CN103080183A - 含芴有机半导体材料,其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
提供一种含芴有机半导体材料,其制备方法和应用。所述含芴有机半导体材料具有以下通式(P);式中,n为1~100之间的整数;m为1~20的整数;x、y为正实数值,且x+y=1;R1、R2分别为氢原子、氟原子、氰基、C1~C40的直链或带支链的烷基或烷氧基、芳基、或杂芳基;R3为氢原子、C1~C20的烷基。该含芴有机半导体材料载流子迁移率高,吸光度强,对光吸收范围宽,提高了其对太阳光的利用率。
Description
含芴有机半导体材料, 其制备方法和应用 技术领域
本发明涉及一种共聚物有机半导体材料,更具体的涉及一类含芴有机半导体 材料。
本发明还涉及一类含芴有机半导体材料的制备方法及其应用。
背景技术
高效率太阳能电池通常是以无机半导体为原料, 但目前市场上主要的硅晶 太阳能电池由于生产过程工艺复杂, 污染严重, 耗能大, 成本高, 抑制了其商 业化应用的发展。 因此利用廉价材料制备低成本、 高效能的太阳能电池一直是 光伏领域的研究热点和难点。 而有机半导体材料一方面由于有机材料的环境稳 定性好、 制备成本低、 功能易于调制、 柔韧性及成膜性都较好; 另一方面由于 有机太阳能电池加工过程相对简单, 可低温操作, 器件制作成本也较低等优点 而备受关注, 成为廉价和有吸引力的太阳能电池材料。 除此之外, 有机太阳能 电池的潜在优势还包括: 可实现大面积制造、 可使用柔性衬底、 环境友好、 轻 便易携等。
虽然有机太阳能电池得到了较快的发展, 但是仍比无机太阳能电池的转换 效率低得多, 限制其性能提高的主要制约因素有: 有机半导体器件相对较低的 载流子迁移率, 器件的光谱响应与太阳辐射光谱不匹配, 高光子通量的红光区 没有被有效利用以及载流子的电极收集效率低等。 为了使有机太阳能电池得到 实际的应用, 开发新型的材料, 大幅度提高其能量转换效率仍是这一研究领域 的首要任务。
芴由于具有平面分子特性, 结构较为刚性, 因此化学性质稳定; 并且可通 过化学反应在 9位上引入其它支链, 2、 7位上易进行过渡金属交叉偶联, 因此具 有很好的化学可修饰性; 另外它还具有相对较宽的带隙和较低的 HOMO能级, 优良的量子效率、 空穴传输性能和成膜性, 因此芴及其衍生物被广泛应用于光 电材料的研究。
蒽及其衍生物具有很好的稳定性和较好的成膜性; 其紫外可见光谱呈现出 较宽的手指峰吸收, 有利于提高对太阳光的吸收覆盖范围; 并且它具有适当的 载流子传输特性, 其晶体室温下空穴迁移率可达 3 cm2/V-s, 是一类优异的有机 为有机光伏材料的研究却鲜有报道, 这就大大限制了它的应用范围。
而噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮的结构简单, 分子中原子位置相对紧凑, 且结 构具有对称性, 当作为含芴有机半导体材料共轭聚合物单元时, 也有很强的吸 电子作用。 通过在吡咯环上增加烷烃链, 也能很好地增加含芴有机半导体材料 共轭聚合物的溶解性和加工性。 目前, 它在有机光电研究领域具有广泛的应用 前景。
发明内容
本发明的目的在于提供一类含芴有机半导体材料, 用于解决上述问题。 本发明的目的还在于提供一类含芴有机半导体材料的制备方法,以及该有机 半导体材料在聚合物太阳能电池, 有机电致发光器件, 有机场效应晶体管, 有 机光存储, 有机非线性器件和有机激光器件等领域中的应用。
本发明所述的一类含芴 机半导体材料具有以下通式(P ):
式中, n为 1~100之间的整数; m为 1~20的整数; 优选 m的取值范围为: 6-12的整数;
x、 y为正实数值, 且 x+y=l ; 且 x+y=l ; x、 y的数值由三种单元体的投料 比决定;
、 R2出现时可相同或不同, 彼此独立地表示单取代或多取代的官能团, 选自氢原子、 氟原子、 氰基、 d - Cu)的直链或带支链的烷基或烷氧基、 芳基、 或杂芳基; 优选 、 R2分别为具有 d ~ C18的直链或带支链的烷基或烷氧基;
R3为氢原子、 (^~ 2()的烷基; 优选, R3为 d~C12的烷基。
本发明所设计的一类含芴有机半导体材料, 其制备方案如下:
步骤一: 在无水无氧反应条件下, 将 2, 7-二溴 -9, 9-二烷基芴和正丁基锂 (n-BuLi, 下同 )或叔丁基里 (t-BuLi)在 -70°C ~-85°C下以摩尔比 1: 2 ~ 4力口 入至第二溶剂中, 然后加入 2-异丙氧基 -4, 4, 5, 5-四曱基 -1, 3, 2-二杂氧戊硼烷或 双频哪醇合二硼, 进行缩合反应 12 ~ 48小时, 得到产物, 即 2, 7-双( 4, 4, 5, 5- 四曱基 -1,3, 2-二杂氧戊硼烷基) -9, 9-二烷基芴; 其中, 第二溶剂为四氢呋喃、 乙醚、 二氯曱烷、 三氯曱烷或乙酸乙酯中的至少一种; 2-异丙氧基 -4, 4, 5, 5-四 曱基 -1, 3, 2-二杂氧戊硼烷或双频哪醇合二硼的摩尔用量为 2, 7-二溴 -9, 9-二烷基 芴的 2~4倍; 缩合反应式如下:
步骤二:在无氧环境中,将结构式为
的 2,7-二 (4,4
四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴、 结构式为
溴蒽或其衍生物、结构式为
1,3-二( 5-溴噻吩基)-噻吩并 [3,4-c] 吡咯 -4,6-二酮或其衍生物按摩尔比 i: j: k混合, JL i=j+k, i, j, k为正实数, 在 70 100 °C、 催化剂、 碱液和第一溶剂存在下, 进行 Suzuki反应 24 ~ 72小时,
的所述含芴有机半 导体材料;其中,催化剂为 Pd(PPh3)4、 Pd(OAc)2、三环己基膦、 Pd2(dba)3/P(o-Tol)3 或 Pd(PPh3)2Cl2; 碱液为 NaOH水溶液、 Na2C03水溶液、 NaHC03水溶液或四乙 基氢氧化铵水溶液, 第一溶剂为曱苯、 乙二醇二曱醚、 四氢呋喃、 乙醚、 二氯 曱烷、三氯曱烷或乙酸乙酯等,催化剂的用量为 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂 氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴摩尔量的 0.01%~20%,碱的用量为 2,7-二 (4,4,5,5-四曱 基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴摩尔量的 2~20倍; Suzuki反应式如下:
1. 本发明的有机半导体材料分子中引入了蒽以及 1,3-二(5-溴噻吩基) -噻 吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮基团, 明显改善了其载流子迁移性能和光吸收范围;
2. 本发明的有机半导体材料分子中含有蒽单元, 由于其良好的平面度和共 轭度, 从而提高了其载流子迁移率, 同时, 1,3-二(5-溴噻吩基) -噻吩并 [3,4-c] 吡咯 -4,6-二酮上的 5位引入了烷基等修饰, 提高了其溶解性, 从而提高了其加工 性能;
3. 1,3-二(5-溴噻吩基) -噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮的结构简单, 分子中原 子位置相对紧凑, 且结构具有对称性, 当作为含芴有机半导体材料共轭聚合物
单元时, 具有很强的吸电子作用。 釆用 1,3-二(5-溴噻吩基) -噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮单元以及蒽单元与芴单元共聚,有效调节该有机半导体材料的带隙,并 将其吸收带边推向红外及近红外区, 使其吸光度强, 对光吸收范围宽, 提高了 其对太阳光的利用率, 同时, 使得该有机半导体材料溶解性能和电荷传输性能 优异;
4. 该有机半导体材料制备方法工艺简单, 产率高, 反应条件温和, 易于操 作和控制, 适合于工业化生产。
附图说明 结构示意图; 构示意图; 管的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供的一类含芴有机半导体材料, 具有以下通式(P ):
式中, n为 1~100之间的整数; m为 1~20的整数; 优选 m的取值范围为: 6-12的整数
x、 y为正实数值, 且 x+y=l ; 且 x+y=l ; x、 y的数值由 2,7-二 (4,4,5,5-四曱 基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴, 9,10-二溴蒽, 1,3-二 (5-溴噻吩基) - 噻吩并 [3 ,4-c]吡咯 -4,6-二酮三种单元体的投料比决定;
、 R2出现时可相同或不同, 彼此独立地表示单取代或多取代的官能团,
选自氢原子、 氟原子、 氰基、 d - Cu)的直链或带支链的烷基或烷氧基、 芳基、 或杂芳基; 优选 、 R2分别为具有 d ~ C18的直链或带支链的烷基或烷氧基;
R3为氢原子、 (^ ~ 2()的烷基; 优选, R3为 d ~ C12的烷基。
一类含芴有机半导体材料, 其制备方案如下:
步骤 S1 : 在无水无氧反应条件下, 将 2, 7-二溴 -9, 9-二烷基芴和正丁基锂在 -70°C ~ -85°C下以摩尔比 1 : 2 ~ 4加入至第二溶剂中, 然后加入 2-异丙氧基 -4, 4, 5, 5-四曱基 -1, 3, 2-二杂氧戊硼烷或双频哪醇合二硼 ( 其摩尔用量为 2, 7-二溴 -9, 9-二烷基芴的 2 ~ 4倍), 反应 12 ~ 48小时, 得到产物, 即 2, 7-双(4, 4, 5, 5-四 曱基 -1, 3, 2-二杂氧戊硼烷基) - 9, 9-二烷基芴; 其中, 第二溶剂为四氢呋喃、 乙 醚、 二氯曱烷、 三氯曱烷或乙酸乙酯中的至少一种, 其反应式如下:
步骤 S2:在无氧环境中,将 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9- 二烷基芴、 9,10-二溴蒽或其衍生物、 1,3-二(5-溴噻吩基) -噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6- 二酮或其衍生物按摩尔比 i: j: k混合,且满足 i=j+k, i,j , k为正实数,在 70〜: 100 °C、 催化剂、碱液和第一溶剂下进行 Suzuki反应 24 ~ 72小时, 得到含芴有机半导体 材料聚合物;其中,催化剂为 Pd(PPh3)4、Pd(OAc)2、三环己基膦、 Pd2(dba)3/P(o-Tol)3 或 Pd(PPh3)2Cl2; 碱液为 NaOH水溶液、 Na2C03水溶液、 NaHC03水溶液或四乙 基氢氧化铵水溶液, 第一溶剂为曱苯、 乙二醇二曱醚、 四氢呋喃、 乙醚、 二氯 曱烷、三氯曱烷或乙酸乙酯等,催化剂的用量为 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂 氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴摩尔量的 0.01%~20%,碱的用量为 2,7-二 (4,4,5,5-四曱 基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴摩尔量的 2~20倍; 其反应式如下:
本发明的无氧环境是由氮气(N2 )和 /或惰性气体混合构成。
本发明开发了一种含芴的有机半导体材料, 并将其应用于有机太阳能电池 等领域。 该材料具有较低的能隙, 较高的迁移率, 光谱的吸收范围宽, 并且这 种材料有利于载流子在活性层材料内部更为有效地传递。 将本发明中的材料作 为活性材料制备的有机太阳能电池, 经过高温退火后, 能有效增加分子内各基 团和分子链段间排列的有序性和规整度, 提高载流子迁移率的传输速度和效率, 进而提高光电转换效率。
下面结合附图, 对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例 1
本实施例公开结构如下的含芴有机半导体材料聚合物 Pl、 P2:
Pl、 P2的制备步骤如下:
步骤一、 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二辛基芴的制备:
搭好无水无氧反应装置, 在不断搅拌和 N2的保护下, 往三口瓶中加入白色 的 2,7-二溴 -9,9-二辛基芴 9.0mmol, 用注射器注入 150ml精制的四氢呋喃溶剂, 在 -78°C条件下再用注射器慢慢注入 27.0mmol n-BuLi,搅拌反应 2小时。反应 2 小时后,在 -78。C条件下用注射器注入 30.6mmol 2-异丙氧基 -4,4,5,5-四曱基 -1,3,2- 二杂氧戊硼烷, 升温到室温反应过夜。
反应结束后, 加入饱和 NaCl水溶液, 氯仿萃取, 无水硫酸钠干燥, 抽虑后 将滤液收集并旋蒸掉溶剂。 最后将粗产物用石油醚: 乙酸乙酯 (v/v=15:l)为淋洗 液进行硅胶柱层析分离,得到粉末状固体 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼 烷)基 -9,9-二辛基芴, 产率 65%。 GC-MS (EI-m/z): 642 (^)。
步骤二、 Pl、 P2的制备:
PI x=0. 1, y=0. 9
P2 x=0. 5, y=0. 5
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二辛基芴 lmmol、 9,10-二溴蒽 O.lmmoL 1,3-二 (5-溴噻吩基) -噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.9mmol、 Pd2(dba)30.025mmoK P(o-Tol)30.050 mmoK 2mol/L的 Na2C03水溶液 5ml和曱苯溶剂 30ml, 通过反复进行通 N2和抽真空使反应体系处于无氧状态, 在 70。C条件下反应 70h。
反应 70h后, 往产物的反应瓶中加入去离子水和曱苯进行萃取, 取有机相, 用减压蒸馏的方法将含芴有机半导体材料聚合物 /曱苯溶液蒸干至约 5ml左右, 将其滴入到 300ml无水曱醇中不断搅拌, 并有固体沉淀析出, 经过抽滤、 烘干 后得到固体粉末。 再将固体粉末用氯仿溶解, 用中性氧化铝过层析柱, 除去催 化剂 Pd2(dba)3/P(o-Tol)3, 最后将含芴有机半导体材料聚合物 /氯仿溶液旋蒸至剩
5ml左右,将其滴入曱醇溶剂中并搅拌数小时, 最后将含芴有机半导体材料聚合 物 P1收集烘干。 用索氏抽提器将含芴有机半导体材料聚合物抽提, 从而提高含 芴有机半导体材料聚合物分子量的单分散性。
釆用 Waters Breeze凝胶色谱仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P1 溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后 以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn 69000, 含 芴有机半导体材料聚合物单分散性为 1.31 , n为 100。
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二辛基芴 lmmol、 9,10-二溴蒽 0.5mmol、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.5mmol, 其它物体投料量、 反应条件和后处理方法均不变, 则最终得到含芴有 机半导体材料聚合物 P2。 釆用 Waters Breeze凝胶色语仪, 将提纯后的含芴有机 半导体材料聚合物 P2溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用 配套滤膜滤掉不溶物后以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试, 数均 分子量 Mn 41200 , 含芴有机半导体材料聚合物单分散性为 1.46, n为 65。
实施例 2
本实施例 、 P4:
χ=0. 8 , y=0. 2
x=0. 2 , y=0. 8
P3、 P4的制备步骤如下:
步骤一、 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二已基芴的制备: 其制备过程参考实施例 1 中的步骤一, 只是用氩气来构建无氧环境保护气 步骤三、 P3、 P4的制备:
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二已基芴 lmmol、 9,10-二溴 -2,6-二 (2-辛基癸基)蒽 0.8mmol (该化合物合成方法参见 Klaus Mullen等人的 Macromol. Chem. Phys. 2006, 207, 1107-1115 )、 1,3-二 (5-溴噻吩 基) -5-曱基-噻吩并 [3 ,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.2mmol、 Pd(OAc)23mg、 2mol/L的 Na2C03 水溶液 10ml和曱苯溶剂 40ml,通过反复进行通氩气和抽真空使反应体系处于无 氧状态, 在 100°C条件下反应 24h。
反应 24h后, 往反应瓶中加入去离子水和曱苯进行萃取, 取有机相, 用减 压蒸馏的方法将含芴有机半导体材料聚合物 /曱苯溶液蒸干至少量, 将其滴入到 300ml无水曱醇中不断搅拌,有固体沉淀析出,经过抽滤、烘干后得到固体粉末。 再将固体粉末用氯仿溶解, 用中性氧化铝过层析柱, 除去催化剂 Pd(OAc)2, 最 后将含芴有机半导体材料聚合物 /氯仿溶液旋蒸至剩 5ml左右, 将其滴入曱醇溶 剂中并搅拌数小时, 最后将含芴有机半导体材料聚合物 P3收集烘干。 用索氏抽 提器将含芴有机半导体材料聚合物抽提, 从而提高含芴有机半导体材料聚合物 分子量的单分散性。
釆用 Waters Breeze凝胶色谱仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P3
溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后 以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn 35800, 含 芴有机半导体材料聚合物单分散性为 1.87 , n为 38。
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二己基芴 lmmol、 9,10-二溴 -2,6-二 (2-辛基癸基)蒽 0.2mmol、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -5-曱基- 噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.8mmol, 其它物体投料量、 反应条件和后处理方法 均不变, 则最终得到含芴有机半导体材料聚合物 P4。 釆用 Waters Breeze凝胶色 语仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P4 溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后以 10微升量, lml/min的进 样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn 31500, 含芴有机半导体材料聚合物单 分散性为 2.03 , n为 43。
实施例 3
本实施例公开结构如下的含芴有机半导体材料聚合物 P5、 P6:
P5、 P6的制备步骤如下:
步骤一、 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二 (十二烷基)芴的 制备:
其制备过程参考实施例 1 中的步骤一, 只是用氮气和氩气混合气构建无氧 环境保护气氛。
步骤二、 P5、 P6的制备:
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二 (十二烷 基)芴 lmmol、 9,10-二溴 -2-氟蒽 0.5mmol (该化合物的合成方法参见 Elimelech Rochlin等人的 J.Org.Chem., 2003, 68, 216-226 ) 、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -5-辛基-噻 吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.5mmol、 Pd(PPh3)40.02mmoK 2mol/L的 Na2C03水溶 液 10ml和曱苯溶剂 40ml,通过反复进行通通氮气和氩气混合气,并抽真空使反 应体系处于无氧状态, 在 80°C条件下反应 58h。
反应 58h后, 往反应瓶中加入去离子水和曱苯进行萃取, 取有机相, 用减 压蒸馏的方法将含芴有机半导体材料聚合物 /曱苯溶液蒸干至少量, 将其滴入到 300ml无水曱醇中不断搅拌,有固体沉淀析出,经过抽滤、烘干后得到固体粉末。 再将固体粉末用氯仿溶解, 用中性氧化铝过层析柱, 除去催化剂 Pd(PPh3)4, 最 后将含芴有机半导体材料聚合物 /氯仿溶液旋蒸至剩 5ml左右, 将其滴入曱醇溶 剂中并搅拌数小时, 最后将含芴有机半导体材料聚合物 P5收集烘干。 用索氏抽 提器将含芴有机半导体材料聚合物抽提, 从而提高含芴有机半导体材料聚合物 分子量的单分散性。
釆用 Waters Breeze凝胶色谱仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P5 溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后
以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn 20300, 含 芴有机半导体材料聚合物单分散性为 2.33 , n 为 25。 在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二 (十二烷基)芴 lmmol、 9,10-二溴 -2- 氟蒽 0.6mmol、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -5-辛基-噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.4mmol, 其它物体投料量、 反应条件和后处理方法均不变, 则最终得到含芴有机半导体 材料聚合物 P6。 釆用 Waters Breeze凝胶色语仪, 将提纯后的含芴有机半导体材 料聚合物 P6溶于精制后的四氢呋喃配成 Img/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜 滤掉不溶物后以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn~21300, 含芴有机半导体材料聚合物单分散性为 2.16 , n为 27。
实施例 4
本实施例公开结构如下的含芴有机半导体材料聚合物 P7、 P8:
P7、 P8的制备步骤如下:
步骤一、 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二癸基芴的制备: 其制备过程参考实施例 1中的步骤一。
步骤二、 P7、 P8的制备:
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二癸基芴 lmmol、 9,10-二溴 -1,4-二曱氧基蒽 0.5mmol (该化合物的合成方法参见 Osman Cakmak等人的 J.Org.Chem., 2006, 71, 1795-1801 ) 、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -5-(2-乙 基己基) -噻吩并 [3, 4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.5mmol、三环己基膦 5mg、 2mol/L的 Na2C03 水溶液 10ml和曱苯溶剂 50ml, 通过反复进行通 N2和抽真空使反应体系处于无 氧状态, 在 90°C条件下反应 64h。
反应 64h后, 往反应瓶中加入去离子水和曱苯进行萃取, 取有机相, 用减 压蒸馏的方法将含芴有机半导体材料聚合物 /曱苯溶液蒸干至少量, 将其滴入到 300ml无水曱醇中不断搅拌,有固体沉淀析出,经过抽滤、烘干后得到固体粉末。 再将固体粉末用氯仿溶解, 用中性氧化铝过层析柱, 除去催化剂三环己基膦, 最后将含芴有机半导体材料聚合物 /氯仿溶液旋蒸至剩 5ml左右, 将其滴入曱醇 溶剂中并搅拌数小时, 最后将含芴有机半导体材料聚合物 P7收集烘干。 用索氏 抽提器将含芴有机半导体材料聚合物抽提, 从而提高含芴有机半导体材料聚合 物分子量的单分散性。
釆用 Waters Breeze凝胶色谱仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P7 溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后
以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn 56700, 含 芴有机半导体材料聚合物单分散性为 1.43 , n为 73。
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二癸基芴 lmmol、 9,10-二溴 -1,4-二曱氧基蒽 0.4mmol、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -5-(2-乙基己基) - 噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.6mmol, 其它物体投料量、 反应条件和后处理方法 均不变, 则最终得到含芴有机半导体材料聚合物 P8。 釆用 Waters Breeze凝胶色 语仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P8 溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后以 10微升量, lml/min的进 样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn 47700, 含芴有机半导体材料聚合物单 分散性为 1.31 , n为 60。
实施例 5
本实施例公开结构如下的含芴有机半导体材料聚合物 P9、 P10:
P9 x=0. 5, y=0. 5
P10 x=0. 1, y=0. 9
P9、 P10的制备步骤如下:
步骤一、 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二辛基芴的制备: 其制备过程参考实施例 1中的步骤一。
步骤二、 P9、 P10的制备:
P9 ^O. 5, y=0. 5
P10 x-0. 1 , y-0. 9
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二辛基芴 lmmol、 9,10-二溴 -2-辛基 -6-十八烷氧基蒽 0.5mmol、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -5-十二 烷基-噻吩并 [3,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.5mmol、 Pd(PPh3)2Cl2 0.02mmol、 2mol/L 的 Na2C03水溶液 10ml和曱苯溶剂 50ml,通过反复进行通 N2和抽真空使反应体系 处于无氧状态, 在 75°C条件下反应 40h。
反应 40h后, 往反应瓶中加入去离子水和曱苯进行萃取, 取有机相, 用减 压蒸馏的方法将含芴有机半导体材料聚合物 /曱苯溶液蒸干至少量, 将其滴入到 300ml无水曱醇中不断搅拌,有固体沉淀析出,经过抽滤、烘干后得到固体粉末。 再将固体粉末用氯仿溶解, 用中性氧化铝过层析柱, 除去催化剂 Pd(PPh3)2Cl2, 最后将含芴有机半导体材料聚合物 /氯仿溶液旋蒸至剩 5ml左右, 将其滴入曱醇 溶剂中并搅拌数小时, 最后将含芴有机半导体材料聚合物 P9收集烘干。 用索氏 抽提器将含芴有机半导体材料聚合物抽提, 从而提高含芴有机半导体材料聚合 物分子量的单分散性。
釆用 Waters Breeze凝胶色谱仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P9 溶于精制后的四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后 以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试, 数均分子量 Mn 30000, 含
芴有机半导体材料聚合物单分散性为 1.83 , n为 33。
在反应器中加入 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二癸基芴 lmmol、 9,10-二溴 -2-辛基 -6-十八烷氧基蒽 0.1mmol、 1,3-二 (5-溴噻吩基) -5-(2-乙 基己基) -噻吩并 [3 ,4-c]吡咯 -4,6-二酮 0.9mmol, 其它物体投料量、 反应条件和后 处理方法均不变, 则最终得到含芴有机半导体材料聚合物 P10。 釆用 Waters Breeze凝胶色语仪, 将提纯后的含芴有机半导体材料聚合物 P10溶于精制后的 四氢呋喃配成 lmg/lmL溶液, 用仪器专用配套滤膜滤掉不溶物后以 10微升量, lml/min的进样速度进行 GPC测试,数均分子量 Mn 26400,含芴有机半导体材 料聚合物单分散性为 2.01 , n为 30。
本发明还提供了结构式为
(式中, n为 1~100之间的整数; m为 1~20的整数; x、 y为正实数值,且 x+y=l ; 、 R2分别为氢原子、 氟原子、氰基、 d - Cw的直链或带支链的烷基或烷氧基、 芳基、 或杂芳基; R3为氢原子、 d - C^的烷基)的一类含芴有机半导体材料在 聚合物太阳能电池, 有机电致发光, 有机场效应晶体管, 有机光存储, 有机非 线性器件和有机激光器件等领域中的应用。
以下实施例是一类含芴有机半导体材料在有机太阳能电池,有机场效应晶体 管, 有机电致发光器件中的应用。
实施例 6
以实施例一中的 P1作为活性层材料的有机太阳能电池器件
一种有机太阳能电池器件, 其结构如图 1所示。 其中, 本实施例中的衬底釆 用 ITO玻璃, 玻璃作为衬底基材, ITO作为导电层。
该有机太阳能电池器件的结构为: 玻璃 11/ITO层 12/PEDOT:PSS 层 13/活 性层 14/A1层 15; 其中, 活性层的材质为混合物, 包括电子给体材料, PCBM
为电子受体材料;电子给体材料以实施例一中的 P1为材质,电子受体材料为 [6,6] 苯基 -C61 -丁酸曱酯 (简称 PCBM ); ITO是方块电阻为 10-20 Ω/口的氧化铟锡, PEDOT 为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩), PSS 为聚(苯乙烯磺酸); 优选方块电阻 为 18 Ω/口的 ITO。
该有机太阳能电池器件的制备过程为:
在玻璃基片 11 的一个表面沉积一层方块电阻为 10-20 Ω/口的氧化铟锡 ( ΙΤΟ )层 12, 形成作为阳极的导电层, 厚度约为 50-300 nm;
ITO玻璃经过超声波清洗, 并用氧 -Plasma处理后, 在 ITO表面涂上一层起 修饰作用的 PEDOT:PSS层 13 , 厚度为 20-300 nm;
在聚(3,4-亚乙二氧基噻吩): PSS 为聚(苯乙烯磺酸)层上釆用旋涂技术 涂覆一层活性层 14, 厚度为 50-300 nm, 该活性层的材质以实施例一中的 P1和 [6,6]苯基 -C61 -丁酸曱酯(简称 PCBM ) 的混合物;
在活性层的表面真空蒸镀金属铝, 形成作为阴极的金属铝层 15, 得到有机 太阳能电池器件;
将有机太阳能电池器件用环氧树脂封装后, 置于 110°C密闭条件下退火 1.5 小时, 再降到室温。 由于器件经过退火后, 材料的化学结构更加规整有序, 提 高了载流子的传输速度和效率, 从而提高了器件的光电转换效率。
优选 ITO、 PEDOT:PSS层、 活性层、 A1层的厚度分别为 150 nm、 50 nm, 120 nm、 100 nm。
实施例 7
以实施例一中的 P1作为有机电致发光器件
一种有机电致发光器件, 其结构如图 2所示; 本实施例中的衬底釆用 ITO 玻璃, 玻璃作为衬底基材, ITO作为导电层。
该有机电致发光器件的结构为: 玻璃 21 /ITO层 22/发光层 23/LiF緩冲层 24/A1层 25; 其中: 发光层以实施例一中的 P1为材质。
该有机电致发光器件的制备过程为:
在玻璃基片 21 的一个表面沉积一层方块电阻为 10-20 Ω/口的氧化铟锡
( ITO )层 22, 形成作为阳极的导电层, 厚度为 50-300 nm; 优选方块电阻为 10 Ω/口的 ITO。
通过旋涂技术在 ΙΤΟ表面制备一层以实施例一中的 P1为材质的发光层 23 , 厚度约为 50-300 nm;
在发光层上真空蒸镀 LiF, 作为緩冲层 14, 厚度约为 0.3-2 nm;
在所述发光层上真空蒸镀金属铝, 形成作为阴极的金属铝层 25, 得到所述 有机电致发光器件。
实施例 8
以含实施例一中的 P1为材质的有机场效应晶体管
一种有机场效应晶体管, 其结构如图 3 所示; 本实施例中的衬底釆用掺杂 硅片 (Si )作为衬底。
该有机场效应晶体管的结构为: Si 31/440nm厚的 Si02绝缘层 32/用于修饰 Si02的十八烷基三氯硅烷(OTS )层 33/有机半导体层 34 /以金为材质的源电极 ( S ) 35和漏电极(D ) 36; 其中, 有机半导体层以实施例一中的 P1为材质; 其中, 源电极(S )和漏电极(D )材质也可以选用铜材。
该有机场效应晶体管的制备过程为:
首先, 在清洗过后的掺杂硅片 31的一个表面上涂覆一层 Si02绝缘层 32; 其次, 在所述 Si02绝缘层上涂覆一层起修饰作用的十八烷基三氯硅烷层 33 , 厚 度为 10-200 nm; 接着, 在所述十八烷基三氯硅烷层上旋涂一层以实施例一中的 P1为材质的有机半导体层 34, 厚度约为 5030-300 nm; 最后, 在所述有机半导 体层上间隔设置有以金但不仅限于金为材质的源电极( S ) 35和漏电极(D ) 36, 得到所述有机场效应晶体管。
应当理解的是, 上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细, 并不能因此 而认为是对本发明专利保护范围的限制, 本发明的专利保护范围应以所附权利 要求为准。
Claims (1)
- 权利要求书1、 下述通式(P ) 的一类含芴有机半导体材料:式中, n为 1~100之间的整数; m为 1~20的整数;x、 y为正实数值, 且 x+y=l ;、 R2分别为氢原子、 氟原子、 氰基、 d - Cw的直链或带支链的烷基或烷 氧基、 芳基、 或杂芳基; R3为氢原子、 d - C^的烷基。2、 根据权利要求 1所述的一类含芴有机半导体材料, 其特征在于, 所述 m的取值范围为: 6~12的整数; 所述 R 、 R2分别为具有 d ~ C18的直链或带支 链的烷基或烷氧基; 所述 R3为 ~ C12的烷基。3、 一类含芴有机半导体材料的制备方法, 其特征在于, 包括如下步骤:在无氧环境中, 将结构式为 的 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基-1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴、 结构式为 的 9,10-二溴蒽或R3 其衍生物和结构式为 ^s^s八 「的 1,3-二(5-溴噻吩基) -噻吩并 [3,4-c]吡 咯 -4,6-二酮或其衍生物, 按摩尔比 i: j : k混合, 且满足 i=j+k, 且 i, j , k为正 实数, 于 70 100 °C、 催化剂、 碱液和第一溶剂条件下, 进行 Suzuki反应 24 ~ 72小时,得 的所述含芴 有机半导体材料; 其中,n为 1 ~ 200的整数, m为 1~20的整数;x、 y为正实数, 且 x+y=l;、 R2分别为氢原子、 氟原子、 氰基、 d-C 的烷基、 烷氧基、 芳基、 或 杂芳基; R3为氢原子、 d~C2。的烷基。4、 根据权利要求 3所述的制备方法,其特征在于,所述 m的取值范围为: 6-12的整数; 所述 、 R2分别为具有 d ~C18的直链或带支链的烷基或烷氧基; 所述 R3为 d~C12的烷基。5、 根据权利要求 3 所述的制备方法, 其特征在于, 还包括所述 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴的制备过程,制备步骤如下:在无水无氧条件中,将结构式为 的 2, 7-二溴 -9, 9-二烷基芴 和正丁基锂在 -70°C ~-85°C下, 以摩尔比 1: 2~4加入至第二溶剂中, 然后加入 结构式为 的双频哪醇合二硼或者结构式为 、的 2-异丙氧 基 -4, 4, 5, 5-四曱基 -1,3, 2-二杂氧戊硼烷,进行缩合反应 12-48小时,得到结构 的所述 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷) 基 -9,9-二烷基芴。6、 根据权利要求 5所述的制备方法, 其特征在于, 所述第二溶剂为四氢 呋喃、 乙醚、二氯曱烷、三氯曱烷或乙酸乙酯中的至少一种; 所述 2-异丙氧基 -4, 4, 5, 5-四曱基 -1, 3, 2-二杂氧戊硼烷或双频哪醇合二硼的摩尔量为 2, 7-二溴 -9, 9- 二烷基芴的 2 ~ 4倍。7、 根据权利要求 3所述的制备方法, 其特征在于, 所述催化剂的摩尔用 量为 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴的 0.01%~20%; 所述催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物;所述有机钯为 Pd(PPh3)4、 Pd(OAc)2、 Pd2(dba)3或 Pd(PPh3)2Cl2;所述有机碑配体为三环己基膦或 P(o-Tol)3。8、 根据权利要求 7所述的制备方法, 其特征在于, 所述有机钯与有机碑 配体的混合物中, 所述有机钯与有机碑配体的摩尔比为 1: 1 ~20。9、 根据权利要求 3所述的制备方法, 其特征在于, 所述碱液为 NaOH水 溶液、 Na2C03水溶液、 NaHC03水溶液或四乙基氢氧化铵水溶液; 所述碱液的 用量为 2,7-二 (4,4,5,5-四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基 -9,9-二烷基芴摩尔量的 2~20 倍; 所述第一有机溶剂为曱苯、 乙二醇二曱醚、 四氢呋喃、 乙醚、 二氯曱烷、 三氯曱烷或乙酸乙酯中的至少一种。10、 一种如权利要求 1 所述的一类含芴有机半导体材料在有机太阳能电 池, 有机电致发光器件, 有机场效应晶体管, 有机光存储, 有机非线性器件和 有机激光器件等领域中的应用。
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Citations (3)
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