JP5682550B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
そして、特許文献1には、主回路部にコンデンサを積層して配置した電力変換装置が開示されている。また、特許文献2には、主回路部と並ぶようにしてリアクトルを配置した電力変換装置が開示されている。
該主回路部の上記半導体モジュールから突出してなるパワー端子に接続されたバスバと、
上記主回路部と並んで配置されていると共に、上記バスバを介して上記半導体モジュールの上記パワー端子に電気的に接続されたコンデンサと、
上記主回路部と上記コンデンサとの並び方向に直交する高さ方向であって、上記主回路部に対して上記バスバが配置されている側において、上記コンデンサと対向するように配置されたリアクトルとを備え、
上記コンデンサは、コンデンサ素子を絶縁性の封止材により封止してケース内に収容してなると共に、上記バスバに接続される第1端子部と外部に接続される第2端子部とを上記ケース外に引き出してなり、かつ、上記コンデンサ素子が上記第1端子部を介して上記バスバに電気的に接続されるよう構成されており、
上記コンデンサにおける上記第1端子部と上記第2端子部との間を接続する接続部は、上記封止材の内部に埋設されていることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
この場合には、上記高さ方向において、コンデンサとリアクトルとの間の距離を小さくすることができる。これにより、電力変換装置における上記高さ方向の小型化をより一層図ることができる。
この場合には、上記高さ方向において、主回路部とリアクトルとの間の距離を小さくすることができる。これにより、電力変換装置における上記高さ方向の小型化をより一層図ることができる。
電力変換装置にかかる実施例について、図を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図1〜図5に示すごとく、半導体素子211を内蔵した半導体モジュール21と半導体モジュール21を冷却する冷却器22とを有する主回路部2と、主回路部2の半導体モジュール21から突出してなるパワー端子212(正極側パワー端子212a、負極側パワー端子212b)に接続されたバスバ3(正極側バスバ3a、負極側バスバ3b)と、主回路部2と並んで配置されていると共に、バスバ3を介して半導体モジュール21のパワー端子212に電気的に接続されたコンデンサ4と、主回路部2とコンデンサ4との並び方向Xに直交する高さ方向Zであって、主回路部2に対してバスバ3が配置されている側において、コンデンサ4と対向するように配置されたリアクトル6aとを備えている。
また、コンデンサ4における第1端子部45と第2端子部46との間を接続する接続部5は、封止材42の内部に埋設されている。
以下、これを詳説する。
電力変換装置1は、電力変換回路8(図5)を構成する主回路部2、バスバ3、コンデンサ4、リアクトル6a、6b等を備えている。また、電力変換装置1は、これらの部品を筐体(図示略)に収容している。
各半導体モジュール21は、後述するように、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)等からなるスイッチング素子211a(図5)とそのスイッチング素子211aに逆並列接続されたFWD(フリーホイールダイオード)等からなるダイオード211b(図5)との2つの半導体素子211を内蔵している。
また、各半導体モジュール21は、高さ方向Zの他方側に複数の制御端子213(図4)を突出させている。制御端子213は、制御回路基板(図示略)に接続されている。
ケース43内には、3つのコンデンサ素子41が横方向Yに並んで配置されている。そして、3つのコンデンサ素子41は、ケース43内において、封止材42によりポッティング(注型封止)されている。また、ケース43には、正極側バスバ3aと負極側バスバ3bとにそれぞれ接続される一対の第1端子部45(45a、45b)と、外部に接続される一対の第2端子部46(46a、46b)とが外側に露出して設けられている。
リアクトル6aは、高さ方向Zであって、主回路部2に対してバスバ3が配置されている側において、コンデンサ4と対向するように配置されている。リアクトル6bは、並び方向Xにおいて、リアクトル6aと並んで配置されている。
また、リアクトル6bも、上述したリアクトル6aと同様に、主回路部2に接続されている。
同図に示すごとく、電力変換回路8は、直流電源81の電圧を昇圧する昇圧回路を構成している。電力変換回路8は、直流電源81、2つのコンデンサ(コンデンサ4、コンデンサ49)、2つのリアクトル(リアクトル6a、6b)、12個の半導体モジュール21等によって構成されている。
各半導体モジュール21は、2つの半導体素子211を備えている。一方は、IGBT等からなるスイッチング素子211aであり、他方は、スイッチング素子211aに逆並列接続されたFWD等からなるダイオード211bである。
電力変換装置1において、リアクトル6aは、主回路部2とコンデンサ4との並び方向Xに直交する高さ方向Zであって、主回路部2に対してバスバ3が配置されている側において、コンデンサ4と対向するように配置されている。そして、コンデンサ4における第1端子部45と第2端子部46との間を接続する接続部5は、コンデンサ素子41を封止する絶縁性の封止材42の内部に埋設されている。
本例は、図6に示すごとく、コンデンサ4の構造を変更した例である。
本例では、同図に示すごとく、一対のコンデンサバスバ44(44a、44b)は、3つのコンデンサ素子41における並び方向Xの両側にそれぞれ配置されており、一対の第1端子部45(45a、45b)にそれぞれ接続されている。
また、一方の接続部5aは、一方のコンデンサバスバ44aとその一部を共有するように形成されている。また、他方の接続部5bは、他方のコンデンサバスバ44bとその一部を共有するように形成されている。
その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。
本例は、図7、図8に示すごとく、主回路部2とリアクトル6a、6bとの接続構造を変更した例である。
本例では、同図に示すごとく、リアクトル6aの外部端子61は、リアクトル6aにおける横方向Yの一方の側面から主回路部2側に向けて形成されている。また、交流バスバ3cの一端は、主回路部2における半導体モジュール21の交流パワー端子212cに溶接されている。そして、外部端子61と交流バスバ3cの他端とは、リアクトル6aと主回路部2との間において、ボルト69を用いて締結固定されている。
また、リアクトル6bも、上述したリアクトル6aと同様に、主回路部2に接続されている。
その他は、実施例1と同様の構成である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
2 主回路部
21 半導体モジュール
211 半導体素子
212 パワー端子
22 冷却器
3 バスバ
4 コンデンサ
41 コンデンサ素子
42 封止材
43 ケース
45 第1端子部
46 第2端子部
5 接続部
6a リアクトル
Claims (3)
- 半導体素子を内蔵した半導体モジュールと該半導体モジュールを冷却する冷却器とを有する主回路部と、
該主回路部の上記半導体モジュールから突出してなるパワー端子に接続されたバスバと、
上記主回路部と並んで配置されていると共に、上記バスバを介して上記半導体モジュールの上記パワー端子に電気的に接続されたコンデンサと、
上記主回路部と上記コンデンサとの並び方向に直交する高さ方向であって、上記主回路部に対して上記バスバが配置されている側において、上記コンデンサと対向するように配置されたリアクトルとを備え、
上記コンデンサは、コンデンサ素子を絶縁性の封止材により封止してケース内に収容してなると共に、上記バスバに接続される第1端子部と外部に接続される第2端子部とを上記ケース外に引き出してなり、かつ、上記コンデンサ素子が上記第1端子部を介して上記バスバに電気的に接続されるよう構成されており、
上記コンデンサにおける上記第1端子部と上記第2端子部との間を接続する接続部は、上記封止材の内部に埋設されていることを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、上記リアクトルは、上記高さ方向において、上記コンデンサの上記第1端子部及び上記第2端子部と重ならないように配置されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1又は2に記載の電力変換装置において、上記リアクトルは、少なくとも一部が上記高さ方向において上記主回路部と重なるように配置されており、上記バスバは、正極側バスバと負極側バスバとを有し、両者の少なくとも一方は、上記高さ方向において上記リアクトルと重ならないように配置されていることを特徴とする電力変換装置。
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