JP5620075B2 - 磁界センサおよびこれを用いた磁界測定方法 - Google Patents
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Description
例えば特許文献1では、高感度化を企図して、環状パターンの一部を開口して通電部を形成した磁界センサが提案されている。
点A−B間の電圧VABは
VAB=I2(R+ΔRcos2θ) (1)
となる。ここでIは電流密度ベクトル、BM0は磁束密度ベクトル、I2は素子電流である。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、正負方向の判定が可能で、信頼性の高い磁界検出を可能にすることを目的とする。
上記構成によれば、磁性薄膜の出力取り出し方向を素子電流方向に対し直交する方向とするとともに、素子電流の方向に対して対称となるように形成することで、方向の正負を判定することができ、かつ磁界を印加しないときのオフセットがなくなるため回路構成を簡単にすることができる。
この構成によれば、対称形であり、素子電流方向に対して対称となるように形成しやすく、信頼性の高い磁界センサを提供することが可能となる。
この構成によれば、磁性薄膜の幅が小さくなるため、電気抵抗が増大し、素子の外形を大きくすることなく抵抗値を大きくすることができ、出力を大きくすることが可能となる。
この構成によれば、高感度化をはかることができる。センサの出力Vmrは次式で表すことができる。
ただし、電流密度ベクトルと磁束密度ベクトルのなす角をθ1、θ2、
ABとACとおよびABとADのなす角をφ、
外部磁界がない時のAC間の電圧をVAC0、AD間の電圧をVAD0、
磁気抵抗効果による電圧変化の最大値をΔVrとする。
この構成によれば、磁界を印加しないときの電圧が等しくなり、電圧出力がゼロとなるため、後段の回路において増幅をした時にオフセットによる飽和を抑制することができ、回路構成が簡単となり、かつ高精度の磁界検出が可能となる。
この構成により、磁性体の間に空間が形成されるため、外部磁界に対する感度が低下する。そこで電気抵抗を高めたままで、磁気的な感度のみを向上すべく、電気的に独立して内部磁性体膜を設けたことで、より高感度化を図ることができる。
この構成によれば、製造が容易でパターンの変更のみで高感度で信頼性の高い磁界センサを提供することができる。
この構成によれば、感度を調整することができ、また、多数の磁界センサを並べて配列する場合、感度をそろえるために、内部磁性薄膜の材料を調整することによっても感度の調整を図ることが可能となる。
この構成によれば、磁性薄膜の出力取り出し方向を素子電流方向に対し直交する方向とするとともに、素子電流の方向に対して対称となるように形成することで、方向の正負を判定することができ、かつ磁界を印加しないときのオフセットがなくなるため回路構成を簡単にすることができる。
本発明の実施の形態の説明に先立ち、本発明の測定原理について説明する。
本発明では、磁性薄膜として用いる強磁性薄膜に対し、素子電流方向に対し直交する方向に出力取り出しを行うようにするとともに、出力取り出し方向に対してほぼ対称となるようにしている。
これを数式化すると、
VCD=I2(ΔRsin2θ) (5)
で表すことができる。ここでIは電流密度ベクトル、BM0は磁束密度ベクトル、I2は素子電流である。
つまり交流磁界を印加した時、正負を判定することができる。
この構成によれば、強磁性薄膜3にその直径方向に沿って配置された導体200に電流I1を流し、その電流によって生じる磁界をH、素子の持つ自発磁化をMとしたとき、磁界H、素子の持つ自発磁化Mを合成した磁束密度ベクトルをBM0とするとともに電流密度ベクトルと磁束密度ベクトルのなす角をθと、強磁性薄膜3の点A−B間の抵抗をR、磁界によって変化する点A−B間の抵抗値の最大値をΔRとすると、点C−D間の電圧VCDは、電圧VACと電圧VADとの差で表すことができる。
本実施の形態1の磁界センサについて説明する。図2にこの磁界センサの原理説明図、図3に、上面図、図4に断面図を示す。この磁界センサは図3及び4に示すように、シリコンからなる基板1表面に絶縁膜2として酸化シリコン膜を形成し、この絶縁膜2上に強磁性特性を有する強磁性薄膜3からなる環状パターンを形成し、この環状パターンの直径方向に沿って給電部5A,5Bを構成する導体パターン、および、この給電部5A,5Bから供給される素子電流の方向に直交する方向に形成された検出部5C,5Dとしての導体パターンとを具備したものである。
従って前記式(5)が成り立ち、交流磁界を印加した時、正負を判定することができる。
また、磁界を印加しないときのオフセットがなく、ゼロとなるため回路構成を簡単にすることができる。
また導体パターンとしては金、銅、アルミニウムなどが用いられる。
基板1としてのシリコン基板表面に、絶縁膜2としての酸化シリコン膜を形成し、この上層に、スパッタリング法により、強磁性薄膜3を形成する。このとき、磁界を印加しつつスパッタリングを行い、自発磁化方向が揃うように形成する。
そして、フォトリソグラフィによりこの強磁性薄膜3をパターニングし、円環状のパターンとする。
こののち、スパッタリング法により、金などの導電体薄膜を形成し、フォトリソグラフィによりパターニングし、図3及び図4に示すような給電部5A、5Bおよび検出部5C、5Dを形成する。
そして必要に応じて保護膜を形成し、磁界センサが完成する。
この測定結果を、図6および図7に示す。図6は素子電流I1を8.842Aとしたときの瞬時出力であり、図7は素子電流I1を0Aとしたときの瞬時出力である。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態では、図9乃至図11に示すように、前記実施の形態1の磁界センサの環状パターンを構成する強磁性薄膜3の環の内周に沿って相似形である円状の強磁性薄膜の補助パターン4を形成したことを特徴とするものである。構成としてはこの補助パターン4が付加されただけで、他の構成については前記実施の形態1と同様であり、ここでは説明を省略する。同一部位には同一符号を付した。ここで図9はこの磁界センサの原理説明図、図10に上面図、図11に断面図を示す。この磁界センサは基本的には前記実施の形態1と同様であるが、この補助パターン4の存在により、電気抵抗は高めたままで磁気的な感度を高めるようにしたものである。外側の環状パターン(3)と内部の補助パターン4とは電気的に接触していないため、電気抵抗は前記実施の形態1の磁界センサと同様であるが、磁気的には空間部が磁性薄膜で埋められるため、より多くの磁束を導くことができ、高感度化を図ることができる。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。本実施の形態では、図14および15に示すように、強磁性薄膜は、正方形の環状パターン33で構成され、前記正方形の対角線方向に電流が流れるように給電部5A,5Bが設けられ、これらに直交する方向に検出部5C,5Dが形成されたことを特徴とする。
本実施の形態でも、前記実施の形態1の磁界センサの環状パターン3に代えて正方形の環状パターン33を形成しただけで、他の構成については前記実施の形態1と同様であり、ここでは説明を省略する。同一部位には同一符号を付した。ここで図14はこの磁界センサの原理説明図、図15は、上面図である。
外部磁界が交流磁界の場合は、自発磁化ベクトルを中心に図の上下方向に振動する。
ただし、電流密度ベクトルと磁束密度ベクトルのなす角をθ1、θ2、
ABとACおよびABとADのなす角をφ、
外部磁界がない時のAC間の電圧をVAC0、AD間の電圧をVAD0、
磁気抵抗効果による電圧変化の最大値をΔVrとする。
前述したように、
また前記実施の形態では強磁性薄膜を用いた磁界センサを用いたが、これに限定されることなく他の磁界センサを用いてもよい。
2 絶縁膜
3、33 強磁性薄膜((環状)パターン)
4、24 補助パターン
5A,5B 給電部
5C,5D 検出部
100 強磁性薄膜
200 導体
Claims (6)
- 環状体の磁性薄膜と、
前記磁性薄膜に素子電流を供給する入出力端子を備えた給電部と、
前記素子電流の方向に直交する方向に延び、前記磁性薄膜を構成する環状体の中心を通りつつ当該環状体と交わる線分の両端間の電圧を検出する検出部とを具備し、
前記磁性薄膜は、前記素子電流の方向に対して対称となるように形成され、
前記環状体の内部に、磁性膜からなる内部磁性薄膜が設けられた磁界センサ。 - 請求項1に記載の磁界センサであって、
前記磁性薄膜は、外形が円形である磁界センサ。 - 請求項1に記載の磁界センサであって、
前記磁性薄膜は、線幅が一定である磁界センサ。 - 請求項1に記載の磁界センサであって、
前記内部磁性薄膜は、前記磁性薄膜と同一材料からなる磁性薄膜で構成された磁界センサ。 - 請求項1に記載の磁界センサであって、
前記内部磁性薄膜は、前記磁性薄膜と異なる磁性薄膜で構成された磁界センサ。 - 環状体の磁性薄膜と、前記磁性薄膜に素子電流を供給する入出力端子を備えた給電部と、
前記素子電流の方向に直交する方向に延び、前記磁性薄膜を構成する環状体の中心を通りつつ当該環状体と交わる線分の両端間の電圧を検出する検出部とを具備し、前記磁性薄膜は、前記素子電流の方向に対して対称となるように形成され、前記環状体の内部に、磁性膜からなる内部磁性薄膜が設けられた磁界センサを用いて磁界強度を測定する磁界測定方法であって、
前記供給部から前記磁性薄膜に素子電流を供給し、
前記検出部が前記素子電流の供給方向に直交する方向で、前記線分の両端間の電圧を検出することで磁界強度を測定する磁界測定方法。
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