JP5633392B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置に関し、より詳細には、封止部材からリードフレームが突出する形状の半導体装置に関する。
半導体素子を発光源として樹脂によって封止された半導体装置は、通常、一対のリードフレームと、この一対のリードフレームの一方に設けられた半導体素子搭載部上に接合される半導体素子と、これらを封止する樹脂材料から構成されている。このような半導体装置においては、従来から、樹脂材料のリードフレームへの這い上がりが問題となっている。一般に、リードフレームは、実装によって発光装置と外部との接続を行うために、その一部が樹脂材料から突出している。
しかし、樹脂がリードフレームに沿って這い上がる（例えば、リードフレームに沿った樹脂の這い上がり、バリ等、以下「薄延部」と記す）と、突出した一部が樹脂材料で被覆されることになり、実装時に、半田がつかず、電気的接合及び機械的接合に関して不良となることがある。また、樹脂材料の薄延部がタイバーにまで達してしまうと、タイバーを切断してストッパーを形成する際に、タイバーに這い上がった樹脂も一緒に切断することとなり、封止樹脂にクラックが生じるおそれがある。
このような這い上がりを防止するため、リードフレームの角を丸める加工をすることや、リードフレームの表面に溝を形成することが提案されている（例えば、特許文献１及び２）。
このような這い上がりを防止するため、リードフレームの角を丸める加工をすることや、リードフレームの表面に溝を形成することが提案されている（例えば、特許文献１及び２）。
しかし、これらの加工を施されたリードフレームは、封止樹脂のサイズの変更に対応できないという問題があった。すなわち、封止樹脂がリードフレーム設計の際に想定されたサイズよりも大きい場合、封止樹脂中に加工された部分が埋没し、這い上がり制御の効果が十分に得られない。
また、半導体装置が、基板にリードフレームを貫通させて実装を行う挿入実装型のＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である場合は、特に屋外用の表示装置に用いられる際に、防滴・防塵等の保護構造が設けられる。例えば、リードフレームにストッパーが形成されたＬＥＤを基板に貫通させて実装した後、基板の表面及びリードフレーム、封止樹脂の下部を覆うようにシリコーン樹脂を被覆することで、リードフレーム及び基板、さらにリードフレームと基板との接続部が保護される。
この際に用いられるシリコーン樹脂は、比較的高価であり、且つ、使用量が多いと表示装置自体が重くなるため、出来る限り使用量を減らすことが好ましい。シリコーン樹脂の使用量を減らすためには、例えば、ＬＥＤの封止樹脂を長くし、封止樹脂とストッパーまでの距離を小さくすればよい。しかし、従来のＬＥＤにおいて封止樹脂とストッパーとを近づけると、封止樹脂がリードフレーム設計の際に想定されたサイズよりも大きくなるため、這い上がり制御の効果が十分に得られず、封止樹脂がストッパーや半田付け部分にまで這い上がり易い。これによって、ストッパー形成時（タイバーカット時）の封止樹脂のクラックや、半田付けの際の接合不良が引き起こされる。
本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、封止樹脂のサイズにかかわらず、樹脂の這い上がりを適切に防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。また、ストッパーと封止樹脂とを近づけることが可能で、表示装置に使用する際にリードフレーム等の保護用の樹脂の使用量を少なくすることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、半導体素子と、半導体素子と電気的に接続され、封止部材から一端が突出するリードフレームと、を有し、リードフレームは、封止部材から突出した部分の少なくとも一主面において、リードフレームの突出方向に沿って伸びる平坦部と、該平坦部の一部を幅狭とする凹部と、が形成されている。
この半導体装置においては、リードフレームは、一対の凹部に挟まれた平坦部の少なくとも一部に、一対の凹部を繋ぐ方向に伸びる第１の擦過傷が形成されていることが好ましい。
また、第１の擦過傷は一対の凹部に挟まれた平坦部の一部のみに形成されており、第１の擦過傷よりも封止部材側には、リードフレームの突出方向に伸びる第２の擦過傷が形成されていることが好ましい。
リードフレームは、封止部材から突出した部分に幅広部を有し、凹部は、封止部材と幅広部との間の封止部材よりも幅広部に近い位置に配置されていることが好ましい。
リードフレームは、少なくとも封止部材から突出した部分において、主面と側面の成す角が面取りされた面取り領域を有することが好ましい。
面取り領域の封止部材とは反対側の終端に、凹部が形成されていることが好ましい。
凹部はリードフレームの一主面のみに設けられていることが好ましい。
また、第１の擦過傷は一対の凹部に挟まれた平坦部の一部のみに形成されており、第１の擦過傷よりも封止部材側には、リードフレームの突出方向に伸びる第２の擦過傷が形成されていることが好ましい。
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面取り領域の封止部材とは反対側の終端に、凹部が形成されていることが好ましい。
凹部はリードフレームの一主面のみに設けられていることが好ましい。
本発明の半導体装置は、封止樹脂のサイズにかかわらず、樹脂の這い上がりによる極薄膜の形成を確実に防止することができ、実装時における、半導体装置の電気的接合及び機械的接合の不具合を回避することが可能な半導体装置を提供することができる。また、ストッパーと封止樹脂とを近づけることが可能で、表示装置に使用する際にリードフレーム等を保護する樹脂の使用量を少なくすることが可能な半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体装置１０は、例えば、図１に示したように、主として、半導体素子１１と、リードフレーム１２と、封止部材１３とを備えて構成される。
（リードフレーム）
リードフレーム１２は、半導体素子と電気的に接続するための電極であり、実質的に板状であればよく、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。その大きさ、厚み、形状等は、得ようとする半導体装置の大きさ、形状等を考慮して適宜調整することができる。
リードフレーム１２は、半導体素子と電気的に接続するための電極であり、実質的に板状であればよく、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。その大きさ、厚み、形状等は、得ようとする半導体装置の大きさ、形状等を考慮して適宜調整することができる。
リードフレーム１２は、封止部材１３内部に配置された半導体素子１４を搭載する領域と、封止部材１３の一面又は一方から突出した外部接続用の端子となる領域とを有している。端子の大きさ及び形状は、それぞれ特に限定されず、例えば、後述する封止部材外におよぶ限り、半導体装置に搭載される半導体素子の放熱性及び半導体装置の実装態様（配置空間、配置位置など）を考慮して適宜設定することができる。なお、端子は、実装態様に応じて、他の電子機器との位置関係などを考慮して、適宜屈曲、変形させることができる。
図１および図２に示すように、リードフレーム１２の封止部材１３から突出した端子には、少なくとも一主面において、リードフレーム１２の突出方向に沿って伸びる平坦部１２ａと、平坦部１２ａの一部を幅狭とする凹部１２ｂと、が形成されている。図２は、図１におけるＡ−Ａ’線の概略断面図である。ここで、封止部材１３とは、後述するように、通常所定の形状で成形し、その成形された形状のものを意味するが、封止方法、材料等によって、意図しない部分に連続的に封止材料が付加されることがある（例えば、リードフレームに沿った這い上がり、バリ等、以下「薄延部」と記すことがある）。しかし、上述した「リードフレームの封止部材から突出した端子」における封止部材は、そのような意図しない部分が存在しない形状、つまり、封止に寄与する部分の部材のみを指す。
このような凹部１２ｂが形成されることにより、這い上がってきた封止部材の薄延部を凹部１２ｂに導入し、凹部１２ｂ内に溜めることができ、それ以上の這い上がりを抑制することができる。このように中央に平坦部１２ａを残した凹部１２ｂを形成することで、寸法安定性を確保できる。つまり、プレス加工等によってリードフレームの全幅にわたる凹部を形成すると、加工によってリードフレームが押し出され、リードフレームの突出方向の長さが変化する場合があるが、図１に示すように、部分的に平坦部１２ａを残すことで、リードフレームの突出方向における長さの変化を抑制することができ、製造歩留まりを向上できる。このような凹部１２ｂは、例えば、プレス加工で形成することができる。主面とは、リードを形成するその他の面と比べて幅の広い面を指す。
また、リードフレームは、素材の金属からなる下地板を打ち抜くことにより形成されるが、平面状の下地板を面に対して直角に打ち抜くため、下地板の底面側端縁部分に突起状のバリが生じる。このようなバリは樹脂の這い上がり経路となるため、凹部１２ｂは、少なくともバリが生じる側の主面であるバリ面に形成することが好ましい。これによって、バリを叩き潰すように凹部１２ｂを形成でき、バリに沿って這い上がってきた樹脂を凹部１２ｂに導入し、凹部１２ｂ内に溜めることができ、それ以上の這い上がりを抑制することができる。
凹部１２ｂは対向する二主面に形成することもできる。二主面に形成する場合は、一方の主面に形成される凹部と他方の主面に形成される凹部とをそれぞれ異なる位置や形状とすると、リードフレームに捩れが生じ易い。このため、二主面に形成する凹部の位置や形状は実質的に同一とすることが好ましい。また、リードフレームの捩れを確実に回避するためには、凹部は一主面のみに形成することが好ましく、さらには、略同一形状の凹部を略同一の高さに形成することが好ましい。
凹部１２ｂの形成位置は、封止部材１３外に存在すれば特に限定されないが、樹脂の這い上がりを確実に堰き止めるため、封止部材１３から離れた位置に配置されることが好ましい。半導体装置の大きさにもよるが、例えば、封止部材１３から、２ｍｍ程度以内、好ましくは１．５ｍｍ程度以内、さらに好ましくは１ｍｍ程度以内が挙げられる。あるいは、別の観点から、封止部材１３よりもリードフレーム１２の幅広部であるストッパー１２ｃに近い側に位置することが適している。さらに好ましくは、図１に示すように、封止部材１３とストッパー１２ｃとの距離Ｌ１の半分の距離Ｌ２（ストッパー１２ｃ側）の間に収まるように凹部１２ｂを配置する。これにより、余剰の樹脂を、凹部１２ｂにおいて確実に保持することができるとともに、樹脂のリードフレーム壁に沿った毛管現象様の作用をもこの溝で食い止め、樹脂による極薄い被覆膜がリードフレームの先端方向に広がることを防止することができる。
凹部１２ｂの大きさ及び深さは特に限定されないが、通常の半導体装置の組立て及び実装において負荷される圧力及び衝撃に対して機械的強度を確保することができ、かつ、封止部材１３の成形の際の樹脂の這い上がりの阻止を確保することができる大きさ及び深さであることが好ましい。凹部は、そのリードフレーム突出方向における長さが、幅よりも大きい形状が好ましく、さらには２倍以上大とすることが好ましい。例えば、凹部１２ｂのリードフレーム突出方向における長さ距離は０．５ｍｍ程度以下、幅は０．１５ｍｍ程度以下、深さは０．０３ｍｍ程度以下とすることが適当である。また、凹部１２ｂの深さは、リードフレーム１２の厚みの１０％程度以下、さらには６％程度以下が適当である。また、リードフレーム１２には少なくとも１つの凹部１２ｂを形成する。好ましくは、図１に示すように、１つのリードフレーム１２に対して一対の凹部１２ｂを形成する。リードフレーム１２に形成される複数の凹部１２ｂは、それぞれ形状や位置を変えることもできるが、好ましくは全ての凹部１２ｂを実質的に同一の形状で、同一の高さに形成する。
また、リードフレーム１２には、一対の凹部１２ｂに挟まれた平坦部１２ａの少なくとも一部に、一対の凹部１２ｂを繋ぐ方向に伸びる擦過傷１２ｄが形成されていることが好ましい。これによって、平坦部１２ａを這い上がってきた樹脂を凹部１２ｂへと誘導することができる。擦過傷１２ｄは、例えば、図１中において薄墨で示す位置に、リードフレームの突出方向に対して垂直方向（図中横方向）に延びる傷を複数形成する。一対の凹部１２ｂを繋ぐ方向に伸びる擦過傷１２ｄは、凹部１２ｂ間の全域に形成してもよく、さらにはリードフレーム全体に形成することもできる。
擦過傷１２ｄの形成方法は特に限定されないが、好ましくは、素材の金属からなる下地板を打ち抜いてリードフレームを形成する際に、使用する金型、特に打ち抜き方向に対して受け手側となる金型の表面の形状がリードフレームに転写されることを利用する。つまり、あらかじめ金型の表面に擦過傷を設けておくことで、リードフレーム形成時に下地板が金型に押し付けられ、これによってリードフレームに金型の表面の擦過傷が転写される。これによって、簡便な製造工程によってリードフレームの表面に研磨傷を形成でき、擦過傷１２ｄを有するリードフレームを形成できる。また、通常、金型には研磨による傷が残されているため、この研磨の方向や位置を所望のものに制御するこので、容易に擦過傷１２ｄを形成することができる。上述の理由から、擦過傷１２ｄはバリ面に形成される傾向にある。
確実に這い上がり樹脂を凹部１２ｂへと誘導するためには、擦過傷１２ｄ（第１の擦過傷）の形成領域を一対の凹部１２ｂ間の一部分のみとし、一対の凹部１２ｂ間のうち第１の擦過傷１２ｄよりも封止部材１３に近い領域には、図３に示すように、リードフレームの突出方向（図中縦方向）に伸びる第２の擦過傷１２ｅを形成することが好ましい。図３は、図１の一部を拡大した概略平面図である。なお、図３に示す第１の擦過傷１２ｄおよび第２の擦過傷１２ｅは、一例を模式的に示すものであり、このような形状や大きさに限られるものではない。このように延伸方向の異なる擦過傷１２ｄ、１２ｅは、上述のように金型の表面に施す研磨の方向を制御することによって容易に形成できる。研磨方向の異なる複数の金型を組み合わせてもよい。また、図１に示すように、凹部１２ｂを繋ぐ方向に伸びる第１の擦過傷１２ｄは、一対の凹部１２ｂ間の領域の中心より下側（リードフレームの先端側）に形成することが好ましい。擦過傷１２ｄは、凹部１２ｂ間にのみ形成してもよい。上述の金型を利用する簡便な製造工程で得るためには、図１に示すように、一対の凹部１２ｂ間の任意の位置を境界として、それより下側を全て第１の擦過傷１２ｄの形成領域とすることが好ましい。
（半導体素子）
本発明で用いられる半導体素子１１は、半導体によって構成される素子であり、例えば、各種トランジスタ、スイッチングダイオード、ツェナーダイオード、可変容量ダイオード、半導体発光素子などが挙げられる。好ましくは半導体発光素子を用いた発光装置とする。
本発明で用いられる半導体素子１１は、半導体によって構成される素子であり、例えば、各種トランジスタ、スイッチングダイオード、ツェナーダイオード、可変容量ダイオード、半導体発光素子などが挙げられる。好ましくは半導体発光素子を用いた発光装置とする。
例えば、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる半導体発光素子では、基板上に、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、活性層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合、ＰＮ接合などのホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。活性層には、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物及び／又はＺｎ、Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。得られる半導体素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量、活性層にドープする不純物の種類を変化させるなどによって、紫外領域から赤外領域まで変化させることができる。
なお、半導体素子１１は、上述のリードフレーム１２に搭載され、そのために、接合部材が用いられる。例えば、サファイア基板上に窒化物半導体を成長させて形成された半導体発光素子の場合には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等のほか、Ａｕ−Ｓｎ共晶などの半田、低融点金属等のろう材を用いることができる。さらに、ＧａＡｓ、ＳｉＣなどの半導体基板上に形成された半導体素子のように、両面に電極が形成された半導体素子の場合には、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト等によってダイボンディングしてもよい。また、正負の電極が上面に配置された半導体素子１１は、例えば図１に示すように、正負の電極がそれぞれワイヤ１４にてリードフレーム１２と電気的に接続される。
本発明の半導体装置１０では、半導体素子１１は、１つのみならず、複数個搭載されていてもよい。特に半導体素子が半導体発光素子の場合には、同じ発光色の光を発する半導体発光素子を複数個組み合わせてもよいが、例えば、ＲＧＢに対応するように、発光色の異なる半導体発光素子を複数個組み合わせることもできる。
なお、本発明の半導体装置１０は、さらに、保護素子を搭載していてもよい。保護素子を備えることにより、大電流の印加等による半導体素子の破壊を効果的に防止することができる。例えば、保護素子としてツェナーダイオードを用いることがｄけいる。
（封止部材）
封止部材１３は、少なくともリードフレームを固定する成形樹脂からなるものであればよく、また、半導体素子、リードフレーム及びワイヤ等を一体的に又は塊状に固定又は被覆する封止樹脂からなるものであってもよいし、双方が組み合わせられたものであってもよい。あるいは、ハウジングとして、半導体素子、リードフレーム、ワイヤ等を被覆する部材を意味する。いずれの場合においても、半導体素子１１やリードフレーム１２等に対して、絶縁性を確保することができるものであれば、どのような材料を用いてもよい。例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等、具体的には、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂、セラミック、硝子等が挙げられる。これらの材料には、着色剤として、種々の染料又は顔料等を混合して用いてもよい。例えば、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、カーボンブラック等が挙げられる。
封止部材１３は、少なくともリードフレームを固定する成形樹脂からなるものであればよく、また、半導体素子、リードフレーム及びワイヤ等を一体的に又は塊状に固定又は被覆する封止樹脂からなるものであってもよいし、双方が組み合わせられたものであってもよい。あるいは、ハウジングとして、半導体素子、リードフレーム、ワイヤ等を被覆する部材を意味する。いずれの場合においても、半導体素子１１やリードフレーム１２等に対して、絶縁性を確保することができるものであれば、どのような材料を用いてもよい。例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等、具体的には、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂、セラミック、硝子等が挙げられる。これらの材料には、着色剤として、種々の染料又は顔料等を混合して用いてもよい。例えば、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、カーボンブラック等が挙げられる。
特に、半導体素子が発光素子である場合には、部分的に又は全体的に、透光性を有する部材を用いることが好ましい。ここで透光性とは、発光素子から出射された光を７０％程度以上、８０％程度以上、９０％程度以上、９５％程度以上透過させる性質を意味する。透光性の樹脂には、蛍光物質を含有させてもよい。蛍光物質は、半導体素子からの光を変換させるものであり、半導体素子から封止部材の外部へ出射される光の波長を変換することができる。例えば、白色光を得る場合、特にＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を利用すると、その含有量によって青色半導体素子からの光と、その光を一部吸収して補色となる黄色系が発光可能となり白色系が比較的簡単に信頼性良く形成できる。また、２種以上の蛍光体を用いることもできる。
封止部材１３による成形体の形状は、特に限定されるものではなく、円柱、楕円柱、球、卵形、三角柱、四角柱、多角柱又はこれらに近似する形状等どのような形状でもよい。なお、上述したように、封止部材１３は、意図せずに、封止部材１３と連続してリードフレームに沿って延びる薄延部を有していることがある。
＜他の実施形態＞
図４〜図６を参照して、他の実施形態に係る半導体装置２０について説明する。なお、上述の半導体装置１０と同一構成のものについては同一の符号を付して、以下では主に相違点についてのみ説明する。
図４〜図６を参照して、他の実施形態に係る半導体装置２０について説明する。なお、上述の半導体装置１０と同一構成のものについては同一の符号を付して、以下では主に相違点についてのみ説明する。
図４に示すように、半導体装置２０では、リードフレーム１２に、主面と側面の成す角が面取りされた面取り領域１２ｆが形成されている。面取り領域１２ｆの断面の一例を図５に示す。図５は、図４におけるＢ−Ｂ’線の概略断面図である。面取り領域１２ｆは、例えばプレス加工によって形成することができる。バリ面をこのように面取り加工することによって、角部分のバリを一定形状に潰し、平坦化することができる。好ましくは、ダレ面にも同様の加工を施す。ダレ面とは、バリ面の対向面であり、リードフレームとなる下地板が打ち抜かれる際に角部が曲面となる面である。バリ面とダレ面の二主面に同様の面取り加工を施すことによって、リードフレームの断面形状を左右対称に近づけることができる。
面取り領域１２ｆは、例えば、図４に示すように、封止部材１３の内部に始端が配置され、リードフレーム１２の突出方向に沿って延伸し、封止部材１３の外で終端する。本実施形態では、図４に示すように、凹部１２ｂは面取り領域１２ｆの封止部材１３とは反対側に位置する終端に形成されている。その断面形状の一例を図６に示す。図６は、図４におけるＣ−Ｃ’線の概略断面図である。
面取り領域１２ｆを形成することで、リードフレーム形成時に生じたバリを平坦化することができるが、その一方で、面取り加工によって新たなバリが生じることがある。封止部材１３と半田付け部分やストッパー１２ｃとの距離を小さくした半導体装置においては、このような面取り加工によるバリも樹脂の這い上がり経路として問題となるため、面取り領域１２ｆの少なくとも一部と重なる位置に凹部１２ｂを形成することが好ましい。より好ましくは、凹部１２ｂを越えて樹脂が這い上がることを防止するために、図４に示すように、封止部材１３から離れた位置である面取り領域１２ｆの終端に凹部１２ｂを形成する。また、凹部１２ｂは、面取り加工によって生じたバリを平坦化するように、面取り領域１２ｆの形成後に形成することが好ましい。なお、面取り領域１２ｆの始端は封止部材１３の外とすることもできる。
また、上述の面取り加工によるバリは、バリ面でのみ観察される傾向にある。これは、リードフレーム形成によって生じた大きなバリを面取り加工によって押し潰して平坦化することで、平坦化しきれなかった一部分が主面側に押し出され、新たなバリを形成するためと考えられる。よって、凹部１２ｂは、少なくともバリ面に形成することが好ましく、さらに、リードフレームの捩れを回避するためには、バリ面のみに形成することが好ましい。また、凹部１２ｂの深さは、図６に示すように、面取り領域１２ｆが一部残存する程度とすることが好ましく、例えば面取り領域１２ｆが半分程度残存することが適当である。
面取り領域１２ｆは、好ましくは両主面に形成する。面取り領域１２ｆは、形状や大きさ、配置の異なるものを各主面に形成することもできるが、製造上の観点からは両主面において同一の形状、大きさ、配置で形成することが好ましい。
本発明の半導体装置は、半導体素子が樹脂によって成形又は封止されたものの全てにおいて利用することができる。
１０、２０ 半導体装置
１１ 半導体素子
１２ リードフレーム
１２ａ 平坦部
１２ｂ 凹部
１２ｃ ストッパー（幅広部）
１２ｄ 第１の擦過傷
１２ｅ 第２の擦過傷
１２ｆ 面取り領域
１３ 封止部材
１４ ワイヤ
１１ 半導体素子
１２ リードフレーム
１２ａ 平坦部
１２ｂ 凹部
１２ｃ ストッパー（幅広部）
１２ｄ 第１の擦過傷
１２ｅ 第２の擦過傷
１２ｆ 面取り領域
１３ 封止部材
１４ ワイヤ
Claims (6)
- 半導体素子と、半導体素子と電気的に接続され、封止部材から一端が突出するリードフレームを有し、前記リードフレームは、前記封止部材から突出した部分の少なくとも一主面において、前記リードフレームの突出方向に沿って伸びる平坦部と、該平坦部の一部を幅狭とする一対の凹部が形成されており、前記凹部に挟まれた前記平坦部の少なくとも一部に、一対の前記凹部を繋ぐ方向に伸びる第１の擦過傷が形成されている半導体装置。
- 前記第１の擦過傷は一対の前記凹部に挟まれた前記平坦部の一部のみに形成されており、
前記第１の擦過傷よりも前記封止部材側には、前記リードフレームの突出方向に伸びる
第２の擦過傷が形成されている請求項１に記載の半導体装置。 - 前記リードフレームは、前記封止部材から突出した部分に幅広部を有し、前記凹部は、
前記封止部材と前記幅広部との間の前記封止部材よりも前記幅広部に近い位置に配置
されている請求項１または２に記載の半導体装置。 - 前記リードフレームは、少なくとも前記封止部材から突出した部分において、主面と側
面の成す角が面取りされた面取り領域を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。 - 前記面取り領域の前記封止部材とは反対側の終端に、前記凹部が形成されている請求項４に記載の半導体装置。
- 前記凹部は前記リードフレームの一主面のみに設けられている請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
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