KR20120031520A

KR20120031520A - 플라즈마 처리 장치 및 프린트 배선 기판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20120031520A
Application number: KR1020127003928A
Authority: KR
Inventors: 타다히로 오오미; 테츠야 고토; 타카아키 마츠오카
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤; 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
Priority date: 2009-07-30
Filing date: 2010-07-16
Publication date: 2012-04-03
Also published as: TW201134330A; US20120125765A1; JP2011032508A; CN102498231A; WO2011013525A1

Abstract

본 발명의 과제는, 배선 기판의 제조에 있어서 스퍼터 프로세스를 채용하면서, 스루풋의 향상 및 러닝 코스트의 저감이 가능한 배선 기판 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 배선 기판 플라즈마 처리 장치는, 동일의 플라즈마 처리실 내에, 플라즈마원을 구비하고, 피처리 기판의 전처리를 행하는 표면 처리부와, 복수의 막에 의해 형성된 시드층을 형성하는 복수의 스퍼터 성막부를 구비하고 있다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 프린트 배선 기판의 제조 방법{PLASMA PROCESSING DEVICE AND PRINTED WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 배선 기판을 제조하기 위한 플라즈마 처리 장치 및, 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 배선 기판은, 전자 디바이스 등을 탑재하여 전자 기기를 구성하는 프린트 배선판으로서 널리 사용되고 있다. 전자 기기 등의 소형화와 함께, 프린트 배선판에 대해서도 고정밀도화, 고밀도화가 요구되고 있다. 통상, 배선 기판에 있어서의 배선 재료에는 구리가 이용되고, 소정 패턴으로 전해 도금되어 형성된다. 이 구리 배선 전해 도금 형성에 있어서의 급전(給電)층의 형성 방법으로서, 전 처리로서 웨트(wet) 프로세스를 이용한 후에 무(無)전해 구리 도금을 행하는 것이 통상이다. 그 후, 무전해 도금층을 시드층(급전층)으로 하여 구리의 전해 도금이 행해진다.

그러나, 무전해 도금은, 전해 도금에 비하여 도금 품질의 불균일을 억제하는 것이 어렵고, 또한, 대량의 약액을 필요로 하며, 소요 공정수도 많다는 문제점이 있다. 그 때문에, 무전해 도금을 대신하는 프로세스로서, 스퍼터 프로세스에 의해 시드층의 구리를 형성하는 방법이 검토되고 있다. 스퍼터로 형성한 구리는, 프린트 기판의 전기적 절연층, 즉, 열경화 수지와의 밀착성의 확보가 어렵지만, 시드층의 초기층으로서, 질화 구리를 스퍼터에 의해 형성함으로써, 밀착성을 향상시키는 것이 제안되고 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2). 특허문헌 1 및 2와 같이, 질화 구리를 시드층의 초기층으로서 형성해도, 실용에 견딜만한 밀착성을 구비한 구리 시드층을 얻지 못하고 있다.

한편, 특허문헌 3에는, 열경화성 수지 표면을 질화함으로써, 구리 시드층과 열경화 수지 표면과의 사이의 밀착성을 향상시키는 것도 제안되고 있다.

일본공개특허공보 2003-218516호 일본공개특허공보 평10－133597호 PCT/JP2009/59838호 출원

특허문헌 3에서는, 스퍼터 장치만을 이용하여, 기판 표면의 클리닝, 열경화성 수지 표면의 질화, 시드층의 초기층으로서의 질화 구리막의 형성, 시드층으로서의 구리의 스퍼터 성막을 연속해서 행하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 마그네트론 스퍼터 장치만을 이용하여, 기판 표면의 클리닝을 행함과 함께, 열경화성 수지 표면의 질화, 시드층의 초기층으로서의 질화 구리막의 형성, 시드층으로서의 구리의 스퍼터 성막을 행했을 경우, 스루풋이 낮아져 버린다는 문제가 있었다.

또한, 스퍼터 프로세스는 진공 장치 내에 기판을 넣어 처리하는 점에서, 처리 기판을 장치에 넣은 후에, 진공 흡인의 시간이 필요하게 되는 것이나, 프린트 기판은 통상 양면에 배선 형성을 할 필요가 있기 때문에, 아무리 해도 처리 시간이 길어져 버려, 스루풋을 향상시키는 것이 곤란했다. 또한, 스퍼터 장치의 타깃 사용 효율이 나쁘기 때문에, 러닝 코스트가 증대한다는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, 배선 기판의 제조에 있어서 스퍼터 프로세스를 채용하면서, 스루풋의 향상 및 러닝 코스트의 저감이 가능한 배선 기판의 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 제1 형태에 의하면, 일단에서 타단까지의 길이가 피처리 기판의 길이의 3배 이상이고 감압 가능한 처리 용기와, 피처리 기판을 상기 처리 용기의 상기 일단으로부터 상기 타단으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 처리 용기의 상기 일단으로부터 상기 타단을 향하는 방향을 따라서 상기 처리 용기에 각각 설치된 플라즈마원을 갖는 표면 처리부, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및, 제2 마그네트론 스퍼터 성막부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제2 형태에 의하면, 상기 표면 처리부는, 평행 평판형 플라즈마원을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제3 형태에 의하면, 상기 평행 평판형 플라즈마원의 한쪽의 전극은 상기 이동 기구에 의해 이동하는 피처리 기판의 한쪽의 면의 측에, 다른 한쪽의 전극은 상기 피처리 기판의 다른 한쪽의 면의 측에, 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 제2 형태에 의한 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제4 형태에 의하면, 상기 표면 처리부에 있어서, 상기 피처리 기판의 면에 수직인 방향으로 상기 피처리 기판을 이동시키는 기구를 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제5 형태에 의하면, 상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는 서로 상이한 조성의 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제6 형태에 의하면, 상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는 서로 동일한 조성의 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제7 형태에 의하면, 상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는, 상기 이동 기구에 의해 이동하는 피처리 기판의 한쪽의 면의 측에 각각 적어도 하나의 마그네트론 스퍼터원을, 그리고 상기 피처리 기판의 다른 한쪽의 면의 측에 각각 적어도 하나의 마그네트론 스퍼터원을, 각각 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제8 형태에 의하면, 상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는, 회전 마그넷식 마그네트론 스퍼터원을 각각 갖는 것을 특징으로 하는 제7의 형태에 기재된 플라즈마 처리 장치이다.

본 발명의 제9 형태에 의하면, 상기 이동 기구는, 복수의 피처리 기판을 동시에 운반하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제10 형태에 의하면, 상기 이동 기구는, 이동 방향으로 복수, 그리고 이동 방향과 수직의 방향으로 복수의 피처리 기판을 동시에 운반하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제11 형태에 의하면, 감압 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 설치된 플라즈마원을 갖고, 피처리 기판에 플라즈마를 조사함으로써 피처리 기판 표면을 개질하는 제1 플라즈마 처리부와, 상기 처리 용기 내에 설치된 복수의 마그네트론 스퍼터원을 구비하고, 마그네트론 스퍼터법에 의해 박막을 퇴적시키는 제2 플라즈마 처리부를 포함하고, 상기 플라즈마원은, 피처리 기판을 뒤집는 조작을 하지 않고 당해 피처리 기판의 양면에 각각 플라즈마 조사가 가능하도록 설치되고, 상기 마그네트론 스퍼터원은, 피처리 기판을 뒤집는 조작을 하지 않고 피처리 기판의 양면에 박막 형성이 가능하도록 당해 피처리 기판의 양면에 각각 대향하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제12 형태에 의하면, 상기 제1 플라즈마 처리부는, 피처리 기판의 제1면 및 당해 제1면의 반대측인 제2면에 각각 대향하고, 그리고 피처리 기판에 대략 평행으로 형성되고, 크기가 각각 대략 피처리 기판과 동일한 제1 플라즈마 여기 전극 및 제2 플라즈마 여기 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제13 형태에 의하면, 상기 제1 플라즈마 처리부는, 피처리 기판을 상기 제1면과 수직 방향으로 이동시키는 기능을 갖고, 피처리 기판의 제1면을 플라즈마 처리할 때에는, 제2면을 제2 플라즈마 여기 전극에 접촉시켜, 제2 전극에만 전력을 인가하거나, 또는, 제1 전극과 제2 전극의 양쪽에 전력을 인가함으로써, 제1면과 제1 전극과의 사이에 플라즈마를 생성하여, 제1면을 플라즈마 처리하고, 피처리 기판의 제2면을 플라즈마 처리할 때에는, 제1면을 제1 플라즈마 여기 전극에 접촉시켜, 제1 전극에만 전력을 인가하거나, 또는, 제2 전극과 제1 전극의 양쪽에 전력을 인가함으로써, 제2면과 제2 전극과의 사이에 플라즈마를 생성하여, 제2면을 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제14 형태에 의하면, 상기 처리 용기 내에 상기 제2 플라즈마 처리부에 인접하여 설치되고, 복수의 마그네트론 스퍼터원을 갖는 제3 플라즈마 처리부로서, 상기 마그네트론 스퍼터원은, 피처리 기판을 뒤집는 조작을 하지 않고 피처리 기판의 양면에 박막을 형성하도록 당해 피처리 기판의 양면에 각각 대향하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제15 형태에 의하면, 상기 마그네트론 스퍼터원이 회전 마그넷 스퍼터원인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 얻어진다.

본 발명의 제16 형태에 의하면, 상기한 형태의 어느 하나에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서, 상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고, 상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서, 적어도 수소를 포함하는 가스에 의해 플라즈마 여기가 행해지고, 활성인 수소를 피처리 기판에 조사하여 피처리 기판 표면의 적어도 일부의 산화 피막을 제거하는 제1 플라즈마 처리 공정과, 상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서 적어도 질소를 포함하는 가스에 의해 플라즈마 여기가 행해지고, 활성인 질소를 피처리 기판에 조사하여 피처리 기판 표면의 적어도 일부를 질화하는 제2 플라즈마 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법이 얻어진다.

본 발명의 제17 형태에 의하면, 상기한 형태의 어느 하나에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서, 상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고, 상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서, 적어도 수소와 질소를 포함하는 가스에 의해 플라즈마 여기가 행해지고, 활성인 수소 및 NH 라디칼을 조사함으로써, 피처리 기판 표면의 적어도 일부의 산화 피막을 제거하고, 그리고 동시에 피처리 기판 표면의 적어도 일부를 질화하는 플라즈마 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법이 얻어진다.

본 발명의 제18 형태에 의하면, 상기한 형태의 어느 하나에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서, 상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고, 상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서 피처리 기판 표면을 플라즈마 처리하는 공정과, 상기 제2 플라즈마 처리부에 있어서 상기 마그네트론 스퍼터원에 의해, 질화 구리, 크롬, 알루미늄, 티탄 및 탄탈의 적어도 하나를 포함하는 도전층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법이 얻어진다.

본 발명의 제19 형태에 의하면, 상기한 형태의 어느 하나에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서, 상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고, 상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서 피처리 기판 표면을 플라즈마 처리하는 공정과, 상기 제2 플라즈마 처리부에 있어서 상기 마그네트론 스퍼터원에 의해, 제1 도전층을 형성하는 공정과, 상기 제3 플라즈마 처리부에 있어서 상기 마그네트론 스퍼터원에 의해, 상기 제1 도전층 상에 제2 도전층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법이 얻어진다.

본 발명에 의하면, 기판으로의 스퍼터법에 의한 배선 형성에 있어서, 표면 처리부와 스퍼터 성막부를 기판의 이동 방향으로 분리 배열함으로써, 스루풋의 향상 및 러닝 코스트의 저감을 실현할 수 있다. 또한, 표면 처리 및 스퍼터 성막을 기판의 표리 양면에 대하여 동시에 행함으로써, 스루풋을 더욱 향상시키고, 러닝 코스트를 더욱 저감할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시의 형태의 구성을 설명하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 장치의 표면 처리부에 있어서의 처리 공정을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시의 형태의 구성을 설명하는 단면도로, 위는 장치의 측면에서 본 단면도, 아래는 장치의 상면에서 본 단면도이다.
도 4는 본 발명의 플라즈마 처리 장치를 이용하여 만들어진 프린트 기판의 개략을 나타내는 일부 단면도이다.

(발명을 실시하기 위한 형태)

이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 이용하여 설명한다.

(제1 실시 형태)

본 발명의 제1 실시 형태를, 도면을 참조하여 상세하게 설명을 한다.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 설명하는 단면도로, 여기에서는, 당해 플라즈마 처리 장치는 프린트 기판 상에 배선 재료를 형성하기 위해 사용된다. 도 1에 있어서, 부호 101은 기판 내장실, 부호 102는 프린트 기판(피처리 기판), 부호 103은 기판 취출실, 부호 109는 플라즈마 처리실, 부호 104는 플라즈마 처리실(109)과 기판 내장실(101)을 구분하는 게이트 밸브, 부호 105는 플라즈마 처리실(109)과 기판 취출실(103)을 구분하는 게이트 밸브이다.

또한, 부호 106은 표면 처리부로, 평행 평판 전극을 갖는 플라즈마원이 구비되어, 당해 플라즈마원으로 플라즈마를 여기(勵起)하여, 기판 표면의 플라즈마 클리닝 및 플라즈마 질화를 행하는 유닛이다. 부호 107 및 부호 108은 마그네트론 스퍼터 성막부로, 부호 107은 질화 구리를 형성하기 위한 마그네트론 스퍼터원을 상하에 2세트 구비한 제1 마그네트론 스퍼터 성막부, 부호 108은 구리를 성막하기 위한 마그네트론 스퍼터원을 상하에 2세트 구비한 제2 마그네트론 스퍼터 성막부이다. 또한, 플라즈마 처리실(109)에는, 피처리 기판(102)을 게이트 밸브(104)로부터, 표면 처리부(106), 제1 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(107, 108)를 거쳐, 게이트 밸브(105)까지 이동시키는 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 당해 이동 기구로서, 이 실시예에서는, 이 일방향뿐만 아니라 도중에서 역방향(되돌아오는 방향)으로 이동도 가능한 이동 기구를 사용하고 있다. 이처럼 이동 기구는, 인라인 타입의 플라즈마 처리 장치에 이용되는 이동 기구를 사용할 수 있다.

도 1에서는, 게이트 밸브(104)에 의해 규정되는 일단에서 게이트 밸브(105)로 규정되는 타단까지의 길이가, 피처리 기판(102)의 길이의 3배 이상의 길이인 플라즈마 처리실(109)이 이용되고 있다. 즉, 플라즈마 처리실(109)은, 피처리 기판(102)의 이동 방향에 대한 길이와 대략 동등한 길이를 구비한 표면 처리부(106), 피처리 기판(102)의 이동 방향의 길이에 합계하여 대략 동일한 길이를 갖는 제1 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(107, 108) 및, 피처리 기판(102)의 길이와 동등 이상의 길이를 갖는, 처리된 피처리 기판(102)을 취출실(103)로 취출하기 위해 대기시키는 취출용 스페이스에 의해 정해지는 길이를 갖고 있다.

본 플라즈마 처리 장치에 있어서, 기판 내장실(101), 플라즈마 처리실(109), 기판 취출실(103)은 모두 감압 가능하고, 기판 내장실(101) 및 기판 취출실(103)은, 기판 내장시 및 취출시에 대기압으로 한다. 플라즈마 처리실(109)은 메인터넌스시 이외, 기본적으로 감압 상태로 유지되어 있다. 기판 내장실(101)에 피처리 기판(102)을 세트하고, 기판 내장실(101)을 감압으로 한 후, 피처리 기판(102)은, 게이트 밸브(104)를 열어, 로봇(도시하지 않음)에 의해, 플라즈마 처리실(109)의 표면 처리부(106)에 도입된다. 표면 처리부(106)에는, 도입된 피처리 기판(102)을 마그네트론 스퍼터 성막부(107)의 방향으로 이동시킬 뿐만 아니라, 역방향으로의 이동 및, 부호 1061로 심벌화하여 나타나 있는 바와 같이, 이동 방향에 대하여 수직인 방향으로 이동시키는 이동 기구가 설치되어 있다.

표면 처리부(106)에 설치된 플라즈마원의 구조 및, 당해 플라즈마원을 이용한 플라즈마 처리 방법을, 도 2를 이용하여 상세하게 설명한다. 도 2는 표면 처리부(106)의 플라즈마원을 보다 상세하게 나타낸 도면으로, 플라즈마 처리의 처리 순서를 (201, 202, 203)으로 나타내고 있다. 부호 204는 피처리 기판, 부호 206은 제1 플라즈마 여기 전극, 부호 207은 제2 플라즈마 여기 전극, 부호 208은 제1 플라즈마 여기 전극에 전력을 공급하는 제1 급전 라인, 부호 209는 제2 플라즈마 여기 전극에 전력을 공급하는 제2 급전 라인이다.

도 2에 나타난 피처리 기판(204)은, 적층 구조 프린트 기판 배선용 기판으로, 도 4에 그 편면의 일부가 나타나 있다. 도 4에 나타난 배선용 기판은, 예를 들면, 열경화 수지 등에 의해 형성된 절연물 기체(base; 1300), 당해 기체(1300) 상에 형성된 내층 Cu 배선(1301), 내층 Cu 배선(1301)과 기체(1300)를 덮도록 형성된 절연성 수지(1302)를 갖고 있다. 절연성 수지(1302)의 일부에는, 비어홀(1303)이 형성되어 내층 Cu 배선(1301)이 노출되어 있다. 도면에서는 생략되어 있지만, 동일한 배선 구조가 반대면에도 형성되어 있다. 배선용 기판은 내층 Cu 배선(1301)이 노출된 상태에서 표면 처리부(106)에 도입된다.

또한, 피처리 기판(204)은 40㎝×50㎝의 장방형 기판으로, 그 주변이 피처리 기판(204)을 지지하기 위한 지그(205)로 고정되어 있고, 기판 내장실(도 1의 부호 102)로 반입되고 나서 기판 취출실(도 1의 부호 103)로부터 취출될 때까지, 피처리 기판(204)은 지그(205)와 함께 이동 기구에 의해 이동한다. 지그(205)는 피처리 기판을, 구부리는 일 없이 안정되게 이동시키는 것을 주된 목적으로 하고, 지그(205)에 의해 지지되는 피처리 기판(204)의 면적은, 피처리 기판(204)의 유효 면적을 증가시키기 위해서는, 되도록 작은 쪽이 바람직하다.

플라즈마 여기 전극(206, 207)은, 피처리 기판의 상하 양면에 각각 대향하여설치되고, 피처리 기판(204)의, 제1 플라즈마 여기 전극(206)측을 제1면, 그 반대측을 제2면이라고 정의한다. 부호 210은 피처리 기판의 제1면과 제1 플라즈마 여기 전극(206)과의 사이의 공간, 부호 211은 피처리 기판의 제2면과 제2 플라즈마 여기 전극(207)과의 사이의 공간이다.

처리 순서(201)는, 피처리 기판(204)이 기판 내장실(101)로부터 표면 처리부(106)로 반송되어 플라즈마 여기 전극(206, 207) 사이의 위치까지 반송된 상태를 나타내고 있다. 또한, 제1 플라즈마 여기 전극(206)과 제2 플라즈마 여기 전극(207)은, 각각 대향하여 대략 피처리 기판(204)과 동일한 크기로, 피처리 기판과 평행으로 설치되어 있다. 이 상태에서는 기판(204)은 제1 플라즈마 여기 전극(206)과 제2 플라즈마 여기 전극(207)과의 정확히 중간에 유지(holding)되어 있다.

표면 처리부(106)는, 전술한 바와 같이, 지그(205)와 함께 피처리 기판과 수직 방향, 즉, 플라즈마 여기 전극(206, 207)의 면에 대하여 수직 방향으로 가동하는 이동 기구(1061)(도 1)를 갖고 있다.

이 이동 기구(1061)를 이용하여, 피처리 기판(204)의 제1면 및, 제2면을 순차 플라즈마 클리닝 및 플라즈마 질화를 행한다. 우선, 피처리 기판(204)의 제2면의 처리를 행하기 위해, 처리 순서(202)에서 나타내는 바와 같이, 제1면을 제1 플라즈마 여기 전극(206)에 접촉시킨다. 이 상태에서, 플라즈마 처리실 내에 아르곤과 수소를 유량비 9：1로 도입하고, 압력을 50mTorr로 설정한다. 여기에서, 제1 플라즈마 여기 전극(206)에 13.56MHz의 RF 전력을 0.2W/㎠의 전력 밀도로, 피처리 기판(204)의 제2면으로의 이온 조사가 40eV 정도가 되는 조건으로 플라즈마를 여기하고, 8초간 플라즈마 클리닝을 행했다.

이 공정에 의해, 주로 비어홀(1303)(도 4) 저부(底部)의 내층 Cu 배선(1301)의 노출면에 있어서의 Cu의 산화 피막이 제거된다. 아르곤만으로 플라즈마 여기를 행해도 산화 피막의 제거 효과는 있지만, 수소도 도입함으로써, 수소 라디칼에 의한 환원 효과를 이용함으로써 제거 효과가 증대된다. 또한, 보다 플라즈마 밀도를 증가시켜 클리닝 효과를 증대시키기 위해, 제2 플라즈마 여기 전극(207)에도 동시에 RF 전력을 인가해도 좋다.

다음으로, 아르곤과 질소를 유량비 7.5：2.5로 플라즈마 처리실(도 1의 부호 109)에 도입하고, 압력을 100mTorr로 설정하고, 제1 플라즈마 여기 전극(206)으로 13.56MHz의 RF 전력을 0.3W/㎠의 전력 밀도로 인가하여 플라즈마를 여기하여, 활성인 질소 라디칼을 생성했다. 이에 따라, 피처리 기판(204)의 제2면에 있어서의 수지(도 4의 (1302)) 표면을 8초간 질화했다. 이상에 의해, 피처리 기판(204)의 제2면의 플라즈마 클리닝 및 수지 표면의 질화를 행했다. 또한, 이 질화 처리에 관해서도, 보다 효과를 증대시키기 위해 제2 플라즈마 여기 전극(207)에 전력을 인가해도 좋다. 이 결과, 피처리 기판(204)의 제2면 상의 수지층(1302)의 표면에는, 도 4에 나타나는 바와 같이, 질화 수지층(1304)이 형성된다.

또한, 플라즈마 밀도를 증가시켜 플라즈마 클리닝이나 플라즈마 질화의 효과를 증대시키기 위해서는 RF 전력을 이용하는 것이 바람직하지만, 전원의 비용 등의 관점에서 DC 전력을 이용해도, 보다 긴 시간 처리하면 동등의 효과가 얻어진다.

다음으로, 피처리 기판(204)의 제1면의 처리를 행하기 위해, 처리 순서(203)에서 나타내는 바와 같이, 피처리 기판(204)의 제2면을 제2 플라즈마 여기 전극(207)에 접촉시킨다. 이 후는 전술한 공정을 제1 및 제2 플라즈마 여기 전극(206, 207)에 인가하는 전력 등을, 제1 플라즈마 여기 전력과 제2 플라즈마 여기 전력을 교체함으로써, 피처리 기판(204)의 제1면의 플라즈마 클리닝 및 플라즈마 질화가 종료된다. 그 후에 다시 피처리 기판(204)을 처리 순서(201)와 같이 양 플라즈마 여기 전극(206, 207)의 중앙으로 되돌린다.

또한, 플라즈마 처리 방법으로서는, 보다 스루풋을 향상시키고 싶은 경우에는, 피처리 기판을 양 플라즈마 여기 전극의 중앙에 설치한 상태에서, 양 플라즈마 여기 전극에 동시에 RF 전력이나 DC 전력을 인가해도 좋고, 예를 들면, 제2 플라즈마 여기 전극(207)을 그라운드에 접지하고, 제1 플라즈마 여기 전극(206)에 전력을 인가함으로써 용량 결합 플라즈마를 여기해도 좋다. 단, 이 경우에는, 피처리 기판(204)을 기판 수직 방향으로 움직여 처리하는 방법과 동등한 효과를 얻기 위해서는, 피처리 기판(204)과 플라즈마 여기 전극(206, 207)이 멀기 때문에, 많은 플라즈마 전력이 필요하다.

RF 플라즈마 방전을 행하는 경우는, 급전 라인 (208 및, 209)의 끝에는 도시하지 않는 매칭 회로와 블로킹 콘덴서가 설치되어, 블로킹 콘덴서에 의해 급전 라인 및 플라즈마 여기 전극은 DC적으로 절연된다. 따라서, 제1 및, 제2 플라즈마 여기 전극(206, 207)을 그라운드에 접지하기 위한 스위치를 급전 라인의 위치에 설치하는 것이 바람직하다.

결국, 제1 플라즈마 여기 전극(206)과 제2 플라즈마 여기 전극(207)이 각각 대향하여 대략 피처리 기판(204)과 동일한 크기로, 피처리 기판(204)과 평행으로 설치되어 있음으로써, 피처리 기판(204)의 양면을, 피처리 기판(204)을 뒤집는 조작을 하지 않고 플라즈마 처리가 가능하다.

다음으로, 다시 도 1을 이용하여, 피처리 기판(102 (204)) 상에, 질화 구리막 형성 및 구리막 형성을 행하는 프로세스에 대해서 설명한다. 도시된 예에서는, 이들 성막을 위해 마그네트론 스퍼터원을 각각 상하에 2세트 구비한 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)(질화 구리막의 형성용) 및 마그네트론 스퍼터원을 각각 상하에 2세트 구비한 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)(구리막의 형성용)가 형성되어 있다. 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)는 피처리 기판의 이동 방향(도 1의 왼쪽에서 오른쪽을 향하는 방향)을 따라서 표면 처리부(106)의 하류에 형성되고, 또한 그 하류에 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)가 형성되어 있다. 이들 마그네트론 스퍼터 성막부(107, 108)의 스퍼터원의 스퍼터 방식으로서는, 고정 자석을 타깃의 이면에 설치한 통상의 마그네트론 스퍼터 방식으로도 상관없지만, 회전 마그넷 스퍼터 방식(상세는, PCT 국제공개공보 WO2007/043476에 개시되어 있음)을 이용하는 편이 바람직하다. 회전 마그넷 스퍼터 방식을 이용함으로써, 성막 레이트도 향상될 수 있고, 또한 타깃 이용 효율이 높기 때문에, 타깃 교환 빈도를 줄이는 것이 가능하고, 스루풋을 높여, 러닝 코스트를 염가로 억제할 수 있다.

이 때문에, 도면에서는, 회전 마그넷 스퍼터 방식의 스퍼터 장치를 이용한 예가 나타나 있다. 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)에서는, 직사각형의 구리 타깃(1071, 1072)이 대향하여 플라즈마 처리실(109)에 설치되어 있고, 피처리 기판은, 이 대향되어 설치된 양 타깃의 중앙부를 통과시킴으로써 질화 구리의 성막을 행한다.

도시된 예에 있어서는, 아르곤과 질소를, 유량비 97.5：2.5로 플라즈마 처리실에 도입하고, 압력을 5mTorr로 하고, 타깃에 13.56MHz의 RF 전력을 4W/㎠의 전력 밀도로 인가하고, 타깃의 DC전압을 -340V로 하여 플라즈마를 여기하고, 1㎝/s의 속도로 피처리 기판을 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)를 도 1의 왼쪽에서 오른쪽으로 통과시켰다. 이에 따라, 20nm의 막두께의 질화 구리(도 4의 부호 1305)가 피처리 기판의 제1 및 제2면의 표면에 형성되었다.

다음으로, 구리 성막의 순서를 설명한다. 도 1에 있어서, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)에 인접하여, 피처리 기판의 이동 방향의 하류에, 구리를 성막하기 위한 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)가 위치해 있다. 여기에서도, 질화 구리 성막의 경우와 동일하게, 회전 마그넷 스퍼터 방식이 채용되고 있다. 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)에서도, 직사각형의 구리 타깃(1081, 1082)이 대향하여 플라즈마 처리실에 설치되어 있다.

따라서, 질화 구리를 두껍게 부착하고 싶은 경우에는, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)로의 급전과 동시에 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)로도 동일하게 행하면 좋다. 본 실시예에서는, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)로의 급전시에는, 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)로의 급전은 정지되어 있다.

한편, 구리 성막의 프로세스에서는, 기판은 우선 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)보다 상류로 되돌려진다. 그리고, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)로의 급전은 정지되어 있고, 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)로의 급전이 개시된다. 피처리 기판은, 대향되어 설치된 양 타깃의 중앙부를 통과시킴으로써 구리의 성막을 행한다. 이 예에 있어서는, 아르곤을 플라즈마 처리실에 도입하고, 압력을 5mTorr로 하고, 타깃에 13.56MHz의 RF 전력을 4W/㎠의 전력 밀도로 인가하고, 타깃(1081, 1082)의 DC전압을 -340V로 하여 플라즈마를 여기하고, 피처리 기판을 2mm/s의 속도로, 타깃 영역을 통과시켰다. 이에 따라, 100nm의 막두께의 구리 시드막(도 4의 (1306))을 형성했다. 구리의 막두께를 더 크게 하고 싶다면, 기판을 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)보다도 상류까지 후퇴시키고, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)로도 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)로의 급전과 동일한 급전을 행하여, 아르곤을 플라즈마 처리실에 도입하고, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107) 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)에서 연속해서 구리의 스퍼터 성막을 행하면 좋다.

구리 박막 형성이 종료된 후에, 게이트 밸브(105)를 열고, 기판 취출실(103)로 기판을 반송하여 기판을 취출했다. 도 4를 참조하면, 이 공정의 후, 구리 박막(1306)을 시드층으로 한 전해 도금에 의해 피처리 기판의 제1면 및 제2면에 구리(도시하지 않음)를 25μm 정도 성막하고, 그 후 웨트 에칭에 의해 구리의 전해 도금층, 그 아래의 구리 시드막(1306) 및, 그 아래의 질화 구리막(1305)의 불요부를 제거하여, 소망하는 배선 패턴을 형성한다.

이상, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 구리 시드층 형성에 대해서 설명했다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 질화 구리 형성 공정에서, 아르곤/질소 가스에 의해 플라즈마를 여기하고, 구리 타깃(1071, 1072)을 리액티브 스퍼터함으로써 형성했지만, 질화 구리의 타깃을 이용하여, 아르곤 플라즈마에 의한 스퍼터로 질화 구리를 형성해도 좋다. 이 경우는, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)로의 급전과 동시에 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)로의 급전을 행하고, 아르곤을 플라즈마 처리실에 도입하여, 질화 구리의 성막에 이어서 구리의 성막을 행할 수 있다. 혹은, 그에 이어서, 기판을 역방향으로 이동시키고, 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)의 상류까지 되돌리고, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(107)로의 급전을 정지하면서, 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(108)로의 급전을 행하면서, 기판을 정방향으로 이동시켜 보다 두꺼운 구리를 성막해도 좋다.

또한, 질화 구리에 한정되지 않고, 수지와의 밀착성을 얻을 수 있는 크롬, 알루미늄, 티탄, 탄탈 등의 타깃을 이용해도 좋다. 이 경우에는, 아르곤만의 플라즈마를 발생시키기 때문에, 상기의 질화 구리 타깃의 경우와 동일한 프로세스를 실시할 수 있다.

도시된 예에서는, 제1 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(107 및 108)에 있어서 서로 상이한 조성의 막(질화 구리막(1305)) 및 구리 시드막(1306))을 형성하는 경우에 대해서 설명했지만, 제1 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부(107 및 108)에 있어서 동일 조성의 막을 형성해도 좋다.

(제2 실시 형태)

본 발명의 제2 실시 형태를, 도 3을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 중복되는 부분은 설명을 생략한다. 도 3은, 프린트 기판 상으로의 배선 재료를 형성하기 위한 플라즈마 처리 장치의 제2 실시 형태의 구성을 설명하는 도면으로, 부호 301은 장치 측면에서 본 단면도, 부호 302는 장치 상면에서 본 단면도이다. 부호 303은 플라즈마 클리닝 및 피처리 기판의 수지 표면의 질화를 행하기 위한 플라즈마원을 구비한 기판 처리부이고, 부호 304는 질화 구리를 형성하기 위한 회전 마그넷 스퍼터원을 갖는 제1 스퍼터 성막부, 부호 305는 구리를 형성하기 위한 회전 마그넷 스퍼터원을 갖는 제2 스퍼터 성막부이다. 부호 306은 피처리 기판으로, 40㎝×50㎝의 장방형을 하고 있고, 피처리 기판(306)의 이동 방향(도면의 왼쪽에서 오른쪽으로 향하는 방향)으로 2매, 이동 방향과 수직의 방향으로 4매가 배열되어, 합계 8매가 피처리 기판(306)의 주변에 설치된 지그에 의해, 동시에 반송하는 것이 가능하다. 8매를 1세트로 하여 동시 반송 기능을 갖게 함으로써, 1회로 처리되는 매수를 증가시킬 수 있다.

기판 처리부(303)는, 도 1 및 도 2에서 설명한 평행 평판형 플라즈마원과 동일한 구성의 플라즈마원을, 피처리 기판의 진행 방향으로 2세트 배치하고, 그리고, 각 전극의 폭은 피처리 기판의 폭과 동일한 정도로 하고, 길이(기판의 이동 방향에 수직인 길이)를 기판 4매의 합계의 길이보다 크게 한 구성을 구비하고 있다. 이 구성에 의해, 동시에 8매의 기판의 동시 처리를 가능하게 하고 있다.

또한, 질화 구리 형성용의 제1 스퍼터 성막부(304)는, 피처리 기판의 이동 방향을 따라서 회전 마그넷 스퍼터원을 피처리 기판의 제1면측에 1개, 제2면측에 1개 형성한 구성을 갖고 있다. 또한, 구리 박막 형성용의 제2 스퍼터 성막부(305)는, 피처리 기판의 이동 방향을 따라서 회전 마그넷 스퍼터원을 피처리 기판의 제1면에 4개, 제2면에 4개, 상하에 합계 8개를 탑재한 구성을 구비하고 있다. 제1 및 제2 스퍼터 성막부(304, 305)의 각 회전 마그넷 스퍼터원의 길이(기판의 이동 방향에 수직인 길이)는 기판 4매의 합계의 길이보다 크게 되어 있다. 우선, 제1 스퍼터 성막부(304)에 급전하고, 제2 스퍼터 성막부(305)로의 급전은 정지하면서 질소 가스 + 아르곤 가스로 플라즈마 여기하여 리액티브 스퍼터를 행한다. 구체적으로는, 아르곤과 질소를, 유량비 97.5：2.5로 플라즈마 처리실에 도입하고, 압력을 5mTorr로 하고, 제1 스퍼터 성막부(304)의 구리 타깃에 3.56MHz의 RF 전력을 4W/㎠의 전력 밀도로 인가하고, 타깃의 DC전압을 -340V로 하여 플라즈마를 여기하고, 1㎝/s의 속도로 피처리 기판을 제1 마그네트론 스퍼터 성막부(304)를 도면의 왼쪽에서 오른쪽으로 통과시켰다. 이에 따라, 20nm의 막두께의 질화 구리가 피처리 기판의 제1 및 제2면의 표면에 형성되었다. 다음으로, 이동 기구를 역전시켜 피처리 기판을 제2 스퍼터 성막부(305)보다도 상류로 되돌리고, 제1 스퍼터 성막부(304)의 급전은 멈추고, 제2 스퍼터 성막부(305)로의 급전을 개시하고, 아르곤 가스로 플라즈마 여기하여 구리의 스퍼터를 행한다. 급전 및 스퍼터의 조건은 제1 실시예와 동일하게 했다. 도시된 예에서는, 제2 스퍼터 성막부(305)에 회전 마그넷 스퍼터원을 합계 8개를 배열한 결과, 구리 박막의 성막 레이트가 향상되고, 스루풋이 향상되었다.

이상, 실시예에서 배선 기판 제조 장치와 그 제조 방법을 나타냈지만, 표면 처리의 조건이나 스퍼터의 조건에 있어서의 가스 압력이나 가스 유량 비율, 시간 등, 상기한 예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 플라즈마 클리닝에 있어서의 Ar 가스 또는 Ar/H₂ 가스 플라즈마에 의한 이온 조사 공정을 수지층의 표면 질화 공정의 전에 행했지만, 표면 질화의 후, 질화 구리 형성 공정의 전에 행해도 좋고, Ar/H₂가스 플라즈마 대신에 Ar/H₂ 가스에 N₂ 가스를 더한 가스, 또는 Ar 가스에 암모니아 가스를 더한 혼합 가스로 플라즈마 조사를 행하여, 상기의 이온 조사 공정과 수지층의 표면 질화 공정을 동시에 행해도 좋다.

또한, 도 1에 나타난 실시예에서는, 이동 기구로서, 피처리 기판을 일방향 및 역방향으로 이동시키는 이동 기구를 사용하고 있지만, 일방향만으로 이동시키는 이동 기구를 사용해도 좋다.

본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는, 프린트 기판 형성의 배선 형성에 있어서, 대량의 약액을 사용하여, 제조 비용 저감이 곤란한 무전해 도금 공정을 스퍼터에 의한 드라이 공정으로 저비용, 그리고 높은 스루풋으로 바꾸어 놓을 수 있다.

101: 기판 내장실
102, 204, 306: 배선 기판용의 피처리 기판
103: 기판 취출실
104, 105: 게이트 밸브
106: 표면 처리부
107, 108: 마그네트론 스퍼터 성막부
109: 플라즈마 처리실

Claims

일단에서 타단까지의 길이가 피처리 기판의 길이의 3배 이상이고 감압 가능한 처리 용기와, 피처리 기판을 상기 처리 용기의 상기 일단으로부터 상기 타단으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 처리 용기의 상기 일단으로부터 상기 타단을 향하는 방향을 따라서 상기 처리 용기에 각각 설치된 플라즈마원을 갖는 표면 처리부, 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및, 제2 마그네트론 스퍼터 성막부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 표면 처리부는, 평행 평판형 플라즈마원을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 평행 평판형 플라즈마원의 한쪽의 전극은 상기 이동 기구에 의해 이동하는 피처리 기판의 한쪽의 면의 측에, 다른 한쪽의 전극은 상기 피처리 기판의 다른 한쪽의 면의 측에, 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 표면 처리부에 있어서, 상기 피처리 기판의 면에 수직인 방향으로 상기 피처리 기판을 이동시키는 기구를 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는 서로 상이한 조성의 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는 서로 동일한 조성의 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제1항, 제2항, 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는, 상기 이동 기구에 의해 이동하는 피처리 기판의 한쪽의 면의 측에 각각 적어도 하나의 마그네트론 스퍼터원을, 그리고 상기 피처리 기판의 다른 한쪽의 면의 측에 각각 적어도 하나의 마그네트론 스퍼터원을, 각각 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 마그네트론 스퍼터 성막부 및 제2 마그네트론 스퍼터 성막부는, 회전 마그넷식 마그네트론 스퍼터원을 각각 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이동 기구는, 복수의 피처리 기판을 동시에 운반하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제9항에 있어서,
상기 이동 기구는, 이동 방향으로 복수, 그리고 이동 방향과 수직의 방향으로 복수의 피처리 기판을 동시에 운반하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
감압 가능한 처리 용기와,
상기 처리 용기 내에 설치된 플라즈마원을 갖고, 피처리 기판에 플라즈마를 조사함으로써 피처리 기판 표면을 개질하는 제1 플라즈마 처리부와,
상기 처리 용기 내에 설치된 복수의 마그네트론 스퍼터원을 구비하고, 마그네트론 스퍼터법에 의해 박막을 퇴적시키는 제2 플라즈마 처리부를 포함하고,
상기 제1 플라즈마 처리부의 상기 플라즈마원은, 피처리 기판을 뒤집는 조작을 하지 않고 당해 피처리 기판의 양면에 각각 플라즈마 조사가 가능하도록 설치되고,
상기 마그네트론 스퍼터원은, 피처리 기판을 뒤집는 조작을 하지 않고 피처리 기판의 양면에 박막 형성이 가능하도록 당해 피처리 기판의 양면에 각각 대향하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제11항에 있어서,
상기 제1 플라즈마 처리부는, 피처리 기판의 제1면 및 당해 제1면의 반대측인 제2면에 각각 대향하고, 그리고 피처리 기판에 대략 평행으로 형성되고, 크기가 각각 대략 피처리 기판과 동일한 제1 플라즈마 여기 전극 및 제2 플라즈마 여기 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제12항에 있어서,
상기 제1 플라즈마 처리부는, 피처리 기판을 상기 제1면과 수직 방향으로 이동시키는 기능을 갖고,
피처리 기판의 제1면을 플라즈마 처리할 때에는, 제2면을 제2 플라즈마 여기 전극에 접촉시켜, 제2 전극에만 전력을 인가하거나, 또는, 제1 전극과 제2 전극의 양쪽에 전력을 인가함으로써, 제1면과 제1 전극과의 사이에 플라즈마를 생성하여, 제1면을 플라즈마 처리하고,
피처리 기판의 제2면을 플라즈마 처리할 때에는, 제1면을 제1 플라즈마 여기 전극에 접촉시켜, 제1 전극에만 전력을 인가하거나, 또는, 제2 전극과 제1 전극의 양쪽에 전력을 인가함으로써, 제2면과 제2 전극과의 사이에 플라즈마를 생성하여, 제2면을 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 용기 내에 상기 제2 플라즈마 처리부에 인접하여 설치되고, 복수의 마그네트론 스퍼터원을 갖는 제3 플라즈마 처리부로서,
상기 마그네트론 스퍼터원은, 피처리 기판을 뒤집는 조작을 하지 않고 피처리 기판의 양면에 박막을 형성하도록 당해 피처리 기판의 양면에 각각 대향하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마그네트론 스퍼터원이 회전 마그넷 스퍼터인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서,
상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고,
상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서, 적어도 수소를 포함하는 가스에 의해 플라즈마 여기가 행해지고, 활성인 수소를 피처리 기판에 조사하여 피처리 기판 표면의 적어도 일부의 산화 피막을 제거하는 제1 플라즈마 처리 공정과, 상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서 적어도 질소를 포함하는 가스에 의해 플라즈마 여기가 행해지고, 활성인 질소를 피처리 기판에 조사하여 피처리 기판 표면의 적어도 일부를 질화하는 제2 플라즈마 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법.
제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서,
상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고,
상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서, 적어도 수소와 질소를 포함하는 가스에 의해 플라즈마 여기가 행해지고, 활성인 수소 및 NH 라디칼을 조사함으로써, 피처리 기판 표면의 적어도 일부의 산화 피막을 제거하고, 그리고 동시에 피처리 기판 표면의 적어도 일부를 질화하는 플라즈마 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법.
제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서,
상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고,
상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서 피처리 기판 표면을 플라즈마 처리하는 공정과,
상기 제2 플라즈마 처리부에 있어서 상기 마그네트론 스퍼터원에 의해, 질화 구리, 크롬, 알루미늄, 티탄 및 탄탈의 적어도 하나를 포함하는 도전층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법.
제14항에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 프린트 배선 기판을 제조하는 방법으로서,
상기 피처리 기판은, 열경화성 수지 상에 배선 패턴을 형성하는 기판이고,
상기 제1 플라즈마 처리부에 있어서 피처리 기판 표면을 플라즈마 처리하는 공정과,
상기 제2 플라즈마 처리부에 있어서 상기 마그네트론 스퍼터원에 의해, 제1 도전층을 형성하는 공정과,
상기 제3 플라즈마 처리부에 있어서 상기 마그네트론 스퍼터원에 의해, 상기 제1 도전층 상에 제2 도전층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법.