JP5644738B2 - 希土類鉄系磁石の膜形成のための処理液及び希土類鉄系磁石の製造方法 - Google Patents
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ウム(III)2,4ペンタンジオネート、ルテニウム(III)トリフルオロペンタンジオネート、ルテニウム(III)ヘキサフルオロペンタンジオネート、ルテニウム(III)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、ルテニウム(III)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、ルテニウム(III)ベンゾイルアセトネート、ルテニウム(III)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、ルテニウム(III)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、ルテニウム(III)エチルアセトアセトネート、スカンジウム(III)2,4ペンタンジオネート、スカンジウム(III)トリフルオロペンタンジオネート、スカンジウム(III)ヘキサフルオロペンタンジオネート、スカンジウム(III)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、スカンジウム(III)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、スカンジウム(III)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、スカンジウム(III)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、スカンジウム(III)エチルアセトアセトネート、銀(I)2,4ペンタンジオネート、銀(I)トリフルオロペンタンジオネート、銀(I)ヘキサフルオロペンタンジオネート、銀(I)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、銀(I)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、銀(I)ベンゾイルアセトネート、銀(I)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、銀(I)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、銀(I)エチルアセトアセトネート、ストロンチウム(II)2,4ペンタンジオネート、ストロンチウム(II)トリフルオロペンタンジオネート、ストロンチウム(II)ヘキサフルオロペンタンジオネート、ストロンチウム(II)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、ストロンチウム(II)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、ストロンチウム(II)ベンゾイルアセトネート、ストロンチウム(II)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、ストロンチウム(II)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、ストロンチウム(II)エチルアセトアセトネート、タリウム(I)2,4ペンタンジオネート、タリウム(I)トリフルオロペンタンジオネート、タリウム(I)ヘキサフルオロペンタンジオネート、タリウム(I)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、タリウム(I)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、タリウム(I)ベンゾイルアセトネート、タリウム(I)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、タリウム(I)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、タリウム(I)エチルアセトアセトネート、錫(II)2,4ペンタンジオネート、錫(II)トリフルオロペンタンジオネート、錫(II)ヘキサフルオロペンタンジオネート、錫(II)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、錫(II)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、錫(II)ベンゾイルアセトネート、錫(II)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、錫(II)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、錫(II)エチルアセトアセトネート、バナジウム(III)2,4ペンタンジオネート、バナジウム(III)トリフルオロペンタンジオネート、バナジウム(III)ヘキサフルオロペンタンジオネート、バナジウム(III)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、バナジウム(III)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、バナジウム(III)ベンゾイルアセトネート、バナジウム(III)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、バナジウム(III)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、バナジウム(III)エチルアセトアセトネート、イットリウム(III)2,4ペンタンジオネート、イットリウム(III)トリフルオロペンタンジオネート、イットリウム(III)ヘキサフルオロペンタンジオネート、イットリウム(III)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、イットリウム(III)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、イットリウム(III)ベンゾイルアセトネート、イットリウム(III)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、イットリウム(III)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、イットリウム(III)エチルアセトアセトネート、亜鉛(II)2,4ペンタンジオネート、亜鉛(II)トリフルオロペンタンジオネート、亜鉛(II)ヘキサフルオロペンタンジオネート、亜鉛(II)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、亜鉛(II)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、亜鉛(II)ベンゾイルアセトネート、亜鉛(II)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、亜鉛(II)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、亜鉛(II)エチルアセトアセトネート、ジルコニウム(IV)2,4ペンタンジオネート、ジルコニウム(IV)トリフルオロペンタンジオネート、ジルコニウム(IV)ヘキサフルオロペンタンジオネート、ジルコニウム(IV)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネート、ジルコニウム(IV)6,6,7,7,8,8,8ヘプタフルオロ2,2ジメチル3,5オクタンジオネート、ジルコニウム(IV)ベンゾイルアセトネート、ジルコニウム(IV)ベンゾイルトリフルオロアセトネート、ジルコニウム(IV)1,3ジフェニル1,3プロパンジオネート、ジルコニウム(IV)エチルアセトアセトネート等の金属βジケトン錯体、金属アルコキシド、金属酸化物βジケトン錯体、金属アルコキシドβジケトン錯体、金属メタラセンが挙げられる。
(1)寸法が6mm×6mm×3mmの磁石焼結体をGa(III)トリフルオロペンタンジオネ
ートコート膜形成液に浸漬した。
(2)(1)のGa(III)トリフルオロペンタンジオネートコート膜形成液を磁石焼結
体表面に塗布した磁石焼結体を2〜5torrの減圧下で溶媒のエタノール除去を行っ
た。
(3)上記(1)と(2)の操作を1から10回の間で必要回数繰り返した。
(4)寸法が6mm×6mm×5mmの磁石焼結体を、濃度1g/15mLの超音波処理直後の
DyF3コート膜形成液に浸漬した。
(5)(4)のDyF3形成処理液を磁石焼結体表面に塗布した磁石焼結体を2〜5torr
の減圧下で溶媒のメタノール除去を行った。
(6)上記(4)と(5)の操作を1から4回の間で必要回数繰り返した。
(7)(6)の溶媒の除去を行った磁石焼結体を石英製ボートに移し、1×10-5torrの
減圧下で200℃、30分と350℃、30分の熱処理を行った。
(8)(7)で熱処理した磁石焼結体に対して、蓋付きMoルツボに移したのち、1×1
0-5torrの減圧下で、熱処理条件として、600℃、700℃、800℃、900
℃、1時間、2時間、3時間のいずれかの組み合わせの条件で熱処理を行った。
(9)(8)で作製した磁石焼結体に30kOe以上のパルス磁界を印加した。その磁石
について磁気特性を調べた。
(1)寸法が6mm×6mm×3mmの磁石焼結体をY(III)2,2,6,6,テトラメチル
3,5ヘプタンジオネートコート膜形成液に浸漬した。
(2)(1)のY(III)2,2,6,6,テトラメチル3,5ヘプタンジオネートコー
ト膜形成液を磁石焼結体表面に塗布した磁石焼結体を2〜5torrの減圧下で溶媒の
イソプロパノール除去を行った。
(3)上記(1)と(2)の操作を1から10回の間で必要回数繰り返した。
(4)寸法が6mm×6mm×5mmの磁石焼結体を、濃度1g/15mLの超音波処理直後の
TbF3コート膜形成液に浸漬した。
(5)(4)のTbF3形成処理液を磁石焼結体表面に塗布した磁石焼結体を2〜5torr
の減圧下で溶媒のメタノール除去を行った。
(6)上記(4)と(5)の操作を1から4回の間で必要回数繰り返した。
(7)(6)の溶媒の除去を行った磁石焼結体を石英製ボートに移し、1×10-5torrの
減圧下で200℃、30分と350℃、30分の熱処理を行った。
(8)(7)で熱処理した磁石焼結体に対して、蓋付きMoルツボに移したのち、1×1
0-5torrの減圧下で、熱処理条件として、600℃、700℃、800℃、900
℃、1時間、2時間、3時間のいずれかの組み合わせの条件で熱処理を行った。
(9)(8)で作製した磁石焼結体に30kOe以上のパルス磁界を印加した。その磁石
について磁気特性を調べた。
2 炭素偏在部
3 粒界三重点
4 偏在部
5 Ndリッチ相
Claims (9)
- 磁石焼結体の表面に、有機金属化合物を含有する第1の溶液を塗布することにより前記磁石焼結体の表面に第1の膜を形成する工程と、
前記第1の膜の表面に、重希土類元素及びフッ素を含有する第2の溶液を塗布する工程と、
前記第1の溶液が含有する有機金属化合物の分解が開始する第1の温度で、前記磁石焼結体を熱処理する工程と、
前記第1の温度で前記磁石焼結体を熱処理する工程後に、前記第2の溶液が含有するフッ素を含む酸フッ素化合物の形成が開始する第2の温度で、前記磁石焼結体を熱処理する工程と、を有し、
前記第1の温度は前記第2の温度よりも低いことを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1に記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記重希土類元素は、Tb、Dy、Hoのうちのいずれか1つを含むことを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記有機金属化合物は、遷移金属、IIA族、IIIB族、IVB族、VB族の元素のうちのいずれか1つを含むことを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記有機金属化合物は、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pa、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Biのうちのいずれか1つを含むことを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記有機金属化合物は、水を溶媒とした場合にイオンに解離しない電気的に中性な分子であることを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記有機金属化合物は、窒素または酸素を含むことを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記第1の溶液の溶媒は、沸点が130℃以下の有機溶媒であることを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記第2の溶液は、重希土類フッ素化合物がアルコールを含む溶媒に膨潤したものであり、かつ、アルコールを含む溶媒中における重希土類フッ素化合物の濃度が1g/dm3〜100g/dm3の範囲にあることを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の希土類鉄系磁石の製造方法において、
前記酸フッ素化合物の形成は、前記希土類鉄系磁石の粒界で生じることを特徴とする希土類鉄系磁石の製造方法。
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