JP5627669B2 - Memsセンサ - Google Patents
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Description
第1基材と、第2基材と、前記第1基材と前記第2基材間に位置する封止接合部と、を有して構成され、
前記封止接合部は、前記第1基材側から前記第2基材側にかけて、Ti層、Ta層、第1の接続金属層、及び、第2の接続金属層の順に積層されてなり、
前記第1の接続金属層はAlあるいはAl合金で形成され、
前記第2の接続金属層はGeで形成され、
前記第1基材側に形成された前記第1の接続金属層と前記第2基材側に形成された前記第2の接続金属層とが共晶接合されてなることを特徴とするものである。
前記封止接合部は、絶縁層と前記第2の基材間に形成されていることが好ましい。
前記枠体部と前記第1基材間に前記封止接合部が形成されており、前記封止接合部と同じ積層構造の接合部が前記アンカ部と前記第1基材間に設けられることが好ましい。これにより、アンカ部と第1基材間に設けられた接合部の共晶接合界面での接合強度を高めることができる。
前記封止接合部は、前記絶縁層と前記第2の基材間に形成されており、前記配線層は、前記封止接合部の内側にて前記可動部と対向する位置に設けられた固定電極層に電気的に接続されている構成に適用できる。
21、68 第1基材
22、67 第2基材
23,65 絶縁層
24、25、64 配線層
26 固定電極層
27 電極パッド
36 支持基板
37 アンカ部
38 可動部
40 枠体部
50 封止接合部
51 接合部
52 Ti層
53 Ta層
54 第1の接続金属層
55 第2の接続金属層
70 センサ素子
Claims (5)
- 第1基材と、第2基材と、前記第1基材と前記第2基材間に位置する封止接合部と、を有して構成され、
前記封止接合部は、前記第1基材側から前記第2基材側にかけて、Ti層、Ta層、第1の接続金属層、及び、第2の接続金属層の順に積層されてなり、
前記第1の接続金属層はAlあるいはAl合金で形成され、
前記第2の接続金属層はGeで形成され、
前記第1基材側に形成された前記第1の接続金属層と前記第2基材側に形成された前記第2の接続金属層とが共晶接合されてなることを特徴とするMEMSセンサ。 - 前記第1基材の前記第2基材との対向面側に絶縁層が形成され、前記絶縁層内に配線層が埋設されており、
前記封止接合部は、前記絶縁層と前記第2の基材間に形成されている請求項1記載のMEMSセンサ。 - 前記配線層は前記封止接合部の外側にまで引き出されており、前記封止接合部の外側の位置に前記配線層と電気的に接続される電極パッドが設けられている請求項2記載のMEMSセンサ。
- 前記第2基材は、アンカ部と、前記アンカ部に高さ方向へ変位可能に支持される可動部と、前記アンカ部及び前記可動部の周囲に形成された枠体部とを有して構成され、前記第2基材の前記第1基材と対向する反対側には前記アンカ部及び前記枠体部に固定される支持基板が設けられており、
前記枠体部と前記第1基材間に前記封止接合部が形成されており、前記封止接合部と同じ積層構造の接合部が前記アンカ部と前記第1基材間に設けられる請求項1ないし3のいずれか1項に記載のMEMSセンサ。 - 前記第1基材の前記第2基材との対向面側に絶縁層が形成され、前記絶縁層内に配線層が埋設されており、
前記封止接合部は、前記絶縁層と前記第2の基材間に形成されており、前記配線層は、前記封止接合部の内側にて前記可動部と対向する位置に設けられた固定電極層に電気的に接続されている請求項4記載のMEMSセンサ。
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