JP5625639B2 - 触媒担持担体の製造方法及び製造装置 - Google Patents

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Description

本発明は、触媒担持担体の製造方法及び触媒担持担体の製造装置に関する。
触媒は、産業上、様々な分野において普及しており、自動車排ガス浄化用触媒、燃料電池用触媒、ハーバー・ボッシュ法用アンモニア合成触媒、水素化触媒、光触媒等が知られている。このとき、触媒は、表面で作用するため、触媒活性を向上させることを目的として、触媒微粒子を製造する方法が知られている。
特許文献1には、平均細孔径が3.4nm以下でかつ標準偏差が0.2nm以下の細孔を有する多孔質基体の細孔内に触媒微粒子を担持した触媒担持体の製造方法として、超臨界流体に触媒微粒子の前駆体を溶解させて、これを多孔質基体に接触させて、超臨界流体を細孔に進入させ、前駆体を細孔内に配置する流体進入工程を有し、前駆体を細孔内に配置した多孔質基体に還元処理を施す方法が開示されている。
しかしながら、触媒微粒子の粒径を制御することが困難であるという問題がある。
本発明は、上記従来技術が有する問題に鑑み、触媒の粒径を制御することが可能な触媒担持担体の製造方法及び触媒担持担体の製造装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、触媒担持担体の製造方法において、還元することにより触媒が生成する触媒前駆体を含む溶解槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給して、該触媒前駆体を該亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解させる工程と、担体を含む担持槽に該触媒前駆体が溶解した亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給すると共に該触媒前駆体を還元して、該担体に前記触媒を担持させる工程と、該触媒を担持した担体を含む担持槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給して、該触媒を担持した担体を洗浄する工程を有することを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の触媒担持担体の製造方法において、前記洗浄された担体に担持されている触媒を酸化する工程をさらに有することを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の触媒担持担体の製造方法において、前記触媒前駆体を熱還元することを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の触媒担持担体の製造方法において、前記触媒前駆体は、金属錯体又は金属アルコキシドであることを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の触媒担持担体の製造方法において、前記触媒は、金、銅、銀、白金、鉄、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、スズ、亜鉛、チタン、アルミニウム、マンガン、コバルト、イリジウム、オスミウム、モリブデン、クロム及びバナジウムからなる群より選択される一種以上であることを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の触媒担持担体の製造方法において、前記担体は、ハニカム構造体であることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、触媒担持担体の製造装置において、還元することにより触媒が生成する触媒前駆体を亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解させる溶解槽と、前記溶解槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給する供給手段と、該亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体を還元して前記触媒を担体に担持させる担持槽と、前記担持槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給して該触媒を担持した担体を洗浄する洗浄手段を有することを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の触媒担持担体の製造装置において、前記供給手段は、前記洗浄手段を兼ね、前記溶解槽をバイパスして前記担持槽に前記亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給することを特徴とする。
請求項9に記載の発明は、請求項7又は8に記載の触媒担持担体の製造装置において、前記担持槽に、前記亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体を熱還元する加熱手段が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、触媒の粒径を制御することが可能な触媒担持担体の製造方法及び触媒担持担体の製造装置を提供することができる。
本発明の触媒担持担体の製造装置の一例を示す図である。 二酸化炭素の三態図である。 ハニカム構造体の一例を示す斜視図である。 ハニカム構造体の変形例を示す斜視図である。 実施例1のPd粒子担持担体のSEM写真である。 実施例4のPd粒子担持担体のSEM写真である。 実施例6のPd粒子担持担体のSEM写真である。
次に、本発明を実施するための形態を図面と共に説明する。
図1に、本発明の触媒担持担体の製造装置の一例を示す。触媒担持担体の製造装置100は、二酸化炭素を供給するボンベ11と、還元することにより触媒が生成する触媒前駆体を亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解させる溶解槽21と、触媒を担体に担持させる担持槽31と、固気分離器41と、気液分離器51を有する。
ボンベ11と溶解槽21を接続する配管Aは、上流側から、減圧弁V1、冷却器12、高圧ポンプ13、ストップバルブV2及び圧力センサーP1が順次設置されている。また、溶解槽21と担持槽31を接続する配管Bは、ストップバルブV3が設置されており、周囲が断熱材Iで覆われている。さらに、配管Aと配管Bを接続するバイパス配管Cが設置されており、バイパス配管Cは、上流側から、ストップバルブV4、圧力センサーP2及びV5が設置されている。なお、バイパス配管Cは、配管Aの高圧ポンプ13とストップバルブV2の間及び配管BのストップバルブV3と担持槽31の間に接続されている。一方、固気分離器41と気液分離器51を接続する配管Eは、背圧弁V6が設置されている。このため、圧力センサーP1、P2、高圧ポンプ13及び背圧弁V6を用いて、系内の圧力を制御することができる。
圧力センサーP1及びP2としては、特に限定されないが、AP−16S(キーエンス社製)等が挙げられる。
溶解槽21は、内部の温度を検知する温度センサーT1が設置されており、恒温槽22内に配置されている。このため、温度センサーT1及び恒温槽22を用いて、溶解槽21の温度を制御することができる。また、溶解槽21の内容物を攪拌するマグネチックスターラー23及び攪拌子23aが設けられている。
担持槽31は、内部の温度を検知する温度センサーT2が設置されており、ヒーター32内に配置されている。このため、温度センサーT2及び担持槽32を用いて、溶解槽21の温度を制御することができる。
温度センサーT1及びT2としては、特に限定されないが、熱電対、抵抗温度計等が挙げられる。
次に、触媒担持担体の製造装置100を用いて、触媒担持担体を製造する方法について説明する。
まず、減圧弁V1、ストップバルブV2、V3、V4、V5及び背圧弁V6を閉じ、高圧ポンプ13を停止した状態で、溶解槽21及び担持槽31に、それぞれ触媒前駆体(過剰量)及び担体を仕込む。次に、減圧弁V1、ストップバルブV2、V3、V4、V5及び背圧弁V6を開いて、系内の空気を二酸化炭素で置換して、所定の圧力まで昇圧させた後、減圧弁V1、ストップバルブV2、V3、V4及びV5を閉じる。さらに、恒温槽22及びヒーター32を用いて、それぞれ溶解槽21及び担持槽31を二酸化炭素の臨界温度以上の温度及び触媒前駆体を還元することが可能な温度まで昇温した後、ストップバルブV4及びV5を開き、高圧ポンプ13を作動させ、ストップバルブV2とV3の間以外の系内を二酸化炭素の臨界圧力以上の圧力まで昇圧する。次に、ストップバルブV4及びV5を閉じた後、ストップバルブV2及びV3を開き、ストップバルブV2とV3の間を、ストップバルブV2とV3の間以外の系内と同一の圧力まで昇圧し、溶解層21に超臨界二酸化炭素を供給する。このとき、マグネチックスターラー23を用いて、攪拌子23aを回転させることにより、触媒前駆体を超臨界二酸化炭素中に溶解させる。次に、高圧ポンプ13を用いて、超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体を担持槽31に所定時間供給する。このとき、溶解槽21に超臨界二酸化炭素が供給されるため、溶解していない触媒前駆体をさらに溶解させることができる。担持槽31に供給された触媒前駆体は熱還元されて、触媒のクラスター、即ち、触媒が生成し、触媒は担体に担持され、触媒担持担体が得られる。このとき、担体に担持されなかった触媒は、超臨界二酸化炭素中に溶解せず、担持槽31から排出された後、固気分離器41に貯留される。また、未反応の触媒前駆体や副生成物は、超臨界二酸化炭素中に溶解し、担持槽31から排出された後、固気分離器41を経て、背圧バルブV6から排出され、気液分離器51に貯留される。さらに、超臨界二酸化炭素は、背圧バルブV6から排出された後、気化して、気液分離器51から排出される。
次に、ストップバルブV2及びV3を閉じた後、ストップバルブV4及びV5を開き、超臨界二酸化炭素を担持槽31に供給する。これにより、触媒担持担体に付着した未反応の触媒前駆体や副生成物が洗浄される。
このとき、担持槽31に触媒前駆体を供給する速度、担持槽31で触媒前駆体が熱還元する速度、担持槽31に触媒前駆体が滞留する時間を制御することにより、触媒の粒径を制御することができる。
具体的には、溶解槽21の温度、系内の圧力、触媒前駆体を溶解させる時間を変化させると、超臨界二酸化炭素中の触媒前駆体の溶解量が変化する。このように超臨界二酸化炭素中の触媒前駆体の溶解量や、超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体を担持槽31に供給する速度を変化させることにより、担持槽31に触媒前駆体を供給する速度を制御することができる。
超臨界二酸化炭素中の触媒前駆体の溶解量を測定する方法としては、特に限定されないが、流通法を用いて超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体の質量を測定する直接法、紫外可視吸光法を用いて測定する間接法等が挙げられる。
また、担持槽31の温度、系内の圧力を変化させることにより、担持槽31で触媒前駆体が熱還元する速度を制御することができる。
さらに、系内の圧力を変化させることにより、担持槽31に触媒前駆体が滞留する時間を制御することができる。
超臨界二酸化炭素は、図2に示すように、臨界温度以上であると共に、臨界圧力以上である二酸化炭素である。また、亜臨界二酸化炭素は、図2に示すように、超臨界二酸化炭素よりも温度及び/又は圧力がわずかに小さい二酸化炭素である。
なお、二酸化炭素は、臨界温度が31.1℃であり、臨界圧力が7.38MPaであり、他の流体と比較して、臨界温度及び臨界圧力が小さい。また、超臨界二酸化炭素は、有機化合物が中程度の溶解度を示す。さらに、超臨界二酸化炭素は、常温常圧、即ち、大気圧下で、気化して拡散するため、生成物との分離が容易に行えることに加え、環境に対する負荷が小さく、安全性が高い。
表1に、気体、超臨界流体及び液体の代表的な特性値を示す。
なお、超臨界流体の密度、粘度、拡散係数、誘電率等の特性は、反応系の温度や圧力を変化させることにより、変化させることができる。
触媒前駆体としては、超臨界二酸化炭素に溶解すると共に、還元することにより触媒が生成することが可能であれば、特に限定されないが、金属錯体;金属アミド、金属アルコキシド等の金属塩等が挙げられ、二種以上併用してもよい。中でも、超臨界二酸化炭素に可溶であることから、金属錯体又は金属アルコキシドが好ましい。
触媒としては、特に限定されないが、金、銅、銀、白金、鉄、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、スズ、亜鉛、チタン、アルミニウム、マンガン、コバルト、イリジウム、オスミウム、モリブデン、クロム、バナジウム等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
金属錯体における配位子としては、特に限定されないが、アセチルアセトナート、ヘキサフルオロアセチルアセトナート、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、トリメチルオクタンジオネート、トリエチルオクタンジオネート、ビニルトリメチルシラン、シクロペンタジエン等が挙げられる。
金属アルコキシドの具体例としては、Mg(OC、Mo(OC、Ba(OC、Zn(OC、Cu(OCH、Cu(OC、Cu(OCH等が挙げられる。
金属錯体の具体例としては、ビス(アセチルアセトナト)パラジウム(II)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)パラジウム(II)、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)パラジウム(II)、ビス(シクロペンタジエニル)パラジウム(II)等が挙げられる。
担体としては、超臨界二酸化炭素に溶解しなければ、特に限定されないが、ステンレス鋼、ニッケル合金等の合金;アルミナ、ムライト、コージェライト、シリカ等のセラミックス;高分子等が挙げられる。中でも、チタン又はチタン合金が好ましい。
担体の形状としては、多孔質形状であれば、特に限定されないが、ハニカム構造体が好ましい。これにより、流体と触媒との接触面積を増大させることができ、触媒の効果を十分に得ることができる。また、接触面積を増大させることができるスポンジ状の構造体と比較して、流体の圧力損失を小さくすることができる。
ハニカム構造体は、通常、直径が数cm〜数十cm、長さが数十cm〜数mの円柱状である。また、ハニカム構造体の開口部のサイズは、通常、数十μm〜数cmである。
ハニカム構造体の開口部の断面形状としては、特に限定されないが、円形状、六角形状(図3参照)、四角形状、三角形状等が挙げられる。中でも、六角形状が好ましい。
なお、ハニカム構造体は、図4に示すように、複数のハニカム構造体を束ねて構成されていてもよい。
多孔質状の担体に触媒を担持する場合、表1に示したように、超臨界二酸化炭素の拡散係数が大きいことから、超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体は、担体の内部に十分に供給することができる。このため、多孔質状の担体に触媒を均一に担持することができる。
以上のようにして製造された触媒担持担体は、自動車排ガス浄化用触媒、燃料電池用触媒、ハーバー・ボッシュ法用アンモニア合成触媒、水素化触媒、光触媒等に適用することができる。
なお、触媒前駆体の溶解度に応じて、超臨界二酸化炭素の代わりに、亜臨界二酸化炭素を用いてもよい。
また、触媒前駆体を熱還元する代わりに、光、超音波等のエネルギーを用いて還元してもよいが、担持槽31内に光を照射したり、超音波振動を印加したりする必要がある。また、還元剤を用いて還元してもよいが、未反応の還元剤が触媒の特性に悪影響を及ぼすことがある。
さらに、触媒担持担体に担持されている触媒を、高純度空気を流通させる方法等により、酸化してもよい。
また、バイパス配管Cを設置せずに、触媒担持担体を洗浄するために超臨界二酸化炭素を担持槽31に供給してもよい。この場合、ボンベと担持槽31を接続し、上流側から、減圧弁、冷却器、高圧ポンプ、圧力センサー及びストップバルブが順次設置されている配管を設置することができる。
[実施例1]
図1の触媒担持担体の製造装置100を用いて、Pd粒子担持担体を製造した。具体的には、まず、減圧弁V1、ストップバルブV2、V3、V4、V5及び背圧弁V6を閉じ、高圧ポンプ13を停止した状態で、容積が50mLの溶解槽21及び容積が50mLの担持槽31に、それぞれPd(acac)1g及びハニカム状の担体5gを仕込んで。次に、減圧弁V1、ストップバルブV2、V3、V4、V5及び背圧弁V6を開いて、系内の空気を0.5MPaに減圧した二酸化炭素で置換して、ボンベ11の圧力まで昇圧させた後、減圧弁V1、ストップバルブV2、V3、V4及びV5を閉じた。さらに、恒温槽22及びヒーター32を用いて、それぞれ溶解槽21及び担持槽31を60℃及び350℃まで昇温した後、ストップバルブV4及びV5を開き、高圧ポンプ13を作動させ、ストップバルブV2とV3の間以外の系内を20MPaまで昇圧した。次に、ストップバルブV4及びV5を閉じた後、ストップバルブV2及びV3を開き、ストップバルブV2とV3の間を、20MPaまで昇圧し、溶解槽21に超臨界二酸化炭素を供給した。このとき、マグネチックスターラー23を用いて、攪拌子23aを回転させることにより、Pd(acac)を超臨界二酸化炭素中に溶解させた。次に、高圧ポンプ13を用いて、超臨界二酸化炭素中に溶解したPd(acac)を担持槽31に2mL/分で2時間供給し、Pd粒子担持担体を得た。
次に、ストップバルブV2及びV3を閉じた後、ストップバルブV4及びV5を開き、超臨界二酸化炭素を担持槽31に供給し、Pd粒子担持担体を洗浄した後、担持槽31からPd粒子担持担体を回収した。
図5に、Pd粒子担持担体のSEM写真を示す。
[実施例2]
溶解槽21の温度を40℃に変更した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
[実施例3]
溶解槽21の温度を80℃に変更した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
[実施例4]
担持槽31の温度を250℃に変更した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
図6に、Pd粒子担持担体のSEM写真を示す。
[実施例5]
担持槽31の温度を300℃に変更した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
[実施例6]
系内の圧力を25MPaまで昇圧した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
図7に、Pd粒子担持担体のSEM写真を示す。
[実施例7]
系内の圧力を30MPaまで昇圧した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
[実施例8]
超臨界二酸化炭素中に溶解したPd(acac)を担持槽31に5時間供給した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
[実施例9]
超臨界二酸化炭素中に溶解したPd(acac)を担持槽31に0.5mL/分で供給した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
[実施例10]
超臨界二酸化炭素中に溶解したPd(acac)を担持槽31に1.0mL/分で供給した以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
[実施例11]
担体として、メソポーラスシリカを用いた以外は、実施例1と同様にして、Pd粒子担持担体を得た。
図5〜7より、担持槽31の温度又は系内の圧力を変化させることにより、実施例1、4、6のPd粒子の粒径を制御できることが確認された。また、実施例1、4、6のPd粒子は、大きく二次凝集することなく、担体に担持されることが確認された。
なお、実施例1、4、6以外のPd粒子についても、同様に、Pd粒子の粒径を制御できること及び大きく二次凝集することなく、担体に担持されることが確認された。
11 ボンベ
12 冷却器
13 高圧ポンプ
21 溶解槽
22 恒温槽
23 マグネチックスターラー
23a 攪拌子
31 担持槽
32 ヒーター
41 固気分離器
51 気液分離器
A、B、D、E、F 配管
C バイパス配管
I 断熱材
V1 減圧弁
V2、V3、V4、V5 ストップバルブ
V6 背圧弁
T1、T2 温度センサー
P1、P2 圧力センサー
特開2004−283770号公報

Claims (9)

  1. 還元することにより触媒が生成する触媒前駆体を含む溶解槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給して、該触媒前駆体を該亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解させる工程と、
    担体を含む担持槽に該触媒前駆体が溶解した亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給すると共に該触媒前駆体を還元して、該担体に前記触媒を担持させる工程と、
    該触媒を担持した担体を含む担持槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給して、該触媒を担持した担体を洗浄する工程を有することを特徴とする触媒担持担体の製造方法。
  2. 前記洗浄された担体に担持されている触媒を酸化する工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の触媒担持担体の製造方法。
  3. 前記触媒前駆体を熱還元することを特徴とする請求項1又は2に記載の触媒担持担体の製造方法。
  4. 前記触媒前駆体は、金属錯体又は金属アルコキシドであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の触媒担持担体の製造方法。
  5. 前記触媒は、金、銅、銀、白金、鉄、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、スズ、亜鉛、チタン、アルミニウム、マンガン、コバルト、イリジウム、オスミウム、モリブデン、クロム及びバナジウムからなる群より選択される一種以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の触媒担持担体の製造方法。
  6. 前記担体は、ハニカム構造体であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の触媒担持担体の製造方法。
  7. 還元することにより触媒が生成する触媒前駆体を亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解させる溶解槽と、
    前記溶解槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給する供給手段と、
    該亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体を還元して前記触媒を担体に担持させる担持槽と、
    前記担持槽に亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給して該触媒を担持した担体を洗浄する洗浄手段を有することを特徴とする触媒担持担体の製造装置。
  8. 前記供給手段は、前記洗浄手段を兼ね、前記溶解槽をバイパスして前記担持槽に前記亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素を供給することを特徴とする請求項7に記載の触媒担持担体の製造装置。
  9. 前記担持槽に、前記亜臨界二酸化炭素又は超臨界二酸化炭素中に溶解した触媒前駆体を熱還元する加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項7又は8に記載の触媒担持担体の製造装置。
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