JP5652668B2 - 微細構造プラズマ処理を行うデバイスおよび方法ならびにこれらの利用法 - Google Patents
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Description
1)PdCl2による核生成
2)ナトリウムハイドロホスファイト(sodium hydrophosphite)による還元
3)化学的な銅メッキ
なお、本願明細書に記載の実施形態によれば、以下の構成もまた開示される。
[項目1]
プラスチック薄片を含む薄片基板の微細構造プラズマ処理を行うデバイスであって、
表面がクロムを含む金属から形成され、微細構造を有する窪みを有し、回転可能に搭載されたシリンダ状の電極と、
表面が前記シリンダ状の電極の表面の形状を補完する形状を有し、前記シリンダ状の電極の表面の一部の上にフォームフィットする形で広範囲に設けることが可能である平面状の高電圧電極と、
処理対象の前記薄片基板を、前記シリンダ状の電極の前記表面と前記高電圧電極との間に搬送する搬送デバイスと、
前記シリンダ状の電極の前記表面と、前記シリンダ状の電極および前記高電圧電極の間の間隙内とに、処理ガスを供給するデバイスと
を備えることを特徴とするデバイス。
[項目2]
プラスチック薄片を含む別の薄片を、処理対象の前記薄片基板の表面、ならびに前記シリンダ状の電極および前記高電圧電極の間の少なくとも一方に搬送する回転デバイスを含むデバイスを備えることを特徴とする項目1に記載のデバイス。
[項目3]
前記薄片基板を搬送する前記搬送デバイスおよび前記別の薄片を搬送する前記デバイスは処理対象の前記薄片基板および前記別の薄片が、前記シリンダ状の電極の前記表面上を同じ速度で移動するよう構成されることを特徴とする項目2に記載のデバイス。
[項目4]
前記シリンダ状の電極は、10cmおよび5mの間の幅、10cmおよび60cmの間の直径、1μmおよび1mmの間の奥行きを有する微細構造を有する複数の窪み、1つの窪みの構造幅が1μmおよび10mmの間である微細構造を有する複数の窪みという特性のうち、少なくとも1以上を有する項目1から3のいずれか一項に記載のデバイス。
[項目5]
プラスチック薄片を含む薄片基板の微細構造プラズマ処理を行う方法であって、
前記薄片基板を、表面がクロムを含む金属から形成され、微細構造を有する窪みを有し、回転可能に搭載されたシリンダ状の電極の表面と、前記シリンダ状の電極の表面の一部の上にフォームフィットする形で広範囲に設けることが可能である平面状の高電圧電極の表面との間に誘導する段階と、
前記シリンダ状の電極の前記表面と、前記薄片基板の表面との間に、前記薄片基板を前記シリンダ状の電極の前記表面に搭載する直前に処理ガスを供給して、前記薄片基板により前記微細構造を有する前記窪みに封止する段階と、
前記シリンダ状の電極と前記高電圧電極との間に高電圧を印加して、封止された前記処理ガス内に一時的コールドプラズマガス放電を起こさせる段階と
を備えることを特徴とする方法。
[項目6]
プラスチック薄片を含む別の薄片を、前記薄片基板と前記高電圧電極との間に、好適には回転により挿入する段階を備える項目5に記載の方法。
[項目7]
処理対象の前記薄片基板および前記別の薄片を、前記シリンダ状の電極の前記表面および前記高電圧電極の前記表面の間を同じ速度で移動するよう誘導する段階を備える項目6に記載の方法。
[項目8]
前記シリンダ状の電極は、10cmおよび5mの間の幅、10cmおよび60cmの間の直径、1μmおよび1mmの間の奥行きを有する微細構造を有する複数の窪み、1つの窪みの構造幅が1μmおよび10mmの間であり、好適には20μmおよび5mmの間である微細構造を有する複数の窪みという特性のうち、少なくとも1以上を有する項目5から7のいずれか一項に記載の方法。
[項目9]
前記微細構造を有する複数の窪み内の前記処理ガスは、0.1バールおよび10バールの間の圧力を有し、好適には0.5バールおよび1.5バールの間の圧力を有する項目5から8のいずれか一項に記載の方法。
[項目10]
項目1から4のいずれか一項に記載のデバイス、または項目5から9のいずれか一項に記載の方法を、表面の微細構造機能化に対して利用する利用法であって、水を利用して前記表面の湿潤特性を変化させること、表面を活性化すること、および処理対象基板の表面に対して金属化を含むコーティングを行うことの少なくとも1つに利用すること含む利用法。
[項目11]
可撓性を有するストリップ導体を製造すること、RFIDスイッチ回路(radio frequency identification switching circuits)を製造すること、バイオセンサを製造すること、およびスマートタグ(ラベルと組み合わせられる)を設けることの少なくとも1つにおいて利用することを含む項目10に記載の利用法。
Claims (13)
- 薄片基板の微細構造プラズマ処理を行うデバイスであって、
表面が金属から形成され、微細構造を有する窪みを有し、回転可能に搭載されたシリンダ状の電極と、
表面が前記シリンダ状の電極の表面の形状を補完する形状を有し、前記シリンダ状の電極の表面の一部の上にフォームフィットする形で広範囲に設けることが可能であり、前記薄片基板に密に押圧され、高電圧が印加される、平面状の高電圧電極と、
処理対象の前記薄片基板を、前記シリンダ状の電極の前記表面と前記高電圧電極との間に搬送する搬送デバイスと、
前記シリンダ状の電極の前記表面と、前記シリンダ状の電極および前記高電圧電極の間の間隙内とに、処理ガスを供給するデバイスと
を備えることを特徴とするデバイス。 - 別の薄片を、処理対象の前記薄片基板の表面、ならびに前記シリンダ状の電極および前記高電圧電極の間の少なくとも一方に搬送するデバイスを備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 処理対象の前記薄片基板を搬送する前記搬送デバイスおよび前記別の薄片を搬送する前記デバイスは処理対象の前記薄片基板および前記別の薄片が、前記シリンダ状の電極の前記表面上を同じ速度で移動するよう構成されることを特徴とする請求項2に記載のデバイス。
- 前記シリンダ状の電極は、10cmおよび5mの間の幅、10cmおよび60cmの間の直径、1μmおよび1mmの間の奥行きを有する微細構造を有する複数の窪み、1つの窪みの構造幅が1μmおよび10mmの間である微細構造を有する複数の窪みという特性のうち、少なくとも1以上を有する請求項1から3のいずれか一項に記載のデバイス。
- 薄片基板の微細構造プラズマ処理を行う方法であって、
前記薄片基板を、表面が金属から形成され、微細構造を有する窪みを有し、回転可能に搭載されたシリンダ状の電極の表面と、前記シリンダ状の電極の前記表面に対して補完する形状を有し、前記シリンダ状の電極の表面の一部の上にフォームフィットする形で広範囲に設けられ、前記薄片基板に密に押圧され、高電圧が印加される、平面状の高電圧電極の表面との間に誘導する段階と、
前記シリンダ状の電極の前記表面と、前記薄片基板の表面との間に、前記薄片基板を前記シリンダ状の電極の前記表面に搭載する直前に処理ガスを供給して、前記薄片基板により前記微細構造を有する前記窪みに封止する段階と、
前記シリンダ状の電極と前記高電圧電極との間に高電圧を印加して、封止された前記処理ガス内に一時的コールドプラズマガス放電を起こさせる段階と
を備えることを特徴とする方法。 - 別の薄片を、前記薄片基板と前記高電圧電極との間に、回転により挿入する段階を備える請求項5に記載の方法。
- 処理対象の前記薄片基板および前記別の薄片を、前記シリンダ状の電極の前記表面および前記高電圧電極の前記表面の間を同じ速度で移動するよう誘導する段階を備える請求項6に記載の方法。
- 前記シリンダ状の電極は、10cmおよび5mの間の幅、10cmおよび60cmの間の直径、1μmおよび1mmの間の奥行きを有する微細構造を有する複数の窪み、1つの窪みの構造幅が1μmおよび10mmの間である微細構造を有する複数の窪みという特性のうち、少なくとも1以上を有する請求項5から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記微細構造を有する複数の窪み内の前記処理ガスは、0.1バールおよび10バールの間の圧力を有する請求項5から8のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載のデバイスを、前記薄片基板の表面の微細構造機能化に対して利用する利用法であって、前記薄片基板の前記表面の湿潤特性を変化させること、前記薄片基板の表面を活性化すること、および処理対象の前記薄片基板の表面に対してコーティングを行うことの少なくとも1つに利用する、利用法。
- 前記薄片基板の前記表面を微細構造機能化する場合に利用する利用法であって、可撓性を有するストリップ導体を製造すること、RFIDスイッチ回路(radio frequency identification switching circuits)を製造すること、バイオセンサを製造すること、およびスマートタグを設けることの少なくとも1つにおいて利用することを含む請求項10に記載の利用法。
- 請求項5から9のいずれか一項に記載の方法を、前記薄片基板の表面の微細構造機能化に対して利用する利用法であって、前記薄片基板の前記表面の湿潤特性を変化させること、前記薄片基板の表面を活性化すること、および処理対象の前記薄片基板の表面に対してコーティングを行うことの少なくとも1つに利用する、利用法。
- 前記薄片基板の前記表面を微細構造機能化する場合に利用する利用法であって、可撓性を有するストリップ導体を製造すること、RFIDスイッチ回路(radio frequency identification switching circuits)を製造すること、バイオセンサを製造すること、およびスマートタグを設けることの少なくとも1つにおいて利用することを含む請求項12に記載の利用法。
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