JP5662744B2 - Holding device - Google Patents
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Description
本発明は、例えばウェハ等の基板を保持する保持装置に関する。 The present invention relates to a holding device that holds a substrate such as a wafer.
近年、ICカード、携帯電話などの電子機器の薄型化、小型化、軽量化などが要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となる半導体ウェハの厚さ(膜厚)は現状では125μm〜150μmであるが、次世代のチップ用には25μm〜50μmにしなければならないといわれている。したがって、上記の膜厚の半導体ウェハを得るためには、半導体ウェハの薄板化工程が必要不可欠である。 In recent years, electronic devices such as IC cards and mobile phones have been required to be thinner, smaller, and lighter. In order to satisfy these requirements, a thin semiconductor chip must be used as a semiconductor chip to be incorporated. For this reason, the thickness (film thickness) of the semiconductor wafer that is the basis of the semiconductor chip is currently 125 μm to 150 μm, but it is said that it must be 25 μm to 50 μm for next-generation chips. Therefore, in order to obtain a semiconductor wafer having the above film thickness, a semiconductor wafer thinning step is indispensable.
半導体ウェハの薄板化工程は次のように行なう。まず、半導体ウェハの回路形成面を覆うように、半導体ウェハを保護するためのサポートプレートを、両面に接着層を有するテープまたは接着剤を介して貼り付ける。次に、これを反転して、半導体ウェハの裏面をクラインダーによって研削して薄板化する。続いて、薄板化した半導体ウェハの裏面を、ダイシングフレームに保持されているダイシングテープ上に固定する。さらに、この状態で半導体ウェハの回路形成面を覆うサポートプレートを剥離した後、ダイシング装置によって各チップに分割する。 The process of thinning the semiconductor wafer is performed as follows. First, a support plate for protecting the semiconductor wafer is attached via a tape or adhesive having adhesive layers on both sides so as to cover the circuit formation surface of the semiconductor wafer. Next, this is reversed, and the back surface of the semiconductor wafer is ground by a cylinder to make it thinner. Subsequently, the back surface of the thinned semiconductor wafer is fixed on a dicing tape held by a dicing frame. Further, in this state, the support plate that covers the circuit forming surface of the semiconductor wafer is peeled, and then divided into chips by a dicing apparatus.
上記のように薄板化工程を行った場合、サポートプレートを剥離したあと、半導体ウェハの回路形成面に、接着剤等が残存してしまう。このため、付着している接着剤等を除去して、半導体ウェハの回路形成面を清浄な面にしなければならない。つまり、半導体ウェハをダイシングテープ上に固定した状態で、半導体ウェハの回路形成面を覆うサポートプレートを剥離した後、ダイシング装置によって各チップに分割する前に、半導体ウェハの表面に対して洗浄処理をすることが必要である。 When the thinning process is performed as described above, an adhesive or the like remains on the circuit formation surface of the semiconductor wafer after the support plate is peeled off. For this reason, it is necessary to remove the adhering adhesive and the like so that the circuit formation surface of the semiconductor wafer becomes a clean surface. In other words, with the semiconductor wafer fixed on the dicing tape, after the support plate covering the circuit formation surface of the semiconductor wafer is peeled off, the surface of the semiconductor wafer is cleaned before being divided into chips by a dicing device. It is necessary to.
この洗浄処理を行なう際や、その前のサポートプレートを剥離する際に、半導体ウェハを保持台等に載せて固定する場合がある。 When this cleaning process is performed or when the previous support plate is peeled off, the semiconductor wafer may be mounted on a holding table or the like and fixed.
半導体ウェハを保持する保持装置として、特許文献1〜3が報告されている。 Patent Documents 1 to 3 have been reported as holding devices for holding a semiconductor wafer.
特許文献1に記載の基板処理装置は、半導体ウェハを破損させることなく、サポートプレートから剥離するためのものである。 The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 is for peeling from a support plate without damaging a semiconductor wafer.
特許文献2には、ウェハから保護テープを剥離する際に、リングフレームをその位置に固定するために押さえる押さえ部材を備えた剥離装置が記載されている。
特許文献3には、テープが粘着している複数枚のウェハをスピンさせる際に押さえる押さえ手段を備えるスピンナー洗浄装置が記載されている。
特許文献1に記載の基板処理装置は、ダイシングフレームを周囲に備えたダイシングテープをウェハに接着して、支持台に当該ウェハを吸引して処理をする。この基板処理装置では、ウェハ及びダイシングフレームの反り並びにダイシングテープにしわが有ると、吸着不良が起こる虞がある。特許文献2及び3には、このウェハの反り等による問題については記載されておらず、また、その解決に資する技術も開示されていない。後述するが、本願発明では基板に接着された支持膜の、吸引される部位より外側を下向きに強く押さえて、その内側よりも下側に位置するまで引っ張ることで、ウェハ及びダイシングフレームの反り並びにダイシングテープのしわの影響を軽減する。一方、特許文献2及び3の装置ではダイシングテープの外側を下向きに強く引っ張ることを行なわないので、ウェハ及びダイシングフレームの反り並びにダイシングテープのしわの影響を受けてしまい、仮に支持台に吸引しようとしても、吸着不良が生じる虞がある。
The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 performs processing by adhering a dicing tape having a dicing frame around it to a wafer and sucking the wafer onto a support base. In this substrate processing apparatus, if the wafer and the dicing frame are warped and the dicing tape has wrinkles, there is a possibility that a suction failure may occur.
そこで、本発明は、ウェハ及びダイシングフレームの反り並びにダイシングテープにしわが有っても、ウェハを良好に吸着して保持できる保持装置を提供する。 Therefore, the present invention provides a holding device capable of adsorbing and holding a wafer satisfactorily even if the wafer and the dicing frame are warped and the dicing tape has wrinkles.
上記の課題を解決するために、本発明に係る保持装置は、片面に支持膜が接着されている基板を保持する保持装置であって、上記基板を上記支持膜が接着されている側の面から吸引する吸引部と、上記基板を水平になるように設置したとき、上記支持膜における上記吸引部により吸引される部位よりも外側の部位に対して、鉛直下向きの力を加え、当該力が加えられた部位が当該部位の内側より鉛直下側に位置するようにする加力部と、を備える。 In order to solve the above-described problems, a holding device according to the present invention is a holding device that holds a substrate having a supporting film bonded to one side thereof, and is a surface on the side where the supporting film is bonded to the substrate. When the suction part that sucks from the substrate and the substrate are installed so as to be horizontal, a vertically downward force is applied to a part outside the part sucked by the suction part in the support film. A force-applying portion that causes the added portion to be positioned vertically downward from the inside of the portion.
本発明によれば、ウェハ等の基板及びダイシングフレーム等の支持膜の反り並びにダイシングテープ等の支持膜にしわが有っても、当該基板を良好に吸着して保持できるという効果を奏する。 According to the present invention, even if a substrate such as a wafer and a support film such as a dicing frame warp and a support film such as a dicing tape has wrinkles, the substrate can be adsorbed and held satisfactorily.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
〔実施形態1〕
図1を用いて実施形態1に係る保持装置1について説明する。図1は実施形態1に係る保持装置1の構造を模式的に示す図であり、図1の(a)にクランプ3でウェハ10を固定していない状態の保持装置1を示し、図1の(b)にクランプ3でウェハ10を固定している状態のクランプ3付近を示す。
Embodiment 1
The holding device 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram schematically showing a structure of a holding device 1 according to the first embodiment. FIG. 1A shows the holding device 1 in a state where a
保持装置1は保持台2、クランプ3(加力部)及び回転駆動部5を備えている。
The holding device 1 includes a
保持台2は吸引部4を備えている。保持台2は、その上にウェハ10(基板)を載せるためのものである。なお、保持台2のウェハ10を載せる面は円形状である。
The holding table 2 includes a
図1の(a)に示すように、ウェハ10の下(保持台2側の片面)にダイシングテープ11(支持膜)が接着されており、ウェハ10の上(保持台2とは逆側の片面)に接着剤層12を介してサポートプレート13(支持板)が載せられている。
As shown in FIG. 1A, a dicing tape 11 (support film) is bonded to the lower side of the wafer 10 (one side on the holding table 2 side), and the upper side of the wafer 10 (the side opposite to the holding table 2). A support plate 13 (support plate) is placed on one side) via an
例えば、本実施形態では、まず、ウェハ10は薄化プロセスに供される。具体的には、ウェハ10の片面に接着剤を塗布して接着剤層12を形成した上でサポートプレート13が接着される。そして、サポートプレート13が接着された面とは反対側の面を研磨してウェハ10は薄化される。なお、サポートプレート13は、ウェハ10を薄化する工程で支持する役割を果たす部材である。サポートプレート13は、例えば、その膜厚が、500〜1000μmであるガラスで形成されている。
For example, in the present embodiment, first, the
次に、ウェハ10のサポートプレート13が接着された面とは反対側の面にダイシングテープ11が接着されて保持台2上に載せられる。
Next, the
なお、ダイシングテープ11は、外周にダイシングフレーム11a(枠部)を備えている。ダイシングテープ4aとしては、ベースフィルムが、PVC(ポリ塩化ビニル)やポリオレフィン、ポリプロピレン等の樹脂フィルムが用いられる。
The
また、ダイシングテープ11は、サポートプレートを外した後におけるウェハ10の強度を補填し、取り扱いを容易にする役割を果たす。
The
次に、サポートプレート13上から溶剤を供給することで接着剤層12を構成する接着剤を溶解して当該接着剤層12を除去し、サポートプレート13を取り外すことができる。なお、サポートプレート13は面方向に垂直な貫通孔が形成されており、上面から供給される溶剤が接着剤層12に到達するようになっている。また、このとき、ウェハ10上には接着剤は完全には除去されず残存することになる。なお、保持台2上にはサポートプレートを除去した後に載せてもよい。ダイシングテープ11の保持台2と密着している面の端からダイシングフレーム11a上のクランプ3で力を加えられる箇所までの距離(ダイシングテープ11において保持台2と密着していない領域の径方向の幅)は、クランプ3による引張力が十分確保できる距離であることが好ましい。この距離を十分確保することによって、ダイシングテープ11の撓みを十分に吸収することができる。
Next, by supplying a solvent from the
吸引部4はウェハ10をダイシングテープ11が接着されている側の面から吸引する。吸引機構としては従来公知の吸引機構が設けられていればよい。例えば、吸着面上の気体を吸引するための吸引孔(図示せず)が設けられていてもよい。そして、この吸引孔は、真空ポンプなどの減圧手段に接続されており、ウェハ10を配置し、吸引手段を作動させることで、ウェハ10と吸着面との間が減圧された状態になり、これによって吸着することができるのである。吸引孔は、板状部材の所定の位置に孔を形成することで設けることができ、例えば、吸引孔はプレートを貫通する貫通孔であってもよい。また、ポーラスな材質を用いて形成してもよい。ポーラスな材質としては、たとえば、ポリプロピレン、カーボン、アルミニウム、セラミック等を例示することができる。これにより、ウェハ10は保持台2上に固定される。なお、吸引部4のウェハ10を載せる面は円形状である。
The
クランプ3は、ダイシングフレーム11aを押さえるためのものである。クランプ3は、吸引部4よりも外側に位置している。図1の(b)に示すように、クランプ3は、ダイシングテープ11における吸引部4により吸引される部位よりも外側の部位であるダイシングフレーム11aに対して、ウェハ10を水平になるように設置したときに鉛直下向きの方向(矢印Aの方向)となる力を加える。そして、当該力が加えられた部位が当該部位の内側より鉛直下側に位置するようにする。具体的には、押さえられた箇所が、その内側より下に位置するようになるまで、ダイシングフレーム11aを押さえる。本発明において、力を加えられた部位の内側とは、その内側の領域の少なくとも一部であればよいが、内側全体よりも力を加えられた部位が下に位置するように押さえることがより好ましい。換言すれば、力を加えられた部位より上に位置する部位の面積が大きければ大きいほど、支持膜が下向きへ引っ張られる力が強くなり、ウェハ等の基板及びダイシングフレーム等の支持膜の反り並びにダイシングテープ等の支持膜にしわによる影響を軽減することができる。
The
また、クランプ3はバネ(弾性体;図示せず)を備えている。バネによる力が鉛直下向きに働き、ウェハ10に加えられる力が強くなる。
The
また、ダイシングフレーム11a上におけるクランプ3によって力が加わる箇所は、ウェハ10よりも下に位置している。このような構成にすることで、ダイシングテープ11を十分に引っ張ることができ、ウェハ10の固定をより強固にすることができる。
Further, the location where the force is applied by the
以上に説明したクランプ3の機能によりダイシングテープ11は中心から外側及び鉛直下向きに向かって引っ張られることになり、保持装置1は、ウェハ10及びダイシングテープ11の反り並びにダイシングテープ11にしわが有っても、ウェハ10を良好に吸着して保持することができる。
The dicing
なお、本実施形態ではクランプ3がバネを備える場合について説明したが、本発明に係る保持装置の加力部は弾性体を備えなくてもよい。ただし、より強い力で基板を押さえる観点から、本発明に係る保持装置の加力部は弾性体を備えることがより好ましい。
In addition, although this embodiment demonstrated the case where the
また、本実施形態では、クランプ3がダイシングフレーム11aを上から押さえる場合について説明したが、本発明に係る保持装置の加力部は、支持膜を上から押さえる形態でなくてもよい。例えば、加力部は支持膜を下から引っ張ってもよく、支持膜に鉛直下向きの力を加えることができる限り、加力部の形態は限定されない。
In the present embodiment, the case where the
回転駆動部5は保持台2に載せられているウェハ10を保持台2と共に回転させるためのものである。回転駆動部5は、ウェハ10の面方向に垂直な直線を回転軸としてウェハ10を回転させるように構成されている。ウェハ10は、その中心が上記回転軸上になるように保持台2上に載せられる。これにより、保持装置1はウェハ10を回転させることができる。保持装置1によってウェハ10を回転させながら、剥離液、例えば接着剤に使用した溶剤を使用して、残存する接着剤を除去する。
The rotation drive unit 5 is for rotating the
回転駆動部5によるウェハ10の回転数は、用途等に応じて適宜設定すればよく、例えば、500min−1以上、3000min−1以下としてもよい。
Rotational speed of the
〔実施形態2〕
本発明の別の実施形態について図2を用いて説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。
[Embodiment 2]
Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. For convenience of explanation, constituent elements having the same functions as those of the constituent elements according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, differences from the first embodiment will be mainly described.
保持装置20は、クランプ3とは形状が異なるクランプ23(加力部)を備えている点で実施形態1に係る保持装置2とは異なる。
The holding
クランプ23は矢印B方向に回転することでダイシングフレーム11aを矢印A方向に押さえる。矢印A方向はウェハ10を水平に設置したときに鉛直下向きの方向である。この力を加えることによって、少なくとも当該力を加えられた部位が後述の突起部2aに支えられている部位(力を加えられた部位の内側の一部である)より下側に位置することとなる。これにより、ダイシングフレーム11aが強く下側に引っ張られ、ウェハ等の基板及びダイシングフレーム等の支持膜の反り並びにダイシングテープ等の支持膜にしわによる影響を軽減することができる。
The
また、保持装置20は、保持台2が突起部2aを備える点でも実施形態1に係る保持装置2とは異なる。
In addition, the holding
突起部2aはダイシングテープ11のウェハ10よりも外側の部位の一部を、ウェハ10を水平になるように設置したとき鉛直上向き(矢印Cの方向)に押し上げるためのものである。矢印Aの方向に加えて矢印Cの方向にも力が加わることで、ダイシングテープ11をより良好に引っ張ることができ、その結果、吸引部4によるウェハ10の吸着を良好にして、より確実にウェハ10を固定することができる。
The
〔実施形態3〕
本発明の別の実施形態について図3を用いて説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態2との相違点について説明するものとする。
[Embodiment 3]
Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. For convenience of explanation, constituent elements having the same functions as those of the constituent elements according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, differences from the second embodiment will be mainly described.
保持装置30は、クランプ23とは形状が異なるクランプ33(加力部)を備えている点で実施形態1に係る保持装置2とは異なる。
The holding
クランプ33は押圧部33aを備えている。クランプ33は矢印B’の方向に回転することで、ダイシングフレーム11aを矢印A”の方向に押さえると共に、押圧部33aにてサポートプレート13をも矢印Dの方向に押圧する。これにより、サポートプレート13を接着した状態でウェハ10を保持台2に載せたとき、より確実にウェハ10を固定することができる。つまり、矢印A、矢印C及び矢印Dの方向に(3重に)力を加えることによりウェハ10を固定する力をより強固にすることができる。
The
なお、本実施形態では、ダイシングフレーム11aを押圧する部材と、サポートプレート13を押圧する部材とが一体形成されている場合について説明したが、これらの部材は一体ではなく、別々に形成されていてもよい。
In the present embodiment, the case where the member that presses the
〔実施例1:ダイシングテープのしわの影響〕
本実施例では、図1に示した保持装置1と同じ構成であり、保持台2の直径が330mm、吸引部4の直径が302mmの装置(以下、「装置A」という。)及び、保持台2の直径が340mm、吸引部4の直径が302mmの装置(以下、「装置B」という。)を用いた。
[Example 1: Influence of wrinkles of dicing tape]
In this embodiment, the apparatus has the same configuration as the holding apparatus 1 shown in FIG. 1, an apparatus (hereinafter referred to as “apparatus A”) in which the diameter of the holding
装置A及び装置B上に、ウェハに予めダイシングテープに意図的にしわを付けた状態のものを接着して載せた。ウェハとしては直径300mmのものを用い、ダイシングテープは保持台2の面積より十分に大きいものを使用した。次に、ダイシングフレームをクランプ3で固定して保持台2を回転数500〜3000min−1で回転させると同時に吸引部4にて吸着を行なった。
On the apparatus A and the apparatus B, a wafer in which a wrinkle was intentionally wrinkled in advance on a dicing tape was adhered and placed on the wafer. A wafer having a diameter of 300 mm was used as the wafer, and a dicing tape that was sufficiently larger than the area of the holding table 2 was used. Next, the dicing frame was fixed with the
その結果、いずれの装置においても吸着は良好であり、ウェハを十分に固定することができた。また、テープの撓みの吸収は装置Aの方がより良好であった。また、ダイシングフレームを押さえる力は装置Bの方が強かった。 As a result, in all the apparatuses, the adsorption was good and the wafer could be fixed sufficiently. Also, the device A was better in absorbing tape deflection. Further, the force for pressing the dicing frame was stronger in the apparatus B.
〔実施例2:ウェハの反りの影響〕
ダイシングテープにしわを付けず、ウェハに5mmの反りを付けた以外は実施例1と同様にして保持台2の回転、クランプ3による押圧、及び吸着部4による吸着を行なった。
[Example 2: Influence of wafer warpage]
The holding table 2 was rotated, pressed by the
その結果、いずれの装置においても吸着は良好であり、ウェハを十分に固定することができた。なお、比較のため、クランプ3による押圧を行なわなかった場合は、ポーラス部の真空圧の吸着エラーが生じ、十分に吸着して固定することができなかった。
As a result, in all the apparatuses, the adsorption was good and the wafer could be fixed sufficiently. For comparison, when pressing by the
〔実施例3:ダイシングフレームの反りの影響〕
ダイシングテープにしわを付けず、ダイシングフレームに2mmの反りを付けて、装置Bのみを用いた以外は実施例1と同様にして保持台2の回転、クランプ3による押圧、及び吸着部4による吸着を行なった。
[Example 3: Influence of warping of dicing frame]
The dicing tape is not wrinkled, the dicing frame is warped by 2 mm, and only the device B is used. The holding table 2 is rotated, pressed by the
その結果、吸着は良好であり、ウェハを十分に固定することができた。 As a result, the adsorption was good and the wafer could be sufficiently fixed.
本発明は、例えば、薄板化ウェハの表面処理等に利用することができる。 The present invention can be used, for example, for surface treatment of a thinned wafer.
1,20,30 保持装置
2 保持台
2a 突起部
3,23,33 クランプ(加力部)
4 吸引部
5 回転駆動部
10 ウェハ(基板)
11 ダイシングテープ(支持膜)
11a ダイシングフレーム(枠部)
13 サポートプレート(支持板)
33a 押圧部
1, 20, 30
4 Suction unit 5
11 Dicing tape (support film)
11a Dicing frame (frame part)
13 Support plate (support plate)
33a Pressing part
Claims (6)
上記基板を上記支持膜が接着されている側の面から吸引する吸引部と、
上記基板を水平になるように設置したとき、上記支持膜における上記吸引部により吸引される部位よりも外側の部位に対して、鉛直下向きの力を加え、当該力が加えられた部位が当該部位の内側より鉛直下側に位置するようにする加力部と、を備え、
上記基板は、上記支持膜が接着されている側の面とは反対側の面に支持板が接着されており、
上記支持板を、基板に接着している側の面とは反対側の面から押圧する押圧部を備えている保持装置。 A holding device for holding a substrate having a support film bonded on one side,
A suction part for sucking the substrate from the surface to which the support film is bonded;
When the substrate is installed to be horizontal, a vertical downward force is applied to a portion outside the portion sucked by the suction portion in the support film, and the portion to which the force is applied is the portion A force applying portion that is positioned vertically downward from the inside of the
The substrate has a support plate bonded to a surface opposite to the surface to which the support film is bonded,
A holding device including a pressing portion that presses the support plate from a surface opposite to the surface that is bonded to the substrate.
上記加力部は上記枠部に力を加えるものである、請求項1に記載の保持装置。 The support membrane has a frame portion on its outer periphery,
The holding device according to claim 1, wherein the force applying portion applies force to the frame portion.
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JP2000150424A (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Sony Corp | Semiconductor element manufacturing device and method for using the same |
JP2000216123A (en) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Back surface grinding of wafer and dicing method |
JP2003007647A (en) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing apparatus |
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