JP5664338B2 - ガスバリア性フィルム - Google Patents
ガスバリア性フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5664338B2 JP5664338B2 JP2011043553A JP2011043553A JP5664338B2 JP 5664338 B2 JP5664338 B2 JP 5664338B2 JP 2011043553 A JP2011043553 A JP 2011043553A JP 2011043553 A JP2011043553 A JP 2011043553A JP 5664338 B2 JP5664338 B2 JP 5664338B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas barrier
- thin film
- mixed thin
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Wrappers (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
MXL(1−X)
0.7≦X≦0.9 (式1)
温度40℃、湿度90%RH、測定面積50cm2の条件で、米国、モコン(MOCON)社製の水蒸気透過率透過率測定装置(機種名:PERMATRAN(登録商標) W3/31)を使用して測定した。測定回数は各10回とし、その平均値を水蒸気透過率とした。
混合薄膜層の断面観察用サンプルをマイクロサンプリングシステム(日立製FB−2000A)を使用してFIB法により作製した。透過型電子顕微鏡(日立製H−9000UHRII)により、加速電圧300kVとして、観察用サンプルの断面を観察し、混合薄膜層の膜厚を測定した。
原子間力顕微鏡を用いて、以下の条件で高分子フィルム基材表面および混合薄膜層であるZnS・SiO2膜表面について測定した。
システム:NanoScopeIII/MMAFM(デジタルインスツルメンツ社製)
スキャナ:AS−130(J−Scanner)
プローブ:NCH−W型、単結晶シリコン(ナノワールド社製)
走査モ−ド:タッピングモ−ド
走査範囲:10μm×10μm
走査速度:0.5Hz
測定環境:温度23℃、相対湿度65%、大気中。
混合薄膜層の組成分析はICP発光分光分析(セイコー電子工業(株)製、SPS4000)により行い、この値をもとにさらにラザフォード後方散乱法(日新ハイボルテージ(株)製AN−2500)を使用して、各元素を定量分析しZnSとSiO2の組成比を求める。
巻き取り式のスパッタリング装置を使用し、厚さ188μmで表面粗さRaが14.4nmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム東レ株式会社製ルミラー(登録商標)を基材とし、ZnS、SiO2を用いて形成された混合焼結材であるスパッタターゲット(三菱マテリアル(株)製ターゲット、ST−IVシリーズ)を用いて、アルゴンガスプラズマによるスパッタリング(真空度2×10−1Pa、高周波電源により投入電力500W)を実施し、膜厚が50nm、ZnSのモル分率Xが0.85の組成となるように混合薄膜層であるZnS・SiO2膜を1層設けることでガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、厚さ188μmで表面粗さRaが12.9nmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材として設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、厚さ188μmで表面粗さRaが5.9nmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材として設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、厚さ188μmで表面粗さRaが1.0nmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材として設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、厚さ100μmで表面粗さRaが0.8nmの2軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム帝人デュポンフィルム株式会社製テオネックス(登録商標)を基材として設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例5において、スパッタリングによって膜厚が500nmのZnS・SiO2膜を設ける以外は、実施例5と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、厚さ188μmで表面粗さRaが16.2nmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材として設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、厚さ12μmで表面粗さRaが20.0nmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材として設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、厚さ188μmで表面粗さRaが28.1nmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材として設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、ZnSのモル分率Xが0.95の組成となるように混合薄膜層であるZnS・SiO2膜を1層設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例3において、ZnSのモル分率Xが0.95の組成となるように混合薄膜層であるZnS・SiO2膜を1層設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例1において、ZnSのモル分率Xが0.65の組成となるように混合薄膜層であるZnS・SiO2膜を1層設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
実施例3において、ZnSのモル分率Xが0.65の組成となるように混合薄膜層であるZnS・SiO2膜を1層設ける以外は、実施例1と同様にしてガスバリア性フィルムを得た。
2:混合薄膜層
Claims (1)
- 高分子フィルム基材の片面または両面に、ZnSおよびSiO2を含有してなる混合物を主成分とした混合薄膜層を少なくとも1層形成してなり、前記混合薄膜層の表面粗さRaが0.3nm以上2nm以下であり、前記ZnSをM、前記SiO2をLとして表記する場合、前記混合薄膜層の組成比が(式1)の範囲であり、かつ高分子フィルム基材の混合薄膜層を形成する基材表面粗さRaが15nm以下で形成されたガスバリア性フィルム。
MXL(1−X)
0.7≦X≦0.9 (式1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011043553A JP5664338B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-03-01 | ガスバリア性フィルム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010058870 | 2010-03-16 | ||
JP2010058870 | 2010-03-16 | ||
JP2011043553A JP5664338B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-03-01 | ガスバリア性フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011213102A JP2011213102A (ja) | 2011-10-27 |
JP5664338B2 true JP5664338B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=44943332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011043553A Expired - Fee Related JP5664338B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-03-01 | ガスバリア性フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5664338B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5874975B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-03-02 | 東レフィルム加工株式会社 | ガスバリア性フィルム |
JP5953921B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-07-20 | 東レ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
JP6197428B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-09-20 | 東レ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
JP7139092B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2022-09-20 | 大日本印刷株式会社 | バリア性フィルム |
JP6988978B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2022-01-05 | 大日本印刷株式会社 | バリア性フィルム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273067A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
JP4414748B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2010-02-10 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリアフィルムとこれを用いた積層材、画像表示媒体 |
JP5526585B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2014-06-18 | 東洋紡株式会社 | 蒸着ポリアミド系積層樹脂フィルム |
JP2009291971A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Toray Ind Inc | 透明蒸着用フイルム及び透明蒸着フイルム |
-
2011
- 2011-03-01 JP JP2011043553A patent/JP5664338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011213102A (ja) | 2011-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101871536B1 (ko) | 가스 배리어성 필름 | |
JP5664338B2 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
JP6579162B2 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
JPWO2012133687A1 (ja) | バリア性蒸着フィルム | |
JP5521360B2 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法 | |
JP5907778B2 (ja) | ガスバリア積層フィルムの製造方法 | |
JP5919260B2 (ja) | ガスバリア積層フィルムとその製造方法 | |
JP5664341B2 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
JP2008230098A (ja) | ガスバリア積層フィルムとその製造方法。 | |
JP2014114467A (ja) | ガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JP5440005B2 (ja) | ガスバリア積層体 | |
JP2013180473A (ja) | 透明ガスバリアフィルム、有機el素子、太陽電池および薄膜電池 | |
JP6467867B2 (ja) | 透明ガスバリア性フィルム | |
JP2013253319A (ja) | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 | |
JP5412888B2 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
WO2012060424A1 (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
WO2013168739A1 (ja) | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 | |
JP2010152204A (ja) | ディスプレイ基板用部材 | |
JP2013233744A (ja) | ガスバリア性フィルム及びガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JP2014162176A (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
JP6057450B2 (ja) | Ito透明導電膜付き基板およびその製造方法 | |
JP2015226995A (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
JP2000188412A (ja) | 太陽電池モジュ―ル用保護シ―トおよびそれを使用した太陽電池モジュ―ル | |
JP2000332277A (ja) | 太陽電池モジュ−ル用保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル | |
JP5982904B2 (ja) | ガスバリア性積層フィルムおよびガスバリア性積層フィルムの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141124 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |