JP6104753B2 - Peeling device, peeling system and peeling method - Google Patents

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開示の実施形態は、剥離装置、剥離システムおよび剥離方法に関する。   The disclosed embodiments relate to a peeling apparatus, a peeling system, and a peeling method.

近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。   In recent years, for example, in the semiconductor device manufacturing process, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers have become larger and thinner. A large-diameter and thin semiconductor substrate may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after a support substrate is bonded to a semiconductor substrate and reinforced, a transport or polishing process is performed, and then a process of peeling the support substrate from the semiconductor substrate is performed.

たとえば、特許文献1には、第1の保持部により半導体基板を吸着保持し、第2の保持部により支持基板を吸着保持した状態で、第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板を半導体基板から剥離する技術が開示されている。   For example, in Patent Document 1, the outer periphery of the second holding unit is moved in the vertical direction while the semiconductor substrate is sucked and held by the first holding unit and the support substrate is sucked and held by the second holding unit. Thus, a technique for peeling the support substrate from the semiconductor substrate is disclosed.

特開2012−69914号公報JP2012-69914A

しかしながら、上述した従来技術には、剥離処理の効率化を図るという点で更なる改善の余地があった。なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うSOI(Silicon On Insulator)などの製造工程においても生じ得る課題である。   However, the above-described conventional technology has room for further improvement in terms of increasing the efficiency of the peeling process. Such a problem is a problem that may also occur in a manufacturing process such as SOI (Silicon On Insulator) that involves peeling of the substrate.

実施形態の一態様は、剥離処理の効率化を図ることのできる剥離装置、剥離システムおよび剥離方法を提供することを目的とする。   An object of one embodiment is to provide a peeling apparatus, a peeling system, and a peeling method that can improve the efficiency of a peeling process.

実施形態の一態様に係る剥離装置は、第1保持部と、第2保持部と、移動部とを備える。第1保持部は、第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち第1基板を保持する。第2保持部は、重合基板のうち第2基板を保持する。移動部は、第1保持部の外周部の一部を第2保持部から離す方向へ移動させる。また、第1保持部は、薄板状の弾性部材と、弾性部材に設けられ、第1基板を吸着する複数の吸着部とを備える。また、弾性部材は、第1基板の外周部と対向する円環状の本体部と、移動部に接続され、本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部とを備える。また、複数の吸着部は、本体部に対して円環状に並べて配置され、かつ、複数の吸着部のうち1つは、本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部に配置される。 A peeling apparatus according to an aspect of the embodiment includes a first holding unit, a second holding unit, and a moving unit. The first holding unit holds the first substrate among the superposed substrates obtained by bonding the first substrate and the second substrate. The second holding unit holds the second substrate among the superposed substrates. The moving unit moves a part of the outer periphery of the first holding unit in a direction away from the second holding unit. The first holding portion includes a thin plate-like elastic member, provided on the elastic member, and a plurality of suction portion for sucking the first substrate. Further, the elastic member is connected to the annular main body portion facing the outer peripheral portion of the first substrate and the moving portion, and a part of the outer peripheral portion located on the most starting point side of the peeling among the outer peripheral portions of the main body portion. And an extending portion that extends toward the opposite side of the peeling direction. In addition, the plurality of suction portions are arranged in an annular shape with respect to the main body portion, and one of the plurality of suction portions is an outer peripheral portion located on the most starting side of the peeling in the outer peripheral portion of the main body portion. Placed in.

実施形態の一態様によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。   According to one aspect of the embodiment, the efficiency of the peeling process can be improved.

図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. 図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of a superposed substrate held by a dicing frame. 図3は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a superposed substrate held on a dicing frame. 図4は、本実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 4 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to this embodiment. 図5は、第1保持部の模式平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of the first holding unit. 図6は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure of the peeling process. 図7Aは、剥離動作の説明図である。FIG. 7A is an explanatory diagram of the peeling operation. 図7Bは、剥離動作の説明図である。FIG. 7B is an explanatory diagram of the peeling operation. 図7Cは、剥離動作の説明図である。FIG. 7C is an explanatory diagram of the peeling operation. 図7Dは、剥離動作の説明図である。FIG. 7D is an explanatory diagram of the peeling operation. 図7Eは、剥離動作の説明図である。FIG. 7E is an explanatory diagram of the peeling operation. 図7Fは、剥離動作の説明図である。FIG. 7F is an explanatory diagram of the peeling operation. 図7Gは、剥離動作の説明図である。FIG. 7G is an explanatory diagram of the peeling operation. 図8Aは、剥離誘引処理の動作説明図である。FIG. 8A is an operation explanatory diagram of the peeling attraction process. 図8Bは、剥離誘引処理の動作説明図である。FIG. 8B is an operation explanatory diagram of the peeling attraction process. 図8Cは、剥離誘引処理の動作説明図である。FIG. 8C is an operation explanatory diagram of the peeling attraction process. 図9Aは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。FIG. 9A is a schematic plan view illustrating a shape example of a cutting edge of a sharp member. 図9Bは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。FIG. 9B is a schematic plan view illustrating a shape example of a cutting edge of a sharp member. 図9Cは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。FIG. 9C is a schematic plan view illustrating a shape example of a cutting edge of a sharp member. 図10Aは、第1の変形例に係る第1保持部の模式平面図である。FIG. 10A is a schematic plan view of a first holding unit according to a first modification. 図10Bは、第2の変形例に係る第1保持部の模式平面図である。FIG. 10B is a schematic plan view of the first holding unit according to the second modification. 図10Cは、第3の変形例に係る第1保持部の模式平面図である。FIG. 10C is a schematic plan view of a first holding unit according to a third modification. 図10Dは、第4の変形例に係る第1保持部の模式平面図である。FIG. 10D is a schematic plan view of the first holding unit according to the fourth modification. 図10Eは、第5の変形例に係る第1保持部の模式平面図である。FIG. 10E is a schematic plan view of the first holding unit according to the fifth modification. 図11Aは、SOI基板の製造工程を示す模式図である。FIG. 11A is a schematic view showing a manufacturing process of the SOI substrate. 図11Bは、SOI基板の製造工程を示す模式図である。FIG. 11B is a schematic view showing a manufacturing process of the SOI substrate.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離装置、剥離システムおよび剥離方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of a peeling device, a peeling system, and a peeling method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

(第1の実施形態)
<1.剥離システム>
まず、第1の実施形態に係る剥離システムの構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図3は、同重合基板の模式平面図である。
(First embodiment)
<1. Peeling system>
First, the structure of the peeling system which concerns on 1st Embodiment is demonstrated with reference to FIGS. 1-3. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic side view of the superposed substrate held on the dicing frame, and FIG. 3 is a schematic plan view of the superposed substrate.

なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。   In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is the vertically upward direction.

図1に示す本実施形態に係る剥離システム1は、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gで接合された重合基板T(図2参照)を、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。   The peeling system 1 according to the present embodiment shown in FIG. 1 includes a polymerization substrate T (see FIG. 2) in which a substrate to be processed W and a support substrate S are bonded with an adhesive G, a substrate to be processed W and a support substrate S. Peel off.

以下では、図2に示すように、被処理基板Wの板面のうち、接着剤Gを介して支持基板Sと接合される側の板面を「接合面Wj」といい、接合面Wjとは反対側の板面を「非接合面Wn」という。また、支持基板Sの板面のうち、接着剤Gを介して被処理基板Wと接合される側の板面を「接合面Sj」といい、接合面Sjとは反対側の板面を「非接合面Sn」という。   In the following, as shown in FIG. 2, the plate surface of the substrate to be processed W that is bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and the bonding surface Wj Is referred to as the “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is defined as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.

被処理基板Wは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Wjとしている。また、被処理基板Wは、たとえば非接合面Wnが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Wの厚さは、約20〜50μmである。   The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and the plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the target substrate W is thinned by polishing the non-joint surface Wn, for example. Specifically, the thickness of the substrate W to be processed is about 20 to 50 μm.

一方、支持基板Sは、被処理基板Wと略同径の基板であり、被処理基板Wを支持する。支持基板Sの厚みは、約650〜750μmである。かかる支持基板Sとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Wおよび支持基板Sを接合する接着剤Gの厚みは、約40〜150μmである。   On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. The thickness of the support substrate S is about 650 to 750 μm. As this support substrate S, a glass substrate etc. other than a silicon wafer can be used. Moreover, the thickness of the adhesive G which joins these to-be-processed substrate W and the support substrate S is about 40-150 micrometers.

また、図2に示すように、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定される。ダイシングフレームFは、重合基板Tよりも大径の開口部Faを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームFの厚みは、たとえば1mm程度である。   Further, as shown in FIG. 2, the superposed substrate T is fixed to a dicing frame F. The dicing frame F is a substantially annular member having an opening Fa having a diameter larger than that of the superposed substrate T at the center, and is formed of a metal such as stainless steel. The thickness of the dicing frame F is, for example, about 1 mm.

重合基板Tは、かかるダイシングフレームFにダイシングテープPを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームFの開口部Faに重合基板Tを配置し、開口部Faを裏面から塞ぐように被処理基板Wの非接合面WnおよびダイシングフレームFの裏面にダイシングテープPを貼り付ける。これにより、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定された状態となる。   The superposed substrate T is fixed to the dicing frame F via the dicing tape P. Specifically, the superposed substrate T is disposed in the opening Fa of the dicing frame F, and the dicing tape P is pasted on the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed and the back surface of the dicing frame F so as to close the opening Fa from the back surface. wear. As a result, the superposed substrate T is fixed to the dicing frame F.

図1に示すように、剥離システム1は、第1処理ブロック10および第2処理ブロック20の2つの処理ブロックを備える。第1処理ブロック10と第2処理ブロック20とは、隣接して配置される。   As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes two processing blocks, a first processing block 10 and a second processing block 20. The first processing block 10 and the second processing block 20 are arranged adjacent to each other.

第1処理ブロック10では、重合基板Tの搬入、重合基板Tの剥離処理、剥離後の被処理基板Wの洗浄および搬出等が行われる。かかる第1処理ブロック10は、搬入出ステーション11と、第1搬送領域12と、待機ステーション13と、エッジカットステーション14と、剥離ステーション15と、第1洗浄ステーション16とを備える。   In the first processing block 10, the superposed substrate T is carried in, the superposed substrate T is peeled off, and the substrate W to be processed is peeled off and carried out. The first processing block 10 includes a carry-in / out station 11, a first transfer area 12, a standby station 13, an edge cut station 14, a peeling station 15, and a first cleaning station 16.

搬入出ステーション11、待機ステーション13、エッジカットステーション14、剥離ステーション15および第1洗浄ステーション16は、第1搬送領域12に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション11と待機ステーション13とは、第1搬送領域12のY軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション15と第1洗浄ステーション16とは、第1搬送領域12のY軸正方向側に並べて配置される。また、エッジカットステーション14は、第1搬送領域12のX軸正方向側に配置される。   The carry-in / out station 11, the standby station 13, the edge cut station 14, the peeling station 15, and the first cleaning station 16 are disposed adjacent to the first transfer region 12. Specifically, the carry-in / out station 11 and the standby station 13 are arranged side by side on the Y axis negative direction side of the first transfer region 12, and the peeling station 15 and the first cleaning station 16 are arranged in the first transfer region 12. They are arranged side by side on the Y axis positive direction side. In addition, the edge cut station 14 is disposed on the X axis positive direction side of the first transfer region 12.

搬入出ステーション11には、複数のカセット載置台が設けられており、各カセット載置台には、重合基板Tが収容されるカセットCtまたは剥離後の被処理基板Wが収容されるカセットCwが載置される。   The loading / unloading station 11 is provided with a plurality of cassette mounting tables, and each cassette mounting table is loaded with a cassette Ct in which the superposed substrate T is stored or a cassette Cw in which the substrate to be processed W after peeling is stored. Placed.

第1搬送領域12には、重合基板Tまたは剥離後の被処理基板Wの搬送を行う第1搬送装置121が配置される。第1搬送装置121は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第1搬送領域12では、かかる第1搬送装置121により、重合基板Tを待機ステーション13、エッジカットステーション14および剥離ステーション15へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Wを第1洗浄ステーション16および搬入出ステーション11へ搬送する処理が行われる。   In the first transfer region 12, a first transfer device 121 that transfers the superposed substrate T or the substrate to be processed W after peeling is arranged. The first transfer device 121 includes a transfer arm unit that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the transfer arm unit. . In the first transfer region 12, the first transfer device 121 transfers the overlapped substrate T to the standby station 13, the edge cut station 14, and the peeling station 15, and the substrate W after being peeled off to the first cleaning station 16. And the process which conveys to the carrying in / out station 11 is performed.

待機ステーション13には、たとえば、ダイシングフレームFのID(Identification)の読み取りを行うID読取装置が配置され、かかるID読取装置によって、処理中の重合基板Tを識別することができる。なお、待機ステーション13では、上記のID読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Tを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション13には、第1搬送装置121によって搬送された重合基板Tが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ID読取装置と一時待機部とが載置される。   For example, an ID reader that reads an ID (Identification) of the dicing frame F is disposed in the standby station 13, and the overlapped substrate T being processed can be identified by the ID reader. In the standby station 13, in addition to the ID reading process, a standby process for temporarily waiting for the superposed substrate T waiting to be processed is performed as necessary. The standby station 13 is provided with a mounting table on which the superposed substrate T transferred by the first transfer device 121 is placed. The ID reading device and the temporary standby unit are placed on the mounting table. .

エッジカットステーション14には、エッジカット装置が配置される。エッジカット装置は、接着剤G(図2参照)の周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Gの周縁部を除去することで、後述する剥離処理において被処理基板Wと支持基板Sとを剥離させ易くすることができる。なお、エッジカット装置は、たとえば、重合基板Tを接着剤Gの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Gの周縁部を溶剤によって溶解させる。   The edge cut station 14 is provided with an edge cut device. The edge cut device performs an edge cut process in which the peripheral edge of the adhesive G (see FIG. 2) is dissolved and removed with a solvent. By removing the peripheral edge portion of the adhesive G by the edge cutting process, the substrate to be processed W and the support substrate S can be easily separated in the peeling process described later. In addition, an edge cut apparatus dissolves the peripheral part of the adhesive agent G by a solvent by immersing the superposition | polymerization board | substrate T in the solvent of the adhesive agent G, for example.

剥離ステーション15には、剥離装置が配置され、かかる剥離装置によって、重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する剥離処理が行われる。剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。   A peeling device is arranged in the peeling station 15, and a peeling process for peeling the superposed substrate T into the substrate to be processed W and the support substrate S is performed by the peeling device. The specific configuration and operation of the peeling apparatus will be described later.

第1洗浄ステーション16では、剥離後の被処理基板Wの洗浄処理が行われる。第1洗浄ステーション16には、剥離後の被処理基板WをダイシングフレームFに保持された状態で洗浄する第1洗浄装置が配置される。第1洗浄装置としては、たとえば特開2013−033925号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。   In the first cleaning station 16, the substrate to be processed W after being peeled is cleaned. The first cleaning station 16 is provided with a first cleaning device for cleaning the substrate to be processed W after being peeled off while being held by the dicing frame F. As a 1st washing | cleaning apparatus, the washing | cleaning apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-033925 can be used, for example.

また、第2処理ブロック20では、剥離後の支持基板Sの洗浄および搬出等が行われる。かかる第2処理ブロック20は、受渡ステーション21と、第2洗浄ステーション22と、第2搬送領域23と、搬出ステーション24とを備える。   In the second processing block 20, the support substrate S after being peeled is cleaned and carried out. The second processing block 20 includes a delivery station 21, a second cleaning station 22, a second transfer area 23, and a carry-out station 24.

受渡ステーション21、第2洗浄ステーション22および搬出ステーション24は、第2搬送領域23に隣接して配置される。具体的には、受渡ステーション21と第2洗浄ステーション22とは、第2搬送領域23のY軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション24は、第2搬送領域23のY軸負方向側に並べて配置される。   The delivery station 21, the second cleaning station 22, and the carry-out station 24 are disposed adjacent to the second transfer area 23. Specifically, the delivery station 21 and the second cleaning station 22 are arranged side by side on the Y axis positive direction side of the second transfer area 23, and the unloading station 24 is on the Y axis negative direction side of the second transfer area 23. Arranged side by side.

受渡ステーション21は、第1処理ブロック10の剥離ステーション15に隣接して配置される。かかる受渡ステーション21では、剥離ステーション15から剥離後の支持基板Sを受け取って第2洗浄ステーション22へ渡す受渡処理が行われる。   The delivery station 21 is disposed adjacent to the peeling station 15 of the first processing block 10. In the delivery station 21, a delivery process for receiving the peeled support substrate S from the peeling station 15 and delivering it to the second cleaning station 22 is performed.

受渡ステーション21には、第2搬送装置211が配置される。第2搬送装置211は、たとえばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有しており、剥離後の支持基板Sは、かかる第2搬送装置211によって非接触で搬送される。   In the delivery station 21, a second transfer device 211 is arranged. The second transport device 211 has a non-contact holding unit such as a Bernoulli chuck, for example, and the peeled support substrate S is transported in a non-contact manner by the second transport device 211.

第2洗浄ステーション22では、剥離後の支持基板Sを洗浄する第2洗浄処理が行われる。かかる第2洗浄ステーション22には、剥離後の支持基板Sを洗浄する第2洗浄装置が配置される。第2洗浄装置としては、たとえば特開2013−033925号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。   In the second cleaning station 22, a second cleaning process for cleaning the support substrate S after peeling is performed. In the second cleaning station 22, a second cleaning device for cleaning the support substrate S after being peeled is disposed. As a 2nd washing | cleaning apparatus, the washing | cleaning apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-033925 can be used, for example.

第2搬送領域23には、剥離後の支持基板Sの搬送を行う第3搬送装置231が配置される。第3搬送装置231は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第2搬送領域23では、かかる第3搬送装置231により、剥離後の支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理が行われる。   In the second transport region 23, a third transport device 231 that transports the support substrate S after peeling is disposed. The third transfer device 231 includes a transfer arm unit that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the transfer arm unit. . In the second transfer region 23, the third transfer device 231 performs a process of transferring the peeled support substrate S to the carry-out station 24.

搬出ステーション24には、複数のカセット載置台が設けられており、各カセット載置台には、剥離後の支持基板Sが収容されるカセットCsが載置される。   The unloading station 24 is provided with a plurality of cassette mounting tables. On each cassette mounting table, a cassette Cs in which the support substrate S after peeling is stored is mounted.

また、剥離システム1は、制御装置30を備える。制御装置30は、剥離システム1の動作を制御する装置である。かかる制御装置30は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム1の動作を制御する。   Further, the peeling system 1 includes a control device 30. The control device 30 is a device that controls the operation of the peeling system 1. The control device 30 is a computer, for example, and includes a control unit and a storage unit (not shown). The storage unit stores a program for controlling various processes such as a peeling process. The control unit controls the operation of the peeling system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置30の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。   Note that such a program may be recorded on a computer-readable recording medium and may be installed in the storage unit of the control device 30 from the recording medium. Examples of the computer-readable recording medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された剥離システム1では、まず、第1処理ブロック10の第1搬送装置121が、搬入出ステーション11に載置されたカセットCtから重合基板Tを取り出し、取り出した重合基板Tを待機ステーション13へ搬入する。   In the peeling system 1 configured as described above, first, the first transport device 121 of the first processing block 10 takes out the superposed substrate T from the cassette Ct placed on the carry-in / out station 11 and takes out the superposed substrate T taken out. Is carried into the standby station 13.

つづいて、待機ステーション13では、ID読取装置が、ダイシングフレームFのIDを読み取るID読取処理を行う。ID読取装置によって読み取られたIDは、制御装置30へ送信される。その後、重合基板Tは、第1搬送装置121によって待機ステーション13から取り出されて、エッジカットステーション14へ搬入される。   Subsequently, in the standby station 13, the ID reading device performs an ID reading process for reading the ID of the dicing frame F. The ID read by the ID reading device is transmitted to the control device 30. Thereafter, the superposed substrate T is taken out from the standby station 13 by the first transfer device 121 and carried into the edge cut station 14.

エッジカットステーション14では、エッジカット装置が、重合基板Tに対してエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理によって接着剤Gの周縁部が除去されることにより、後段の剥離処理において被処理基板Wと支持基板Sとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。   In the edge cut station 14, the edge cut device performs an edge cut process on the superposed substrate T. By removing the peripheral edge portion of the adhesive G by the edge cutting process, the substrate to be processed W and the support substrate S are easily separated in the subsequent peeling process. Therefore, the time required for the peeling process can be shortened.

このように、本実施形態にかかる剥離システム1では、エッジカットステーション14が第1処理ブロック10に組み込まれているため、第1処理ブロック10へ搬入された重合基板Tを第1搬送装置121を用いてエッジカットステーション14へ直接搬入することができる。したがって、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。   Thus, in the peeling system 1 according to the present embodiment, since the edge cut station 14 is incorporated in the first processing block 10, the superposed substrate T carried into the first processing block 10 is transferred to the first transfer device 121. And can be directly carried into the edge cut station 14. Accordingly, the throughput of a series of substrate processing can be improved. Moreover, the time from the edge cut process to the peeling process can be easily managed, and the peeling performance can be stabilized.

なお、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Tが生じる場合には、待機ステーション13に設けられた一時待機部を用いて重合基板Tを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。   Note that, for example, when a superposed substrate T waiting for processing is generated due to a difference in processing time between apparatuses, the superposed substrate T can be temporarily kept in a standby state using a temporary standby unit provided in the standby station 13, Loss time between a series of steps can be shortened.

つづいて、エッジカット処理後の重合基板Tは、第1搬送装置121によってエッジカットステーション14から取り出されて、剥離ステーション15へ搬入される。そして、剥離ステーション15に配置された剥離装置が、重合基板Tに対して剥離処理を行う。かかる剥離処理により、重合基板Tは、被処理基板Wと支持基板Sとに分離される。   Subsequently, the superposed substrate T after the edge cut processing is taken out from the edge cut station 14 by the first transfer device 121 and is carried into the peeling station 15. And the peeling apparatus arrange | positioned in the peeling station 15 performs the peeling process with respect to the superposition | polymerization board | substrate T. FIG. By the peeling process, the superposed substrate T is separated into the substrate to be processed W and the support substrate S.

剥離後の被処理基板Wは、第1搬送装置121によって剥離ステーション15から取り出されて、第1洗浄ステーション16へ搬入される。第1洗浄ステーション16では、第1洗浄装置が、剥離後の被処理基板Wに対して第1洗浄処理を行う。かかる第1洗浄処理によって、被処理基板Wの接合面Wjに残存する接着剤Gが除去される。   The substrate to be processed W after peeling is taken out from the peeling station 15 by the first transfer device 121 and is carried into the first cleaning station 16. In the first cleaning station 16, the first cleaning device performs a first cleaning process on the substrate W after being peeled. By the first cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Wj of the substrate W to be processed is removed.

第1洗浄処理後の被処理基板Wは、第1搬送装置121によって第1洗浄ステーション16から取り出されて、搬入出ステーション11に載置されたカセットCwに収容される。その後、カセットCwは、搬入出ステーション11から取り出され、回収される。こうして、被処理基板Wについての処理が終了する。   The substrate W to be processed after the first cleaning process is taken out from the first cleaning station 16 by the first transfer device 121 and stored in the cassette Cw placed on the carry-in / out station 11. Thereafter, the cassette Cw is taken out from the carry-in / out station 11 and collected. Thus, the process for the substrate to be processed W is completed.

一方、第2処理ブロック20では、上述した第1処理ブロック10における処理と並行して、剥離後の支持基板Sに対する処理が行われる。   On the other hand, in the 2nd processing block 20, the process with respect to the support substrate S after peeling is performed in parallel with the process in the 1st processing block 10 mentioned above.

第2処理ブロック20では、まず、受渡ステーション21に配置された第2搬送装置211が、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション15から取り出して、第2洗浄ステーション22へ搬入する。   In the second processing block 20, first, the second transfer device 211 disposed at the delivery station 21 takes out the support substrate S after peeling from the peeling station 15 and carries it into the second cleaning station 22.

ここで、剥離後の支持基板Sは、剥離装置によって上面側すなわち非接合面Sn側が保持された状態となっており、第2搬送装置211は、支持基板Sの接合面Sj側を下方から非接触で保持する。その後、第2搬送装置211は、保持した支持基板Sを反転させたうえで、第2洗浄ステーション22の第2洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Sは、接着剤Gが残存する接合面Sjを上方に向けた状態で第2洗浄装置に載置される。そして、第2洗浄装置は、支持基板Sの接合面Sjを洗浄する第2洗浄処理を行う。かかる第2洗浄処理により、支持基板Sの接合面Sjに残存する接着剤Gが除去される。   Here, the support substrate S after peeling is in a state in which the upper surface side, that is, the non-joint surface Sn side is held by the peeling device, and the second transport device 211 does not move the joint surface Sj side of the support substrate S from below. Hold in contact. Thereafter, the second transfer device 211 inverts the held support substrate S and places it on the second cleaning device of the second cleaning station 22. As a result, the support substrate S is placed on the second cleaning device with the bonding surface Sj where the adhesive G remains remaining facing upward. Then, the second cleaning device performs a second cleaning process for cleaning the bonding surface Sj of the support substrate S. By the second cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Sj of the support substrate S is removed.

第2洗浄処理後の支持基板Sは、第2搬送領域23に配置された第3搬送装置231によって第2洗浄ステーション22から取り出されて、搬出ステーション24に載置されたカセットCsに収容される。その後、カセットCsは、搬出ステーション24から取り出され、回収される。こうして、支持基板Sについての処理も終了する。   The support substrate S after the second cleaning process is taken out from the second cleaning station 22 by the third transfer device 231 disposed in the second transfer region 23 and accommodated in the cassette Cs placed on the carry-out station 24. . Thereafter, the cassette Cs is taken out from the carry-out station 24 and collected. Thus, the process for the support substrate S is also completed.

このように、本実施形態に係る剥離システム1は、ダイシングフレームFに固定された基板(重合基板Tおよび剥離後の被処理基板W)用のフロントエンド(搬入出ステーション11および第1搬送装置121)と、ダイシングフレームFに保持されない基板(剥離後の支持基板S)用のフロントエンド(搬出ステーション24および第3搬送装置231)とを備える構成とした。これにより、被処理基板Wを搬入出ステーション11へ搬送する処理と、支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。   As described above, the peeling system 1 according to the present embodiment has a front end (the carry-in / out station 11 and the first transfer device 121) for the substrate (the superposed substrate T and the target substrate W after being peeled) fixed to the dicing frame F. ) And a front end (unloading station 24 and third transfer device 231) for a substrate (support substrate S after peeling) that is not held by the dicing frame F. This makes it possible to perform in parallel the process of transporting the substrate to be processed W to the carry-in / out station 11 and the process of transporting the support substrate S to the carry-out station 24. Therefore, a series of substrate processing is performed efficiently. be able to.

また、本実施形態に係る剥離システム1では、剥離ステーション15と第2洗浄ステーション22とが受渡ステーション21を介して接続される。これにより、第1搬送領域12や第2搬送領域23を経由することなく、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション15から第2洗浄ステーション22へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Sの搬送をスムーズに行うことができる。   In the peeling system 1 according to the present embodiment, the peeling station 15 and the second cleaning station 22 are connected via the delivery station 21. As a result, it is possible to directly carry the peeled support substrate S from the peeling station 15 to the second cleaning station 22 without going through the first transfer area 12 and the second transfer area 23. The support substrate S can be transported smoothly.

なお、第1処理ブロック10は、重合基板TにダイシングフレームFを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームFが取り付けられていない重合基板TをカセットCtから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板TにダイシングフレームFを取り付けた後、ダイシングフレームFに固定された重合基板Tをエッジカットステーション14および剥離ステーション15へ順次搬送することとなる。なお、マウント装置は、たとえば、エッジカットステーション14を第2処理ブロック20へ移動し、エッジカットステーション14が設けられていた場所に配置すればよい。   The first processing block 10 may include a mount device for attaching the dicing frame F to the superposed substrate T. In such a case, the superposed substrate T to which the dicing frame F is not attached is taken out from the cassette Ct and loaded into the mounting device. After the dicing frame F is attached to the superposed substrate T in the mounting device, the superposed substrate fixed to the dicing frame F is used. T is sequentially transferred to the edge cut station 14 and the peeling station 15. Note that the mounting device may be arranged, for example, by moving the edge cut station 14 to the second processing block 20 and placing it at the place where the edge cut station 14 was provided.

<2.剥離装置の構成>
次に、剥離ステーション15に設置される剥離装置の構成について図4を参照して説明する。図4は、本実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
<2. Configuration of peeling apparatus>
Next, the structure of the peeling apparatus installed in the peeling station 15 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to this embodiment.

図4に示すように、剥離装置5は、処理室100を備える。処理室100の側面には、搬入出口(図示せず)が設けられる。搬入出口は、第1搬送領域12側と受渡ステーション21側とにそれぞれ設けられる。   As shown in FIG. 4, the peeling device 5 includes a processing chamber 100. A loading / unloading port (not shown) is provided on the side surface of the processing chamber 100. The carry-in / out port is provided on each of the first transfer area 12 side and the delivery station 21 side.

剥離装置5は、第1保持部50と、移動部60と、第2保持部70と、フレーム保持部80と、剥離誘引部90とを備え、これらは処理室100の内部に配置される。   The peeling apparatus 5 includes a first holding unit 50, a moving unit 60, a second holding unit 70, a frame holding unit 80, and a peeling attraction unit 90, which are arranged inside the processing chamber 100.

剥離装置5は、重合基板Tの支持基板S側を第1保持部50によって上方から吸着保持し、重合基板Tの被処理基板W側を第2保持部70によって下方から吸着保持する。そして、剥離装置5は、移動部60により、支持基板Sを被処理基板Wの板面から離す方向へ移動させる。これにより、第1保持部に保持された支持基板Sが、その一端から他端へ向けて被処理基板Wから連続的に剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。   The peeling device 5 sucks and holds the support substrate S side of the superposed substrate T from above by the first holding unit 50 and holds the target substrate W side of the superposed substrate T by sucking and holding from below by the second holding unit 70. Then, the peeling device 5 moves the support substrate S in the direction away from the plate surface of the substrate W to be processed by the moving unit 60. Thereby, the support substrate S held by the first holding unit is continuously peeled from the substrate W to be processed from one end to the other end. Hereinafter, each component will be specifically described.

第1保持部50は、弾性部材51と、複数の吸着部52とを備える。弾性部材51は、薄板状の部材であり、たとえば板金などの金属で形成される。かかる弾性部材51は、支持基板Sの上方において支持基板Sと対向配置される。   The first holding unit 50 includes an elastic member 51 and a plurality of suction units 52. The elastic member 51 is a thin plate-like member and is formed of a metal such as a sheet metal. The elastic member 51 is disposed above the support substrate S so as to face the support substrate S.

複数の吸着部52は、弾性部材51における支持基板Sとの対向面に設けられる。各吸着部52は、弾性部材51に固定される本体部521と、この本体部521の下部に設けられる吸着パッド522とを備える。   The plurality of suction portions 52 are provided on the surface of the elastic member 51 facing the support substrate S. Each suction portion 52 includes a main body portion 521 that is fixed to the elastic member 51 and a suction pad 522 that is provided below the main body portion 521.

各吸着部52は、吸気管523を介して真空ポンプなどの吸気装置524に接続される。第1保持部50は、吸気装置524が発生させる吸引力により、複数の吸着部52で支持基板Sの非接合面Snを吸着する。これにより、支持基板Sは、第1保持部50に吸着保持される。   Each adsorption part 52 is connected to an intake device 524 such as a vacuum pump via an intake pipe 523. The first holding unit 50 sucks the non-joint surface Sn of the support substrate S by the plurality of suction units 52 by the suction force generated by the intake device 524. As a result, the support substrate S is sucked and held by the first holding unit 50.

なお、吸着部52が備える吸着パッド522としては、変形量の少ないタイプのものが好ましい。これは、後述する移動部60が第1保持部50を引っ張った際に吸着パッド522が大きく変形すると、かかる変形に伴って支持基板Sの被吸着部分が大きく変形し、支持基板Sあるいは被処理基板Wがダメージを受けるおそれがあるためである。具体的には、吸着パッド522としては、たとえば、吸着面にリブを有するものや、空間の高さが0.5mm以下のフラットパッドなどを用いることが好ましい。   In addition, as the suction pad 522 with which the adsorption | suction part 52 is provided, a thing with a little deformation amount is preferable. This is because if the suction pad 522 is greatly deformed when the moving unit 60 described later pulls the first holding unit 50, the attracted portion of the support substrate S is greatly deformed along with the deformation, and the support substrate S or the object to be processed is processed. This is because the substrate W may be damaged. Specifically, it is preferable to use, for example, a suction pad having a rib on the suction surface or a flat pad having a space height of 0.5 mm or less.

ここで、第1保持部50の構成について図5を参照してより具体的に説明する。図5は、第1保持部50の模式平面図である。   Here, the configuration of the first holding unit 50 will be described more specifically with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic plan view of the first holding unit 50.

図5に示すように、第1保持部50が備える複数の吸着部52は、弾性部材51に対して円環状に並べて配置されており、支持基板Sの外周部と対向し、支持基板Sの外周部をそれぞれ吸着する。ここでは、弾性部材51に対して8個の吸着部52が設けられる場合の例を示したが、弾性部材51に設けられる吸着部52の個数は、8個に限定されない。   As shown in FIG. 5, the plurality of suction portions 52 included in the first holding portion 50 are arranged in an annular shape with respect to the elastic member 51, face the outer peripheral portion of the support substrate S, and Each outer peripheral part is adsorbed. Here, an example in which eight suction parts 52 are provided for the elastic member 51 is shown, but the number of suction parts 52 provided in the elastic member 51 is not limited to eight.

これら複数の吸着部52のうち、剥離の最も起点側(ここでは、X軸負方向側)に配置される吸着部52は、後述する剥離誘引部90によって重合基板Tに形成される剥離開始部位Mに対応する位置に配置される。   Among these plural adsorbing parts 52, the adsorbing part 52 arranged on the most peeling start side (here, the X-axis negative direction side) is a peeling start site formed on the polymerization substrate T by the peeling inducing part 90 described later. It is arranged at a position corresponding to M.

弾性部材51は、本体部511と、延在部512とを備える。本体部511は、外径が支持基板Sと略同径であり、かつ、中央部が中空である円環状の枠体である。複数の吸着部52は、かかる本体部511の下面すなわち支持基板Sとの対向面に、本体部511の形状に沿って円環状に並べられる。   The elastic member 51 includes a main body portion 511 and an extending portion 512. The main body 511 is an annular frame having an outer diameter substantially the same as that of the support substrate S and a hollow central portion. The plurality of suction portions 52 are arranged in an annular shape along the shape of the main body portion 511 on the lower surface of the main body portion 511, that is, the surface facing the support substrate S.

延在部512は、本体部511の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部(ここでは、X軸負方向側の外周部)の一部を剥離の進行方向とは反対側(X軸負方向側)へ向けて延在させた部位であり、かかる延在部512の先端に移動部60の支柱部材61が接続される。   The extending part 512 is a part of the outer peripheral part (here, the outer peripheral part on the X axis negative direction side) located on the most starting side of the peeling of the outer peripheral part of the main body part 511 on the side opposite to the progressing direction of the peeling. The column member 61 extends toward the (X-axis negative direction side), and the column member 61 of the moving unit 60 is connected to the tip of the extending portion 512.

図4に戻り、剥離装置5のその他の構成について説明する。移動部60は、移動部60は、支柱部材61と、移動機構62と、ロードセル63とを備える。   Returning to FIG. 4, the other structure of the peeling apparatus 5 is demonstrated. The moving unit 60 includes a support member 61, a moving mechanism 62, and a load cell 63.

支柱部材61は、鉛直方向(Z軸方向)に延在する部材であり、一端部が弾性部材51の延在部512(図5参照)に接続され、他端部が上側ベース部103を介して移動機構62に接続される。   The column member 61 is a member that extends in the vertical direction (Z-axis direction), one end of which is connected to the extension 512 (see FIG. 5) of the elastic member 51, and the other end via the upper base 103. Connected to the moving mechanism 62.

移動機構62は、上側ベース部103の上部に固定され、下部に接続される支柱部材61を鉛直方向に移動させる。ロードセル63は、支柱部材61にかかる負荷を検出する。   The moving mechanism 62 is fixed to the upper part of the upper base part 103 and moves the column member 61 connected to the lower part in the vertical direction. The load cell 63 detects a load applied to the column member 61.

かかる移動部60は、移動機構62を用いて支柱部材61を鉛直上方に移動させることにより、支柱部材61に接続された第1保持部50を引っ張り上げる。このとき、移動部60は、ロードセル63による検出結果に基づき、支持基板Sにかかる力を制御しながら、第1保持部50を引っ張ることができる。   The moving unit 60 pulls up the first holding unit 50 connected to the column member 61 by moving the column member 61 vertically upward using the moving mechanism 62. At this time, the moving unit 60 can pull the first holding unit 50 while controlling the force applied to the support substrate S based on the detection result by the load cell 63.

ここで、図5に示すように、引き上げの力点となる支柱部材61は、引き上げの支点となる吸着部52、すなわち、剥離の最も起点側(ここでは、X軸負方向側)に配置される吸着部52よりも剥離の進行方向の反対側に配置される。   Here, as shown in FIG. 5, the column member 61 that serves as a lifting force point is disposed on the suction portion 52 that serves as a lifting fulcrum, that is, the most peeling side (here, the X-axis negative direction side). It arrange | positions on the opposite side of the advancing direction of peeling rather than the adsorption | suction part 52. FIG.

したがって、引き上げの作用点となる重合基板Tの外縁部(剥離の開始位置であり、後述する「剥離開始部位M」に相当)には、図4において時計回りの回転力(モーメント)が発生する。これにより、移動部60は、支持基板Sをその外縁部からめくり上げるようにして引っ張ることができ、支持基板Sを被処理基板Wから効率的に剥離させることができる。   Accordingly, a clockwise rotational force (moment) in FIG. 4 is generated at the outer edge portion (the peeling start position, which corresponds to a “peeling start site M” described later) of the superposed substrate T that serves as a pulling action point. . Accordingly, the moving unit 60 can pull the support substrate S so as to be turned up from the outer edge portion thereof, and can efficiently peel the support substrate S from the substrate W to be processed.

なお、第1保持部50は、移動部60によって支持され、移動部60は、上側ベース部103によって支持される。また、上側ベース部103は、処理室100の天井部に取り付けられた固定部材101に支柱102を介して支持される。   The first holding unit 50 is supported by the moving unit 60, and the moving unit 60 is supported by the upper base unit 103. Further, the upper base portion 103 is supported by the fixing member 101 attached to the ceiling portion of the processing chamber 100 via the support column 102.

第2保持部70は、第1保持部50の下方に配置され、重合基板Tの被処理基板W側をダイシングテープPを介して吸着保持する。かかる第2保持部70は、円板形状の本体部71と、本体部71を支持する支柱部材72とを備える。   The second holding unit 70 is disposed below the first holding unit 50 and holds the substrate to be processed W side of the superposed substrate T by suction through the dicing tape P. The second holding unit 70 includes a disc-shaped main body 71 and a support member 72 that supports the main body 71.

本体部71は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で形成される。かかる本体部71の上面には、吸着面73が設けられる。吸着面73は、多孔質体であり、たとえばPCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)等の樹脂部材で形成される。   The main body 71 is made of a metal member such as aluminum. An adsorption surface 73 is provided on the upper surface of the main body 71. The adsorption surface 73 is a porous body, and is formed of a resin member such as PCTFE (polychlorotrifluoroethylene).

本体部71の内部には、吸着面73を介して外部と連通する吸引空間74が形成される。吸引空間74は、吸気管711を介して真空ポンプなどの吸気装置712と接続される。かかる第2保持部70は、吸気装置712の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Wの非接合面WnをダイシングテープPを介して吸着面73に吸着させることによって、重合基板Tを吸着保持する。   A suction space 74 that communicates with the outside through the suction surface 73 is formed inside the main body 71. The suction space 74 is connected to an intake device 712 such as a vacuum pump via an intake pipe 711. The second holding unit 70 uses the negative pressure generated by the intake air of the intake device 712, and adsorbs the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed to the adsorption surface 73 via the dicing tape P. Adsorb and hold.

本体部71の吸着面73は、被処理基板Wよりも僅かに径が大きく形成される。これにより、被処理基板Wの周縁部での吸引漏れを防止することができるため、重合基板Tをより確実に吸着保持することができる。   The suction surface 73 of the main body 71 is formed to have a slightly larger diameter than the substrate W to be processed. Thereby, since the suction leakage at the peripheral edge of the substrate to be processed W can be prevented, the superposed substrate T can be more securely attracted and held.

また、被処理基板Wとの吸着面に溝などの非吸着部が形成されていると、かかる非吸着部において被処理基板Wにクラックが発生するおそれがある。そこで、本体部71の吸着面73は、溝などの非吸着部を有しない平坦面とした。これにより、被処理基板Wにクラックが発生することを防止することができる。さらに、吸着面73をPCTFE等の樹脂部材で形成することとしたため、被処理基板Wへのダメージを更に抑えることができる。   In addition, if a non-adsorption portion such as a groove is formed on the adsorption surface with the substrate W to be processed, there is a possibility that a crack may occur in the substrate W to be processed in the non-adsorption portion. Therefore, the suction surface 73 of the main body 71 is a flat surface having no non-suction part such as a groove. Thereby, it is possible to prevent the generation of cracks in the substrate W to be processed. Furthermore, since the adsorption surface 73 is formed of a resin member such as PCTFE, damage to the substrate W to be processed can be further suppressed.

第2保持部70の外方には、ダイシングフレームFを下方から保持するフレーム保持部80が配置される。フレーム保持部80は、ダイシングフレームFを吸着保持する複数の吸着パッド81と、吸着パッド81を支持する支持部材82と、支持部材82を鉛直方向に移動させる移動機構83とを備える。   A frame holding unit 80 that holds the dicing frame F from below is disposed outside the second holding unit 70. The frame holding unit 80 includes a plurality of suction pads 81 that suck and hold the dicing frame F, a support member 82 that supports the suction pad 81, and a moving mechanism 83 that moves the support member 82 in the vertical direction.

吸着パッド81は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図3に示すダイシングフレームFの4隅に対応する位置にそれぞれ設けられる。この吸着パッド81には、吸引口(図示せず)が形成され、真空ポンプなどの吸気装置822が支持部材82および吸気管821を介して上記の吸引口に接続される。   The suction pads 81 are formed of an elastic member such as rubber, and are provided at positions corresponding to, for example, the four corners of the dicing frame F shown in FIG. The suction pad 81 is formed with a suction port (not shown), and an intake device 822 such as a vacuum pump is connected to the suction port via a support member 82 and an intake pipe 821.

フレーム保持部80は、吸気装置822の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームFを吸着することによってダイシングフレームFを保持する。また、フレーム保持部80は、移動機構83によって支持部材82および吸着パッド81を鉛直方向に移動させることにより、吸着パッド81に吸着保持されたダイシングフレームFを鉛直方向に移動させる。   The frame holding unit 80 holds the dicing frame F by adsorbing the dicing frame F using the negative pressure generated by the intake air of the intake device 822. The frame holding unit 80 moves the dicing frame F sucked and held by the suction pad 81 in the vertical direction by moving the support member 82 and the suction pad 81 in the vertical direction by the moving mechanism 83.

第2保持部70およびフレーム保持部80は、下側ベース部104によって下方から支持される。また、下側ベース部104は、処理室100の床面に固定された回転昇降機構105によって支持される。   The second holding part 70 and the frame holding part 80 are supported from below by the lower base part 104. Further, the lower base portion 104 is supported by a rotary lifting mechanism 105 fixed to the floor surface of the processing chamber 100.

回転昇降機構105は、下側ベース部104を鉛直軸回りに回転させることにより、下側ベース部104に支持された第2保持部70およびフレーム保持部80を一体的に回転させる。また、回転昇降機構105は、下側ベース部104を鉛直方向に移動させることにより、下側ベース部104に支持された第2保持部70およびフレーム保持部80を一体的に昇降させる。   The rotation raising / lowering mechanism 105 rotates the lower base part 104 around the vertical axis to integrally rotate the second holding part 70 and the frame holding part 80 supported by the lower base part 104. Further, the rotary lifting mechanism 105 moves the lower base portion 104 in the vertical direction, thereby lifting and lowering the second holding portion 70 and the frame holding portion 80 supported by the lower base portion 104 integrally.

第2保持部70の外方には、剥離誘引部90が配置される。かかる剥離誘引部90は、支持基板Sが被処理基板Wから剥がれるきっかけとなる部位を重合基板Tの側面に形成する。   A peeling inducement 90 is disposed outside the second holding unit 70. The peeling attraction part 90 forms a part on the side surface of the superposed substrate T that causes the support substrate S to be peeled off from the substrate W to be processed.

剥離誘引部90は、鋭利部材91と、移動機構92と、昇降機構93とを備える。鋭利部材91は、たとえば平刃であり、刃先が重合基板Tへ向けて突出するように移動機構92に支持される。   The peeling attraction unit 90 includes a sharp member 91, a moving mechanism 92, and an elevating mechanism 93. The sharp member 91 is, for example, a flat blade, and is supported by the moving mechanism 92 such that the blade edge protrudes toward the superposed substrate T.

移動機構92は、X軸方向に延在するレールに沿って鋭利部材91を移動させる。昇降機構93は、たとえば上側ベース部103に固定され、移動機構92を鉛直方向に移動させる。これにより、鋭利部材91の高さ位置、すなわち、重合基板Tの側面への当接位置が調節される。   The moving mechanism 92 moves the sharp member 91 along a rail extending in the X-axis direction. The elevating mechanism 93 is fixed to the upper base portion 103, for example, and moves the moving mechanism 92 in the vertical direction. Thereby, the height position of the sharp member 91, that is, the contact position with the side surface of the superposed substrate T is adjusted.

かかる剥離誘引部90は、昇降機構93を用いて鋭利部材91の高さ位置を調節した後、移動機構92を用いて鋭利部材91を水平方向(ここでは、X軸正方向)へ移動させることにより、鋭利部材91を支持基板Sにおける接着剤G寄りの側面に当接させる。これにより、重合基板Tに、支持基板Sが被処理基板Wから剥がれるきっかけとなる部位(以下、「剥離開始部位」と記載する)が形成される。   The peeling attraction portion 90 adjusts the height position of the sharp member 91 using the lifting mechanism 93 and then moves the sharp member 91 in the horizontal direction (here, the X-axis positive direction) using the moving mechanism 92. Thus, the sharp member 91 is brought into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G. As a result, a portion (hereinafter referred to as a “peeling start portion”) that causes the support substrate S to be peeled off from the substrate W is formed on the superposed substrate T.

<3.剥離装置の動作>
次に、剥離装置5の具体的な動作について図6および図7A〜図7Gを参照して説明する。図6は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図7A〜図7Gは、剥離動作の説明図である。なお、剥離装置5は、制御装置30の制御に基づき、図6に示す各処理手順を実行する。
<3. Operation of peeling device>
Next, a specific operation of the peeling apparatus 5 will be described with reference to FIGS. 6 and 7A to 7G. FIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure of the peeling process. 7A to 7G are explanatory diagrams of the peeling operation. The peeling device 5 executes each processing procedure shown in FIG. 6 based on the control of the control device 30.

ダイシングフレームFに固定された重合基板Tが処理室100内へ搬入されると、剥離装置5は、まず、重合基板Tの被処理基板W側とダイシングフレームFとをそれぞれ第2保持部70およびフレーム保持部80を用いて下方から吸着保持する(ステップS101)。このとき、図7Aに示すように、被処理基板WおよびダイシングフレームFは、ダイシングテープPが水平に張られた状態で、第2保持部70およびフレーム保持部80に保持される。   When the superposed substrate T fixed to the dicing frame F is carried into the processing chamber 100, the peeling device 5 first connects the second substrate 70 and the dicing frame F to the second substrate 70 and the dicing frame F, respectively. The frame holding unit 80 is used to suck and hold from below (step S101). At this time, as shown in FIG. 7A, the substrate to be processed W and the dicing frame F are held by the second holding unit 70 and the frame holding unit 80 with the dicing tape P stretched horizontally.

つづいて、剥離装置5は、フレーム保持部80の移動機構83(図4参照)を用いてフレーム保持部80を降下させて、フレーム保持部80に保持されたダイシングフレームFを降下させる(ステップS102)。これにより、剥離誘引部90の鋭利部材91を重合基板Tへ向けて進出させるためのスペースが確保される(図7B参照)。   Subsequently, the peeling device 5 lowers the frame holding unit 80 by using the moving mechanism 83 (see FIG. 4) of the frame holding unit 80, and lowers the dicing frame F held by the frame holding unit 80 (step S102). ). Thereby, the space for making the sharp member 91 of the peeling induction part 90 advance toward the superposition | polymerization board | substrate T is ensured (refer FIG. 7B).

つづいて、剥離装置5は、剥離誘引部90を用いて剥離誘引処理を行う(ステップS103)。剥離誘引処理は、支持基板Sが被処理基板Wから剥離するきっかけとなる部位(剥離開始部位M)を重合基板Tに形成する(図7C参照)。   Subsequently, the peeling device 5 performs a peeling attraction process using the peeling attraction unit 90 (step S103). In the peeling attraction process, a portion (peeling start portion M) that causes the support substrate S to peel from the substrate to be processed W is formed on the superposed substrate T (see FIG. 7C).

ここで、剥離誘引処理の内容について図8A〜図8Cを参照して具体的に説明する。図8A〜図8Cは、剥離誘引処理の動作説明図である。   Here, the content of the peeling attraction process will be specifically described with reference to FIGS. 8A to 8C. 8A to 8C are operation explanatory diagrams of the peeling attraction process.

なお、この剥離誘引処理は、重合基板Tのうちの被処理基板Wが第2保持部70によって保持され、ダイシングフレームFがフレーム保持部80によって保持された後、かつ、重合基板Tのうちの支持基板Sが第1保持部50によって保持される前に行われる。すなわち、剥離誘引処理は、支持基板Sがフリーな状態で行われる。   In this peeling attraction process, the substrate W to be processed among the superposed substrates T is held by the second holding unit 70, the dicing frame F is held by the frame holding unit 80, and This is performed before the support substrate S is held by the first holding unit 50. That is, the peeling attraction process is performed in a state where the support substrate S is free.

剥離装置5は、昇降機構93(図4参照)を用いて鋭利部材91の高さ位置を調整した後、移動機構92を用いて鋭利部材91を重合基板Tの側面へ向けて移動させる。具体的には、図8Aに示すように、重合基板Tの側面のうち、支持基板Sの接着剤G寄りの側面に向けて鋭利部材91を略水平に移動させる。   The peeling apparatus 5 adjusts the height position of the sharp member 91 using the lifting mechanism 93 (see FIG. 4), and then moves the sharp member 91 toward the side surface of the superposed substrate T using the moving mechanism 92. Specifically, as shown in FIG. 8A, the sharp member 91 is moved substantially horizontally toward the side surface of the support substrate S near the adhesive G among the side surfaces of the superposed substrate T.

ここで、「支持基板Sの接着剤G寄りの側面」とは、支持基板Sの側面のうち、支持基板Sの厚みの半分の位置hよりも接合面Sj寄りの側面のことである。具体的には、支持基板Sの側面は断面視において略円弧状に形成されており、「支持基板Sの接着剤G寄りの側面」は、鋭利部材91の刃先の傾斜面91aとのなす角度θが0度以上90度未満の側面である。   Here, the “side surface of the support substrate S near the adhesive G” is the side surface of the support substrate S that is closer to the bonding surface Sj than the position h that is half the thickness of the support substrate S. Specifically, the side surface of the support substrate S is formed in a substantially arc shape in a sectional view, and the “side surface of the support substrate S near the adhesive G” is an angle formed with the inclined surface 91 a of the cutting edge of the sharp member 91. It is a side surface where θ is 0 degree or more and less than 90 degrees.

鋭利部材91は、片平刃であり、傾斜面91aを上方に向けた状態で移動機構92に支持される。このように、傾斜面91aを支持基板S側に向けた片平刃を鋭利部材91として用いることで、両平刃を用いた場合と比べて、鋭利部材91を重合基板T内に進入させた際に被処理基板Wが受ける負荷を抑えることができる。   The sharp member 91 is a single flat blade, and is supported by the moving mechanism 92 with the inclined surface 91a facing upward. As described above, when the single flat blade with the inclined surface 91a facing the support substrate S side is used as the sharp member 91, the sharp member 91 enters the superposed substrate T as compared with the case where both flat blades are used. The load received by the substrate to be processed W can be suppressed.

剥離装置5は、まず、鋭利部材91を予め決められた位置まで前進させる(予備前進)。その後、剥離装置5は、鋭利部材91をさらに前進させて鋭利部材91を支持基板Sの接着剤G寄りの側面に当接させる。なお、剥離誘引部90には、たとえばロードセル(図示せず)が設けられており、剥離装置5は、このロードセルを用いて鋭利部材91にかかる負荷を検出することによって、鋭利部材91が支持基板Sに当接したことを検出する。   The peeling apparatus 5 first advances the sharp member 91 to a predetermined position (preliminary advance). Thereafter, the peeling device 5 further advances the sharp member 91 to bring the sharp member 91 into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G. For example, a load cell (not shown) is provided in the peeling attraction unit 90, and the peeling device 5 detects the load applied to the sharp member 91 using the load cell, so that the sharp member 91 is supported by the support substrate. Detecting contact with S.

上述したように支持基板Sの側面は断面視において略円弧状に形成されている。したがって、鋭利部材91が支持基板Sの接着剤G寄りの側面に当接することにより、支持基板Sには、上方向きの力が加わることとなる。   As described above, the side surface of the support substrate S is formed in a substantially arc shape in a sectional view. Therefore, when the sharp member 91 contacts the side surface of the support substrate S near the adhesive G, an upward force is applied to the support substrate S.

つづいて、図8Bに示すように、剥離装置5は、鋭利部材91をさらに前進させる。これにより、支持基板Sは、側面の湾曲に沿って上方へ押し上げられる。この結果、支持基板Sの一部が接着剤Gから剥離して剥離開始部位Mが形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 8B, the peeling device 5 further advances the sharp member 91. Thereby, the support substrate S is pushed upward along the curvature of the side surface. As a result, a part of the support substrate S is peeled off from the adhesive G, and a peeling start site M is formed.

なお、支持基板Sは第1保持部50には未だ保持されておらずフリーな状態であるため、支持基板Sの上方への移動が阻害されることがない。図8Bに示す処理において、鋭利部材91を前進させる距離d1は、たとえば2mm程度である。   Since the support substrate S is not yet held by the first holding unit 50 and is in a free state, the upward movement of the support substrate S is not hindered. In the process shown in FIG. 8B, the distance d1 for moving the sharp member 91 forward is, for example, about 2 mm.

剥離装置5は、剥離開始部位Mが形成されたことを確認する確認装置を備えていてもよい。たとえば、支持基板Sの上方に設置されるIR(Infrared)カメラを確認装置として用いることができる。   The peeling apparatus 5 may include a confirmation device that confirms that the peeling start site M has been formed. For example, an IR (Infrared) camera installed above the support substrate S can be used as the confirmation device.

赤外線は、支持基板Sにおいて被処理基板Wから剥離した部位と剥離していない部位とでその反射率が変化する。そこで、先ずIRカメラで支持基板Sを撮像することで、支持基板Sにおける赤外線の反射率の違い等が示された画像データが得られる。かかる画像データは制御装置30へ送信され、制御装置30では、この画像データに基づき、支持基板Sにおいて被処理基板Wから剥離した部位、すなわち剥離開始部位Mを検出することができる。   The reflectance of infrared rays varies depending on whether the support substrate S is peeled off from the substrate W to be processed or not. Therefore, by first imaging the support substrate S with an IR camera, image data showing the difference in the reflectance of infrared rays on the support substrate S is obtained. Such image data is transmitted to the control device 30, and the control device 30 can detect a part of the support substrate S peeled from the substrate W to be processed, that is, a peeling start part M.

剥離開始部位Mが検出された場合、剥離装置5は、後述する次の処理へ移行する。一方、制御装置30において剥離開始部位Mが検出されない場合、剥離装置5は、たとえば鋭利部材91をさらに前進させる、または鋭利部材91を一旦後退させて支持基板Sから離し、その後、図8A,図8Bに示す動作を再度実行するなどして、剥離開始部位Mを形成するようにする。このように、支持基板Sの剥離状態を確認する確認装置を設け、剥離状態に応じて剥離装置5を動作させることで、剥離開始部位Mを確実に形成することができる。   When the peeling start site M is detected, the peeling device 5 proceeds to the next process described later. On the other hand, when the peeling start site M is not detected in the control device 30, the peeling device 5 further advances the sharp member 91, for example, or retracts the sharp member 91 once to separate it from the support substrate S, and thereafter, FIG. The peeling start site M is formed by performing the operation shown in FIG. 8B again. Thus, the peeling start part M can be reliably formed by providing the confirmation apparatus which confirms the peeling state of the support substrate S, and operating the peeling apparatus 5 according to a peeling state.

剥離開始部位Mが形成されると、剥離装置5は、図8Cに示すように、回転昇降機構105(図4参照)を用いて第2保持部70およびフレーム保持部80を降下させつつ、鋭利部材91をさらに前進させる。これにより、被処理基板Wおよび接着剤Gには下方向きの力が加わり、鋭利部材91によって支持された支持基板Sには上方向きの力が加わる。これにより、剥離開始部位Mが拡大する。   When the peeling start site M is formed, the peeling device 5 sharpens while lowering the second holding unit 70 and the frame holding unit 80 using the rotary lifting mechanism 105 (see FIG. 4) as shown in FIG. 8C. The member 91 is further advanced. As a result, a downward force is applied to the substrate W and the adhesive G, and an upward force is applied to the support substrate S supported by the sharp member 91. Thereby, the peeling start site | part M expands.

なお、図8Cに示す処理において、鋭利部材91を前進させる距離d2は、たとえば1mm程度である。   In the process shown in FIG. 8C, the distance d2 for moving the sharp member 91 forward is, for example, about 1 mm.

このように、剥離装置5は、支持基板Sの接着剤G寄りの側面に鋭利部材91を突き当てることにより、支持基板Sが被処理基板Wから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Mを重合基板Tの側面に形成することができる。   In this way, the peeling device 5 makes the peeling start site M that causes the support substrate S to be peeled off from the substrate W to be processed by overlapping the sharp substrate 91 against the side surface of the support substrate S near the adhesive G. It can be formed on the side surface.

支持基板Sは、接着剤Gの約5〜15倍程度の厚みを有する。したがって、鋭利部材91を接着剤Gに当接させて剥離開始部位を形成する場合と比較して、鋭利部材91の鉛直方向の位置制御が容易である。   The support substrate S has a thickness of about 5 to 15 times that of the adhesive G. Therefore, compared with the case where the sharp member 91 is brought into contact with the adhesive G to form the peeling start portion, the vertical position control of the sharp member 91 is easy.

また、支持基板Sの接着剤G寄りの側面に鋭利部材91を当接させることによって、支持基板Sを被処理基板Wから引き剥がす方向の力(すなわち、上向きの力)を支持基板Sに加えることができる。しかも、支持基板Sの最外縁部に近い部位を持ち上げるため、支持基板Sを被処理基板Wから引き剥がす方向の力を支持基板Sに対して効率的に加えることができる。   Further, the sharp member 91 is brought into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G, whereby a force in the direction of peeling the support substrate S from the substrate W to be processed (that is, an upward force) is applied to the support substrate S. be able to. In addition, since the portion near the outermost edge portion of the support substrate S is lifted, a force in the direction of peeling the support substrate S from the substrate W can be efficiently applied to the support substrate S.

また、鋭利部材91を接着剤Gに突き当てる場合と比較して、鋭利部材91が被処理基板Wに接触する可能性を低下させることができる。したがって、鋭利部材91による被処理基板Wの損傷を防止することができる。   Further, as compared with the case where the sharp member 91 is abutted against the adhesive G, the possibility that the sharp member 91 contacts the substrate W to be processed can be reduced. Therefore, damage to the substrate W to be processed by the sharp member 91 can be prevented.

なお、「支持基板Sの接着剤G寄りの側面」は、より好ましくは、支持基板Sの接合面Sjから支持基板Sの厚みの1/4の位置までの側面、すなわち、鋭利部材91とのなす角度θが0度以上45度以下の側面であるのが好ましい。鋭利部材91とのなす角度θが小さいほど、支持基板Sを持ち上げる力を大きくすることができるためである。   The “side surface of the support substrate S near the adhesive G” is more preferably the side surface from the bonding surface Sj of the support substrate S to the position of ¼ of the thickness of the support substrate S, that is, the sharp member 91. It is preferable that the angle θ to be formed is a side face of 0 ° to 45 °. This is because as the angle θ formed with the sharp member 91 is smaller, the force for lifting the support substrate S can be increased.

また、支持基板Sと接着剤Gとの接着力が比較的弱い場合には、図8Aに示すように、鋭利部材91を支持基板Sの接着剤G寄りの側面に当接させるだけで剥離開始部位Mを形成することが可能である。この場合、図8Bおよび図8Cに示す動作を省略することができる。   Further, when the adhesive force between the support substrate S and the adhesive G is relatively weak, as shown in FIG. 8A, peeling is started by simply bringing the sharp member 91 into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G. The site M can be formed. In this case, the operation shown in FIGS. 8B and 8C can be omitted.

また、支持基板Sと接着剤Gとの接着力が比較的強い場合には、剥離装置5は、たとえば図8Cに示す状態からさらに回転昇降機構105を用いて重合基板Tを鉛直軸周りに回転させてもよい。これにより、剥離開始部位Mが重合基板Tの周方向に拡大するため、支持基板Sを被処理基板Wから剥がし易くすることができる。   When the adhesive force between the support substrate S and the adhesive G is relatively strong, the peeling device 5 further rotates the superposed substrate T around the vertical axis by using the rotary lifting mechanism 105 from the state shown in FIG. 8C, for example. You may let them. Thereby, since the peeling start site | part M expands in the circumferential direction of the superposition | polymerization board | substrate T, it can make it easy to peel the support substrate S from the to-be-processed substrate W. FIG.

ここで、鋭利部材91の刃先の形状について図9A〜図9Cを参照して説明する。図9A〜図9Cは、鋭利部材91の刃先の形状例を示す模式平面図である。   Here, the shape of the cutting edge of the sharp member 91 will be described with reference to FIGS. 9A to 9C. 9A to 9C are schematic plan views showing examples of the shape of the cutting edge of the sharp member 91. FIG.

図9Aに示すように、鋭利部材91の刃先911は、平面視において直線状に形成されていてもよい。しかし、図9Aに示すように、支持基板S(重合基板T)の周縁部は円弧状である。このため、鋭利部材91の刃先が平面視において直線状に形成されていると、平面視において支持基板Sと交わる刃先の2点(図9AのP1,P2)に対して負荷が集中し易く、刃こぼれ等が生じるおそれがある。   As shown in FIG. 9A, the cutting edge 911 of the sharp member 91 may be formed in a straight line in a plan view. However, as shown in FIG. 9A, the peripheral edge of the support substrate S (polymerized substrate T) has an arc shape. For this reason, when the cutting edge of the sharp member 91 is linearly formed in a plan view, the load is likely to concentrate on two points (P1 and P2 in FIG. 9A) of the cutting edge that intersect with the support substrate S in a plan view. Blade spillage may occur.

そこで、たとえば図9Bに示すように、鋭利部材91の刃先911は、支持基板Sの外周部の形状に沿って円弧状に窪んだ形状としてもよい。これにより、刃先911全体が均等に支持基板Sに接触するため、刃先911の特定箇所に負荷が集中することを防止することができる。   Therefore, for example, as shown in FIG. 9B, the cutting edge 911 of the sharp member 91 may have a shape recessed in an arc shape along the shape of the outer peripheral portion of the support substrate S. Thereby, since the whole blade edge | tip 911 contacts the support substrate S equally, it can prevent that load concentrates on the specific location of the blade edge | tip 911. FIG.

また、図9Cに示すように、鋭利部材91の刃先911は、その中心部が支持基板Sに向けて円弧状に突出した形状としてもよい。これにより、刃先911を直線状に形成した場合と比較して、刃先911のより多くの部分を重合基板T内に進入させることができるため、支持基板Sに上方向きの力を加えた際に鋭利部材91にかかる負荷をより広い面積で受けることができ、負荷の集中を防止することができる。   Further, as shown in FIG. 9C, the cutting edge 911 of the sharp member 91 may have a shape in which the central portion protrudes in an arc shape toward the support substrate S. Thereby, compared with the case where the blade edge 911 is formed in a straight line shape, a larger portion of the blade edge 911 can enter the superposed substrate T. Therefore, when an upward force is applied to the support substrate S, The load applied to the sharp member 91 can be received in a wider area, and concentration of the load can be prevented.

なお、刃先911の形状を図9Bに示す形状とした場合、支持基板Sは、鋭利部材91から均等な向きの力を受ける。一方、刃先911の形状を図9Cに示す形状とした場合には、支持基板Sは、鋭利部材91の刃先911の中心部を始点として拡散する向きの力を受けることとなる。   When the shape of the blade edge 911 is the shape shown in FIG. 9B, the support substrate S receives a force in an equal direction from the sharp member 91. On the other hand, when the shape of the blade edge 911 is the shape shown in FIG. 9C, the support substrate S receives a force in the direction of spreading starting from the center of the blade edge 911 of the sharp member 91.

ステップS103の剥離誘引処理を終えると、剥離装置5は、回転昇降機構105(図4参照)を用いて第2保持部70およびフレーム保持部80を上昇させて、重合基板Tの支持基板S側を第1保持部50の複数の吸着部52に当接させる(図7D参照)。そして、剥離装置5は、吸気装置524による吸気動作を開始させて、支持基板Sを第1保持部50で吸着保持する(ステップS104)。   When the peeling attraction process in step S103 is completed, the peeling device 5 raises the second holding unit 70 and the frame holding unit 80 by using the rotary elevating mechanism 105 (see FIG. 4), so that the superposed substrate T side of the support substrate S side. Are brought into contact with the plurality of suction parts 52 of the first holding part 50 (see FIG. 7D). Then, the peeling device 5 starts the suction operation by the suction device 524, and holds the support substrate S by suction with the first holding unit 50 (step S104).

つづいて、剥離装置5は、移動部60(図4参照)を動作させて(ステップS105)、第1保持部50の外周部の一部、具体的には、弾性部材51の延在部512(図5参照)を第2保持部70から離す方向に移動させる。これにより、剥離の最も起点側に配置される吸着部52が引っ張られて、支持基板Sが剥離開始部位Mを起点として被処理基板Wから剥離し始める(図7E参照)。   Subsequently, the peeling device 5 operates the moving unit 60 (see FIG. 4) (step S105), and a part of the outer peripheral portion of the first holding unit 50, specifically, the extending portion 512 of the elastic member 51 is obtained. (See FIG. 5) is moved away from the second holding unit 70. As a result, the suction portion 52 arranged closest to the starting point of peeling is pulled, and the support substrate S starts to peel from the substrate W to be processed starting from the peeling start site M (see FIG. 7E).

ここで、第1保持部50の弾性部材51は、弾性を有するため、移動部60が第1保持部50を引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って柔軟に変形する。このため、被処理基板Wに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Sを被処理基板Wから剥離させることができる。しかも、弾性部材51が柔軟性を有することで、支持基板Sを被処理基板Wから剥離させる力に「粘り」を加えることができるため、支持基板Sを被処理基板Wから効率良く剥離させることができる。   Here, since the elastic member 51 of the first holding unit 50 has elasticity, when the moving unit 60 pulls the first holding unit 50, the elastic member 51 is flexibly deformed along with the pulling. For this reason, the supporting substrate S can be peeled from the substrate to be processed W without applying a large load to the substrate to be processed W. In addition, since the elastic member 51 has flexibility, it is possible to apply “stickiness” to the force for peeling the support substrate S from the substrate W, so that the support substrate S can be efficiently peeled from the substrate W. Can do.

また、上述したように、弾性部材51に延在部512を設け、かかる延在部512に移動部60の支柱部材61を接続することとしたため、支持基板Sを引っ張る力に回転力(モーメント)を加えることができる。したがって、支持基板Sをその外縁部からめくり上げるようにして引っ張ることができるため、支持基板Sを被処理基板Wから効率的に剥離させることができる。   In addition, as described above, the extending portion 512 is provided in the elastic member 51, and the support member 61 of the moving unit 60 is connected to the extending portion 512. Therefore, a rotational force (moment) is included in the force pulling the support substrate S. Can be added. Therefore, since the support substrate S can be pulled up from the outer edge portion, the support substrate S can be efficiently separated from the substrate W to be processed.

その後、剥離装置5は、移動部60を用いて第1保持部50をさらに引っ張り上げる。これにより、支持基板SにおけるX軸負方向側の端部からX軸正方向側の端部へ向けて剥離が連続的に進行していき(図7F参照)、最終的に、被処理基板Wから支持基板Sが剥離する(図7G参照)。その後、剥離装置5は、剥離処理を終了する。   Thereafter, the peeling device 5 further pulls up the first holding unit 50 using the moving unit 60. As a result, the peeling proceeds continuously from the end on the X axis negative direction side to the end on the X axis positive direction side of the support substrate S (see FIG. 7F). The support substrate S is peeled off (see FIG. 7G). Thereafter, the peeling device 5 ends the peeling process.

上述してきたように、本実施形態に係る剥離装置5は、第1保持部50と、第2保持部70と、移動部60とを備える。第1保持部50は、支持基板S(第1基板の一例に相当)と被処理基板W(第2基板の一例に相当)とが接合された重合基板Tのうち支持基板Sを保持する。第2保持部70は、重合基板Tのうち被処理基板Wを保持する。移動部60は、第1保持部50の外周部の一部を第2保持部70から離す方向へ移動させる。また、第1保持部50は、移動部60に接続される薄板状の弾性部材51と、弾性部材51に設けられ、支持基板Sを吸着する複数の吸着部52とを備える。したがって、本実施形態に係る剥離装置5によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。   As described above, the peeling device 5 according to this embodiment includes the first holding unit 50, the second holding unit 70, and the moving unit 60. The first holding unit 50 holds the support substrate S in the superposed substrate T in which the support substrate S (corresponding to an example of the first substrate) and the target substrate W (corresponding to an example of the second substrate) are bonded. The second holding unit 70 holds the substrate W to be processed among the superposed substrates T. The moving unit 60 moves a part of the outer periphery of the first holding unit 50 in a direction away from the second holding unit 70. In addition, the first holding unit 50 includes a thin plate-like elastic member 51 connected to the moving unit 60 and a plurality of adsorbing units 52 that are provided on the elastic member 51 and adsorb the support substrate S. Therefore, according to the peeling apparatus 5 which concerns on this embodiment, efficiency improvement of a peeling process can be achieved.

<4.その他の実施形態>
ところで、第1保持部50の構成は、上述してきた実施形態において示した構成に限定されない。そこで、以下では、第1保持部50の他の構成例について図10A〜図10Eを参照して説明する。図10A〜図10Eは、第1〜第5の変形例に係る第1保持部の模式平面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
<4. Other Embodiments>
By the way, the structure of the 1st holding | maintenance part 50 is not limited to the structure shown in embodiment mentioned above. Therefore, in the following, another configuration example of the first holding unit 50 will be described with reference to FIGS. 10A to 10E. 10A to 10E are schematic plan views of the first holding unit according to the first to fifth modifications. In the following description, parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.

たとえば、図10Aに示すように、第1の変形例に係る第1保持部50Aの弾性部材51Aは、環状の本体部511(図5参照)に代えて、中空部を有しない円板形状の本体部511Aを備える。   For example, as shown in FIG. 10A, the elastic member 51A of the first holding portion 50A according to the first modification is a disc-shaped member that does not have a hollow portion instead of the annular main body portion 511 (see FIG. 5). A main body 511A is provided.

かかる本体部511Aには、剥離の最も起点側に配置される吸着部52A1、2つの吸着部52A2からなる第1吸着部群、3つの吸着部52A3からなる第2吸着部群、および、3つの吸着部52A4からなる第3吸着部群が設けられる。第1〜第3吸着部群は、剥離の進行方向に沿って第1吸着部群、第2吸着部群および第3吸着部群の順に配置される。   The main body portion 511A includes a suction portion 52A, a first suction portion group including two suction portions 52A2, a second suction portion group including three suction portions 52A3, and three A third suction unit group including the suction unit 52A4 is provided. The first to third adsorption unit groups are arranged in the order of the first adsorption unit group, the second adsorption unit group, and the third adsorption unit group along the peeling progress direction.

第1吸着部群に含まれる2つの吸着部52A2は、剥離の進行方向(X軸正方向)に対して直交する方向(Y軸方向)に並べて配置される(図10Aに示す仮想線L1参照)。同様に、第2吸着部群に含まれる3つの吸着部52A3および第3吸着部群に含まれる3つの吸着部52A4も、剥離の進行方向に対して直交する方向(Y軸方向)に並べて配置される(図10Aに示す仮想線L2,L3参照)。   The two suction portions 52A2 included in the first suction portion group are arranged side by side in a direction (Y-axis direction) orthogonal to the advancing direction of peeling (X-axis positive direction) (see the imaginary line L1 shown in FIG. 10A). ). Similarly, the three suction portions 52A3 included in the second suction portion group and the three suction portions 52A4 included in the third suction portion group are also arranged side by side in a direction orthogonal to the advancing direction of the peeling (Y-axis direction). (See virtual lines L2 and L3 shown in FIG. 10A).

このように、第1保持部50Aが備える複数の吸着部52A1,52A2,52A3,52A4のうち、剥離の最も起点側に設けられる吸着部52A1以外の吸着部52A2,52A3,52A4は、それぞれ剥離の進行方向に対して直交する方向に並べて、かつ、剥離の進行方向に対して多段に配置される。   As described above, among the plurality of suction portions 52A1, 52A2, 52A3, and 52A4 provided in the first holding portion 50A, the suction portions 52A2, 52A3, and 52A4 other than the suction portion 52A1 provided on the most starting side of the separation are respectively separated. They are arranged in a direction perpendicular to the traveling direction and arranged in multiple stages with respect to the traveling direction of peeling.

すなわち、複数の吸着部52A2,52A3,52A4が、剥離の進行方向に合わせて配置されるため、支持基板Sを被処理基板Wから効率的に剥離させることができる。   That is, since the plurality of suction portions 52A2, 52A3, and 52A4 are arranged in accordance with the peeling progress direction, the support substrate S can be efficiently peeled from the substrate W to be processed.

また、剥離の最も起点側すなわち剥離開始部位Mに対応する位置に吸着部52A1を配置することにより、剥離開始部位Mを起点とする支持基板Sの剥離を確実に開始させることができる。   In addition, by disposing the suction portion 52A1 at the position corresponding to the peeling start site M, that is, the position corresponding to the peeling start site M, it is possible to reliably start the peeling of the support substrate S starting from the peeling start site M.

また、図10Bに示すように、第2の変形例に係る第1保持部50Bは、弾性部材51Aの本体部511Aに、1つの吸着部52B1と、3つの吸着部52B2からなる第1吸着部群と、3つの吸着部52B3からなる第2吸着部群と、3つの吸着部52B4からなる第3吸着部群とを備える。吸着部52B1は、剥離の最も起点側に剥離開始部位Mに対応して配置され、第1〜第3吸着部群は、剥離の進行方向に沿って第1吸着部群、第2吸着部群および第3吸着部群の順に配置される。   As shown in FIG. 10B, the first holding unit 50B according to the second modified example includes a first adsorbing part including one adsorbing part 52B1 and three adsorbing parts 52B2 on the main body part 511A of the elastic member 51A. A group, a second adsorption unit group including three adsorption units 52B3, and a third adsorption unit group including three adsorption units 52B4. The adsorbing part 52B1 is arranged corresponding to the peeling start site M on the most starting side of the peeling, and the first to third adsorbing part groups are a first adsorbing part group and a second adsorbing part group along the advancing direction of the peeling. And it arrange | positions in order of a 3rd adsorption | suction part group.

第1吸着部群に含まれる3つの吸着部52B2は、剥離の進行方向(X軸正方向)に膨らむ円弧状に並べて配置される(図10Bの仮想線L4参照)。同様に、第2吸着部群に含まれる3つの吸着部52B3および第3吸着部群に含まれる3つの吸着部52B4も、剥離の進行方向に膨らむ円弧状に並べて配置される(図10Bに示す仮想線L5,L6参照)。   The three adsorbing parts 52B2 included in the first adsorbing part group are arranged side by side in an arc shape that swells in the advancing direction (X-axis positive direction) (see the imaginary line L4 in FIG. 10B). Similarly, the three adsorbing parts 52B3 included in the second adsorbing part group and the three adsorbing parts 52B4 included in the third adsorbing part group are also arranged side by side in an arc shape that swells in the peeling progress direction (shown in FIG. 10B). (See virtual lines L5 and L6).

このように、剥離の最も起点側に設けられる吸着部52B1以外の吸着部52B2,52B3,52B4は、それぞれ剥離の進行方向に膨らむ円弧状に並べて、かつ、剥離の進行方向に対して多段に配置される。   In this way, the suction portions 52B2, 52B3, 52B4 other than the suction portion 52B1 provided on the most starting side of peeling are arranged in an arc shape that swells in the peeling progress direction, and arranged in multiple stages with respect to the peeling progress direction. Is done.

支持基板Sの被処理基板Wからの剥離は、平面視において円弧状に進行する。したがって、複数の吸着部52B2,52B3,52B4をそれぞれ剥離の進行方向に膨らむ円弧状に並べて配置することで、支持基板Sを被処理基板Wから効率的に剥離させることができる。また、剥離途中の支持基板Sをより適切に吸着保持しておくことができる。   The separation of the support substrate S from the target substrate W proceeds in an arc shape in plan view. Therefore, the support substrate S can be efficiently peeled from the substrate W to be processed by arranging the plurality of suction portions 52B2, 52B3, 52B4 in an arc shape that swells in the peeling progress direction. Further, the supporting substrate S in the middle of peeling can be more appropriately attracted and held.

また、支持基板Sと被処理基板Wとの剥離の境界線は、剥離の初期段階においては円弧状であるが、剥離が進行するに従って、剥離の進行方向に対して直交する方向(Y軸方向)に延びる直線状に徐々に変化していく。   In addition, the boundary line of separation between the support substrate S and the substrate W to be processed has an arc shape in the initial stage of separation, but as the separation progresses, the direction perpendicular to the progressing direction of the separation (Y-axis direction) ) Gradually changes to a straight line extending to.

このため、複数の吸着部52B2,52B3,52B4がそれぞれ描く円弧(図10Bに示す仮想線L4〜L6)の曲率は、剥離の終端側に近付くにつれて徐々に小さくなる(すなわち、直線に近付く)ことが好ましい。   For this reason, the curvature of the circular arcs (imaginary lines L4 to L6 shown in FIG. 10B) drawn by each of the plurality of adsorbing portions 52B2, 52B3, 52B4 gradually decreases (that is, approaches a straight line) as it approaches the terminal end side of peeling. Is preferred.

また、図10Cに示すように、第3の変形例に係る第1保持部50Cは、弾性部材51Aの本体部511Aに、1つの吸着部52C1と、3つの吸着部52C2からなる第1吸着部群と、3つの吸着部52C3からなる第2吸着部群と、3つの吸着部52C4からなる第3吸着部群とを備える。吸着部52C1は、剥離の最も起点側に剥離開始部位Mに対応して配置され、第1〜第3吸着部群は、剥離の進行方向に沿って第1吸着部群、第2吸着部群および第3吸着部群の順に配置される。   Further, as shown in FIG. 10C, the first holding unit 50C according to the third modified example includes a first adsorbing unit including one adsorbing unit 52C1 and three adsorbing units 52C2 on the main body 511A of the elastic member 51A. A group, a second adsorption unit group including three adsorption units 52C3, and a third adsorption unit group including three adsorption units 52C4. The adsorbing part 52C1 is arranged corresponding to the peeling start site M on the most starting side of peeling, and the first to third adsorbing part groups are a first adsorbing part group and a second adsorbing part group along the advancing direction of peeling. And it arrange | positions in order of a 3rd adsorption | suction part group.

かかる第3の変形例に係る第1保持部50Cは、第2の変形例に係る第1保持部50Bが備える複数の吸着部52B1,52B2,52B3,52B4のうち、剥離の最も終点側に配置される3つの吸着部52B4の並びを、剥離の進行方向に対して直交する方向に変更したものである。   The first holding unit 50C according to the third modification is arranged on the most end point side of the peeling among the plurality of suction parts 52B1, 52B2, 52B3, 52B4 provided in the first holding unit 50B according to the second modification. The arrangement of the three adsorbing portions 52B4 is changed in a direction orthogonal to the advancing direction of peeling.

すなわち、第1吸着部群に含まれる3つの吸着部52C2および第2吸着部群に含まれる3つの吸着部52C3は、剥離の進行方向に膨らむ円弧状に並べて配置され(図10Cの仮想線L7,L8参照)、第3吸着部群に含まれる3つの吸着部52C4は、剥離の進行方向に対して直交する方向に並べて配置される(図10Cに示す仮想線L9参照)。   That is, the three adsorbing parts 52C2 included in the first adsorbing part group and the three adsorbing parts 52C3 included in the second adsorbing part group are arranged side by side in an arc shape that swells in the advancing direction of peeling (imaginary line L7 in FIG. 10C). , L8), the three adsorbing portions 52C4 included in the third adsorbing portion group are arranged side by side in a direction orthogonal to the advancing direction of the peeling (see an imaginary line L9 shown in FIG. 10C).

上述したように、支持基板Sと被処理基板Wとの剥離の境界線は、剥離が進行するに従って円弧状から直線状に変化していく。したがって、複数の吸着部52C1,52C2,52C3,52C4のうち、剥離の起点側に配置される吸着部群(ここでは、吸着部52C2,52C3)を、剥離の進行方向に膨らむ円弧状に並べて配置するとともに、これらの吸着部52C2,52C3よりも剥離の終点側に配置される吸着部群(ここでは、吸着部52C4)を、剥離の進行方向に対して直交する方向に並べて配置してもよい。   As described above, the boundary line between the support substrate S and the substrate to be processed W changes from an arc shape to a linear shape as the separation progresses. Therefore, among the plurality of suction portions 52C1, 52C2, 52C3, and 52C4, the suction portion group (here, the suction portions 52C2 and 52C3) disposed on the separation start side is arranged in an arc shape that swells in the progress direction of separation. At the same time, the adsorption unit group (here, adsorption unit 52C4) arranged closer to the end point of separation than these adsorption units 52C2 and 52C3 may be arranged side by side in a direction orthogonal to the advancing direction of separation. .

また、第4の変形例に係る第1保持部50Dは、弾性部材51Aの本体部511Aに、1つの吸着部52D1と、2つの吸着部52D2からなる第1吸着部群と、3つの吸着部52D3からなる第2吸着部群と、3つの吸着部52D4からなる第3吸着部群とを備える。吸着部52D1は、剥離の最も起点側に剥離開始部位Mに対応して配置され、第1〜第3吸着部群は、剥離の進行方向に沿って第1吸着部群、第2吸着部群および第3吸着部群の順に配置される。   In addition, the first holding unit 50D according to the fourth modification includes a main body portion 511A of the elastic member 51A, a first suction portion group including one suction portion 52D1, two suction portions 52D2, and three suction portions. A second adsorption unit group including 52D3 and a third adsorption unit group including three adsorption units 52D4. The adsorbing part 52D1 is arranged corresponding to the peeling start site M on the most starting side of peeling, and the first to third adsorbing part groups are a first adsorbing part group and a second adsorbing part group along the advancing direction of the peeling. And it arrange | positions in order of a 3rd adsorption | suction part group.

かかる第1保持部50Dでは、各吸着部52D1,52D2,52D3,52D4の吸着面積が、剥離の終点側に近付くにつれて徐々に大きくなるように構成される。すなわち、剥離の最も起点側に配置される吸着部52D1の吸着面積が最も小さく、剥離の最も終点側に配意される3つの吸着部52D4の吸着面積が最も大きくなるように構成される。   The first holding unit 50D is configured such that the suction area of each of the suction parts 52D1, 52D2, 52D3, and 52D4 gradually increases as it approaches the end point of peeling. That is, the adsorption area of the adsorption part 52D1 arranged on the most starting point side of the peeling is the smallest, and the adsorption area of the three adsorption parts 52D4 arranged on the most end point side of the peeling is the largest.

このように、複数の吸着部52D1,52D2,52D3,52D4は、剥離の終点側に近付くにつれて吸着面積が徐々に大きくなるように構成されてもよい。   As described above, the plurality of suction portions 52D1, 52D2, 52D3, and 52D4 may be configured such that the suction area gradually increases as the end point of peeling is approached.

また、第5の変形例に係る第1保持部50Eは、弾性部材51Aの本体部511Aに複数の吸着部を備える。そして、第1保持部50Eが備える複数の吸着部のうち、剥離の最も起点側に配置される吸着部52Eは、本体部511Aの外縁側、すなわち、支持基板Sの外縁側に位置する部分525が支持基板Sの外縁に沿って弧状に形成される。   Moreover, the 1st holding | maintenance part 50E which concerns on a 5th modification equips the main-body part 511A of 51 A of elastic members with a some adsorption | suction part. Of the plurality of suction parts provided in the first holding part 50E, the suction part 52E disposed on the most starting point side of the peeling is a part 525 located on the outer edge side of the main body part 511A, that is, on the outer edge side of the support substrate S. Are formed in an arc shape along the outer edge of the support substrate S.

これにより、支持基板Sの最外縁部により近い領域に吸着部52Eを配置することができる。したがって、支持基板Sを被処理基板Wから引き剥がす方向の力を支持基板Sに対して効率的に加えることができる。   Thereby, the adsorption | suction part 52E can be arrange | positioned to the area | region nearer the outermost edge part of the support substrate S. FIG. Therefore, a force in the direction of peeling the support substrate S from the substrate W can be efficiently applied to the support substrate S.

また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gによって接合された重合基板Tである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Tに限定されない。たとえば、剥離装置5では、SOI基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。   Further, in the embodiment described above, an example in which the superposed substrate to be peeled is the superposed substrate T in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded by the adhesive G has been described. However, the superposition | polymerization board | substrate used as the peeling object of a peeling apparatus is not limited to this superposition | polymerization board | substrate T. FIG. For example, in the peeling apparatus 5, in order to generate an SOI substrate, a superposed substrate in which a donor substrate on which an insulating film is formed and a substrate to be processed are bonded to each other can be a peeling target.

ここで、SOI基板の製造方法について図11Aおよび図11Bを参照して説明する。図11Aおよび図11Bは、SOI基板の製造工程を示す模式図である。図11Aに示すように、SOI基板を形成するための重合基板Taは、ドナー基板Kとハンドル基板Hとを接合することによって形成される。   Here, a method for manufacturing an SOI substrate will be described with reference to FIGS. 11A and 11B. FIG. 11A and FIG. 11B are schematic views showing the manufacturing process of the SOI substrate. As shown in FIG. 11A, the polymerization substrate Ta for forming the SOI substrate is formed by bonding the donor substrate K and the handle substrate H.

ドナー基板Kは、表面に絶縁膜6が形成されるとともに、ハンドル基板Hと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層7が形成された基板である。また、ハンドル基板Hとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。   The donor substrate K is a substrate in which the insulating film 6 is formed on the surface and the hydrogen ion implantation layer 7 is formed at a predetermined depth near the surface to be bonded to the handle substrate H. As the handle substrate H, for example, a silicon wafer, a glass substrate, a sapphire substrate, or the like can be used.

剥離装置5では、たとえば、第1保持部50でドナー基板Kを保持し、第2保持部70でハンドル基板Hを保持した状態で、移動部60を用いて重合基板Taの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Kに形成された水素イオン注入層7に対して機械的衝撃を与える。これにより、図11Bに示すように、水素イオン注入層7内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Kからシリコン層8が剥離する。その結果、ハンドル基板Hの上面に絶縁膜6とシリコン層8とが転写され、SOI基板Waが形成される。なお、第1保持部50でハンドル基板Hを保持し、第2保持部70でドナー基板Kを保持してもよい。   In the peeling apparatus 5, for example, in a state where the donor substrate K is held by the first holding unit 50 and the handle substrate H is held by the second holding unit 70, a part of the outer peripheral portion of the superposed substrate Ta using the moving unit 60. Is applied to the hydrogen ion implantation layer 7 formed on the donor substrate K. Thereby, as shown in FIG. 11B, the silicon-silicon bond in the hydrogen ion implantation layer 7 is cut, and the silicon layer 8 is peeled from the donor substrate K. As a result, the insulating film 6 and the silicon layer 8 are transferred onto the upper surface of the handle substrate H, and the SOI substrate Wa is formed. The handle substrate H may be held by the first holding unit 50, and the donor substrate K may be held by the second holding unit 70.

また、上述してきた実施形態では、被処理基板Wと支持基板Sとを接着剤Gを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Wj,Sjを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。   Further, in the embodiment described above, an example in the case where the target substrate W and the support substrate S are bonded using the adhesive G has been described. However, the bonding surfaces Wj and Sj are divided into a plurality of regions, and each region is divided. Adhesives with different adhesive strengths may be applied.

また、上述した実施形態では、重合基板Tが、ダイシングフレームFに保持される場合の例について説明したが、重合基板Tは、必ずしもダイシングフレームFに保持されることを要しない。   In the above-described embodiment, an example in which the superposed substrate T is held by the dicing frame F has been described. However, the superposed substrate T is not necessarily held by the dicing frame F.

また、上述した実施形態では、剥離誘引部90が備える鋭利部材91が平刃である場合の例について説明したが、鋭利部材91は、たとえばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いてもよい。   In the above-described embodiment, an example in which the sharp member 91 included in the peeling attraction part 90 is a flat blade has been described. However, the sharp member 91 may be a razor blade, a roller blade, an ultrasonic cutter, or the like. Good.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。   Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

F ダイシングフレーム
P ダイシングテープ
S 支持基板
T 重合基板
W 被処理基板
1 剥離システム
5 剥離装置
10 第1処理ブロック
15 剥離ステーション
20 第2処理ブロック
30 制御装置
50 第1保持部
51 弾性部材
52 吸着部
60 移動部
61 支柱部材
62 移動機構
63 ロードセル
70 第2保持部
80 フレーム保持部
90 剥離誘引部
91 鋭利部材
511 本体部
512 延在部
521 本体部
522 吸着パッド
F Dicing frame P Dicing tape S Support substrate T Superposition substrate W Substrate 1 Peeling system 5 Peeling device 10 Peeling device 10 Peeling station 20 Peeling station 20 Second treatment block 30 Control device 50 First holding part 51 Elastic member 52 Adsorption part 60 Moving part 61 Strut member 62 Moving mechanism 63 Load cell 70 Second holding part 80 Frame holding part 90 Peeling and attracting part 91 Sharp member 511 Main body part 512 Extension part 521 Main body part 522 Suction pad

Claims (8)

第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
板状の弾性部材と、
前記弾性部材に設けられ、前記第1基板を吸着する複数の吸着部と
を備え
前記弾性部材は、
前記第1基板の外周部と対向する円環状の本体部と、
前記移動部に接続され、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部と
を備え、
前記複数の吸着部は、前記本体部に対して円環状に並べて配置され、かつ、前記複数の吸着部のうち1つは、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部に配置されることを特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A thin plate-shaped elastic member,
A plurality of adsorbing portions provided on the elastic member and adsorbing the first substrate ;
The elastic member is
An annular main body facing the outer periphery of the first substrate;
An extension part connected to the moving part and extending a part of the outer peripheral part located on the most starting side of the peeling to the opposite side of the peeling progress direction, of the outer peripheral part of the main body part;
With
The plurality of suction portions are arranged in an annular shape with respect to the main body portion, and one of the plurality of suction portions is positioned on the outermost peripheral portion of the main body portion on the most starting side of peeling. A peeling apparatus, which is disposed on an outer peripheral portion .
第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
板状の弾性部材と、
前記弾性部材に設けられ、前記第1基板を吸着する複数の吸着部と
を備え
前記弾性部材は、
円板形状の本体部と、
前記移動部に接続され、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部と
を備え、
前記複数の吸着部は、
剥離の最も起点側に配置される1つの吸着部と、
剥離の進行方向に対して直交する方向に並べて、かつ、該進行方向に対して多段に配置される複数の吸着部群と
を含むことを特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A thin plate-shaped elastic member,
A plurality of adsorbing portions provided on the elastic member and adsorbing the first substrate ;
The elastic member is
A disc-shaped main body,
An extension part connected to the moving part and extending a part of the outer peripheral part located on the most starting side of the peeling to the opposite side of the peeling progress direction, of the outer peripheral part of the main body part;
With
The plurality of adsorption portions are
One adsorbing portion arranged on the most starting side of peeling;
A plurality of adsorption unit groups arranged in a direction orthogonal to the advancing direction of peeling and arranged in multiple stages with respect to the advancing direction;
The peeling apparatus characterized by including .
第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
板状の弾性部材と、
前記弾性部材に設けられ、前記第1基板を吸着する複数の吸着部と
を備え
前記弾性部材は、
円板形状の本体部と、
前記移動部に接続され、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部と
を備え、
前記複数の吸着部は、
剥離の最も起点側に配置される1つの吸着部と、
剥離の進行方向に膨らむ円弧状に並べて、かつ、該進行方向に対して多段に配置される複数の吸着部群と
を含むことを特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A thin plate-shaped elastic member,
A plurality of adsorbing portions provided on the elastic member and adsorbing the first substrate ;
The elastic member is
A disc-shaped main body,
An extension part connected to the moving part and extending a part of the outer peripheral part located on the most starting side of the peeling to the opposite side of the peeling progress direction, of the outer peripheral part of the main body part;
With
The plurality of adsorption portions are
One adsorbing portion arranged on the most starting side of peeling;
A plurality of adsorbing part groups arranged in an arc shape that swells in the advancing direction of separation and arranged in multiple stages in the advancing direction
The peeling apparatus characterized by including .
第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
板状の弾性部材と、
前記弾性部材に設けられ、前記第1基板を吸着する複数の吸着部と
を備え
前記弾性部材は、
円板形状の本体部と、
前記移動部に接続され、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部と
を備え、
前記複数の吸着部は、
剥離の最も起点側に配置される1つの吸着部と、
剥離の進行方向に対して多段に配置される複数の吸着部群と
を含み、
前記複数の吸着部群のうち、剥離の起点側に配置される吸着部群は、
剥離の進行方向に膨らむ円弧状に並べて配置され、
前記複数の吸着部群のうち、前記剥離の起点側に配置される吸着部群よりも剥離の終点側に配置される吸着部群は、
剥離の進行方向に対して直交する方向に並べて配置されることを特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A thin plate-shaped elastic member,
A plurality of adsorbing portions provided on the elastic member and adsorbing the first substrate ;
The elastic member is
A disc-shaped main body,
An extension part connected to the moving part and extending a part of the outer peripheral part located on the most starting side of the peeling to the opposite side of the peeling progress direction, of the outer peripheral part of the main body part;
With
The plurality of adsorption portions are
One adsorbing portion arranged on the most starting side of peeling;
A plurality of adsorption unit groups arranged in multiple stages with respect to the direction of peeling
Including
Among the plurality of suction part groups, the suction part group arranged on the starting side of the peeling is
Arranged in an arc shape that swells in the direction of peeling,
Among the plurality of adsorption unit groups, the adsorption unit group disposed on the end point side of the separation than the adsorption unit group disposed on the start side of the separation,
A peeling apparatus characterized by being arranged side by side in a direction perpendicular to the advancing direction of peeling.
第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
板状の弾性部材と、
前記弾性部材に設けられ、前記第1基板を吸着する複数の吸着部と
を備え
前記弾性部材は、
円板形状の本体部と、
前記移動部に接続され、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部と
を備え、
前記複数の吸着部は、
剥離の最も起点側に配置される1つの吸着部と、剥離の進行方向に対して直交する方向に並べて、かつ、該進行方向に対して多段に配置される複数の吸着部群とを含み、かつ、剥離の終点側に近付くにつれて吸着面積が大きくなるように構成されることを特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A thin plate-shaped elastic member,
A plurality of adsorbing portions provided on the elastic member and adsorbing the first substrate ;
The elastic member is
A disc-shaped main body,
An extension part connected to the moving part and extending a part of the outer peripheral part located on the most starting side of the peeling to the opposite side of the peeling progress direction, of the outer peripheral part of the main body part;
With
The plurality of adsorption portions are
Including one adsorbing portion arranged on the most starting point side of peeling, and a plurality of adsorbing portion groups arranged in multiple stages with respect to the traveling direction, arranged in a direction orthogonal to the traveling direction of peeling, And the peeling apparatus comprised so that an adsorption | suction area may become large as it approaches the end point side of peeling.
前記複数の吸着部のうち、剥離の最も起点側に配置される吸着部は、
前記第1基板の外縁に対応する部分が該外縁に沿って弧状に形成されること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の剥離装置。
Among the plurality of suction portions, the suction portion disposed on the most starting side of peeling is
The peeling apparatus according to claim 1, wherein a portion corresponding to the outer edge of the first substrate is formed in an arc shape along the outer edge.
第1基板と第2基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置によって搬送された重合基板を前記第1基板と前記第2基板とに剥離する剥離装置が配置される剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
板状の弾性部材と、
前記弾性部材に設けられ、前記第1基板の板面に吸着する複数の吸着部と
を備え
前記弾性部材は、
前記第1基板の外周部と対向する円環状の本体部と、
前記移動部に接続され、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部と
を備え、
前記複数の吸着部は、前記本体部に対して円環状に並べて配置され、かつ、前記複数の吸着部のうち1つは、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部に配置されることを特徴とする剥離システム。
A loading / unloading station on which a superposed substrate in which the first substrate and the second substrate are bonded is placed;
A substrate transfer device for transferring the superposed substrate placed on the carry-in / out station;
A peeling station where a peeling device for peeling the superposed substrate transferred by the substrate transfer device into the first substrate and the second substrate is disposed;
The peeling device is
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A thin plate-shaped elastic member,
A plurality of adsorbing portions provided on the elastic member and adsorbing to the plate surface of the first substrate ;
The elastic member is
An annular main body facing the outer periphery of the first substrate;
An extension part connected to the moving part and extending a part of the outer peripheral part located on the most starting side of the peeling to the opposite side of the peeling progress direction, of the outer peripheral part of the main body part;
With
The plurality of suction portions are arranged in an annular shape with respect to the main body portion, and one of the plurality of suction portions is positioned on the outermost peripheral portion of the main body portion on the most starting side of peeling. A peeling system characterized in that it is arranged on the outer periphery .
薄板状の弾性部材と、前記弾性部材に設けられ、第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を吸着する複数の吸着部とを備え、前記弾性部材は、前記第1基板の外周部と対向する円環状の本体部と、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部の一部を剥離の進行方向とは反対側へ向けて延在させた延在部とを備え、前記複数の吸着部は、前記本体部に対して円環状に並べて配置され、かつ、前記複数の吸着部のうち1つは、前記本体部の外周部のうち、剥離の最も起点側に位置する外周部に配置される第1保持部によって、前記重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持工程と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部によって、前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持工程と、
前記第1保持部の前記延在部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部によって、前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動工程と
を含むことを特徴とする剥離方法。
A thin plate-like elastic member, and a plurality of adsorbing portions that are provided on the elastic member and adsorb the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are joined , An annular main body portion facing the outer peripheral portion of the first substrate, and a part of the outer peripheral portion located closest to the starting point of the peeling of the outer peripheral portion of the main body portion is directed to the side opposite to the peeling progress direction. And the plurality of suction portions are arranged in an annular shape with respect to the main body portion, and one of the plurality of suction portions is an outer periphery of the main body portion. A first holding step of holding the first substrate among the superposed substrates by a first holding portion disposed on the outer peripheral portion located on the most starting side of the peeling among the portions ;
A second holding step of holding the second substrate of the superposed substrates by a second holding unit that holds the second substrate of the superposed substrates;
The moving unit that moves in a direction away said extending portion of the first holding portion from said second holding unit, the mobile that moves in the direction to separate the part of the outer peripheral portion of the first holding portion from the second holding portion The peeling method characterized by including these processes.
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