離が１０８．７λ、交叉幅が５
４．３λ、電極対数が１０対の正規型の入力側インタデ
ィジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）２および出力側Ｉ
ＤＴ３を備える、フィルタとして用いられ得る弾性表面
波装置を作製した。
【００１９】次に、この基板１の、ＩＤＴ２および３が
形成された面上に、スパッタリング法によって、図１に
示すように、いくつかの厚みの酸化亜鉛薄膜４を形成し
た。
形成された面上に、スパッタリング法によって、図１に
示すように、いくつかの厚みの酸化亜鉛薄膜４を形成し
た。
【００２０】次に、ＩＤＴ２および３上の酸化亜鉛薄膜
４を、酸によるエッチングにより除去し、次いで、ボン
ディングワイヤによる配線およびパッケージングを行な
った。
４を、酸によるエッチングにより除去し、次いで、ボン
ディングワイヤによる配線およびパッケージングを行な
った。
【００２１】このようにして作製された弾性表面波フィ
ルタの挿入損失とｈ／λ（ｈ：ＺｎＯの厚み、λ：波長
）との関係を図３に示す。図３からわかるように、ｈ／
λが、０＜ｈ／λ≦２．５％の範囲で、酸化亜鉛薄膜４
を形成することによって、このような酸化亜鉛薄膜がな
い場合に比べ、挿入損失が低下している。この挿入損失
の低下は、波が基板１中を伝搬する間に減衰することに
よる損失、すなわち伝搬損失の低下によるものである。
ルタの挿入損失とｈ／λ（ｈ：ＺｎＯの厚み、λ：波長
）との関係を図３に示す。図３からわかるように、ｈ／
λが、０＜ｈ／λ≦２．５％の範囲で、酸化亜鉛薄膜４
を形成することによって、このような酸化亜鉛薄膜がな
い場合に比べ、挿入損失が低下している。この挿入損失
の低下は、波が基板１中を伝搬する間に減衰することに
よる損失、すなわち伝搬損失の低下によるものである。
【００２２】図４に、波の減衰定数とｈ／λとの関係を
示す。図４からわかるように、ｈ／λが、０＜ｈ／λ≦
２．５％の範囲において、減衰定数が低下している。特
に、ｈ／λが１％付近では、減衰定数が０．００２６ｄ
Ｂ／λとなり、６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板単体での
減衰定数の７分の１以下となっている。また、先に示し
た文献で報告されているＳｉＯ２ ／６４ＹＸ−ＬｉＮ
ｂＯ３ 基板での減衰定数の最小値である約０．０１ｄ
Ｂ／λに比べても、約４分の１になっている。
示す。図４からわかるように、ｈ／λが、０＜ｈ／λ≦
２．５％の範囲において、減衰定数が低下している。特
に、ｈ／λが１％付近では、減衰定数が０．００２６ｄ
Ｂ／λとなり、６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板単体での
減衰定数の７分の１以下となっている。また、先に示し
た文献で報告されているＳｉＯ２ ／６４ＹＸ−ＬｉＮ
ｂＯ３ 基板での減衰定数の最小値である約０．０１ｄ
Ｂ／λに比べても、約４分の１になっている。
【００２３】図５には、位相速度Ｖｐ のｈ／λ分散性
が示されている。図５からわかるように、ｈ／λが、０
＜ｈ／λ≦２．５％の範囲では、位相速度Ｖｐ は４３
４０ｍ／ｓ以上４５１０ｍ／ｓ未満となり、かなり高音
速を実現することができる。
が示されている。図５からわかるように、ｈ／λが、０
＜ｈ／λ≦２．５％の範囲では、位相速度Ｖｐ は４３
４０ｍ／ｓ以上４５１０ｍ／ｓ未満となり、かなり高音
速を実現することができる。
【００２４】６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板の大きな特
徴として、高結合性、すなわち電気機械結合係数ｋ２
が、約１１％と非常に大きなことが挙げられる。試作し
た弾性表面波フィルタを用いて、ＺｎＯ／６４ＹＸ−Ｌ
ｉＮｂＯ３ 基板の電気機械結合係数ｋ２ を測定した
ところ、ｈ／λが１％では、ｋ２ が８．４％、ｈ／λ
が２％では、ｋ２ が１１．９％となり、かなり高結合
性であることがわかった。
徴として、高結合性、すなわち電気機械結合係数ｋ２
が、約１１％と非常に大きなことが挙げられる。試作し
た弾性表面波フィルタを用いて、ＺｎＯ／６４ＹＸ−Ｌ
ｉＮｂＯ３ 基板の電気機械結合係数ｋ２ を測定した
ところ、ｈ／λが１％では、ｋ２ が８．４％、ｈ／λ
が２％では、ｋ２ が１１．９％となり、かなり高結合
性であることがわかった。
【図１】この発明の一実施例による弾性表面波装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１に示した弾性表面波装置の酸化亜鉛薄膜４
を形成する前の状態を示す斜視図である。
を形成する前の状態を示す斜視図である。
【図３】図１に示した弾性表面波装置のフィルタとして
の挿入損失とｈ／λとの関係を示す図である。
の挿入損失とｈ／λとの関係を示す図である。
【図４】図１に示した弾性表面波装置の波の減衰定数と
ｈ／λとの関係を示す図である。
ｈ／λとの関係を示す図である。
【図５】図１に示した弾性表面波装置の位相速度Ｖｐ
のｈ／λ分散性を示す図である。
のｈ／λ分散性を示す図である。
１ ６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板
２，３ インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ
）４ 酸化亜鉛薄膜
）４ 酸化亜鉛薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ６４ＹＸ−ＬｉＮｂＯ３ 基板および
前記基板上に形成されるインタディジタルトランスデュ
ーサを備える、弾性表面波装置において、前記基板の、
前記インタディジタルトランスデューサが形成された面
上に、酸化亜鉛薄膜が、０＜ｈ／λ≦２．５％（ｈ：厚
み、λ：波長）の厚みをもって形成されたことを特徴と
する、弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1908091A JPH04258011A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1908091A JPH04258011A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258011A true JPH04258011A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=11989467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1908091A Pending JPH04258011A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04258011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013062481A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Tdk Corp | マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143411A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-17 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS63102410A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタ製造法 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP1908091A patent/JPH04258011A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143411A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-17 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS63102410A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタ製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013062481A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Tdk Corp | マスクの作成方法、このマスクを用いたパターニング方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW425758B (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPH025327B2 (ja) | ||
| WO2009139108A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| WO2007046236A1 (ja) | ラム波デバイス | |
| JPH0336326B2 (ja) | ||
| JP2002330051A (ja) | 表面波装置及びそれを用いた弾性表面波デバイス | |
| JP3358688B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2019140456A (ja) | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
| JPS60169210A (ja) | 表面波装置 | |
| JP2000216632A (ja) | 表面弾性波発振器 | |
| JP3168925B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JPH0418806A (ja) | 圧電薄膜デバイス | |
| JPH04258011A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH04258008A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP3461834B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2628985B2 (ja) | 改良された表面音波フィルタ | |
| JPH09130192A (ja) | 表面波装置 | |
| CN117277988B (zh) | 横向耦合声学滤波器 | |
| JP3963081B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JPH11205071A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4003434B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JPH10126208A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4385277B2 (ja) | 弾性表面波変換器とこれを用いた電子装置 | |
| JPS6192021A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH06164293A (ja) | 弾性表面波共振子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971209 |