JP5649356B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
最初に、比較例に係る半導体装置について説明する。
12 窒化物半導体層
20 ビアホール
30 金属層
32 シード層
34 めっき層
40 ビアパッド
Claims (5)
- SiCを材料とする基板を備える半導体装置の製造方法であって、
フッ化炭素を含むエッチングガス及びマスクを用いて前記基板の裏面をエッチングし、前記基板の表面から裏面に貫通するビアホールを形成する工程を有し、
前記ビアホールを形成する工程は、前記基板の裏面から表面に向かって開口断面積が次第に小さくなるテーパ形状を形成する工程であり、かつエッチング条件は、誘導結合プラズマ方式のドライエッチングを含み、
ガス流量が、フッ化炭素=10〜200sccm、
ガス圧力が、Press=0.1〜10.0Pa、
誘導結合プラズマパワーが、ICP=100〜5000W、
バイアスパワーが、Bias=10〜1000W、
であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記マスクは、Niを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の裏面及び前記ビアホールの内壁面に金属層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属層を形成する工程は、
前記基板の裏面及び前記ビアホールの内壁面にスパッタ成膜によりシード層を形成する工程と、
前記シード層上にめっき層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記テーパ形状の傾斜角は、前記基板の表面に対して50度から70度であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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