JP2001051883A - 不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発性メモリ装置 - Google Patents
不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発性メモリ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源断等の異常により書き込み途中で処理を
終了した場合、次回起動時に自動的に書き込み前の状態
に復元する不揮発性メモリの自己修復方法および不揮発
性メモリ装置を提供する。 【解決手段】 データの書き込み処理に先立ち、論理ア
ドレスとデータ書き換え前の旧物理アドレスと新たに割
り当てた新物理アドレスを、それぞれ論理アドレスバッ
ファ４０４、旧物理アドレスバッファ４０５、新物理ア
ドレスバッファ４０６に格納するとともに、書き込み中
フラグ１０３を有効にしてからデータをメモリ１０６に
書き込み、書き込み完了後にデータ割り当てテーブル４
０７を更新するとともに書き込み中フラグ１０３を無効
にする。その結果、電源断等により書き込みが途中で終
了した場合、次回起動時に書き込み前の状態に復元でき
る。
終了した場合、次回起動時に自動的に書き込み前の状態
に復元する不揮発性メモリの自己修復方法および不揮発
性メモリ装置を提供する。 【解決手段】 データの書き込み処理に先立ち、論理ア
ドレスとデータ書き換え前の旧物理アドレスと新たに割
り当てた新物理アドレスを、それぞれ論理アドレスバッ
ファ４０４、旧物理アドレスバッファ４０５、新物理ア
ドレスバッファ４０６に格納するとともに、書き込み中
フラグ１０３を有効にしてからデータをメモリ１０６に
書き込み、書き込み完了後にデータ割り当てテーブル４
０７を更新するとともに書き込み中フラグ１０３を無効
にする。その結果、電源断等により書き込みが途中で終
了した場合、次回起動時に書き込み前の状態に復元でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種データを保存
する不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発
性メモリ装置に関する。
する不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発
性メモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フラッシュＡＴＡカードに代表さ
れる不揮発性メモリにおいて、書き込み途中にて電源断
あるいはカードの挿抜などの異常が発生した場合には、
管理領域を含めた書き込み内容が不正になってしまい、
これが原因となり不揮発性メモリに対してアクセスがで
きなくなったり、あるいは上位システムに対して悪影響
を与えるという問題があった。
れる不揮発性メモリにおいて、書き込み途中にて電源断
あるいはカードの挿抜などの異常が発生した場合には、
管理領域を含めた書き込み内容が不正になってしまい、
これが原因となり不揮発性メモリに対してアクセスがで
きなくなったり、あるいは上位システムに対して悪影響
を与えるという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
に鑑みてなされたもので、何らかの異常により不揮発性
メモリへの書き込み途中で処理を終了した場合でも、不
揮発性メモリの次回起動時に自動的に内部状態を書き込
み前の状態に復元する不揮発性メモリの自己修復方法お
よび不揮発性メモリ装置を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたもので、何らかの異常により不揮発性
メモリへの書き込み途中で処理を終了した場合でも、不
揮発性メモリの次回起動時に自動的に内部状態を書き込
み前の状態に復元する不揮発性メモリの自己修復方法お
よび不揮発性メモリ装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、不揮発性メモリへ書き込
むデータの論理アドレスが指定されたことに応じて、前
記論理アドレスが割り当てられている旧物理アドレスお
よび未使用の新物理アドレスを管理テーブルで検索し、
前記論理アドレス、旧物理アドレスおよび新物理アドレ
スをそれぞれ論理アドレス格納手段、旧物理アドレス格
納手段および新物理アドレス格納手段に格納するととも
に、書き込み中フラグを有効にした後に前記データを前
記不揮発性メモリの前記新物理アドレスに書き込み、書
き込み完了後に前記旧物理アドレスに割り当てられてい
る前記論理アドレスを未使用状態に、前記新物理アドレ
スに前記論理アドレスを割り当てるように前記管理テー
ブルを更新するとともに前記書き込み中フラグを無効に
するように制御し、また、前記不揮発性メモリの再起動
時に、前記書き込み中フラグが有効である場合には、前
記新物理アドレス格納手段に格納されている新物理アド
レスに割り当てられている論理アドレスを未使用状態
に、前記旧物理アドレス格納手段に格納されている旧物
理アドレスに割り当てられている論理アドレスを前記論
理アドレス格納手段に格納されている前記論理アドレス
に戻すように前記管理テーブルを更新した後に、前記書
き込み中フラグを無効にするように制御することを特徴
とする。
に、請求項１に記載の発明は、不揮発性メモリへ書き込
むデータの論理アドレスが指定されたことに応じて、前
記論理アドレスが割り当てられている旧物理アドレスお
よび未使用の新物理アドレスを管理テーブルで検索し、
前記論理アドレス、旧物理アドレスおよび新物理アドレ
スをそれぞれ論理アドレス格納手段、旧物理アドレス格
納手段および新物理アドレス格納手段に格納するととも
に、書き込み中フラグを有効にした後に前記データを前
記不揮発性メモリの前記新物理アドレスに書き込み、書
き込み完了後に前記旧物理アドレスに割り当てられてい
る前記論理アドレスを未使用状態に、前記新物理アドレ
スに前記論理アドレスを割り当てるように前記管理テー
ブルを更新するとともに前記書き込み中フラグを無効に
するように制御し、また、前記不揮発性メモリの再起動
時に、前記書き込み中フラグが有効である場合には、前
記新物理アドレス格納手段に格納されている新物理アド
レスに割り当てられている論理アドレスを未使用状態
に、前記旧物理アドレス格納手段に格納されている旧物
理アドレスに割り当てられている論理アドレスを前記論
理アドレス格納手段に格納されている前記論理アドレス
に戻すように前記管理テーブルを更新した後に、前記書
き込み中フラグを無効にするように制御することを特徴
とする。
【０００５】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の不揮発性メモリにおける自己修復方法において、前記
不揮発性メモリは、メモリカードまたはハードディスク
装置または光ディスク装置であることを特徴とする。
の不揮発性メモリにおける自己修復方法において、前記
不揮発性メモリは、メモリカードまたはハードディスク
装置または光ディスク装置であることを特徴とする。
【０００６】請求項３に記載の発明は、データ書き込み
中に電源断や異常発生により書き込みを中止した場合、
再立ち上げ時にデータ書き込み前の状態に復元する自己
修復機能付きの不揮発性メモリ装置において、データを
記憶する不揮発性記憶手段と、前記不揮発性記憶手段に
データを書き込むデータ書き込み手段と、前記不揮発性
記憶手段へ書き込み指定されたデータの論理アドレスを
格納する論理アドレス格納手段と、前記論理アドレスと
前記不揮発性記憶手段の実際の格納位置を示す物理アド
レスとの割り当て状態を示す管理テーブルと、前記論理
アドレスに割り当てられた旧物理アドレスと未使用状態
の新物理アドレスを前記管理テーブルで検索する機能
と、前記旧物理アドレスに割り当てられた前記論理アド
レスを未使用状態に戻し前記新物理アドレスを前記論理
アドレスに割り当てるか、または前記旧物理アドレスを
未使用状態から前記論理アドレスに割り当て前記新物理
アドレスに割り当てられた前記論理アドレスを未使用状
態に戻すように前記管理テーブルを更新する機能とを有
する管理テーブル制御手段と、前記旧物理アドレスを格
納する旧物理アドレス格納手段と、前記新物理アドレス
を格納する新物理アドレス格納手段と、前記データ書き
込み手段により前記不揮発性記憶手段にデータ書き込み
中は有効を保持し、書き込み完了で無効を保持するデー
タ書き込み中フラグと、前記不揮発メモリの再起動時
に、前記データ書き込み中フラグが有効を保持している
場合には、前記新物理アドレスに割り当てられた前記論
理アドレスを未使用状態に戻すとともに、前記旧物理ア
ドレスの割り当てを未使用状態から前記バッファメモリ
格納手段に格納された論理アドレスに戻すように管理テ
ーブルを更新するように管理テーブル制御手段に指示す
るとともに、前記データ書き込み中フラグを無効にする
ように制御するデータ復元制御手段とを少なくとも具備
することを特徴とする。
中に電源断や異常発生により書き込みを中止した場合、
再立ち上げ時にデータ書き込み前の状態に復元する自己
修復機能付きの不揮発性メモリ装置において、データを
記憶する不揮発性記憶手段と、前記不揮発性記憶手段に
データを書き込むデータ書き込み手段と、前記不揮発性
記憶手段へ書き込み指定されたデータの論理アドレスを
格納する論理アドレス格納手段と、前記論理アドレスと
前記不揮発性記憶手段の実際の格納位置を示す物理アド
レスとの割り当て状態を示す管理テーブルと、前記論理
アドレスに割り当てられた旧物理アドレスと未使用状態
の新物理アドレスを前記管理テーブルで検索する機能
と、前記旧物理アドレスに割り当てられた前記論理アド
レスを未使用状態に戻し前記新物理アドレスを前記論理
アドレスに割り当てるか、または前記旧物理アドレスを
未使用状態から前記論理アドレスに割り当て前記新物理
アドレスに割り当てられた前記論理アドレスを未使用状
態に戻すように前記管理テーブルを更新する機能とを有
する管理テーブル制御手段と、前記旧物理アドレスを格
納する旧物理アドレス格納手段と、前記新物理アドレス
を格納する新物理アドレス格納手段と、前記データ書き
込み手段により前記不揮発性記憶手段にデータ書き込み
中は有効を保持し、書き込み完了で無効を保持するデー
タ書き込み中フラグと、前記不揮発メモリの再起動時
に、前記データ書き込み中フラグが有効を保持している
場合には、前記新物理アドレスに割り当てられた前記論
理アドレスを未使用状態に戻すとともに、前記旧物理ア
ドレスの割り当てを未使用状態から前記バッファメモリ
格納手段に格納された論理アドレスに戻すように管理テ
ーブルを更新するように管理テーブル制御手段に指示す
るとともに、前記データ書き込み中フラグを無効にする
ように制御するデータ復元制御手段とを少なくとも具備
することを特徴とする。
【０００７】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の不揮発性メモリ装置において、前記不揮発性メモリ
は、ＩＣメモリまたはハードディスク装置または光ディ
スク装置であることを特徴とする。
の不揮発性メモリ装置において、前記不揮発性メモリ
は、ＩＣメモリまたはハードディスク装置または光ディ
スク装置であることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
不揮発性メモリの自己修復方法および不揮発性メモリ装
置について、図１を参照して説明する。図１は同実施の
形態によるメモリカードのブロック図である。図１にお
いて、１０１はメモリカード、１０２は外部の読み出し
／書き込み器と接続するためのコネクタである。１０３
はメモリ１０６への書き込み中を表示する１ビットの不
揮発性メモリで構成される書き込み中フラグである。１
０４はメモリカード１０１の内部に存在する全領域を指
定することができるアドレス内容を記憶するための不揮
発性メモリで構成されるアドレスバッファ、１０５はメ
モリ１０６の１処理単位のデータを記憶するための不揮
発性メモリで構成されるデータバッファである。
不揮発性メモリの自己修復方法および不揮発性メモリ装
置について、図１を参照して説明する。図１は同実施の
形態によるメモリカードのブロック図である。図１にお
いて、１０１はメモリカード、１０２は外部の読み出し
／書き込み器と接続するためのコネクタである。１０３
はメモリ１０６への書き込み中を表示する１ビットの不
揮発性メモリで構成される書き込み中フラグである。１
０４はメモリカード１０１の内部に存在する全領域を指
定することができるアドレス内容を記憶するための不揮
発性メモリで構成されるアドレスバッファ、１０５はメ
モリ１０６の１処理単位のデータを記憶するための不揮
発性メモリで構成されるデータバッファである。
【０００９】メモリ１０６はメモリカード１０１の内部
にて本来保存したいデータおよび、対象データを管理す
るために必要な管理データを合わせたデータを記憶する
ための不揮発性メモリである。一般的に、管理データは
メモリの書き換え回数やデータの誤り訂正に必要な冗長
データを含んでおり、管理データが誤っているとメモリ
カード１０１自体の動作、信頼性に重大な悪影響を与え
ると考えられる。また、１０７はメモリカード１０１の
各部を制御するコントローラ回路である。
にて本来保存したいデータおよび、対象データを管理す
るために必要な管理データを合わせたデータを記憶する
ための不揮発性メモリである。一般的に、管理データは
メモリの書き換え回数やデータの誤り訂正に必要な冗長
データを含んでおり、管理データが誤っているとメモリ
カード１０１自体の動作、信頼性に重大な悪影響を与え
ると考えられる。また、１０７はメモリカード１０１の
各部を制御するコントローラ回路である。
【００１０】次に、本発明の実施形態のデータ書き込み
動作について、図１、図２を参照して説明する。図２
は、図１のメモリカード１０１における通常のデータ書
き込み処理を示すフローチャートである。メモリカード
１０１へのデータ書き込みを行うにあたって、メモリカ
ード１０１内のメモリ１０６の対象領域を指定するアド
レスが書き込み／読み出し器から指定される（Ｓ２０
２）。コントローラ回路１０７は、指定されたアドレス
をアドレスバッファ１０４に設定する（Ｓ２０３）。こ
の状態で書き込み／読み出し器より書き込みコマンドが
発行される（Ｓ２０４）。
動作について、図１、図２を参照して説明する。図２
は、図１のメモリカード１０１における通常のデータ書
き込み処理を示すフローチャートである。メモリカード
１０１へのデータ書き込みを行うにあたって、メモリカ
ード１０１内のメモリ１０６の対象領域を指定するアド
レスが書き込み／読み出し器から指定される（Ｓ２０
２）。コントローラ回路１０７は、指定されたアドレス
をアドレスバッファ１０４に設定する（Ｓ２０３）。こ
の状態で書き込み／読み出し器より書き込みコマンドが
発行される（Ｓ２０４）。
【００１１】コントローラ回路１０７は、書き込みコマ
ンドを受け取った後、アドレスバッファ１０４が示すメ
モリ１０６の領域に書き込まれているデータを読み出
し、データバッファ１０５に退避する（Ｓ２０５）。ま
た、書き込み中であることを示す書き込み中フラグ１０
３を有効状態に設定する（Ｓ２０６）。そして、書き込
み／読み出し器から受け取ったデータを、アドレスバッ
ファ１０４が示すメモリ１０６の領域に書き込む（Ｓ２
０７）。以上の動作が完了した後、書き込み中フラグ１
０３を無効状態とする（Ｓ２０８）。
ンドを受け取った後、アドレスバッファ１０４が示すメ
モリ１０６の領域に書き込まれているデータを読み出
し、データバッファ１０５に退避する（Ｓ２０５）。ま
た、書き込み中であることを示す書き込み中フラグ１０
３を有効状態に設定する（Ｓ２０６）。そして、書き込
み／読み出し器から受け取ったデータを、アドレスバッ
ファ１０４が示すメモリ１０６の領域に書き込む（Ｓ２
０７）。以上の動作が完了した後、書き込み中フラグ１
０３を無効状態とする（Ｓ２０８）。
【００１２】次に、本実施形態のメモリカードの起動時
（電源投入時）の動作を図３を参照して説明する。図３
は、本実施形態のメモリカードにおける起動時の処理を
示すフローチャートである。メモリカード１０１への電
源が投入されると（Ｓ３０１）、メモリカード１０１の
内部を動作可能状態とするために各種の初期設定が行わ
れる（Ｓ３０２）。初期設定が完了した後、書き込み中
フラグ１０３の状態を確認し（Ｓ３０３）、無効状態に
なっている場合には、そのまま書き込み／読み出し器か
らの処理待ち状態になる（Ｓ３０５）。書き込み中フラ
グ１０３が有効状態になっている場合には、データバッ
ファ１０５の内容をアドレスバッファ１０４の示すメモ
リ１０６の領域に復元し（Ｓ３０４）、書き込み／読み
出し器からの処理待ち状態になる（Ｓ３０５）。
（電源投入時）の動作を図３を参照して説明する。図３
は、本実施形態のメモリカードにおける起動時の処理を
示すフローチャートである。メモリカード１０１への電
源が投入されると（Ｓ３０１）、メモリカード１０１の
内部を動作可能状態とするために各種の初期設定が行わ
れる（Ｓ３０２）。初期設定が完了した後、書き込み中
フラグ１０３の状態を確認し（Ｓ３０３）、無効状態に
なっている場合には、そのまま書き込み／読み出し器か
らの処理待ち状態になる（Ｓ３０５）。書き込み中フラ
グ１０３が有効状態になっている場合には、データバッ
ファ１０５の内容をアドレスバッファ１０４の示すメモ
リ１０６の領域に復元し（Ｓ３０４）、書き込み／読み
出し器からの処理待ち状態になる（Ｓ３０５）。
【００１３】次に、本発明の他の実施の形態について、
図４を参照して説明する。図４は本実施形態のメモリカ
ードの構成を示すブロック図である。図４において、図
１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。４０１はメモリカードであり、４０４は外部の書き
込み／読み出し器からメモリ１０６の領域を指定するア
ドレス（論理アドレス）を格納する論理アドレスバッフ
ァである。４０５は指定された論理アドレスに割り当て
られたデータ書換え前の旧データを格納していたメモリ
１０６の物理アドレスを格納する旧物理アドレスバッフ
ァである。４０６は書き込み／読み出し器からのデータ
を書き込むために論理アドレスに新たに割り当てられた
メモリ１０６の物理アドレスを格納する新物理アドレス
バッファである。また、４０７は書き込み／読み出し器
から指定される論理アドレスと実際のデータ格納位置を
示す物理アドレスとの割り当てを管理するためのデータ
割り当てテーブルである。４０９はメモリカード４０１
の各部を制御するコントローラ回路である。
図４を参照して説明する。図４は本実施形態のメモリカ
ードの構成を示すブロック図である。図４において、図
１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。４０１はメモリカードであり、４０４は外部の書き
込み／読み出し器からメモリ１０６の領域を指定するア
ドレス（論理アドレス）を格納する論理アドレスバッフ
ァである。４０５は指定された論理アドレスに割り当て
られたデータ書換え前の旧データを格納していたメモリ
１０６の物理アドレスを格納する旧物理アドレスバッフ
ァである。４０６は書き込み／読み出し器からのデータ
を書き込むために論理アドレスに新たに割り当てられた
メモリ１０６の物理アドレスを格納する新物理アドレス
バッファである。また、４０７は書き込み／読み出し器
から指定される論理アドレスと実際のデータ格納位置を
示す物理アドレスとの割り当てを管理するためのデータ
割り当てテーブルである。４０９はメモリカード４０１
の各部を制御するコントローラ回路である。
【００１４】次に、本実施形態における、書き込み／読
み出し器から指定される論理アドレスとメモリカード４
０１のメモリ１０６のデータを記憶する物理アドレスと
の割り当てを動的に管理するための方法について、図
４、図５を参照して説明する。図５は図４のデータ割り
当てテーブル４０７の構成を示す図である。図４のデー
タ割り当てテーブル４０７は、メモリカード４０１の全
領域のアドレス数に対して割り当てられた論理アドレス
をすべて格納できる容量を持つ。また、本実施形態にお
いては、図５に示すように、任意の物理アドレスに対し
て実際には存在しない論理アドレス“９９９９”がデー
タ割り当てテーブル４０７に格納されている場合には、
対象となる物理アドレスに相当するメモリ領域は使用さ
れていないことを示す。即ち、論理アドレスとして“３
１１”を書き込み対象として指定した場合には、実際に
はメモリカード４０１の内部の物理アドレス“０”が書
き込み対象の領域となる。また、物理アドレス“１”に
は論理アドレスとして“９９９９”が設定されているた
め、物理アドレス“１”が示すメモリ領域は、使用され
ていないことになる。
み出し器から指定される論理アドレスとメモリカード４
０１のメモリ１０６のデータを記憶する物理アドレスと
の割り当てを動的に管理するための方法について、図
４、図５を参照して説明する。図５は図４のデータ割り
当てテーブル４０７の構成を示す図である。図４のデー
タ割り当てテーブル４０７は、メモリカード４０１の全
領域のアドレス数に対して割り当てられた論理アドレス
をすべて格納できる容量を持つ。また、本実施形態にお
いては、図５に示すように、任意の物理アドレスに対し
て実際には存在しない論理アドレス“９９９９”がデー
タ割り当てテーブル４０７に格納されている場合には、
対象となる物理アドレスに相当するメモリ領域は使用さ
れていないことを示す。即ち、論理アドレスとして“３
１１”を書き込み対象として指定した場合には、実際に
はメモリカード４０１の内部の物理アドレス“０”が書
き込み対象の領域となる。また、物理アドレス“１”に
は論理アドレスとして“９９９９”が設定されているた
め、物理アドレス“１”が示すメモリ領域は、使用され
ていないことになる。
【００１５】次に、本実施形態の動作について、図４、
図５、図６を参照して説明する。図６は図４のデータ書
き込み時の処理を示すフローチャートである。図６にお
いて、書き込み／読み出し器からデータを書き込む論理
アドレスが指定される（Ｓ６０２）。コントローラ回路
４０９は、指定された論理アドレスを論理アドレスバッ
ファ４０４に格納する（Ｓ６０３）。次に、コントロー
ラ回路４０９は、データ割り当てテーブル４０７を参照
して、指定された論理アドレスが示す物理アドレス（旧
物理アドレス）および、使用されていない物理アドレス
（新物理アドレス）一つを探索する（Ｓ６０４）。そし
て、探索した旧物理アドレスおよび新物理アドレスをそ
れぞれ旧物理アドレスバッファ４０５および新物理アド
レスバッファ４０６に格納する（Ｓ６０５）。格納が完
了した後、書き込み中フラグ１０３を有効状態に設定す
る（Ｓ６０６）。
図５、図６を参照して説明する。図６は図４のデータ書
き込み時の処理を示すフローチャートである。図６にお
いて、書き込み／読み出し器からデータを書き込む論理
アドレスが指定される（Ｓ６０２）。コントローラ回路
４０９は、指定された論理アドレスを論理アドレスバッ
ファ４０４に格納する（Ｓ６０３）。次に、コントロー
ラ回路４０９は、データ割り当てテーブル４０７を参照
して、指定された論理アドレスが示す物理アドレス（旧
物理アドレス）および、使用されていない物理アドレス
（新物理アドレス）一つを探索する（Ｓ６０４）。そし
て、探索した旧物理アドレスおよび新物理アドレスをそ
れぞれ旧物理アドレスバッファ４０５および新物理アド
レスバッファ４０６に格納する（Ｓ６０５）。格納が完
了した後、書き込み中フラグ１０３を有効状態に設定す
る（Ｓ６０６）。
【００１６】次に、新物理アドレスバッファ４０６の示
すメモリ領域に書き込み／読み出し器から受け取ったデ
ータを書き込む（Ｓ６０７）。そして、データ割り当て
テーブル４０７の更新処理を行う（Ｓ６０８）。この更
新処理は、具体的には、旧物理アドレスバッファ４０５
の示すデータ割り当てテーブル４０７の物理アドレスに
割り当てられた論理アドレスの値を未使用状態“９９９
９”とし、新物理アドレスバッファ４０６の示すデータ
割り当てテーブル４０７の物理アドレスに割り当てられ
た論理アドレスの値を論理アドレスバッファ４０４の示
す値に変更する。最後に、書き込み中フラグ４０３を無
効状態に設定し、書き込み処理が正常終了することにな
る（Ｓ６０９）。
すメモリ領域に書き込み／読み出し器から受け取ったデ
ータを書き込む（Ｓ６０７）。そして、データ割り当て
テーブル４０７の更新処理を行う（Ｓ６０８）。この更
新処理は、具体的には、旧物理アドレスバッファ４０５
の示すデータ割り当てテーブル４０７の物理アドレスに
割り当てられた論理アドレスの値を未使用状態“９９９
９”とし、新物理アドレスバッファ４０６の示すデータ
割り当てテーブル４０７の物理アドレスに割り当てられ
た論理アドレスの値を論理アドレスバッファ４０４の示
す値に変更する。最後に、書き込み中フラグ４０３を無
効状態に設定し、書き込み処理が正常終了することにな
る（Ｓ６０９）。
【００１７】次に、本実施形態のメモリカード４０１の
起動時（電源投入時）の動作について、図４、図５、図
７を参照して説明する。図７は本実施形態の起動時の処
理を示すフローチャートである。最初に、メモリカード
４０１への電源が投入されると、メモリカード４０１の
初期化を実行する（Ｓ７０２）。次に、書き込み中フラ
グ４０３の状態を確認し（Ｓ７０３）、無効状態の場合
にはそのまま書き込み／読み出し器からの処理待ちとな
る（Ｓ７０５）。有効状態の場合には、前回の書き込み
中に書き込みが中断されていることを示しているため、
復元処理を行う（Ｓ７０４）。この復元方法は、新物理
アドレスバッファ４０６の示すデータ割り当てテーブル
４０７の物理アドレスに割り当てられた論理アドレスを
未使用状態“９９９９”とし、同時に旧物理アドレスバ
ッファ４０５の示すデータ割り当てテーブル４０７の物
理アドレスに割り当てられた論理アドレスを論理アドレ
スバッファ４０４の示す値とすることにより完了する。
起動時（電源投入時）の動作について、図４、図５、図
７を参照して説明する。図７は本実施形態の起動時の処
理を示すフローチャートである。最初に、メモリカード
４０１への電源が投入されると、メモリカード４０１の
初期化を実行する（Ｓ７０２）。次に、書き込み中フラ
グ４０３の状態を確認し（Ｓ７０３）、無効状態の場合
にはそのまま書き込み／読み出し器からの処理待ちとな
る（Ｓ７０５）。有効状態の場合には、前回の書き込み
中に書き込みが中断されていることを示しているため、
復元処理を行う（Ｓ７０４）。この復元方法は、新物理
アドレスバッファ４０６の示すデータ割り当てテーブル
４０７の物理アドレスに割り当てられた論理アドレスを
未使用状態“９９９９”とし、同時に旧物理アドレスバ
ッファ４０５の示すデータ割り当てテーブル４０７の物
理アドレスに割り当てられた論理アドレスを論理アドレ
スバッファ４０４の示す値とすることにより完了する。
【００１８】上記した各実施形態においてはメモリカー
ドの場合について説明したが、本発明は不揮発性メモリ
全般を対象としており、ＩＣメモリの他、ハードディス
ク装置、光ディスク装置等の不揮発性記憶媒体を用いた
場合にも本発明を適用することができる。
ドの場合について説明したが、本発明は不揮発性メモリ
全般を対象としており、ＩＣメモリの他、ハードディス
ク装置、光ディスク装置等の不揮発性記憶媒体を用いた
場合にも本発明を適用することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、論理アドレスと物理アドレスを管理するデータ割り
当てテーブルを設け、データの書き込み処理に先立ち、
論理アドレスとデータ書き換え前の物理アドレスと新た
に割り当てられたデータを書き込むための物理アドレス
を、それぞれ論理アドレスバッファ、旧物理アドレスバ
ッファ、新物理アドレスバッファに格納するとともに、
書き込み中フラグを有効にしてから書き込みデータをメ
モリに書き込み、書き込み完了後にデータ割り当てテー
ブルを更新するとともに書き込み中フラグを無効にす
る。その結果、電源断等により書き込みが途中で終了し
た場合でも、次にメモリカードを再立ち上げした時に、
書き込み中フラグの状態を確認して中断した書き込み実
行前の状態に復元することが可能となる。
ば、論理アドレスと物理アドレスを管理するデータ割り
当てテーブルを設け、データの書き込み処理に先立ち、
論理アドレスとデータ書き換え前の物理アドレスと新た
に割り当てられたデータを書き込むための物理アドレス
を、それぞれ論理アドレスバッファ、旧物理アドレスバ
ッファ、新物理アドレスバッファに格納するとともに、
書き込み中フラグを有効にしてから書き込みデータをメ
モリに書き込み、書き込み完了後にデータ割り当てテー
ブルを更新するとともに書き込み中フラグを無効にす
る。その結果、電源断等により書き込みが途中で終了し
た場合でも、次にメモリカードを再立ち上げした時に、
書き込み中フラグの状態を確認して中断した書き込み実
行前の状態に復元することが可能となる。
【図１】 この発明の一実施形態によるメモリカードの
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図２】 図１のメモリカードの書き込み時の処理を示
すフローチャ−トである。
すフローチャ−トである。
【図３】 図１のメモリカードの起動時（電源投入時）
の処理を示すフローチャ−トである。
の処理を示すフローチャ−トである。
【図４】 この発明の他の実施形態によるメモリカード
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図５】 図４のデータ割り当てテーブル４０７の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図６】 図４のメモリカードの書き込み時の処理を示
すフローチャ−トである。
すフローチャ−トである。
【図７】 図４のメモリカードの起動時（電源投入時）
の処理を示すフローチャ−トである。
の処理を示すフローチャ−トである。
１０１、４０１…メモリカード １０２…コ
ネクタ １０３…書き込み中フラグ １０４…ア
ドレスバッファ １０５…データバッファ １０６…メ
モリ １０７、４０９…コントローラ回路 ４０４…論
理アドレスバッファ ４０５…旧物理アドレスバッファ ４０６…新
物理アドレスバッファ ４０７…データ割り当てテーブル
ネクタ １０３…書き込み中フラグ １０４…ア
ドレスバッファ １０５…データバッファ １０６…メ
モリ １０７、４０９…コントローラ回路 ４０４…論
理アドレスバッファ ４０５…旧物理アドレスバッファ ４０６…新
物理アドレスバッファ ４０７…データ割り当てテーブル
Claims (4)
- 【請求項１】 不揮発性メモリへ書き込むデータの論理
アドレスが指定されたことに応じて、前記論理アドレス
が割り当てられている旧物理アドレスおよび未使用の新
物理アドレスを管理テーブルで検索し、前記論理アドレ
ス、旧物理アドレスおよび新物理アドレスをそれぞれ論
理アドレス格納手段、旧物理アドレス格納手段および新
物理アドレス格納手段に格納するとともに、書き込み中
フラグを有効にした後に前記データを前記不揮発性メモ
リの前記新物理アドレスに書き込み、書き込み完了後に
前記旧物理アドレスに割り当てられている前記論理アド
レスを未使用状態に、前記新物理アドレスに前記論理ア
ドレスを割り当てるように前記管理テーブルを更新する
とともに前記書き込み中フラグを無効にするように制御
し、 また、前記不揮発性メモリの再起動時に、前記書き込み
中フラグが有効である場合には、前記新物理アドレス格
納手段に格納されている新物理アドレスに割り当てられ
ている論理アドレスを未使用状態に、前記旧物理アドレ
ス格納手段に格納されている旧物理アドレスに割り当て
られている論理アドレスを前記論理アドレス格納手段に
格納されている前記論理アドレスに戻すように前記管理
テーブルを更新した後に、前記書き込み中フラグを無効
にするように制御することを特徴とする不揮発性メモリ
における自己修復方法。 - 【請求項２】 前記不揮発性メモリは、メモリカードま
たはハードディスク装置または光ディスク装置であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリにおけ
る自己修復方法。 - 【請求項３】 データ書き込み中に電源断や異常発生に
より書き込みを中止した場合、再立ち上げ時にデータ書
き込み前の状態に復元する自己修復機能付きの不揮発性
メモリ装置において、 データを記憶する不揮発性記憶手段と、 前記不揮発性記憶手段にデータを書き込むデータ書き込
み手段と、 前記不揮発性記憶手段へ書き込み指定されたデータの論
理アドレスを格納する論理アドレス格納手段と、 前記論理アドレスと前記不揮発性記憶手段の実際の格納
位置を示す物理アドレスとの割り当て状態を示す管理テ
ーブルと、 前記論理アドレスに割り当てられた旧物理アドレスと未
使用状態の新物理アドレスを前記管理テーブルで検索す
る機能と、前記旧物理アドレスに割り当てられた前記論
理アドレスを未使用状態に戻し前記新物理アドレスを前
記論理アドレスに割り当てるか、または前記旧物理アド
レスを未使用状態から前記論理アドレスに割り当て前記
新物理アドレスに割り当てられた前記論理アドレスを未
使用状態に戻すように前記管理テーブルを更新する機能
とを有する管理テーブル制御手段と、 前記旧物理アドレスを格納する旧物理アドレス格納手段
と、 前記新物理アドレスを格納する新物理アドレス格納手段
と、 前記データ書き込み手段により前記不揮発性記憶手段に
データ書き込み中は有効を保持し、書き込み完了で無効
を保持するデータ書き込み中フラグと、 前記不揮発メモリの再起動時に、前記データ書き込み中
フラグが有効を保持している場合には、前記新物理アド
レスに割り当てられた前記論理アドレスを未使用状態に
戻すとともに、前記旧物理アドレスの割り当てを未使用
状態から前記バッファメモリ格納手段に格納された論理
アドレスに戻すように管理テーブルを更新するように管
理テーブル制御手段に指示するとともに、前記データ書
き込み中フラグを無効にするように制御するデータ復元
制御手段と、 を少なくとも具備してなる自己修復機能付き不揮発性メ
モリ装置。 - 【請求項４】 前記不揮発性メモリは、ＩＣメモリまた
はハードディスク装置または光ディスク装置であること
を特徴とする請求項３に記載の不揮発性メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228874A JP2001051883A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発性メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228874A JP2001051883A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発性メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001051883A true JP2001051883A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16883227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11228874A Pending JP2001051883A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発性メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001051883A (ja) |
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-
1999
- 1999-08-12 JP JP11228874A patent/JP2001051883A/ja active Pending
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |