JP5628418B2 - ペリレンテトラカルボン酸ジイミドおよびベンゾジチオフェンによる共役ポリマーならびにその調製方法および用途 - Google Patents
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Description
本発明は、光電子光学分野に関し、特にペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びベンゾジチオフェンによる共役ポリマーおよびその調製方法に関する。
低コスト及び高効率を有する太陽電池の調製のための安価な材料を使用することは、太陽電池分野(photovoltaic field)では研究のホットスポットであり、困難である。地面に使用される従来のシリコン太陽電池は、製造プロセスが複雑で、コストが高いため、用途が限定されていた。コストを低減し、用途範囲を拡張するために、人々は、常に長い間、新規な太陽電池材料を探してきた。
したがって、高い光電変換効率を有するペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びベンゾジチオフェンによる共役ポリマーを提供することが必要である。
を有する、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(perylene tetracarboxylic acid diimide)及びベンゾジチオフェン(dibenzothiophene)による共役ポリマーが提供される。
S11:ペリレンテトラカルボン酸ジイミドジブロミド(perylene tetracarboxylic acid diimide dibromide)またはその誘導体およびベンゾジチオフェン単位を含む有機スズ化合物を、有機溶媒中で、1:1〜1.5:1のモル比で混合、溶解し;
S12:嫌気性環境下で工程S11の溶液に触媒を添加し、下記のような反応式:
ことを有する、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(perylene tetracarboxylic acid diimide)およびベンゾジチオフェンによる共役ポリマーの調製方法が提供される。
S13:前記共役ポリマー溶液をメタノール中に滴下して沈殿処理を行った後、吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、共役ポリマーを含むコロイドを製造し;S14:前記共役ポリマーを含むコロイドをトルエンに溶解し、前記トルエン溶液をジエチルジチオカルバミン酸ナトリウムの水溶液中に添加し、得られた溶液を80℃〜100℃に加熱攪拌した後アルミニウムオキシドカラムクロマトグラフィーにかけて、共役ポリマーを単離し、クロロベンゼンによる溶出後に減圧して有機溶媒を除去し;S15:工程S13を少なくとも1回繰り返し、アセトンソックスレー(acetone Soxhlet)を用いて、工程14で単離された共役ポリマーを抽出して、固体共役ポリマーを製造することを有する。
S21:基板を洗浄した後、前記基板の表面に導電層を積層し;
S22:前記導電層を表面処理し、導電層をポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)で被覆して、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層を形成し;
S23:前記ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層を共役ポリマーで被覆して、活性作用(active effect)を有する共役ポリマー層を形成し;
S24:前記共役ポリマー層上にアルミニウム金属層を形成して、太陽電池デバイスを製造する、
ことを有する、上記太陽電池デバイスの製造方法が提供される。
S31:基板を洗浄した後、前記基板の一方の表面に導電層を積層し;
S32:表面処理した後、導電層を、共役ポリマーで被覆して、ルミネセンス特性を有する共役ポリマー層を形成し;
S33:気相蒸着によって前記共役ポリマー層にLiFを被覆して、LiFバッファー層を形成し;
S34:前記LiFバッファー層上にアルミニウム金属層を形成して、有機エレクトロルミネセンスデバイスを製造する、
ことを有する、上記有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法が提供される。
S41:ドープされたシリコン基板を洗浄し、絶縁効果を有するSiO2絶縁層を積層し;
S42:前記SiO2絶縁層をオクタデシルトリクロロシランで被覆して、オクタデシルトリクロロシラン層を形成し;
S43:前記オクタデシルトリクロロシランを共役ポリマーで被覆して、共役ポリマー有機半導体層を形成し;
S44:前記共役ポリマー有機半導体層上に金属源及びドレイン電極を形成して、有機電界効果トランジスタを製造する、
ことを有する、上記有機電界効果トランジスタの調製方法が提供される。
本発明の目的は、良好な溶解性、広範な光学吸収スペクトル、及び高い光電変換効率を有する、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(perylene tetracarboxylic acid diimide)およびベンゾジチオフェンによる共役ポリマーを提供することである。本発明は、さらに、当該共役ポリマーの調製方法を提供し、光電子分野での当該共役ポリマーの用途が示される。
を有する、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(perylene tetracarboxylic acid diimide)およびベンゾジチオフェンによる共役ポリマーが提供される。
S11:ペリレンテトラカルボン酸ジイミドジブロミド(perylene tetracarboxylic acid diimide dibromide)またはその誘導体およびベンゾジチオフェン単位を含む有機スズ化合物を、有機溶媒中で、1:1〜1.5:1のモル比で混合、溶解し;
S12:嫌気性環境下で工程S11の溶液に触媒を添加し、下記のような反応式:
ことを有する、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(perylene tetracarboxylic acid diimide)およびベンゾジチオフェンによる共役ポリマーの調製方法が提供される。
S13:前記共役ポリマー溶液をメタノール中に滴下して沈殿処理を行った後、吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、共役ポリマーを含むコロイドを製造し;S14:前記共役ポリマーを含むコロイドをトルエンに溶解し、前記トルエン溶液をジエチルジチオカルバミン酸ナトリウムの水溶液中に添加し、得られた溶液を80℃〜100℃に加熱攪拌した後アルミニウムオキシドカラムクロマトグラフィーにかけて、共役ポリマーを単離し、クロロベンゼンによる溶出後に減圧して有機溶媒を除去し;S15:工程S13を少なくとも1回繰り返し、アセトンソックスレー(acetone Soxhlet)を用いて、工程14で単離された共役ポリマーを抽出して、固体共役ポリマーを製造することを有する。
S21:基板を洗浄した後、前記基板の一方の表面に導電層を積層し;
S22:前記導電層を表面処理した後、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)で被覆して、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層を形成し;
S23:前記ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層を共役ポリマーで被覆して、活性作用(active effect)を有する共役ポリマー層を形成し;
S24:前記共役ポリマー層上にアルミニウム金属層を形成して、太陽電池デバイスを製造する、
ことを有する、上記太陽電池デバイスの製造方法が提供される。
S31:基板を洗浄した後、前記基板の一方の表面に導電層を積層し;
S32:導電層を、表面処理した後、共役ポリマーで被覆して、ルミネセンス特性を有する共役ポリマー層を形成し;
S33:気相蒸着によって前記共役ポリマー層にLiFを被覆して、LiFバッファー層を形成し;
S34:前記LiFバッファー層上にアルミニウム金属層を形成して、有機エレクトロルミネセンスデバイスを製造する、
ことを有する、上記有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法が提供される。
S41:ドープされたシリコン基板を洗浄し、絶縁効果を有するSiO2絶縁層を積層し;
S42:前記SiO2絶縁層をオクタデシルトリクロロシランで被覆して、オクタデシルトリクロロシラン層を形成し;
S43:前記オクタデシルトリクロロシランを共役ポリマーで被覆して、共役ポリマー有機半導体層を形成し;
S44:前記共役ポリマー有機半導体層上に金属源及びドレイン電極を形成して、有機電界効果トランジスタを製造する、
ことを有する、上記有機電界効果トランジスタの製造方法が提供される。
ポリ(N,N’−ジ−(3,4,5−トリメチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド−(4,5−ジヘキシル)ベンゾ[2,1−b:3,4−b’]ジチオフェン)の調製
ポリ(N,N’−ジ−(3,4,5−トリメトキシフェニル)−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド−(4−ヘキシル−5−デシル)ベンゾ[2,1−b:3,4−b’]ジチオフェン)の調製
ポリ(N,N’−ジ−(3,4,5−トリオクチルオキシフェニル)−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド−(4,5−ジエイコシル)ベンゾ[2,1−b:3,4−b’]ジチオフェン)の調製
ポリ(N,N’−ジ−(3,5−ジエイコシル−4−メチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド−(4,5−ジドデシルオキシ)ベンゾ[2,1−b:3,4−b’]ジチオフェン)の調製
ポリ(N,N’−ジ−(3,5−ジエイコスオキシフェニル)−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド−(4−メチル−5−メトキシ)ベンゾ[2,1−b:3,4−b’]ジチオフェン)の調製
ポリ(N,N’−ジ−(3,4,5−トリフェニルフェニル)−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド−(4,4−ジエイコスオキシル)ベンゾ[2,1−b:3,4−b’]ジチオフェン)の調製
Claims (11)
- 下記一般式:
R1、R2およびR3は、水素、C1−C20アルキル基、C1−C20アルコキシフェニル基またはフェニル基であり;ならびに
R4およびR5は、C1−C20アルキル基である、
を有する、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(perylene tetracarboxylic acid diimide)およびベンゾジチオフェンによる共役ポリマー。 - 下記工程:
S11:有機溶媒中で、1:1〜1.5:1のモル比でペリレンテトラカルボン酸ジイミドジブロミド(perylene tetracarboxylic acid diimide dibromide)またはその誘導体およびベンゾジチオフェン単位を含む有機スズ化合物を混合、溶解し;
S12:嫌気性環境下で工程S11の溶液に触媒を添加し、下記のような反応式:
R 1 、R 2 およびR 3 は、水素、C 1 −C 20 アルキル基、C 1 −C 20 アルコキシフェニル基またはフェニル基であり;ならびに
R 4 およびR 5 は、C 1 −C 20 アルキル基である、
で、50℃〜120℃で24〜72時間、スティルカップリング反応を行い、共役ポリマーの溶液を製造する、
ことを有する、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(perylene tetracarboxylic acid diimide)およびベンゾジチオフェンによる共役ポリマーの調製方法。 - 工程S11における前記有機溶媒は、テトラヒドロフラン、ジメチルアミド、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ベンゼン、及びトルエンからなる群より選択される一種または数種である、請求項2に記載の共役ポリマーの調製方法。
- 工程S12における前記触媒を、全材料の0.01〜5モル%の量で添加し;
前記触媒は、有機パラジウムまたは有機パラジウム及び有機ホスフィンリガンド(organophosphine ligand)の混合物であり;
前記有機パラジウムは、Pd2(dba)3、Pd(PPh3)4およびPd(PPh3)2Cl2からなる群より選択される一種または数種であり;
前記有機ホスフィンリガンド(organophosphine ligand)は、P(o−Tol)3であり;ならびに
前記有機ホスフィンリガンド(organophosphine ligand)に対する前記有機パラジウムのモル比は、有機パラジウム及び有機ホスフィンリガンド(organophosphine ligand)の混合物において1:2〜1:20である、請求項2に記載の共役ポリマーの調製方法。 - 前記共役ポリマー溶液が得られた後精製工程をさらに有し、
前記精製工程は、下記特定の工程:
S13:前記共役ポリマー溶液をメタノール中に滴下して沈殿処理を行った後、吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、共役ポリマーを含むコロイドを製造し;
S14:前記共役ポリマーを含むコロイドをトルエンに溶解し、前記トルエン溶液をジエチルジチオカルバミン酸ナトリウムの水溶液中に添加し、得られた溶液を80℃〜100℃に加熱攪拌した後アルミニウムオキシドカラムクロマトグラフィーにかけて、共役ポリマーを単離し、クロロベンゼンによる溶出後に減圧して有機溶媒を除去し;
S15:工程S13を少なくとも1回繰り返し、アセトンソックスレー(acetone Soxhlet)を用いて、工程14で単離された共役ポリマーを抽出して、固体共役ポリマーを製造することを有する、請求項2に記載の共役ポリマーの調製方法。 - 基板、導電層、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層、ならびに活性作用(active effect)を有する共役ポリマー層およびアルミニウム金属層が順次配列される構造を有する、請求項1に記載の共役ポリマーを用いて調製される太陽電池デバイス。
- 下記工程:
S21:基板を洗浄した後、前記基板の表面に導電層を積層し;
S22:前記導電層を表面処理し、導電層をポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)で被覆して、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層を形成し;
S23:前記ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホネート)層を共役ポリマーで被覆して、活性作用(active effect)を有する共役ポリマー層を形成し;
S24:前記共役ポリマー層上にアルミニウム金属層を形成して、太陽電池デバイスを製造する、
ことを有する、請求項6に記載の太陽電池デバイスの製造方法。 - 基板、導電層、ルミネセンス特性を有する共役ポリマー層、LiFバッファー層、およびアルミニウム金属層が順次配列される構造を有する、請求項1に記載の共役ポリマーを用いて調製される有機エレクトロルミネセンスデバイス。
- 下記工程:
S31:基板を洗浄した後、前記基板の表面に導電層を積層し;
S32:導電層を表面処理した後、導電層を共役ポリマーで被覆して、ルミネセンス特性を有する共役ポリマー層を形成し;
S33:気相蒸着によって前記共役ポリマー層にLiFを被覆して、LiFバッファー層を形成し;
S34:前記LiFバッファー層上にアルミニウム金属層を形成して、有機エレクトロルミネセンスデバイスを製造する、
ことを有する、請求項8に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法。 - ドープされたシリコン基板、SiO2絶縁層、オクタデシルトリクロロシラン層、共役ポリマー有機半導体層、ならびに金属源及びドレイン電極が順次配列される構造を有する、請求項1に記載の共役ポリマーを用いて調製される有機電界効果トランジスタ。
- 下記工程:
S41:ドープされたシリコン基板を洗浄し、絶縁効果を有するSiO2絶縁層を積層し;
S42:前記SiO2絶縁層をオクタデシルトリクロロシランで被覆して、オクタデシルトリクロロシラン層を形成し;
S43:前記オクタデシルトリクロロシランを共役ポリマーで被覆して、共役ポリマー有機半導体層を形成し;
S44:前記共役ポリマー有機半導体層上に金属源及びドレイン電極を形成して、有機電界効果トランジスタを製造する、
ことを有する、請求項10に記載の有機電界効果トランジスタの製造方法。
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PCT/CN2010/073727 WO2011153694A1 (zh) | 2010-06-09 | 2010-06-09 | 基于苝四羧酸二酰亚胺和苯并二噻吩的共轭聚合物及其制备方法和应用 |
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