JP5672856B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5672856B2 JP5672856B2 JP2010188570A JP2010188570A JP5672856B2 JP 5672856 B2 JP5672856 B2 JP 5672856B2 JP 2010188570 A JP2010188570 A JP 2010188570A JP 2010188570 A JP2010188570 A JP 2010188570A JP 5672856 B2 JP5672856 B2 JP 5672856B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- igniter
- zener diode
- parallel
- stages
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 84
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 36
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
図1に、本発明の一実施形態を適用した半導体装置の平面図を示す。また、図2に、図1のI−I’断面図を示すと共に、図3に、図1の領域Rの拡大模式図を示す。
上記実施形態では、図4(a)(b)に示すように、ゲート配線19に電気的に接続されているフィールドプレート17aからn-型層1Bと電気的に接続されたフィールドプレート17gに向かって、各連結部33を紙面右上方向に傾斜して階段状に接続させていたが、左上方向に傾斜して接続させることもできる。
B 外周耐圧部
1 半導体基板
1A p+型基板
1B n-型層
2 コレクタ電極
3 p型ウェル
7 ゲート電極
13 外周p型ウェル
15 n+型コンタクト領域
16 フィールド酸化膜
17 フィールドプレート
18 ツェナーダイオード
21 等電位プレート
30 平行部
31 n型領域
32 p型領域
33 連結部
Claims (4)
- 半導体基板(1)に、半導体素子が形成されたセル部(A)と、該セル部の外周に配置された外周耐圧部(B)とを備え、
前記外周耐圧部には、前記半導体基板と電気的に接続されている最外周側のプレート(17g)と、前記セル部に形成されたゲート電極(7)と電気的に接続されている最内周側のプレート(17a)とを含む導電性の複数のフィールドプレート(17)が形成されており、
前記複数のフィールドプレートは、前記セル部の輪郭に沿う平行方向を長手方向として前記セル部から前記外周耐圧部の外周側に向かって複数本並べられて配置された平行部(30)と、該平行部それぞれから斜め方向に延設された連結部(33)とを有し、前記平行部と前記連結部とが交互に接続されることにより、一方向に向かって階段状に形成されており、
前記平行部には、ツェナーダイオードが逆方向に直列接続されたツェナーダイオード対を複数段形成したツェナーダイオード群(18a〜18e)が備えられ、複数本並べられて配置された前記平行部それぞれに備えられた前記ツェナーダイオード対の段数は、前記セル部に近い側から該セル部の外周に向かって増やされている半導体装置を高電圧印加がなされるイグナイタの駆動に適用したイグナイタ駆動用の半導体装置であって、
前記複数本並べられて配置された前記平行部のうち最もセル部側に位置する2本の平行部(30a、30b)に備えられた前記ツェナーダイオード対の段数の差である段数差を前記複数本並べられて配置された前記平行部に対して形成されるツェナーダイオード対の総数で割った段数比は、前記半導体素子として要求される耐圧が500Vである500V系のイグナイタに使用される場合には9%以下、前記半導体素子として要求される耐圧が600Vである600V系のイグナイタに使用される場合には7.5%以下、前記半導体素子として要求される耐圧が700Vである700V系のイグナイタに使用される場合には6%以下とされていることを特徴とするイグナイタ駆動用の半導体装置。 - 前記複数本並べられて配置された前記平行部のうち最もセル部側に位置する2本の平行部(30a、30b)に備えられた前記ツェナーダイオード対の段数の差である段数差は、前記半導体素子として要求される耐圧が500Vである500V系のイグナイタに使用される場合には9段以下、前記半導体素子として要求される耐圧が600Vである600V系のイグナイタに使用される場合には8段以下、前記半導体素子として要求される耐圧が700Vである700V系のイグナイタに使用される場合には5段以下とされていることを特徴とする請求項1に記載のイグナイタ駆動用の半導体装置。
- 前記複数本並べられて配置された前記平行部のうち最もセル部側に位置する2本の平行部(30a、30b)に備えられた前記ツェナーダイオード対の段数の差である段数差は、前記半導体素子として要求される耐圧が500Vである500V系のイグナイタに使用される場合には9段以下、前記半導体素子として要求される耐圧が600Vである600V系のイグナイタに使用される場合には8段以下、前記半導体素子として要求される耐圧が700Vである700V系のイグナイタに使用される場合には5段以下とされていることを特徴とする請求項1または2に記載のイグナイタ駆動用の半導体装置。
- 前記複数本並べられて配置された前記平行部の本数は、前記半導体素子として要求される耐圧が500Vである500V系のイグナイタに使用される場合には4本以上、前記半導体素子として要求される耐圧が600Vである600V系もしくは前記半導体素子として要求される耐圧が700Vである700V系のイグナイタに使用される場合には5本以上とされていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のイグナイタ駆動用の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010188570A JP5672856B2 (ja) | 2010-08-25 | 2010-08-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010188570A JP5672856B2 (ja) | 2010-08-25 | 2010-08-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012049258A JP2012049258A (ja) | 2012-03-08 |
JP5672856B2 true JP5672856B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=45903817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010188570A Active JP5672856B2 (ja) | 2010-08-25 | 2010-08-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5672856B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6569216B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2019-09-04 | 日産自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 |
JP6758592B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2020-09-23 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
CN114843334B (zh) * | 2022-07-04 | 2022-09-20 | 南京融芯微电子有限公司 | 一种平面式功率mosfet器件的闸汲端夹止结构 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3443791B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2003-09-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP4696356B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2011-06-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP3707428B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2005-10-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5194359B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2013-05-08 | 富士電機株式会社 | イグナイタ用逆耐圧フィールドストップ型半導体装置 |
-
2010
- 2010-08-25 JP JP2010188570A patent/JP5672856B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012049258A (ja) | 2012-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5757101B2 (ja) | 超接合半導体素子 | |
US9324848B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4469584B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6392272B1 (en) | Insulating gate type semiconductor device | |
JP6320808B2 (ja) | トレンチmos型半導体装置 | |
JP6022774B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10439061B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6884114B2 (ja) | 半導体装置および電気機器 | |
JP4757449B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5798024B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6729452B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5672856B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004363327A (ja) | 半導体装置 | |
JP6056299B2 (ja) | 半導体装置とワイヤオープン不良の検出方法 | |
JP2007234850A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017098359A (ja) | 逆導通igbt | |
CN109524452B (zh) | 半导体器件 | |
JP5422930B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9876107B2 (en) | Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate | |
US9685505B2 (en) | Semiconductor device with guard rings | |
JP6391863B2 (ja) | トレンチmos型半導体装置 | |
JP3707428B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018022776A (ja) | 半導体装置 | |
US7402867B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5849894B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141215 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5672856 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |