JP4902677B2 - 希土類磁石 - Google Patents

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Description

本発明は、希土類磁石及びその製造方法に関するものである。
ディスプロシム(Dy),テルビウム(Tb)及びそれら化合物を焼結体に付着後、結晶粒界に沿って熱拡散させる磁石は、既存の母相に一様にDy,Tbを添加した磁石に比べ、高保磁力(Hc)化のためのDy,Tbの使用量を抑え、かつ高い残留磁束密度(Br)を維持することができる。このような磁石表面からのDy,Tb及びそれら化合物の粒界拡散技術を利用した磁石の従来例として、特許文献1では、Dyの蒸気圧が低いことを利用し磁石体表面にDyを蒸着で付着させた磁石、特許文献2では、Dy−Fスラリーを焼結体に塗布し粒界拡散した焼結磁石、また特許文献3では、磁石体及び磁粉にDy−F,Tb−Fのゾルゲル状態の処理液を塗布し溶媒を乾燥により付着させた磁石、が記載されており、ともに高保磁力,高残留磁束密度を特徴とする。また、特許文献4では、Dy−F,Tb−Fの処理液で処理した等方性磁粉を室温成形した磁石が記載されており、生産性の高い高保磁力磁石を特徴とする。
特開昭61−264157号公報 WO2006−043348 特開2006−66853号公報 特開2007−281433号公報
磁石を作成する際に、ディスプロシム(Dy),テルビウム(Tb)又はそれらの化合物を焼結体に付着後に、結晶粒界に沿って熱拡散させる方法は、磁石厚の薄い磁石に対し顕著な磁気特性向上効果を示すが、磁石厚の厚い磁石に対しては中心部まで熱拡散させることができないため、磁気特性向上効果は小さい。また、磁石体内部に保磁力の分布が発生しており、保磁力分布は付着量,熱処理温度、及び熱処理時間などにより制御するため、大量に一様に作製することは困難である。
RTB(但し、Rは希土類元素、Tは遷移金属元素、Bはホウ素)を成分にもつ希土類磁石であって、希土類磁石は、結晶粒から構成される磁粉によって構成され、前記磁粉が扁平形状であって、Rの磁気異方性よりも高い磁気異方性を有する元素Rmが、前記磁粉で構成される前記磁石の表面と内部とに、略一定の濃度で含有され、磁粉の粒界に、酸フッ化物及び炭素が存在することにより、本発明に係る課題を解決することが可能となる。
本発明により、熱減磁を抑制し、高温環境下でも高いBrを維持した磁石が提供することができる。
実施例1の方法で作製した磁石体の保磁力のDyF3添加量依存性。 実施例1の方法で作製した磁石体の断面部のSEM観察結果及びEDXスペクトル(a)が二次電子像の500倍、(b)が二次電子像の5000倍。 実施例2の方法で作製した磁石体中心部のSTEM−EDXのラインスキャンによるDyの濃度分布。
本発明の実施例に関する特徴について以下に記載する。
まず、本発明の実施例に係る希土類磁石は、RTB(但し、Rは希土類元素、Tは遷移金属元素、Bはホウ素)を成分にもつ希土類磁石であって、希土類磁石は結晶粒から構成される磁粉によって構成され、磁粉の粒径において、長径に対する短径の比が0.5以下であり、短径が10μm以上であって、Rの磁気異方性よりも高い磁気異方性を有する元素Rmが、磁粉で構成される磁石の表面と内部とに、略一定の濃度で含有され、磁粉の粒界に、酸フッ化物及び炭素が存在することを特徴とする。ここで、各元素の磁気異方性について比較すると、Tb>Pr>Dy>Nd>Ho>Ce>Y>Gd>Smの順に磁気異方性は小さくなる。そのため、例えばRとしてNdを用いた場合には、RmとしてはTb,Pr,Dyのいずれかを採用することになる。また、Er及びTmの磁気異方性に関しては、Smの磁気異方性と同程度である。
また、Rmの濃度が磁粉の表面部で高く磁粉の深部で低いことを特徴とする。
さらに、Rmの濃度が結晶粒の表面部で高く結晶粒の深部で低いことを特徴とする。
また、酸フッ化物が結晶粒の粒界に存在することを特徴とする。
磁粉の粒界の酸フッ化物が、島状に形成されていることを特徴とし、磁石の最低厚さが5mm以上であることを特徴とする。
希土類磁石の成分に関しては、Rmが,Nd,Tb,Dy,Pr,Ce,Hoの少なくとも一つであることを特徴とし、磁粉がNd,Pr,Fe,Co,B及びGa元素を含有することを特徴とする。
また、本発明の実施例に係る希土類磁石は、RTB(但し、Rは希土類元素、Tは遷移金属元素、Bはホウ素)を成分にもつ希土類磁石であって、希土類磁石は結晶粒から構成される磁粉によって構成され、磁粉が扁平形状であって、磁粉の粒界に、酸フッ化物及び炭素が存在し、かつ、Rの磁気異方性よりも高い磁気異方性を有する元素Rmが、磁粉で構成される前記磁石の表面と内部とに、略一定の濃度で含有され、Rmの濃度が磁粉の表面部で高く磁粉の深部で低いことを特徴とする。
また、結晶粒のc軸方向の大きさは、30nm以上100nm以下であって、c軸方向と垂直である方向の大きさが100nm以上400nm以下であることを特徴とする。
さらに、RmがNd,Tb,Dy,Pr,Ce,Hoの少なくとも一つであって、RがNdであって、TがFeであることを特徴とする。
以下、実施例について詳細に説明する。
回転電機に使用する永久磁石を製造する場合は、本工程で、回転電機に使用する永久磁石の最終磁石形状に沿って圧縮成形することが可能である。以下に詳述する方法によれば、本工程で圧縮成形された磁石形状の寸法関係がその後の工程であまり変化しない。このため高い精度で磁石を製造することが可能である。永久磁石型回転電機に要求される精度を達成できる可能性が高い。例えば、磁石内蔵型の回転電機に使用される磁石に要求される磁石の精度を得ることが可能である。これに対し、焼結磁石では、製造される磁石の寸法精度がたいへん悪く、磁石の切削加工が必要である。このことは作業性を悪くするだけでなく、切削加工により磁気特性が劣化する心配がある。
希土類磁石用磁粉には、組成を調整した母合金を急冷することにより作製したNdFeB系の薄帯を粉砕した磁性粉を用いた。NdFeB系母合金はFe−B合金にNdを混合して真空あるいは不活性ガス中または還元ガス雰囲気中で溶解し組成を均一化している。必要に応じて切断した母合金を単ロールや双ロール法などのロールを用いた手法で、回転するロールの表面に溶解させた母合金をアルゴンガスなどの不活性ガスあるいは還元ガス雰囲気で噴射急冷し薄帯とした後、不活性ガス中あるいは還元性ガス雰囲気中で熱処理する。熱処理温度は200℃以上700℃以下であり、この熱処理によりNd2Fe14Bの微結晶が磁粉の中に結晶粒となって成長する。薄帯は10〜100μm厚さ分布を有し、Nd2Fe14Bの微結晶の大きさは10〜100nmの分布を有する。粒界層はNd0.7Fe0.3に近い組成またはFeが一部析出しており、結晶粒径は単磁区臨界粒径200nmよりも薄いためにNd2Fe14Bの微結晶内に磁壁が形成されにくい。磁化反転機構は、逆磁区核発生型や磁壁ピンニング型の提案がなされており、Nd2Fe14B微結晶の磁化がそれぞれの微結晶で磁気的に結合した磁気双極子相互作用によって逆磁区が連鎖的に伝播することもそれら磁化反転機構を引き起こす要因の一つと推定される。粉砕粉は超硬金型内に挿入後、圧縮成形しプレス方向に垂直な方向で磁粉間の非磁性部が少ない。磁粉が薄帯を粉砕した扁平粉であり、かつ熱間成形時の組成流動による結晶粒の滑り、粒成長から、熱間成形した成形体で扁平粉の配列に異方性が生じ、プレス方向に扁平磁粉の短軸、プレス方向に垂直方向に扁平粉の長軸方向がそれぞれ揃う。扁平粉内部では結晶粒のc軸方向がプレス方向に配向している。このため、扁平粉を1つの磁気双極子として考えれば、磁化反転を抑制するためのひとつの手法として、薄帯を粉砕した磁粉同士を長軸方向には磁気的に結合し易くなるよう非磁性部を薄く、またプレス方向には磁気的に結合しにくくなるよう非磁性部を厚くすることが挙げられる。
本実施例では、Magnequench社製の商品名MQU−F3磁粉を用いた。ICP発光分光分析から、この磁粉の組成は、Nd:28.5%,Pr:0.1%,Fe:29.2%,Co:2.9%,B:0.91%、及びGa:0.25%である。Ga添加することで、ダイアップセット時の磁粉同士の滑りがよくなるため配向し易くなる。磁粉は扁平形状を有し、粒径分布は100μm以上200μm以下の範囲でピークを有している。
一方、希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜の形成処理液は以下のようにして作製した。例としてDyF3について記す。酢酸Dy、または硝酸Dy4gを100mLの水に溶解後、1%に希釈したフッ化水素酸をDyF3が生成に必要な当量の90%相当量を攪拌しながら徐々に加え、ゲル状のDyF3を生成させた。遠心分離により上澄み液を除去した後、残存ゲルと同量のメタノールを加え、攪拌・遠心分離する操作を3〜10回繰り返すことで陰イオンを取り除き、ほぼ透明なコロイド状のDyF3のメタノール溶液(濃度:DyF3/メタノール=1g/5mL)を作製した。今回、陰イオンを十分に取り除くため、撹拌・遠心分離操作は10回実施した。
希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜を希土類磁石用磁粉に形成するプロセスは以下の方法で実施した。平均粒径が100μm以上200μm以下に調整した希土類を含有する磁粉100gに対して10mlのDyF3コート膜形成処理液を添加し、磁粉全体が濡れるのが確認できるまで混合した。DyF3コート膜形成処理用磁粉を2以上5torr以下の減圧下で溶媒のメタノール除去を行った。そして、溶媒の除去を行った磁粉を石英製ボートに移し、1×10-3Paの減圧下で200℃で30分の熱処理を行い、さらに350℃で30分の熱処理を行った。その結果として、磁粉重量に対しDyF3を2wt%処理したことになった。
以上の工程を経て作製したDyF3処理磁粉を熱間成形するプロセスは以下の方法で実施した。作製したDyF3処理磁粉と未処理の磁粉を混合することで、磁粉総重量に対するDyF3の量を調整した。混合後の総重量はいずれも5.0gとなるようにし、十分な混合を行った。これら磁粉をWC製の超硬金型(10mm×10mm)に入れ、1×10-4Paの減圧下で700℃,2t,1分の熱間成形を行った。この際、プレス方向にさらに、この成形体を先程と異なるWC製の超硬金型に入れ、1×10-4Paの減圧下で700℃,2t,1分の熱間成形を行った。その際に磁石厚さが75%以上変形するように成形体を超硬金型内に配置した。得られた成形体の最低厚さは6mmであり、密度は7.5g/cm3となった。この方法は、超硬金型の寸法を変えることができるため、原理的に磁石厚さに対する制限のないプロセスである。熱間成形温度は、200℃以上900℃以下の範囲が好ましく、500℃以上800℃以下がより好ましく、650℃以上750℃以下が特に好ましい。こうして得られた熱間成形体を2mm3に切り出し、プレス方向の減磁曲線を室温にて評価した。その際、パルス磁場によりプレス方向に4Tで着磁してから行った。表1は、未処理磁粉と2wt%処理磁粉で作製した熱間成形磁石の磁気特性を示す。Brが未処理磁粉と比較して0.05T減少するが、保磁力が飛躍的に向上することがわかる。
Figure 0004902677
Dyを一様に母相内に添加した磁石では、DyとFeの反強磁性的な結合から磁化が減少することが知られており、2wt%DyF3処理によりDyが粒内に拡散した場合の磁化の減少は、0.1T程度であることから、本実施例に係る磁石では、保磁力のみならずBrの低下が抑制されていることがわかる。
図1は、保磁力のDyF3添加量依存性を示す。磁気特性はDyを母相に一様に添加した保磁力の増加率に比べ、2倍以上の増加率を示している、これは、Dyが磁粉粒界、及び結晶粒界近傍に偏析しているためだと考えられる。
図2は、DyF3の塗布重量が2wt%の熱間成形体の断面SEMによる形状像、及びEDX元素分析結果を示している。結晶粒の異方化が進み磁粉はプレス方向に詰まっており、磁粉は扁平であることがわかる。本実施例において、平均アスペクト比(プレス方向/プレス方向と垂直方向)は、0.5であった。ここで、結晶粒の配向の観点からは0.5以下がより好ましい。磁粉を構成する結晶粒のc軸方向は20nm以上100nm以下であり、その垂直方向が200nm以上400nm以下の範囲であった。
また、EDX元素分析から、フッ素化合物Fが磁粉粒界にのみ偏析していることがわかった。Fは母相に入らないため、磁粉を構成する結晶粒の間にも存在していると考えられる。Gaも微量だが、粒界のみに検出された。磁粉粒界は、主としてNd,Dy,Fe,O,F,Cから構成されており、本実施例では、Nd:Fe:Fの元素比は凡そ1:1:2であった。これら粒界化合物は、磁粉の周りに断続的に島状に存在していることが特徴である。以上の磁気特性,SEM分析による特徴は、熱間成形体の中心部,端部に関わらず観測された。
また、電気抵抗を四端子法により評価した結果、DyF3処理した磁粉による熱間成形体は未処理磁粉による熱間成形体と比較して、電気抵抗が1.05倍から2倍の範囲で高くなっていることがわかった。
本実施例においてはDyフッ素化合物を用いた磁粉について検討したが、各種希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜を形成した磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石は、磁粉粒界部近傍のみに濃化し、また絶縁膜として機能することから、コート膜を有していない磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石と比較して、磁気特性は向上し、比抵抗は大きくなることが明らかである。特に、大きな磁気異方性磁場を有する希土類元素を含むTbF3,PrF3,HoF3,NdF3コート膜を有する磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石は磁気特性が大きく向上する。
実施例2においては、実施例1と同じ磁粉、同じDyF3処理液を使用し検討した。
まず、実施例1と同様の方法で磁粉にDyF3処理液を塗布したが、磁粉重量に対しDyF3を1wt%となるようにした。
そして、実施例1と同様の方法で作製したDyF3処理磁粉を熱間成形した。ただし、上記で作製したDyF3処理磁粉と未処理の磁粉を1:9になるように混合し、混合後の総重量を5.0gとなるようにした。これら磁粉をWC製の超硬金型を用いて、2回熱間成形を行った。得られた成形体の最低厚さは6mmであり、密度は7.5g/cm3となった。こうして得られた熱間成形体を2mm3に切り出し、プレス方向の減磁曲線を室温にて評価した。その際、パルス磁場によりプレス方向に4Tで着磁してから行った。表2は、未処理磁粉と1wt%処理磁粉との混合磁粉で作製した熱間成形磁石の磁気特性を示す。
Figure 0004902677
これより、DyF3を1wt%で処理した磁粉では、Brを維持したまま、保磁力が飛躍的に向上することがわかった。Dyを一様に母相内に添加した磁石では、DyとFeの反強磁性的な結合から磁化が減少することが知られており、1wt%DyF3処理によりDyが粒内に拡散した場合の磁化の減少は、0.05T程度であることから、本実施例に係る磁石では、保磁力のみならずBrの低下が抑制されていることがわかる。
図3は、高分解能STEM−EDX分析のラインスキャンによるDyの濃度分布の相対値を示している。分析した試料は、FIB加工装置により熱間成形体の中心部から切り出した。結晶粒の異方化が進み磁粉はプレス方向に詰まった扁平形状であり、平均アスペクト比(プレス方向/プレス方向と垂直方向)は0.5であった。平均アスペクト比は、結晶粒の配向の観点から0.5以下がより好ましい。磁粉を構成する結晶粒のc軸方向は30nm以上100nm以下、その垂直方向が100nm以上400nm以下の範囲であった。配向方向に80nm、その垂直方向に230nm程度の粒径をもつ比較的大きな結晶粒に対し、配向方向と垂直方向にラインスキャンを行ったところ、結晶粒内の中心と端部でDyに濃度分布が存在し、結晶粒端部及び結晶粒界部にDyが偏析していることがわかった。
また、EPMA元素分析により、磁粉スケールにてDyのラインスキャンを実施したところ、磁粉の中心と端部でDyに濃度分布が存在し、磁粉端部で及び磁粉粒界にDyが偏析していることがわかった。また、Fは結晶粒界、及び磁粉粒界にのみ偏析していることがわかった。磁粉粒界からの母相内拡散や結晶粒界拡散により、磁粉内部にDyが拡散していくため、結晶粒の端部でDyの濃度が濃く、深部でDyの濃度が薄くなっていることが期待される。Gaも微量だが、粒界のみに検出された。磁粉粒界は、主としてNd,Dy,Fe,O,F,Cから構成されており、例えば本実施例では、Nd:Fe:Fの元素比は凡そ1:1:2であった。これら粒界化合物は、磁粉の周りに断続的に島状に存在していることが特徴である。以上の磁気特性,元素分析による特徴は、熱間成形体の中心部,端部に関わらず観測された。また、電気抵抗を四端子法により評価した結果、DyF3処理した磁粉による熱間成形体は未処理磁粉による熱間成形体と比較して、電気抵抗が1.05倍から1.3倍の範囲で高くなっていることがわかった。
本実施例では、Dyに関してであるが、各種希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜を形成した磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石は、コート膜を有していない磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石と比較して、磁気特性は向上し、比抵抗は大きくなることが明らかになった。特に、TbF3,PrF3,HoF3,NdF3コート膜を有する磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石は磁気特性が大きく向上した。
実施例1と同様の方法で作製した熱間成形磁石の熱減磁を評価した。ここでの熱減磁の定義は、25℃を基準とし、高温の各温度で10分保持した後、25℃に戻したときの磁化の減少した割合を指すことにする。急冷磁粉を用いた熱間成形磁石は、焼結磁石と比較し、結晶粒径が細かいために、熱減磁がよい傾向にあることが知られている。実施例1に記載の熱間成形磁石は、保磁力同等の焼結磁石と比較し、熱減磁が10℃から100℃へ向上した。また、Brの温度係数は、−0.07から−0.13の間であった。
実施例1と同様の方法で作製した磁粉を使用し検討を行った。
希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜の形成処理液は以下のようにして作製した。例としてNdF3について記す。酢酸Nd、または硝酸Nd4gを100mLの水に溶解後、1%に希釈したフッ化水素酸をNdF3が生成に必要な当量の90%相当量を攪拌しながら徐々に加え、ゲル状のNdF3を生成させた。遠心分離により上澄み液を除去した後、残存ゲルと同量のメタノールを加へ、攪拌・遠心分離する操作を3〜10回繰り返すことで陰イオンを取り除き、ほぼ透明なコロイド状のNdF3のメタノール溶液(濃度:NdF3/メタノール=1g/5mL)を作製した。今回、陰イオンを十分に取り除くため、撹拌・遠心分離操作は10回実施した。
希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜を希土類磁石用磁粉に形成するプロセスは以下の方法で実施した。平均粒径が100μm以上200μm以下の希土類磁石用磁粉100gに対して5mlのNdF3コート膜形成処理液を添加し、希土類磁石用磁粉全体が濡れるのが確認できるまで混合した。NdF3コート膜形成処理希土類磁石用磁粉を2〜5torrの減圧下で溶媒のメタノール除去を行った。溶媒の除去を行った希土類磁石用磁粉を石英製ボートに移し、1×10-3Paの減圧下で200℃,30分と350℃,30分の熱処理を行った。結果、磁粉重量に対しNdF3を1wt%処理したことになる。このようにして作製した磁粉を、NdF3処理液と同様の方法で作製したDyF3処理液を更に塗布し、再び1×10-3Paの減圧下で200℃で30分熱処理し、さらに350℃で30分の熱処理を行った。このように希土類フッ化物の層を二重に形成した理由は、Ndの酸フッ化物の方がDyの酸フッ化物よりも安定であるため、高温での粒内へのDyの拡散を抑制することを意図した。この考えは、焼結磁粉に対しても適用できる。以上の工程を経て作製したNdF3及びDyF3処理磁粉を熱間成形するプロセスは実施例1と同じである。得られた成形体の最低厚さは6mmであり、密度は7.5g/cm3となった。この方法は、超硬金型の寸法を変えることができるため、原理的に磁石厚さに対する制限のないプロセスである。こうして得られた熱間成形体を2mm3に切り出し、プレス方向の減磁曲線を室温にて評価した。その際、パルス磁場によりプレス方向に4Tで着磁してから行った。Brが同等で、保磁力が飛躍的に向上することがわかった。Dyを一様に母相内に添加した磁石では、DyとFeの反強磁性的な結合から磁化が減少することが知られており、1wt%DyF3処理によりDyが粒内に拡散した場合の磁化の減少は、0.05T程度である。よって、本結果により保磁力のみならずBrの低下を抑制していることがわかる。磁気特性はDyを母相に一様に添加した保磁力の増加率に比べ、3倍以上の増加率を示した。断面SEM観察より、結晶粒の異方化が進み磁粉はプレス方向に詰まっており、磁粉は扁平であることがわかった。本実施例では、平均アスペクト比(プレス方向/プレス方向と垂直方向)は0.5であるが、結晶粒の配向の観点から0.5以下がより好ましい。磁粉を構成する結晶粒のc軸方向は20nm以上100nm以下、その垂直方向が200nm以上400nm以下であった。
また、EDX元素分析から、フッ素化合物Fは磁粉粒界にのみ偏析していることがわかった。Fは母相に入らないため、磁粉を構成する結晶粒の間にも存在していると考えられる。Gaも微量だが、粒界のみに検出された。磁粉粒界は、主としてNd,Tb,Fe,O,F,Cから構成されていた。これら粒界化合物は、磁粉の周りに断続的に島状に存在していることが特徴である。以上の磁気特性,SEM分析による特徴は、熱間成形体の中心部,端部に関わらず観測された。また、電気抵抗を四端子法により評価した結果、TbF3処理した磁粉による熱間成形体は未処理磁粉による熱間成形体と比較して、電気抵抗が1.05倍から2倍の範囲で高くなっていることがわかった。
本実施例では、Tbを有するフッ化物に関して検討を行ったが、各種希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜を形成した磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石は、コート膜を有していない磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石と比較して、磁気特性は向上し、比抵抗は大きくなることが明らかになった。特に、TbF3,PrF3,HoF3,NdF3コート膜を有する磁粉およびその磁粉を用いて作製した異方性希土類磁石は磁気特性が大きく向上した。
NdFeB系粉末としてNd2Fe14B構造を主相とし、約1%のホウ化物や希土類リッチ相を有する平均粒径5μmの磁粉を作製した。磁粉を金型に挿入し1Tの磁場中で1t/cm2の荷重で仮成形体を作製し、1×10-3Pa以下の真空中で1000℃から1150℃の間で焼結させた。表面研磨することで磁石寸法を10×10×5mm3にした。5mm方向が配向方向である。25℃で保磁力10kOeとなる。この磁石を500℃から900℃の間でDy蒸気に曝露することにより、Dyを結晶粒界に沿って磁石体内部に拡散させた。例えば、本実施例では、アルバック製マグライズを使用し、磁石体を700℃に加熱した。このようにして作製した磁石の結晶粒界をSTEM−EDXにより分析したところ、Dyを含む希土類酸化物の存在を確認した。保磁力は12kOeから18kOeの間になった。
この磁石体をDyFx溶液に浸す。このDyFx溶液は、原料としてDy(CH3COO)3をH2Oで溶解させ、HFを添加することでゼラチン状のDyF3・XH2OあるいはDyF3・X(CH3COO)(xは正数)が形成し、これを遠心分離により溶媒を除去し、アルコールを加えDyFx状態にしたものである。具体的には、希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜の形成処理液は以下のようにして作製した。
(1)水に溶解度の高い塩、例えばDyの場合は酢酸Dy4gを100mLの水に導入し、振とう器または超音波攪拌器を用いて完全に溶解した。
(2)10%に希釈したフッ化水素酸をDyFx(x=1−3)が生成する化学反応の当量分徐々に加えた。
(3)ゲル状沈殿のDyFx(x=1−3)が生成した溶液に対して超音波攪拌器を用いて1時間以上攪拌した。
(4)4000〜6000r.p.mの回転数で遠心分離した後、上澄み液を取り除きほぼ同量のメタノールを加えた。
(5)ゲル状のDyFクラスタを含むメタノール溶液を攪拌して完全に懸濁液にした後、超音波攪拌器を用いて1時間以上攪拌した。
(6)(4)と(5)の操作を酢酸イオン、又は硝酸イオンなどの陰イオンが検出されなくなるまで、10回繰り返した。
DyF系の場合、ほぼ透明なゾル状のDyFxとなった。処理液としてはDyFxが1g/5mLのメタノール溶液を用いた。この焼結体を溶液中に浸漬処理し、真空脱気して溶媒をとばす。浸漬,真空脱気の操作を、塗布したい量に応じて適宜調整する。今回、5回実施した。その後、300℃から900℃の温度範囲で熱処理によりDyFを磁石体内部に熱拡散させる。例えば今回は700℃で熱処理した。粒界にはすでにDyを含む希土類酸化物が形成されているが、フッ素化合物を構成するDy,C,Fがその粒界に沿って拡散し、結晶粒を構成するNdと交換するような相互拡散が生じる。結晶粒界に沿った拡散では、酸フッ化物の方がDyを含む希土類酸化物よりも安定であるために、このような拡散が生じると考えられる。粒界三重点には酸フッ素化合物やフッ素化合物が形成され、DyF3,DyF2,DyOFなどから構成されていることが判明した。さらに、これら酸フッ素化合物やフッ素化合物にはCも含まれていることがわかった。粒界にはフッ素原子が検出され、粒界から平均1nmから500nmの範囲にDyが濃縮している。粒界の中心から100nmの距離でDyの濃度はNdとの比率(Dy/Nd)で1/2から1/10である。このような磁石体表面からの熱拡散を利用した高保磁力磁石の製造方法は、10mm以下の磁石に適用した場合、特に効果が大きい。
NdFeB系粉末としてNd2Fe14B構造を主相とし、約1%のホウ化物や希土類リッチ相を有する平均粒径5μmの磁粉を作製する。磁粉を金型に挿入し1Tの磁場中で1t/cm2の荷重で仮成形体を作製し、1×10-3Pa以下の真空中で1000℃から1150℃の間で焼結させる。表面研磨することで磁石寸法を10×10×5mm3にした。5mm方向が配向方向である。25℃で保磁力10kOeとなる。この磁石を500℃から900℃の間でDy蒸気に曝露することにより、Dyを結晶粒界に沿って磁石体内部に拡散させた。例えば、本実施例では、アルバック製マグライズを使用し、磁石体を700℃に加熱した。このようにして作製した磁石の結晶粒界をSTEM−EDXにより分析したところ、Dyを含む希土類酸化物の存在を確認した。保磁力は12kOeから18kOeの間になった。
この磁石体をNdFx溶液に浸す。このNdFx溶液は、原料としてNd(CH3COO)3をH2Oで溶解させ、HFを添加することでゼラチン状のNdF3・XH2OあるいはNdF3・X(CH3COO)(xは正数)が形成し、これを遠心分離により溶媒を除去し、アルコールを加えNdFx状態にしたものである。具体的には、希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物コート膜の形成処理液は以下のようにして作製した。
(1)水に溶解度の高い塩、例えばNdの場合は酢酸Nd4gを100mLの水に導入し、振とう器または超音波攪拌器を用いて完全に溶解した。
(2)10%に希釈したフッ化水素酸をNdFx(x=1−3)が生成する化学反応の当量分徐々に加えた。
(3)ゲル状沈殿のNdFx(x=1−3)が生成した溶液に対して超音波攪拌器を用いて1時間以上攪拌した。
(4)4000〜6000r.p.mの回転数で遠心分離した後、上澄み液を取り除きほぼ同量のメタノールを加えた。
(5)ゲル状のNdFクラスタを含むメタノール溶液を攪拌して完全に懸濁液にした後、超音波攪拌器を用いて1時間以上攪拌した。
(6)(4)と(5)の操作を酢酸イオン、又は硝酸イオンなどの陰イオンが検出されなくなるまで、10回繰り返した。
NdF系の場合、ほぼ透明なゾル状のNdFxとなった。処理液としてはNdFxが1g/5mLのメタノール溶液を用いた。この焼結体を溶液中に浸漬処理し、真空脱気して溶媒をとばす。浸漬,真空脱気の操作を、塗布したい量に応じて適宜調整する。今回、5回実施した。その後、300℃から900℃の温度範囲で熱処理を行い、NdFを磁石体内部に熱拡散させる。例えば、今回は700℃で加熱した。粒界にはすでにDyを含む希土類酸化物が形成されているが、フッ素化合物を構成するNd,C,Fがその粒界に沿って拡散する。結晶粒界に沿った拡散では、酸フッ化物、及びNdの酸フッ化物の方がDyを含む希土類酸化物よりも安定であるために、このような拡散が生じると考えられる。また、NdF3やNd化合物はDyが拡散するのを抑制する働きがあるため、すでに粒界近傍に存在するDyが粒内に更に拡散するのを抑制し、または粒界近傍により濃化することが可能である。これにより更に一段と粒界三重点には酸フッ素化合物やフッ素化合物が形成され、Nd,Dyを含む酸フッ化物やフッ素化合物から構成されていることが判明した。さらに、これら酸フッ素化合物やフッ素化合物にはCも含まれていることがわかった。粒界にはフッ素原子が検出され、粒界から平均1nmから500nmの範囲にDyが濃縮している。粒界の中心から100nmの距離でDyの濃度はNdとの比率(Dy/Nd)で1/2から1/10である。このような磁石体表面からの熱拡散を利用した高保磁力磁石の製造方法は、10mm以下の磁石に適用した場合、特に効果が大きい。

Claims (10)

  1. RTB(但し、Rは希土類元素、Tは遷移金属元素、Bはホウ素)を成分にもつ希土類磁石であって、
    前記希土類磁石は、結晶粒から構成される磁粉によって構成され、
    前記磁粉の粒径において、長径に対する短径の比が0.5以下であり、前記短径が10μm以上であって、
    Rの磁気異方性よりも高い磁気異方性を有するRmの濃度が、前記結晶粒の表面部で高く、前記結晶粒の深部で低く、
    前記結晶粒のc軸方向の大きさは、20nm以上100nm以下であって、前記c軸方向と垂直である方向の大きさが100nm以上400nm以下であり、
    前記磁粉の粒界に、酸フッ化物及び炭素が存在すことを特徴とする希土類磁石。
  2. 前記酸フッ化物が、前記結晶粒の粒界に存在することを特徴とする請求項1に記載の希土類磁石。
  3. 前記磁石の最低厚さが5mm以上であることを特徴とする請求項1に記載の希土類磁石。
  4. 前記Rmが、Nd,Tb,Dy,Pr,Ce,Hoの少なくとも一つであることを特徴とする請求項1に記載の希土類磁石。
  5. 前記磁粉が、Nd,Pr,Fe,Co,B及びGa元素を含有することを特徴とする請求項1に記載の希土類磁石。
  6. RTB(但し、Rは希土類元素、Tは遷移金属元素、Bはホウ素)を成分にもつ希土類磁石であって、
    前記希土類磁石は、結晶粒から構成される磁粉によって構成され、
    前記磁粉が、扁平形であって、
    前記磁粉の粒界に、酸フッ化物及び炭素が存在し、かつ、
    Rの磁気異方性よりも高い磁気異方性を有する元素Rmの濃度が、前記結晶粒の表面部で高く、前記結晶粒の深部で低く、
    前記結晶粒のc軸方向の大きさは、20nm以上100nm以下であって、前記c軸方向と垂直である方向の大きさが100nm以上400nm以下であることを特徴とする希土類磁石。
  7. 前記Rmが、Tb,Dy,Prの少なくとも一つであって、
    前記RがNdであって、前記TがFeであることを特徴とする請求項に記載の希土類磁石。
  8. 前記磁粉の結晶粒界に、フッ素が存在することを特徴とする請求項1〜7に記載の希土類磁石。
  9. 前記磁粉は、急冷の後に、200℃以上900℃以下の範囲で成形することで製造されたことを特徴とする請求項1〜8に記載の希土類磁石。
  10. 前記磁粉は、前記成形により磁石厚さが75%以上変形したことを特徴とする請求項1〜9に記載の希土類磁石。
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