JP5658691B2 - フォトン冷却依存レーザー電圧を使用するレーザーダイオードのための出力パワーの安定化 - Google Patents
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Description
V=(I*R0)/(T―T1)+Vt*ln(1+(I/(I0*(T―T1)))) (方程式1)
と記載されることができ、ここで、Iはレーザー電流、Vはレーザー電圧、Tは内部レーザー温度、即ちキャビティ内部の温度を表している。R0、T1、Vt及びI0は、VCSELの特性パラメータである。特に、これらのパラメータは、ドーピングプロファイル、作動直径(active diameter)等のような、生産パラメータに依存しており、低いロット間精度のみによって制御されることができる。
T=Ths+(V*I ― Popt)*Rt (方程式2)
によって与えられる。
抵抗23及び24のための2kΩ抵抗、
抵抗29のための100kΩ抵抗、
ポテンショメータ28のための10kΩ最大抵抗、及び
オペアンプ27としてのLM324モジュール
の構成要素を使用して実現されることができる。
3 第1のレーザーダイオード
5 第2のレーザーダイオード
6 レーザーダイオード3、5の下方ブラッグ反射体スタック
7 レーザーダイオード3、5の上方ブラッグ反射体スタック
9 レーザーダイオード3、5の量子井戸
11 レーザーダイオード3、5の電流開口
12 レーザーダイオード3、5のリング接触
13 レーザーダイオード3、5の共通の陰極端子接触
15 レーザーダイオード5の上方ブラッグ反射体スタック7上の表面エッチング
20 フィードバックループ制御回路
21 オペアンプ27の出力21
22 アース
23、24、29 抵抗
25、26 タップ位置
27 オペアンプ
28 ポテンショメータ
31 レーザーダイオード3陽極端子接触
51 レーザーダイオード5の陽極端子接触
Claims (14)
- ダイと、前記ダイ上の第1のレーザーダイオード及び第2のレーザーダイオードとを有するレーザー装置であって、前記第2のレーザーダイオードは、前記第1のレーザーダイオード光軸に対して横方向にオフセットされて配されており、前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードの各々は、供給電圧を印加するための少なくとも1つの電気的接続端子を有しており、この結果、様々な電圧が前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードに印加されることができ、前記第1のレーザーダイオードは、十分な電圧が印加されるとレーザー光を発することができ、前記第2のレーザーダイオードは、前記第1のレーザーダイオードがレーザー光を発するのに十分な供給電圧が印加された場合のレージングを回避する構造を有し、前記レーザー装置が、前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードに接続されている制御回路であって、前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードの両端の電圧の差に基づいて前記レーザー出力パワーを安定化する制御回路を有する、レーザー装置。
- 入力パラメータとして前記レーザー電圧を使用する前記レーザーパワーを安定化させる制御回路を更に有する、請求項1に記載のレーザー装置。
- 前記制御回路は、前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードの動作電圧の差を設定することによって出力パワーを設定する設定手段を更に有する、請求項1乃至2の何れか一項に記載のレーザー装置。
- 前記制御回路は、差動アンプによるフィードバックループを有しており、これにより2つの電流経路に沿った電圧降下がタップされ供給され、これにより前記電流経路の各々において、それによって前記レーザーダイオードの一方が接続されており、これにより分圧器が前記経路の一方に沿った電圧降下の所定の比を分割し、分割された電圧は前記差動アンプに供給される、請求項1に記載のレーザー装置。
- 前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードが、前記ダイ上で横方向にオフセットされて配されている垂直表面発光レーザーダイオードのメサ構造である、請求項1に記載のレーザー装置。
- 前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードは、前記ダイの後ろ側において共通端子を共有しており、前記ダイの前側において別個の端子接触を有している、請求項1乃至5の何れか一項に記載のレーザー装置。
- 前記メサ構造は、共通の下方ブラッグ反射体スタックを共有している、請求項5に記載のレーザー装置。
- レージングを回避する前記構造が、前記第2のレーザーダイオードの共振器の質を低下させる、請求項1に記載のレーザー装置。
- レージングを回避する前記構造が、前記第2のレーザーダイオードのリフレクタ要素の一方において後方に反射される光の位相面を妨害することによって振る舞う、請求項1乃至8の何れか一項に記載のレーザー装置。
- 前記構造は、上方ブラッグ反射体層スタックの界面に相殺的干渉を導入する、請求項8に記載のレーザー装置。
- 前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードは垂直表面発光レーザーダイオードであり、レージングを回避する前記構造は、前記第2のレーザーダイオードの上部の表面エッチングである、請求項1に記載のレーザー装置。
- 前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオードは、同等の設計のものであるがレージングを回避する前記構造により異なるものである、請求項1に記載のレーザー装置。
- 前記レーザーダイオードの中心間の横方向の距離が500マイクロメートル未満である、請求項1に記載のレーザー装置。
- 前記第1のレーザーダイオード及び前記第2のレーザーダイオード間の電圧差を検出する手段と、前記電圧差から前記レーザー出力パワーを決定するための手段とを更に有する、請求項1に記載のレーザー装置。
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