JP5606315B2 - 磁気軸受装置及び該磁気軸受装置を搭載した真空ポンプ - Google Patents

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Description

本発明は磁気軸受装置及び該磁気軸受装置を搭載した真空ポンプに係わり、特に容量の大きな回生抵抗やヒートシンクを採用したり、より風量の大きなFANを使用しなくても、回生抵抗の発熱を仕様温度範囲に抑制でき、適正なブレーキ時間を得つつ、コンパクトで低コストな磁気軸受装置及び該磁気軸受装置を搭載した真空ポンプに関する。
近年のエレクトロニクスの発展に伴い、メモリーや集積回路といった半導体の需要が急激に増大している。
これらの半導体は、極めて純度の高い半導体基板に不純物をドープして電気的性質を与えたり、半導体基板上に微細な回路パターンを形成し、これを積層するなどして製造される。
そして、これらの作業は空気中の塵等による影響を避けるため高真空状態のチャンバ内で行われる必要がある。このチャンバの排気には、一般に真空ポンプが用いられているが、特に残留ガスが少なく、保守が容易である等の点から真空ポンプの中の一つであるターボ分子ポンプが多用されている。
また、半導体の製造工程では、さまざまなプロセスガスを半導体の基板に作用させる工程が数多くあり、ターボ分子ポンプはチャンバ内を真空にするのみならず、これらのプロセスガスをチャンバ内から排気するのにも使用される。
更に、ターボ分子ポンプは、電子顕微鏡等の設備において、粉塵等の存在による電子ビームの屈折等を防止するため、電子顕微鏡等のチャンバ内の環境を高度の真空状態にするのにも用いられている。
このようなターボ分子ポンプは、半導体製造装置や電子顕微鏡等のチャンバからガスを吸引排気するためのターボ分子ポンプ本体と、このターボ分子ポンプ本体を制御する制御装置とから構成されている。
ここで、ターボ分子ポンプ本体の縦断面図を図8に示す。
図8において、ターボ分子ポンプ本体100は、円筒状の外筒127の上端に吸気口101が形成されている。外筒127の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードとしての複数の回転翼102a、102b、102c、・・・を周部に放射状かつ多段に形成した回転体103を備える。
この回転体103の中心にはロータ軸113が取り付けられており、このロータ軸113は、例えば、いわゆる5軸制御の磁気軸受により浮上支持かつ位置制御されている。
上側径方向電磁石104は、4個の電磁石が互いに直行するX軸とY軸とに対をなしロータ軸113を挟んで対向配置されている。このX軸とY軸は、ロータ軸113が磁気軸受の制御目標の位置にあるときのロータ軸113の軸芯に対して直角な平面上に想定されている。また、この上側径方向電磁石104の4個の電磁石の近傍には、それぞれの電磁石に対応し回転体103を挟んで対向配置された4個のコイルからなる上側径方向センサ107が備えられている。この上側径方向センサ107は回転体103の径方向位置を検出し、その信号を制御装置に送るように構成されている。
ロータ軸113は、高透磁率材(鉄など)などにより形成され、上側径方向電磁石104の磁力により吸引されるようになっている。
また、下側径方向電磁石105及び下側径方向センサ108が、上側径方向電磁石104及び上側径方向センサ107と同様に配置され、下側径方向センサ108が、ロータ軸113の下側の径方向位置を検出し、その信号を制御装置に送るように構成されている。そして、ロータ軸113の上側と下側の径方向位置が、制御装置の磁気軸受フィードバック制御手段により調整されている。
更に、軸方向電磁石106A、106Bが、ロータ軸113の下部に備えた円板状の金属ディスク111を上下に挟んで配置されている。金属ディスク111は、鉄などの高透磁率材で構成されている。回転体103の軸方向位置を検出するために軸方向センサ109が備えられ、その軸方向位置信号が制御装置に送られるように構成されている。
軸方向電磁石106Aは、磁力により金属ディスク111を上方に吸引し、軸方向電磁石106Bは、金属ディスク111を下方に吸引する。
このように、制御装置では、磁気軸受フィードバック制御手段により、軸方向電磁石106A、106Bが金属ディスク111に及ぼす磁力を適当に調節し、ロータ軸113を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持する。
モータ121は、その回転子側にロータ軸113を取り囲むように周状に配置された複数の永久磁石の磁極を備えている。そして、これらの永久磁石は、モータ121の固定子側である電磁石から、ロータ軸113を回転させるトルクが加えられるようになっており、回転体103が回転駆動されるようになっている。
また、モータ121には、図示しない回転数センサ及びモータ温度センサが取り付けられており、これらの回転数センサ及びモータ温度センサの検出信号を受けて、制御装置においてロータ軸113の回転が制御されている。
回転翼102a、102b、102c、・・・とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼123a、123b、123c、・・・が配設されている。回転翼102a、102b、102c、・・・は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。
また、固定翼123も、同様にロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒127の内方に向けて回転翼102の段と互い違いに配設されている。
そして、固定翼123の一端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ125a、125b、125c、・・・の間に嵌挿された状態で支持されている。
固定翼スペーサ125はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。
固定翼スペーサ125の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒127が固定されている。外筒127の底部にはベース部129が配設され、固定翼スペーサ125の下部とベース部129の間にはネジ付きスペーサ131が配設されている。
このベース部129中のネジ付きスペーサ131の下部には排気口133が形成されている。そして、排気口133には、図示しないドライポンプ通路が接続されており、排気口133は、このドライポンプ通路を介して、図示しないドライポンプと接続されている。
ネジ付きスペーサ131は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝131aが複数条刻設されている。
ネジ溝131aの螺旋の方向は、回転体103の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口133の方へ移送される方向である。
回転体103の回転翼102a、102b、102c、・・・に続く最下部には円筒部102dが垂下されている。この円筒部102dの外周面は、ネジ付きスペーサ131の内周面に向かって張り出されており、このネジ付きスペーサ131の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。
ベース部129は、ターボ分子ポンプ本体100の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。ベース部129はターボ分子ポンプ本体100を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。
また、ベース部129には、コネクタ160が配設されており、このコネクタ160には、ターボ分子ポンプ本体100と制御装置とを電気的に接続するケーブルが接続されている。
かかる構成において、回転翼102がロータ軸113と共にモータ121により駆動されて回転すると、回転翼102と固定翼123の作用により、吸気口101を通じて、図示しないチャンバから排気ガスが吸気される。
吸気口101から吸気された排気ガスは、回転翼102と固定翼123の間を通り、ベース部129へ移送される。そして、ベース部129に移送されてきた排気ガスは、ネジ付きスペーサ131のネジ溝131aに案内されつつ排気口133へと送られる。
ここで、図9にモータ121を駆動するモータドライバー回路のブロック図を示す。モータドライバー回路200は、モータ121のステータのU相巻線、V相巻線、W相巻線に対しそれぞれ図10のフローチャートに従った三相電流を流すため、V18、V19、V20、V21、V22、V23の6つのFET素子からなる三相ブリッジ回路210を備えている。そして、例えばセクション1では、V18とV21とをONしてU相からV相方向に電流を流す。また、セクション2では、V18とV23とをONしてU相からW相方向に電流を流す。以下、セクション3以降も順次フローチャートに従ってFET素子を切り替えることで回転磁界を生ずるようになっている。
この三相ブリッジ回路210の一端は短絡保護素子201を介してコンデンサ203の一端と接続されている。一方、三相ブリッジ回路210の他端はモータ電流検出回路205を介してコンデンサ203の他端と接続されている。コンデンサ203の一端は更に回生抵抗207の一端及び電源の正極209に接続されている。コンデンサ203の他端は回生抵抗駆動FET211を介して回生抵抗207の他端に接続されると共に電源の負極213に接続されている。回生抵抗207の両端にはこの回生抵抗207と並列にダイオード215が接続されている。
ポンプ加速時、図示しないドライバー制御用CPUは、モータ電流検出回路205によって検出されたモータ121に通電される電流値が所定の一定電流値になるように三相ブリッジ回路210の各FETをPWM制御しつつ、図示しない回転数センサにより図10のタイミングに従って、各相を転流させて所定の回転数になるように制御する。またブレーキ時は、所定の電流値になるように三相ブリッジ回路210のFETをPWM制御し、上記加速タイミングと逆方向に各相を転流させつつ、モータ121からの回生電力を回生抵抗207によって熱エネルギー消費させるため、回生抵抗駆動FET211をON・OFFさせる。
また回生抵抗207は、より大きなエネルギー消費をさせるため、大容量(大型)なタイプを用いたり、ヒートシンク上に実装し、空冷FANで冷却している。
ところで、従来、この回生抵抗でのエネルギー消費が安全な範囲で行われるようにするため、回生エネルギーを計算し、所定の回生エネルギーを超えることが無いように複数台のモータに対しそれぞれ回生制動を行うか否かを自動選択できるようにした技術が開示されている(特許文献1)。
特開2006−194094号公報
しかしながら、特許文献1では複数台のモータからの回生制動を制御することで回生抵抗でのエネルギー消費が安全な範囲で行われることを目的としており、各モータそれぞれにおける回生抵抗の発熱を抑制したりブレーキ時間を短縮するものではない。
この各モータ単体において、ブレーキ時間を短くするため、発生する回生エネルギーを、回生抵抗207で仮に常時通電させると、回生抵抗207の発熱が大となり、その温度が上昇する。このため、熱容量の大きな回生抵抗207を使用したり、ヒートシンクを付け、風量の大きいFANを使用して冷却する必要がある。しかしこれら部品の使用は、コストアップを招くほか、コントローラの寸法が大きくなる問題があった。
一方、回生抵抗207への通電量を小さくすることにより、回生抵抗207の発熱を抑制できるが、ブレーキ時間が増大するという性能上の問題が発生する。
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたもので、特に容量の大きな回生抵抗やヒートシンクを採用したり、より風量の大きなFANを使用しなくても、回生抵抗の発熱を仕様温度範囲に抑制でき、適正なブレーキ時間を得つつ、コンパクトで低コストな磁気軸受装置及び該磁気軸受装置を搭載した真空ポンプを提供することを目的とする。
このため本発明(請求項1)の磁気軸受装置は、ロータ軸を浮上支持する磁気軸受手段と、前記ロータ軸を回転させるモータと、該モータを駆動するモータ駆動回路と、前記モータのモータ速度を検出するモータ速度検出手段と、前記モータ駆動回路に流れる電流を検出する電流検出手段と、前記モータのブレーキ動作時に前記モータ駆動回路から回生された電流が流される回生抵抗と、前記モータのブレーキ動作時に、該回生抵抗の温度が許容温度を超えないように、かつ、高速回転時は、該回生抵抗によるエネルギー消費を小さくし、減速するに従ってエネルギー消費を増加させるように前記モータ速度検出手段で検出したモータ速度に応じて前記モータの駆動電流設定値を演算するモータ駆動電流設定値演算手段と、前記電流検出手段で検出した電流が該モータ駆動電流設定値演算手段で演算した駆動電流設定値となるように駆動電流を調整する駆動電流調整手段と、前記回生抵抗に対し直列接続され、電流を流すか否か制御する制御素子と、一端が前記回生抵抗の一端に接続され、他端が前記制御素子を介して前記回生抵抗の他端に接続されるコンデンサと、前記モータ駆動回路の電圧を検出する電圧検出手段と、該電圧検出手段で検出した電圧が設定電圧値以下となるように前記制御素子をON、OFF駆動する制御素子駆動手段と、を備え、前記モータ駆動回路では前記駆動電流調整手段で調整した駆動電流に基づき前記モータが駆動されることを特徴とする。
モータのブレーキ動作時にモータ速度に応じてモータの駆動電流設定値を演算することで、高速回転時は回生エネルギーの消費を小さくし、減速するに従って回生エネルギーの消費を大きくできる。
更に、本発明(請求項2)の磁気軸受装置は、前記モータ駆動電流設定値演算手段で演算される駆動電流設定値は、前記モータの最大定格回転数における初期電流値が最大ブレーキ電流値より小さい値であり、減速していくモータ速度に応じて大きい値になることを特徴とする。
これにより回生抵抗のエネルギーがモータ速度に応じて調節される。従って、回生抵抗の許容温度を超えない目一杯の範囲で短時間での減速ができるようになる。従って、容量の大きな回生抵抗やヒートシンクを採用したり、より風量の大きなFANを使用しなくても、回生抵抗の発熱を仕様温度範囲に抑制でき、適正なブレーキ時間を得ることができる。
更に、本発明(請求項3)の磁気軸受装置は、前記駆動電流設定値は所定値以上にならないようにリミットがかけられたことを特徴とする。
更に、本発明のモータドライバー回路は、モータと、該モータを駆動するモータ駆動回路と、前記モータのブレーキ動作時に該モータ駆動回路から回生された電流が流される電源に対し並列に配置された回生抵抗と、該回生抵抗に対し直列接続され、電流を流すか否か制御する制御素子と、前記回生抵抗の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段で検出した温度が所定値以下になるように前記モータの駆動電流指令値を演算する駆動電流指令値演算手段と、前記モータ駆動回路の電圧を検出する電圧検出手段と、該電圧検出手段で検出した電圧が設定電圧値以下となるように前記制御素子をON、OFF駆動する制御素子駆動手段とを備えて構成してもよい
回生抵抗の温度を直接検出しつつ、この回生抵抗の発熱を仕様温度範囲に抑制するため、回生抵抗の許容温度を超えない目一杯の範囲で短時間での減速ができる。
更に、本発明のモータドライバー回路は、モータと、該モータを駆動するモータ駆動回路と、前記モータのブレーキ動作時に該モータ駆動回路から回生された電流が流される電源に対し並列に配置された回生抵抗と、回生抵抗に対し直列接続され、電流を流すか否か制御する制御素子と、前記モータのモータ速度を検出するモータ速度検出手段と、前記モータ駆動回路に流れる電流を検出する電流検出手段と、モータ速度と前記制御素子のON、OFF信号のデューティサイクルとの関連を規定したテーブルと、該テーブルより前記モータのブレーキ動作時に前記モータ速度検出手段で検出したモータ速度に応じた前記制御素子のON、OFF信号のデューティサイクルを算出するデューティサイクル算出手段と、該デューティサイクル算出手段で算出したデューティサイクルに基づき前記制御素子をON、OFF制御する制御素子制御手段とを備えて構成してもよい
テーブルに基づきモータ速度に応じた制御素子のON、OFF信号のデューティサイクルを算出可能なので、制御が容易に行える。
更に、本発明のモータドライバー回路は、モータと、該モータを駆動するモータ駆動回路と、前記モータのブレーキ動作時に該モータ駆動回路から回生された電流が流される電源に対し並列に配置された回生抵抗と、該回生抵抗に対し直列接続され、電流を流すか否か制御する制御素子と、前記回生抵抗の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段で検出した温度が所定値以下になるように前記制御素子をON、OFF制御する制御素子ON、OFF制御手段とを備えて構成してもよい
更に、本発明のモータドライバー回路は、前記制御素子ON、OFF制御手段で制御されるON、OFF信号のデューティサイクルは、前記温度検出手段で検出した温度が高いときに通電間隔が短く設定され、温度が低いときに通電時間が長く設定されることを特徴としてもよい
更に、本発明のモータドライバー回路は、前記モータ駆動回路の電圧を検出する電圧検出手段と、該電圧検出手段で検出した電圧が設定電圧値以下となるように駆動電流を調整する駆動電流調整手段と、前記モータ駆動回路では該駆動電流調整手段で調整した駆動電流に基づき前記モータが駆動されることを特徴としてもよい
更に、本発明(請求項4)の真空ポンプは、請求項1〜3に記載の磁気軸受装置を搭載したことを特徴とする。
以上説明したように本発明によれば、モータのブレーキ動作時にモータ速度に応じてモータの駆動電流設定値を演算するように構成したので、高速回転時は回生エネルギーの消費を小さくし、減速するに従って回生エネルギーの消費を大きくできる。
本発明の第1実施形態のブロック構成図 モータに供給する電流値とモータ速度及び停止時間の関係、並びにモータに供給する電流値と回生抵抗の温度の関係 モータ電流値とモータ速度、停止時間、回生抵抗の温度の関係 本発明の第2実施形態のブロック構成図 本発明の第2実施形態の動作フロー 本発明の第3実施形態のブロック構成図 本発明の第4実施形態のブロック構成図 ターボ分子ポンプ本体の縦断面図 モータドライバー回路のブロック図 モータ駆動フローチャート
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の第1実施形態のブロック構成図を図1に示す。なお、図9と同一要素のものについては同一符号を付して説明は省略する。
図1において、モータ電流検出回路205で検出したモータ電流はマイクロプロセッサ221及び三相ブリッジ制御回路225に入力されるようになっている。また、回転数センサ223によりモータ速度が検出され、マイクロプロセッサ221に入力されるようになっている。マイクロプロセッサ221では、入力されたモータ速度に基づき所定の演算が行われ、電流指令値が求められるようになっている。三相ブリッジ制御回路225では、モータ電流検出回路205で検出したモータ電流がこの電流指令値となるようにPID補償演算等が行われ、この補償された信号に基づき三相ブリッジ回路210の各FETがPWM制御されるようになっている。
また、ドライバ部直流電圧検出回路227では、モータドライバー回路200の電圧をコンデンサ203の両端の電圧を基に検出するようになっている。そして、このドライバ部直流電圧検出回路227で検出された直流電圧値が所定値(例えば135ボルト)以下になるように、回生抵抗駆動FET211がON、OFF制御されるようになっている。
次に、本発明の第1実施形態の動作を説明する。
図2には、モータに供給する電流値とモータ速度及び停止時間の関係、並びにモータに供給する電流値と回生抵抗の温度の関係を概念図として示す。図2の左部のモータ加速領域においては、モータに供給する電流値を所定値に設定することでモータ速度がほぼ線形に増加する。そして、一旦定格運転に至ったときには、ポンプが真空引きで負荷が余り掛からないことから電流値もほんのわずかの値で済む。
その後、ブレーキ領域(図中右部)に入るが、このとき回生電流を最大ブレーキ電流値Iset_brake_max(例えば15[A]程度)でこのブレーキ領域中継続して流すと仮定すると、速度特性は図中aで示すようにモータ速度は理想的に素早く落とすことができる。しかしながら、その一方で、回生エネルギーは回生抵抗207で急激に消費されるため、図2の回生抵抗の温度特性中にdで示すように限界温度である例えば300度を短時間の内にはるかに超えてしまう。
また、ブレーキ領域に入った時点でIset_brake_n0(例えば6[A]程度)をブレーキ期間中継続して流すと仮定すると、回生エネルギーは回生抵抗207で徐々に消費されるため、図2の回生抵抗の温度特性中にeで示すように限界温度である例えば300度を超えない回生を行うことができるが、その一方で、速度特性は図中bで示すようにモータ速度が落ちるまでに長時間を要してしまう。
そこで、かかる不都合を回避するため、本実施形態では、回生の初期段階ではモータ速度に応じて速度特性がbの傾斜から少しずつaの傾斜に近づくように回生電流を制御することにしたものである。そして、この一方で回生電流が最大ブレーキ電流値Iset_brake_maxに至った場合には、それ以上の電流を流さないようにリミットをかけることにしたものである。
即ち、図中右側部のブレーキ領域では、加速時とは逆方向に各相を転流させつつ電流を回生させる。このときのブレーキ動作時の回生エネルギーは、ブレーキ電流設定値Iset_brakeを数1に示すようにモータ速度に応じて減速させることで調節する。
Figure 0005606315
ここに、Iset_brake_n0は初期ブレーキ電流値であり、n0は最大定格回転速度、nは回転速度である。
ブレーキ電流設定値Iset_brakeは、図2に示すように、ブレーキ領域に入った時点では初期ブレーキ電流値Iset_brake_n0が設定される。その後、数1に基づきモータ速度が減速されるに連れて次第に大きくなり、最大ブレーキ電流値Iset_brake_maxに至った場合にそれ以上大きな電流値とならないようにリミットがかけられる。このように、ブレーキ動作時、最大定格回転数での初期ブレーキ電流値を低く設定し、減速していく回転速度に応じブレーキ電流を増加させるように制御する。
即ち高速回転時は、回生抵抗によるエネルギー消費を小さくし、減速するに従ってエネルギー消費を増加させるようにする。
図1のブロック図に基づき説明すると、ブレーキ領域に入ったときマイクロプロセッサ221では、回転数センサ223で検出した減速回転数に応じて回生されるモータ電流設定値の大きさを数1に基づき演算し出力する。三相ブリッジ制御回路225では、このモータ電流設定値をモータ電流検出回路205で検出した電流値と比較し、偏差が0となるように三相ブリッジ回路210のゲートをON、OFF制御する。このように、マイクロプロセッサ221は三相ブリッジ回路210を電流フィードバックで制御しつつ、ドライバ部直流電圧検出回路227で検出された直流電圧値が例えば135ボルト以下になるように、回生抵抗駆動FET211をON、OFFさせる。これにより回生抵抗のエネルギーがモータ速度に応じて調節される。従って、回生抵抗207の許容温度を超えない目一杯の範囲で短時間での減速ができるようになる。
なお、以上のモデルに基づき実際に実験した結果を図3に示す。図3において、gの線はモータ電流設定値を15[A]一定で指定したときのモータ速度−停止時間の特性を示し、hの線はモータ電流設定値を6[A]一定で指定したときのモータ速度−停止時間の特性を示す。そして、iの曲線は数1に基づきモータ速度に応じてモータ電流設定値を指定したときのモータ速度−停止時間の特性を示す。
gのように、モータ電流設定値を15[A]一定で指定したときには、停止時間の経過に伴い回生抵抗207の温度は図中jで示すように急激に立ち上がるため、回生抵抗207の許容温度を短時間の内に超えてしまう。一方、hのように、モータ電流設定値を6[A]一定で指定したときには、停止時間の経過に伴い回生抵抗207の温度は図中kで示すようにゆるやかで、かつ最大温度でも250度を超えない。しかしながら、モータ停止までに1400秒程要してしまう。これに対し、iのように数1に基づきブレーキ電流設定値Iset_brakeを指定したときには回生抵抗207の温度は図中lで示すようにほぼ最大温度でも280度程度となり、回生抵抗207の許容温度一杯内でありつつ停止時間は800秒程に短縮できる。
このことにより、容量の大きな回生抵抗やヒートシンクを採用したり、より風量の大きなFANを使用しなくても、回生抵抗の発熱を仕様温度範囲に抑制できる。また、適正なブレーキ時間を得つつ、コンパクトで低コストなモータドライバー回路を実現できる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態のブロック構成図を図4に示す。なお、図1と同一要素のものについては同一符号を付して説明は省略する。
図4において、温度検出回路231は回生抵抗207の温度を検出しマイクロプロセッサ221に出力するようになっている。マイクロプロセッサ221では、この温度が所定値以下になるように電流指令値を設定するようになっている。三相ブリッジ制御回路225では、モータ電流検出回路205で検出したモータ電流がこの電流指令値となるようにPID補償演算等が行われ、この補償された信号に基づき三相ブリッジ回路210の各FETがPWM制御されるようになっている。
次に、本発明の第2実施形態の動作フローを図5を基に説明する。
図5において、ステップ1(図中S1と略す。以下同旨)では、マイクロプロセッサ221が温度検出回路231で検出した回生抵抗207の温度が所定値より高いか、低いかを判断する。そして、低かった場合には、ステップ2で三相ブリッジ制御回路225に対する電流指令値を増加させる。この電流指令値に基づき三相ブリッジ制御回路225では三相ブリッジ回路210の各FETに対しON、OFF信号を発する。この結果、ステップ3でモータドライバー回路200の電圧が増加する。このため、ステップ4では、マイクロプロセッサ221はこの電圧が所定値以下になるように回生抵抗207への通電時間間隔を増加させる。このことにより、ステップ5では、回生抵抗207のエネルギー消費が増加し回生抵抗207の温度が高くなる。
一方、ステップ6のように、温度検出回路231で検出した回生抵抗207の温度が所定値より高い場合、ステップ7で三相ブリッジ制御回路225に対する電流指令値を減少させる。この結果、ステップ8でモータドライバー回路200の電圧が減少する。このため、ステップ9では、マイクロプロセッサ221は回生抵抗207への通電時間間隔を減少させる。このことにより、ステップ10では、回生抵抗207のエネルギー消費が減少し回生抵抗207の温度が低くなる。
このことにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。本発明の第3実施形態のブロック構成図を図6に示す。なお、図1と同一要素のものについては同一符号を付して説明は省略する。
図6において、マイクロプロセッサ221では、図示しない記憶領域に予め設定されたルックアップテーブルが保存されている。このルックアップテーブルはモータ速度に対する回生抵抗駆動FET211のON/OFFデーティサイクルを規定したものである。そして、マイクロプロセッサ221は回転数センサ223で検出したモータ速度に応じてルックアップテーブルを参照し、該当するON/OFFデーティサイクルを抽出して、このON/OFFデーティサイクルに基づき回生抵抗駆動FET211のゲート信号を駆動するようになっている。
一方、マイクロプロセッサ221では、ドライバ部直流電圧検出回路227で検出された直流電圧値が所定値(例えば135ボルト)以下になるように、電流指令値が求められるようになっている。三相ブリッジ制御回路225では、モータ電流検出回路205で検出したモータ電流がこの電流指令値となるようにPID補償演算等が行われ、この補償された信号に基づき三相ブリッジ回路210の各FETがPWM制御されるようになっている。
次に、本発明の第3実施形態の動作を説明する。
ルックアップテーブルを設定するに際しては、回生抵抗207の温度が仕様以下で最適なエネルギー消費をする駆動パターンを事前に実験等により評価・決定する必要がある。
回生抵抗207の通電パターンイメージの例としては例えば第1実施形態のように、モータ速度が高いときには、回生抵抗駆動FET211のゲート信号の通電時間を短くし、一方、モータ速度が低いときには、通電時間を長くする。但し、ドライバ部直流電圧検出回路227で検出した直流電圧が所定値(例えば125V)以下になった場合は回生抵抗駆動FET211のゲート信号の駆動をOFFする。
また、マイクロプロセッサ221では、ドライバ部直流電圧検出回路227で検出された直流電圧値が所定値(例えば135ボルト)以下になるように、電流指令値が求められるようになっている。三相ブリッジ制御回路225では、モータ電流検出回路205で検出したモータ電流がこの電流指令値となるようにPID補償演算等が行われ、この補償された信号に基づき三相ブリッジ回路210の各FETがPWM制御されるようになっている。
このことにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。本発明の第4実施形態のブロック構成図を図7に示す。なお、図4と同一要素のものについては同一符号を付して説明は省略する。
図7において、マイクロプロセッサ221では、温度検出回路231で検出した温度が所定値以下になるように回生抵抗駆動FET211のゲート信号を駆動するようになっている。
一方、マイクロプロセッサ221では、ドライバ部直流電圧検出回路227で検出された直流電圧値が所定値(例えば135ボルト)以下になるように、電流指令値が求められるようになっている。三相ブリッジ制御回路225では、モータ電流検出回路205で検出したモータ電流がこの電流指令値となるようにPID補償演算等が行われ、この補償された信号に基づき三相ブリッジ回路210の各FETがPWM制御されるようになっている。
次に、本発明の第4実施形態の動作を説明する。
マイクロプロセッサ221では、具体的には、検出した温度が高いときには、回生抵抗207への通電時間間隔を短くし、一方、検出した温度が低いときには、回生抵抗207への通電時間間隔を長くする。但し、ドライバ部直流電圧検出回路227で検出した直流電圧が所定値(例えば125V)以下になった場合は回生抵抗駆動FET211のゲート信号の駆動をOFFする。
このことにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
121 モータ
200 モータドライバー回路
205 モータ電流検出回路
207 回生抵抗
210 三相ブリッジ回路
211 回生抵抗駆動FET
221 マイクロプロセッサ
223 回転数センサ
225 三相ブリッジ制御回路
227 ドライバ部直流電圧検出回路
231 温度検出回路

Claims (4)

  1. ロータ軸(113)を浮上支持する磁気軸受手段(104、105、106)と、
    前記ロータ軸(113)を回転させるモータ(121)と、
    該モータ(121)を駆動するモータ駆動回路(210)と、
    前記モータ(121)のモータ速度を検出するモータ速度検出手段(223)と、
    前記モータ駆動回路(210)に流れる電流を検出する電流検出手段(205)と、
    前記モータ(121)のブレーキ動作時に前記モータ駆動回路(210)から回生された電流が流される回生抵抗(207)と、
    前記モータ(121)のブレーキ動作時に、該回生抵抗(207)の温度が許容温度を超えないように、かつ、高速回転時は、該回生抵抗によるエネルギー消費を小さくし、減速するに従ってエネルギー消費を増加させるように前記モータ速度検出手段(223)で検出したモータ速度に応じて前記モータ(121)の駆動電流設定値を演算するモータ駆動電流設定値演算手段(221)と、
    前記電流検出手段(205)で検出した電流が該モータ駆動電流設定値演算手段(221)で演算した駆動電流設定値となるように駆動電流を調整する駆動電流調整手段(225)と
    前記回生抵抗(207)に対し直列接続され、電流を流すか否か制御する制御素子(211)と、
    一端が前記回生抵抗(207)の一端に接続され、他端が前記制御素子(211)を介して前記回生抵抗(207)の他端に接続されるコンデンサ(203)と、
    前記モータ駆動回路(210)の電圧を検出する電圧検出手段(227)と、
    該電圧検出手段(227)で検出した電圧が設定電圧値以下となるように前記制御素子(211)をON、OFF駆動する制御素子駆動手段(221)と、
    を備え、
    前記モータ駆動回路(210)では前記駆動電流調整手段(225)で調整した駆動電流に基づき前記モータ(121)が駆動されることを特徴とする磁気軸受装置
  2. 前記モータ駆動電流設定値演算手段(221)で演算される駆動電流設定値は、前記モータ(121)の最大定格回転数における初期電流値Iset_brake_n0最大ブレーキ電流値I set_brake_max より小さい値であり、減速していくモータ速度に応じて大きい値になることを特徴とする請求項1記載の磁気軸受装置
  3. 前記駆動電流設定値は所定値以上にならないようにリミットIset_brake_maxがかけられたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の磁気軸受装置
  4. 請求項1〜3に記載の磁気軸受装置を搭載したことを特徴とする真空ポンプ。
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