JP5676423B2 - アイソレータおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
また、第1インダクタおよび第2インダクタのそれぞれは、基板部の上に形成された第1金属層と、第1金属層の上に形成され、第1金属層に電気的に接続された第2金属層と、第2金属層の上に形成され、第2金属層に電気的に接続された第3金属層とを含んでいる。第1インダクタにおける第1金属層、第2金属層および第3金属層と、第2インダクタにおける第1金属層、第2金属層および第3金属層とは、互いに対向するコイル形状に形成されている。
本発明の実施の形態1に係るアイソレータとその製造方法について説明する。実施の形態1に係るアイソレータでは、実質的にそれぞれ同じ高さを有する第1インダクタと第2インダクタが、半導体基板を含む基板部における所定の面(同一面)に、互いに対向するように配置されている。
本発明の実施の形態2に係るアイソレータとその製造方法について説明する。実施の形態2に係るアイソレータでは、第1インダクタと第2インダクタとが配置される半導体基板の領域に凹部が形成されて、第1インダクタと第2インダクタを覆う絶縁膜は、その凹部も充填するように形成されている。
ここでは、実施の形態1または実施の形態2において説明したアイソレータを適用した半導体装置の一例について説明する。
Claims (6)
- 主表面を有する半導体基板を含む基板部と、
前記基板部に形成され、第1端子および所定の高さの第1インダクタ本体を含む第1インダクタと、
前記基板部に形成され、第2端子および前記所定の高さと同じ高さの第2インダクタ本体を含む第2インダクタと、
前記第1端子および前記第2端子を露出させる態様で、前記第1インダクタおよび前記第2インダクタを、少なくとも上方および側方から一体的に覆うように形成された単層の絶縁膜と
を備え、
前記第1インダクタおよび前記第2インダクタは、いずれも前記基板部における所定の面に配置されて互いに対向し、
前記第1端子は、前記第1インダクタ本体の下端から延在するように配置され、
前記第2端子は、前記第2インダクタ本体の下端から延在するように配置され、
前記第1インダクタおよび前記第2インダクタのそれぞれは、
前記基板部の上に形成された第1金属層と、
前記第1金属層の上に形成され、前記第1金属層に電気的に接続された第2金属層と、
前記第2金属層の上に形成され、前記第2金属層に電気的に接続された第3金属層と
を含み、
前記第1インダクタにおける前記第1金属層、前記第2金属層および前記第3金属層と、前記第2インダクタにおける前記第1金属層、前記第2金属層および前記第3金属層とは、互いに対向するコイル形状に形成された、アイソレータ。 - 前記第1インダクタおよび前記第2インダクタが配置されている領域に位置する前記基板部の部分には、所定の深さを有する凹部が形成され、
前記絶縁膜は前記凹部に充填されて、前記絶縁膜は、前記上方および前記側方に加えて、前記第1インダクタおよび前記第2インダクタの下方から、前記第1インダクタおよび前記第2インダクタを一体的に包囲するように形成された、請求項1記載のアイソレータ。 - 前記絶縁膜を覆うように形成され、前記第1端子および前記第2端子とは電気的に接続されていないメタル層を備えた、請求項1または2に記載のアイソレータ。
- 前記メタル層は接地電位に固定された、請求項3記載のアイソレータ。
- 前記第1インダクタおよび前記第2インダクタの少なくとも一方のインダクタは、一のインダクタと他のインダクタの少なくとも2つのインダクタを含む、請求項1〜4のいずれかに記載のアイソレータ。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のアイソレータを備えた半導体装置であって、
前記アイソレータが形成された前記基板部におけるそれぞれ所定の領域に形成された送信回路部および受信回路部を備え、
前記送信回路部は前記第1端子に電気的に接続され、前記受信回路部は前記第2端子に電気的に接続された、半導体装置。
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