JP5673949B2 - 内部状態に応じたフォーマット処理を実行できる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のフォーマット処理方法 - Google Patents
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Description
1b メモリ
10 フォーマット手段
11 命令制御手段
Claims (6)
- フォーマット処理を実行する際、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定し、判定した該状態に適した処理を実行する手段として、
前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、更に、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定するフォーマット手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置のメモリをフォーマット処理する方法であって、半導体記憶装置が、フォーマット処理を開始する前に、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定するステップa、前記半導体記憶装置が、判定したフォーマット処理の状態に適した処理を実行するステップbを含み、
前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、
半導体記憶装置のフォーマット処理方法。 - 前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする、請求項4に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法。
- 前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項5に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法。
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