JP5674317B2 - 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の目的を達成する酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法は、酸化亜鉛(ZnO)100mol%に対して、外掛けで酸化アンチモン(Sb2O3)を2.5〜5.0mol%と、アルミナ(Al2O3)を0.05〜0.15mol%と、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.2〜0.5mol%と、を添加してなるバリスタ原料を準備する工程と、前記バリスタ原料を900±200℃で2時間保持し、昇降温度速度200±100℃/hrで仮焼きする工程とを備え、前記バリスタ原料のうち酸化亜鉛(ZnO)と酸化アンチモン(Sb 2 O 3 )はスピネル結晶相を形成することを特徴とする。また、例えば、本発明の酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法は、さらに、前記仮焼きの後、バリスタ原料を平均粒径0.7±0.4μmに粉砕する工程を備えることを特徴とする。
バリスタの主原料となる酸化亜鉛(ZnO)は、半導体セラミックスとして知られており、ドナーとアクセプタが存在する。ドナーであるAlやGa等をドープすることで低抵抗化が可能となるが、ZnOはZ軸方向に結晶軸があり、過剰にドナーを添加するとエピタキシャルな粒成長を起こしてしまう。バリスタにおいて、このようなエピタキシャルな粒子成長を異常粒成長というが、この異常粒成長は回路保護に重要とされる制限電圧性能を大幅に劣化させる。そのため、いくら比抵抗を下げても異常粒成長により雷サージ電流が局所的に集中し、所望の性能を確保することができない。
一般的に粒子の大きさは粒子径と表現されるが、ここでは、三次元的な表現をするために「粒子形」としている。粒子形を微細化するということは、出発原料として0.5μm程度の粒形に調整されたZnOについて、その粒形を成長させないことである。粒成長を抑制するため、一般的には、粒成長抑制元素として酸化アンチモン(Sb2O3)を使用する。しかし、酸化アンチモンを過剰に添加すると、焼結温度が上昇するため、結果として性能を低下させることになる。したがって、現在までに進められてきたバリスタ開発においては、酸化アンチモンを添加する最適な範囲を、0〜1.5mol%とするのが通説である。
上記の2.において、ZnOの微細化が可能となった場合、ZnOの表面積の増大により粒界形成が難しくなる。適切な粒界形成には適切な遷移金属の添加量が必要となる。現在の技術では、焼き上がり後、3.0μm以上という粒に対しては、1.0mol%以下が望ましいとされている。それ以上の添加は不純物として機能し、性能を劣化させることになる。
A.ドナーの増量、異常粒成長を抑える酸化アンチモンの過剰添加、焼成温度を下げるアルミナの選択について:
バリスタのサージ性能を向上させるためには、ZnOの比抵抗の低抵抗化が避けられない。そこで、アルミナを、従来より適切とされている量に比べて過剰に添加するとともに、異常粒成長を抑えるために酸化アンチモンの添加量もまた過剰にした。
上記A.に示したように、アルミナとアンチモンの添加量を多くすることで、雷サージ性能に優れるバリスタ素体材料を得ることができた。しかしながら、粒子の微細化でZnOの比表面積が増加し、粒界抵抗が低下したことに起因する問題が発生した。これは、遷移金属の不足と考えられる。
次に、本実施の形態例に係るチップバリスタ(酸化亜鉛バリスタ)の製造プロセスについて説明する。図1は、本実施の形態例に係る酸化亜鉛バリスタ(チップバリスタ)の製造工程を時系列で示すフローチャートである。最初の工程(ステップS1)で、表3に示すバリスタ材料の組成に基づき原料の調合を行う。ここでは、メジアン平均粒径3μm程度の酸化亜鉛(ZnO)100mol%に対して、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.2mol%、酸化コバルト(CoO)を4.0mol%、二酸化マンガン(MnO2)を4.0mol%、酸化アンチモン(Sb2O3)を3.5mol%、酸化クロム(Cr2O3)を1.0mol%、ホウ酸(H3BO3)を1.0mol%、酸化アルミニウム(Al2O3)を0.1mol%秤量した。
図3は、本実施の形態例に係るチップバリスタと比較例とについて、雷サージ試験を行った結果を示すグラフである。図3に示すように、比較例は雷サージ耐量2000Aが限界であったが、本実施の形態例に係るチップバリスタは、5000Aまで雷サージ耐量の性能を確保することができた。なお、一般的なディスクタイプ(14mmφ)のバリスタは、4000〜5000A程度の雷サージ耐量があるため、本実施の形態例に係るチップバリスタは、ディスクタイプと同等あるいはそれ以上の性能があるといえる。
表5は、ディスクバリスタ(14mmφ)と、上記の比較例と、本実施の形態例に係るチップバリスタとについて、それらの基本性能をまとめて示している。
21 積層体
23 内部電極
25 端子電極
27 Niメッキ層
29 Snメッキ層
Claims (5)
- 酸化亜鉛(ZnO)100mol%に対して、外掛けで酸化アンチモン(Sb2O3)を2.5〜5.0mol%と、アルミナ(Al2O3)を0.05〜0.15mol%と、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.2〜0.5mol%と、を添加したバリスタ組成物からなり、酸化亜鉛(ZnO)と酸化アンチモン(Sb 2 O 3 )からなるスピネル結晶相が含まれることを特徴とする酸化亜鉛積層チップバリスタ。
- さらに、酸化亜鉛100mol%に対して、酸化コバルト(CoO)を2.0〜6.0mol%添加したことを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛積層チップバリスタ。
- さらに、酸化亜鉛100mol%に対して、二酸化マンガンを(MnO2)2.0〜6.0mol%添加したことを特徴とする請求項1または2に記載の酸化亜鉛積層チップバリスタ。
- 酸化亜鉛(ZnO)100mol%に対して、外掛けで酸化アンチモン(Sb2O3)を2.5〜5.0mol%と、アルミナ(Al2O3)を0.05〜0.15mol%と、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.2〜0.5mol%と、を添加してなるバリスタ原料を準備する工程と、
前記バリスタ原料を900±200℃で2時間保持し、昇降温度速度200±100℃/hrで仮焼きする工程とを備え、
前記バリスタ原料のうち酸化亜鉛(ZnO)と酸化アンチモン(Sb 2 O 3 )はスピネル結晶相を形成することを特徴とする酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法。 - さらに、前記仮焼きの後、バリスタ原料を平均粒径0.7±0.4μmに粉砕する工程を備えることを特徴とする請求項4に記載の酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法。
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